JP7139203B2 - 紫外線検出器 - Google Patents
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Description
本明細書中に開示されている発明は、紫外線検出器に関する。
近年、紫外線検出器は、様々なアプリケーション（火災報知器の炎センサなど）で利用されている。
なお、上記に関連する従来技術の一例としては、特許文献１を挙げることができる。
ところで、可視光や赤外線の検出手段として広く利用されるシリコン系の受光素子（＝シリコン基板に集積化されたフォトダイオードやフォトトランジスタなど）は、一般に、紫外領域（特にＵＶＢ領域やＵＶＣ領域）の受光感度が乏しい。
そのため、従来の紫外線検出器では、紫外領域の受光感度に優れた酸化亜鉛系や窒化ガリウム系などの受光素子が用いられていた。
本明細書中に開示されている発明は、本願の発明者により見出された上記課題に鑑み、シリコン系の受光素子を用いることのできる紫外線検出器を提供することを目的とする。
本明細書中に開示されている紫外線検出器は、入射光に含まれる紫外線を透過する紫外線透過部と、前記紫外線透過部を透過した紫外線を可視光に変換する波長変換部と、前記波長変換部で得られた可視光を検出する可視光受光部と、を有する構成（第１の構成）とされている。
なお、上記第１の構成から成る紫外線検出器において、前記可視光受光部は、シリコン系の受光素子を含む構成（第２の構成）にするとよい。
また、上記第１または第２の構成から成る紫外線検出器において、前記波長変換部は、ＵＶＢ領域の紫外線を第１波長の可視光に変換し、ＵＶＣ領域の紫外線を前記第１波長とは異なる第２波長の可視光に変換する構成（第３の構成）にするとよい。
また、上記第３の構成から成る紫外線検出器において、前記可視光受光部は、前記第１波長の可視光を検出する第１受光素子と前記第２波長の可視光を検出する第２受光素子を含む構成（第４の構成）にするとよい。
また、上記第４の構成から成る紫外線検出器は、前記第１受光素子及び前記第２受光素子それぞれの導光路を形成する遮光壁を有する構成（第５の構成）にするとよい。
また、上記第１～第５いずれかの構成から成る紫外線検出器において、前記紫外線透過部は、ＵＶＢ領域の紫外線を透過するＵＶＢ透過フィルタと、ＵＶＣ領域の紫外線を透過するＵＶＣ透過フィルタと、を含む構成（第６の構成）にするとよい。
また、上記第１～第６いずれかの構成から成る紫外線検出器において、前記波長変換部は、紫外線を受けて可視光を発する蛍光顔料を含む構成（第７の構成）にするとよい。
また、上記第１～第７いずれかの構成から成る紫外線検出器は、前記波長変換部と前記可視光受光部との間で赤外線を遮断する赤外線遮断部を有する構成（第８の構成）にするとよい。
また、上記第１～第８いずれかの構成から成る紫外線検出器は、前記入射光に含まれる赤外線を透過する赤外線透過部と、前記赤外線透過部を透過した赤外線を検出する赤外線受光部と、を有する構成（第９の構成）にするとよい。
また、本明細書中に開示されている火災報知器は、上記第１～第９いずれかの構成から成る紫外線検出器を用いて炎が発する紫外線を検出する炎センサと、警報を出力する警報出力部と、前記炎センサの検出結果に応じて前記警報出力部を駆動する制御部と、を有する構成（第１０の構成）とされている。
なお、上記第１０の構成から成る火災報知器において、前記紫外線検出器は、ＵＶＢ領域及びＵＶＣ領域の紫外線について、それぞれの放射照度これに応じた値を算出し、それぞれの強度及び比率から炎の種類を判別する構成（第１１の構成）にするとよい。
本明細書中に開示されている発明によれば、シリコン系の受光素子を用いることのできる紫外線検出器を提供することが可能となる。
＜紫外線検出器（第１実施形態）＞
図１は紫外線検出器の第１実施形態を模式的に示す縦断面図である。本実施形態の紫外線検出器１は、シリコン基板１０と、紫外線透過部１１と、波長変換部１２と、可視光受光部１３と、赤外線受光部１４と、赤外線透過部１５と、遮光壁１６と、を有する。
図１は紫外線検出器の第１実施形態を模式的に示す縦断面図である。本実施形態の紫外線検出器１は、シリコン基板１０と、紫外線透過部１１と、波長変換部１２と、可視光受光部１３と、赤外線受光部１４と、赤外線透過部１５と、遮光壁１６と、を有する。
シリコン基板１０は、可視光受光部１３及び赤外線受光部１４を形成するための半導体基板の一種であり、一般的なＩＣやＬＳＩのチップと同様、シリコンウェハを好適に用いることができる。
紫外線透過部１１は、入射光Ｌ０に含まれる紫外線を透過する手段であり、本実施形態では、ＵＶＢ透過フィルタ１１ｘとＵＶＣ透過フィルタ１１ｙを含む。
図２は、ＵＶＢ透過フィルタ１１ｘの特性（波長－透過率特性）を示す図である。本図で示したように、ＵＶＢ透過フィルタ１１ｘは、波長３００ｎｍ付近に急峻な透過ピークを持ち、ＵＶＢ領域（一般には波長２８０～３１５ｎｍの波長領域を指すが、図２ではこれよりも狭い波長領域に限定されている）の紫外線のみを透過する。なお、ＵＶＢ透過フィルタ１１ｘは、可視光領域（一般には波長４００ｎｍ～７５０ｎｍの波長領域）の光をほとんど透過しない。すなわち、ＵＶＢ透過フィルタ１１ｘは、可視光遮断フィルタとしての役割も担っている。
図３は、ＵＶＣ透過フィルタ１１ｙの特性（波長－透過率特性）を示す図である。本図で示したように、ＵＶＣ透過フィルタ１１ｙは、波長２６０ｎｍ付近に急峻な透過ピークを持ち、ＵＶＣ領域（一般には波長２８０ｎｍ未満の波長領域を差すが、図２ではこれよりも狭い波長領域に限定されている）の紫外線のみを透過する。なお、ＵＶＣ透過フィルタ１１ｙは、可視光領域の光をほとんど透過しない。すなわち、ＵＶＣ透過フィルタ１１ｙは、可視光遮断フィルタとしての役割も担っている。
図１に戻り、紫外線検出器１の構成要素について説明を続ける。波長変換部１２は、紫外線透過部１１を透過した紫外線を可視光（概ね波長３８０～７５０ｎｍ）に変換する手段であり、本実施形態では、ＵＶＢ発光インキ１２ｘとＵＶＣ発光インキ１２ｙを含む。
ＵＶＢ発光インキ１２ｘは、ＵＶＢ領域の紫外線を受けて波長λｘの可視光を発する蛍光顔料の一種であり、本実施形態では、ＵＶＢ透過フィルタ１１ｘの出射面（＝透過光の出力面）に塗布されている。従って、ＵＶＢ透過フィルタ１１ｘを透過したＵＶＢ領域の紫外線は、ＵＶＢ発光インキ１２ｘにより、波長λｘの可視光Ｌ１ｘに変換される。
ＵＶＣ発光インキ１２ｙは、ＵＶＣ領域の紫外線を波長λｙ（≠λｘ）の可視光を発する蛍光顔料の一種であり、本実施形態では、ＵＶＣ透過フィルタ１１ｙの出射面（＝透過光の出力面）に塗布されている。従って、ＵＶＣ透過フィルタ１１ｙを透過したＵＶＣ領域の紫外線は、ＵＶＣ発光インキ１２ｙにより、波長λｙの可視光Ｌ１ｙに変換される。
図４は、波長変換部１２に用いられる紫外線発光インキの一例を示す図であり、ここでは、３種類の紫外線発光インキＸ～Ｚそれぞれについて、ＵＶＢ領域の紫外線を照射したときの発光色、ＵＶＣ領域の紫外線を照射したときの発光色、及び、Ｄ９０粒子径（＝積算ふるい下分布９０％に相当する粒子径）が示されている。
本図に即して述べると、紫外線発光インキＸは、ＵＶＢ領域の紫外線が照射されたときに橙色（概ね波長５９０～５２０ｎｍ）の可視光を発し、ＵＶＣ領域の紫外線が照射されたときに緑色（概ね波長４９５ｎｍ～５７０ｎｍ）の可視光を発する。
一方、紫外線発光インキＹは、ＵＶＢ領域の紫外線が照射されたときに赤色（概ね波長６２０～７５０ｎｍ）の可視光を発し、ＵＶＣ領域の紫外線が照射されたときに緑色（概ね波長４９５ｎｍ～５７０ｎｍ）の可視光を発する。
また、紫外線発光インキＺは、ＵＶＢ領域の紫外線が照射されたときに青色（概ね波長４５０～４９５ｎｍ）の可視光を発し、ＵＶＣ領域の紫外線が照射されたときに緑色（概ね波長４９５ｎｍ～５７０ｎｍ）の可視光を発する。
このように、紫外線発光インキは、一般に、これに照射される紫外線の波長に応じて、異なる波長の可視光を発する。そのため、ＵＶＢ発光インキ１２ｘ及びＵＶＣ発光インキ１２ｙの双方として、同一の紫外線発光インキを用いることも可能である。
また、波長変換部１２で均一な可視光Ｌ１ｘ及びＬ１ｙを得るためには、紫外線発光インキとして、可視光受光部１３の開口径φ（２０μｍ程度）よりもできるだけ小さい粒子径を持つもの（例えば紫外線発光インキＺ）を波長変換部１２に用いることが望ましい。
図１に戻り、紫外線検出器１の構成要素について説明を続ける。可視光受光部１３は、波長変換部１２で得られた可視光を検出する手段であり、本実施形態では、受光素子１３ｘ及び１３ｙを含む。
受光素子１３ｘは、波長λｘの可視光Ｌ１ｘを検出する。一方、受光素子１３ｙは、波長λｙの可視光Ｌ１ｙを検出する。これらの受光素子１３ｘ及び１３ｙとしては、シリコン基板１０にｐ型不純物（ホウ素など）とｎ型不純物（リンなど）をそれぞれ添加して形成されるＰＮ接合型またはＰＩＮ型のＳｉフォトダイオードを用いればよい。
なお、Ｓｉフォトダイオードは、入射光の強度に応じた光電流を出力する。従って、受光素子１３ｘ及び１３ｙそれぞれの後段には、光電流を電圧信号に変換するトランスインピーダンスアンプ（電流入力／電圧出力型アンプ）を設けておくことが望ましい。
また、受光素子１３ｘ及び１３ｙそれぞれの受光特性については、任意の手法で調整することができる。例えば、ＰＮ接合面を形成する不純物の種類や濃度を変えることで調整してもよいし、或いは、シリコン基板１０の表面からＰＮ接合面までの深さを変えることで調整してもよい。若しくは、受光面にカラーフィルタを設けることで調整してもよい。
赤外線受光部１４は、赤外線透過部１５を透過した赤外線（波長７５０ｎｍ以上）を検出する手段である。このように、赤外線受光部１４を有する構成であれば、入射光Ｌ０に含まれる紫外線と赤外線の双方を検出することが可能となる。特に、紫外線検出器１を炎センサとして用いる場合には、この赤外線検出機能が有効となり得る（詳細は後述）。なお、赤外線受光部１４の受光素子としては、可視光受光部１３と同じく、Ｓｉフォトダイオードを用いることが望ましい。
赤外線透過部１５は、入射光Ｌ０に含まれる赤外線を透過する手段である。図５は、赤外線透過部（Ｉｒ透過フィルタ）１５の特性（波長－透過率特性）を示す図である。本図で示したように、赤外線透過部１５は、波長７５０ｎｍ以上の赤外線のみを透過する。
遮光壁１６は、可視光受光部１３（受光素子１３ｘ及び１３ｙ）、並びに、赤外線受光部１４それぞれの導光路を形成する手段である。なお、遮光壁１６は、例えば、シリコン基板１０の表面上に積層される保護層を流用して形成するとよい。
上記のように、本実施形態の紫外線検出器１は、入射光Ｌ０に含まれる紫外線を紫外線透過部１１で抽出した後、抽出された紫外線を波長変換部１２で可視光に変換してから、可視光検出部１３で検出する。このような構成であれば、紫外領域の受光感度に優れた酸化亜鉛系や窒化ガリウム系などの受光素子を用いることなく、より一般的なシリコン系の受光素子（Ｓｉフォトダイオードなど）を用いて紫外線を検出することが可能となる。
＜紫外線検出器（第２実施形態）＞
図６は、紫外線検出器１の第２実施形態を模式的に示す縦断面図である。第２実施形態の紫外線検出器１では、先のＵＶＢ透過フィルタ１１ｘ及びＵＶＣ透過フィルタ１１ｙに代えて、ＵＶ透過フィルタ１１ｚが用いられている。
図６は、紫外線検出器１の第２実施形態を模式的に示す縦断面図である。第２実施形態の紫外線検出器１では、先のＵＶＢ透過フィルタ１１ｘ及びＵＶＣ透過フィルタ１１ｙに代えて、ＵＶ透過フィルタ１１ｚが用いられている。
図７は、ＵＶ透過フィルタ１１ｚの特性（波長－透過率特性）を示す図である。本図で示したように、ＵＶ透過フィルタ１１ｚは、概ね波長２５０～３３０ｎｍに亘る幅広な透過ピークを持ち、ＵＶＢ領域及びＵＶＣ領域の双方に跨る波長領域の紫外線を透過する。なお、ＵＶ透過フィルタ１１ｚは、可視光領域の光をほとんど透過しない。すなわち、ＵＶ透過フィルタ１１ｚは、可視光遮断フィルタとしての役割も担っている。
図６に戻り、紫外線検出器１の構成要素について説明を続ける。ＵＶＢ発光インキ１２ｘ及びＵＶＣ発光インキ１２ｙは、それぞれ、ＵＶ透過フィルタ１１ｚの出射面（＝透過光の出力面）に塗布されている。従って、ＵＶ透過フィルタ１１ｚを透過したＵＶＢ領域の紫外線は、ＵＶＢ発光インキ１２ｘにより、波長λｘの可視光Ｌ１ｘに変換される。また、ＵＶ透過フィルタ１１ｚを透過したＵＶＣ領域の紫外線は、ＵＶＣ発光インキ１２ｙにより、波長λｙの可視光Ｌ１ｙに変換される。
ただし、ＵＶ透過フィルタ１１ｚは、先出の図７で示したように、紫外領域（概ね波長２５０～３３０ｎｍ）だけでなく、赤外領域（概ね波長７５０ｎｍ以上）にも透過帯域を持っている場合がある。
このような場合には、波長変換部１２と可視光受光部１３との間で赤外線を遮断する赤外線遮断部１７を設けるとよい。なお、赤外線遮断部１７は、例えば、受光素子１３ｘ及び１３ｙそれぞれの直上に形成するとよい。
図８は、赤外線遮断部（Ｉｒ遮断フィルタ）１７の特性（波長－透過率特性）を示す図である。本図で示したように、赤外線遮断部１７は、概ね波長３９０～６８０ｎｍに亘る幅広な透過ピークを持ち、紫外線と赤外線を遮断して可視光を透過する。すなわち、赤外線遮断部１７は、可視光透過部として理解することもできる。
もちろん、ＵＶ透過フィルタ１１ｚが紫外領域にのみ透過帯域を持つ場合には、第１実施形態（図１）と同じく、赤外線遮断部１７を割愛することも可能である。
上記のように、本実施形態の紫外線検出器１であれば、紫外線透過部１１として単一のＵＶ透過フィルタ１１ｚを用いることができるので、デバイス構造がより簡易となる。
＜パッケージング＞
図９は、紫外線検出器１のパッケージング例を模式的に示す縦断面図である。既出の構成要素については、第２実施形態（図６）と同一の符号を付すことで重複した説明を割愛し、以下では、新出の構成要素について重点的に説明する。
図９は、紫外線検出器１のパッケージング例を模式的に示す縦断面図である。既出の構成要素については、第２実施形態（図６）と同一の符号を付すことで重複した説明を割愛し、以下では、新出の構成要素について重点的に説明する。
パッケージ基板２０の表面（上面）に形成されたフレーム２１には、シリコン基板１０がダイボンディングされている。
パッケージ基板２０の表面（上面）から裏面（下面）に貫通して形成されたリードピン２２は、ワイヤ２３を介してシリコン基板１０のパッド（不図示）に接続されている。
シリコン基板１０の表面側（上面側）には、可視光受光部１３及び赤外光受光部１４それぞれの開口面を塞ぐように、ガラス製または樹脂製の透光板２４が貼付されている。
透光板２４の裏面（下面）には、赤外光受光部１４の開口部と対向する領域を除いて、紫外線透過部（ＵＶ透過フィルタ）１１が形成されている。
紫外線透過部１１の出射面（＝透過光の出力面）には、波長変換部１２として、照射される紫外線の波長に応じて異なる波長の可視光を発する紫外線発光インキ（蛍光顔料）が一面に塗布されている。
パッケージ基板２０と透光板２４との間には、樹脂製の封止材２５が充填されている。
このように、紫外線検出器１は、一般的な受光デバイスとほぼ同様のパッケージング構造で量産することができる。
＜火災報知器＞
これまでに説明してきた紫外線検出器１は、火災報知器の炎センサとして好適に利用することができる。以下、図面を参照しながら具体的に説明する。
これまでに説明してきた紫外線検出器１は、火災報知器の炎センサとして好適に利用することができる。以下、図面を参照しながら具体的に説明する。
図１０は、火災報知器の一構成例を示す図である。本構成例の火災報知器１００は、炎センサ１１０と、煙センサ１２０と、温度センサ１３０と、警報出力部１４０と、制御部１５０と、を有する。
炎センサ１１０は、火災により生じた炎を検出して制御部１５０に通知する。
煙センサ１２０は、火災により生じた煙を検出して制御部１５０に通知する。
温度センサ１３０は、火災により生じた温度上昇を検出して制御部１５０に通知する。
警報出力部１４０は、火災の発生時に警報を出力する。なお、狭義の警報としては、周囲の人間に火災の発生を知らせるための音声、ブザー音、ベル音、ないしは、警告灯などを挙げることができる。また、広義の警報として、防火防煙シャッターや防火扉などを自動で閉じたりスプリンクラーなどの消火設備を自動で駆動するための各種制御信号、ないしは、消防署や防火管理者への火災通報信号なども含まれる。
制御部１５０は、炎センサ１１０、煙センサ１２０、及び、温度センサ１３０の検出結果に応じて火災の発生が検出されたときに警報出力部１４０を駆動する。
図１１は、火炎スペクトルの一例（実線：メタン火炎、小破線：水素火炎、一点鎖線：火花、大破線：太陽光）を示す図である。
例えば、メタン燃焼時の火炎は、主としてＵＶＢ領域及びＩｒ領域で発光する。また、水素燃焼時の火炎は、主としてＵＶＢ領域及びＵＶＣ領域で発光する。これと同じく、火花も、主としてＵＶＢ領域及びＵＶＣ領域で発光する。
上記の火炎スペクトルから分かるように、ＵＶＢ領域及びＵＶＣ領域双方の紫外線を検出することのできる紫外線検出器１は、火災報知器１００の炎センサ１１０として好適に用いることが可能である。
また、紫外線検出器１は、紫外線だけでなく赤外線も検出することができるので、例えば、メタン燃焼時における火炎の発生をより正確に検出することが可能となる。
また、紫外線検出器１は、ＵＶＢ領域及びＵＶＣ領域双方の紫外線について、それぞれの放射照度（または放射照度に比例した値）を算出し、それぞれの強度及び比率から炎の種類を判別することも可能となる。例えば、ＵＶＢ領域の放射照度が基準値以上、かつ、ＵＶＢ領域の放射照度がＵＶＣ領域の放射照度の５倍以上であれば、この火炎の原因は、例えば電気漏れと判定する。もし、ＵＶＣ領域の放射照度が基準値以上、かつ、ＵＶＣ領域の放射照度がＵＶＢ領域の放射照度の５倍以上であれば、この火炎の原因は、例えば水素漏れと判定する。
＜その他の変形例＞
なお、本明細書中に開示されている種々の技術的特徴は、上記実施形態のほか、その技術的創作の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能である。すなわち、上記実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきであり、本発明の技術的範囲は、上記実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内に属する全ての変更が含まれると理解されるべきである。
なお、本明細書中に開示されている種々の技術的特徴は、上記実施形態のほか、その技術的創作の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能である。すなわち、上記実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきであり、本発明の技術的範囲は、上記実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内に属する全ての変更が含まれると理解されるべきである。
本明細書中に開示されている発明は、例えば、火災報知器や産業機器に利用することが可能である。
１ 紫外線検出器
１０ シリコン基板
１１ 紫外線透過部
１１ｘ ＵＶＢ透過フィルタ
１１ｙ ＵＶＣ透過フィルタ
１１ｚ ＵＶ透過フィルタ
１２ 波長変換部
１２ｘ ＵＶＢ発光インキ
１２ｙ ＵＶＣ発光インキ
１３ 可視光受光部
１３ｘ、１３ｙ 受光素子（Ｓｉフォトダイオード）
１４ 赤外線受光部
１５ 赤外線透過部（Ｉｒ透過フィルタ）
１６ 遮光壁
１７ 赤外線遮断部（Ｉｒ遮断フィルタ）
２０ パッケージ基板
２１ フレーム
２２ リードピン
２３ ワイヤ
２４ 透光板
２５ 封止材
１００ 火災報知器
１１０ 炎センサ（紫外線検出器）
１２０ 煙センサ
１３０ 温度センサ
１４０ 警報出力部
１５０ 制御部
１０ シリコン基板
１１ 紫外線透過部
１１ｘ ＵＶＢ透過フィルタ
１１ｙ ＵＶＣ透過フィルタ
１１ｚ ＵＶ透過フィルタ
１２ 波長変換部
１２ｘ ＵＶＢ発光インキ
１２ｙ ＵＶＣ発光インキ
１３ 可視光受光部
１３ｘ、１３ｙ 受光素子（Ｓｉフォトダイオード）
１４ 赤外線受光部
１５ 赤外線透過部（Ｉｒ透過フィルタ）
１６ 遮光壁
１７ 赤外線遮断部（Ｉｒ遮断フィルタ）
２０ パッケージ基板
２１ フレーム
２２ リードピン
２３ ワイヤ
２４ 透光板
２５ 封止材
１００ 火災報知器
１１０ 炎センサ（紫外線検出器）
１２０ 煙センサ
１３０ 温度センサ
１４０ 警報出力部
１５０ 制御部
Claims (8)
- 入射光に含まれる紫外線を透過する紫外線透過部と、
前記紫外線透過部を透過したＵＶＢ領域の紫外線を第１波長の可視光に変換する第１波長変換部と、
前記紫外線透過部を透過したＵＶＣ領域の紫外線を前記第１波長とは異なる第２波長の可視光に変換する第２波長変換部と、
シリコン基板に形成されて前記第１波長変換部で得られた前記第１波長の可視光を検出する第１可視光受光部と、
前記シリコン基板に形成されて前記第２波長変換部で得られた前記第２波長の可視光を検出する第２可視光受光部と、
前記入射光に含まれる赤外線を透過する赤外線透過部と、
前記赤外線透過部を透過した赤外線を検出する赤外線受光部と、
前記第１可視光受光部の第１導光路、前記第２可視光受光部の第２導光路及び前記赤外線受光部の第３導光路をそれぞれ形成する遮光壁と、
を有する、紫外線検出器。 - 前記紫外線透過部は、前記第１波長変換部に対して前記ＵＶＢ領域の紫外線を透過するＵＶＢ透過フィルタと、前記第２波長変換部に対して前記ＵＶＣ領域の紫外線を透過するＵＶＣ透過フィルタと、を個別に含む、請求項１に記載の紫外線検出器。
- 前記紫外線透過部は、前記第１波長変換部及び前記第２波長変換部の双方を共通して被覆するように形成されている、請求項１に記載の紫外線検出器。
- 前記第１波長変換部は、前記ＵＶＢ領域の紫外線を受けて前記第１波長の可視光を発する第１蛍光顔料を含み、前記第２波長変換部は、前記ＵＶＣ領域の紫外線を受けて前記第２波長の可視光を発する第２蛍光顔料を含む、請求項１～３のいずれか一項に記載の紫外線検出器。
- 前記第１蛍光顔料及び前記第２蛍光顔料は、それぞれ、前記第１可視光受光部及び前記第２可視光受光部の開口径よりも小さい粒子径を持つ、請求項４に記載の紫外線検出器。
- 前記第１波長変換部と前記第１可視光受光部との間、及び、前記第２波長変換部と前記第２可視光受光部との間でそれぞれ赤外線を遮断する赤外線遮断部を有する、請求項１～５のいずれか一項に記載の紫外線検出器。
- 請求項１～６のいずれか一項に記載の紫外線検出器を用いて炎が発する紫外線を検出する炎センサと、
警報を出力する警報出力部と、
前記炎センサの検出結果に応じて前記警報出力部を駆動する制御部と、
を有する、火災報知器。 - 前記紫外線検出器は、前記ＵＶＢ領域及び前記ＵＶＣ領域双方の紫外線について、それぞれの放射照度これに応じた値を算出し、それぞれの強度及び比率から炎の種類を判別する、請求項７に記載の火災報知器。
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