JPS6161198A - 固体表示装置作製方法 - Google Patents
固体表示装置作製方法Info
- Publication number
- JPS6161198A JPS6161198A JP59183350A JP18335084A JPS6161198A JP S6161198 A JPS6161198 A JP S6161198A JP 59183350 A JP59183350 A JP 59183350A JP 18335084 A JP18335084 A JP 18335084A JP S6161198 A JPS6161198 A JP S6161198A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- semiconductor
- liquid crystal
- diode
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「従来の利用分野」
この発明は、表示素子好ましくは液晶表示パネルを設け
ることにより、マイクロコンピュータ、ワードプロセッ
サまたはテレビ等の表示部の固体化を図る半導体装置の
作製方法に関するものである。
ることにより、マイクロコンピュータ、ワードプロセッ
サまたはテレビ等の表示部の固体化を図る半導体装置の
作製方法に関するものである。
「従来の技術」
固体表示パネルは各絵素を独立に制御する方式が大面積
用として有効である。このようなアクティブ素子を用い
たパネルとして、１つの絶縁ゲイト型電界効果半導体装
置（ＩＧＦという）とそれに直列に連結した液晶素子と
よりなる１絵素を構成せしめ、これをＸ、Ｙ配線に連結
したマトリ・ノクス構成よりなるものである。
用として有効である。このようなアクティブ素子を用い
たパネルとして、１つの絶縁ゲイト型電界効果半導体装
置（ＩＧＦという）とそれに直列に連結した液晶素子と
よりなる１絵素を構成せしめ、これをＸ、Ｙ配線に連結
したマトリ・ノクス構成よりなるものである。
「発明が解決しようとする問題点」
しかし、このＴＧＦを用いた表示パネルにおいて、その
重合ねセを伴う製造プロセスに必要なフォトマスク数は
６〜８枚をも有し、そのため製造歩留りが低くなってし
まうことが予想される。
重合ねセを伴う製造プロセスに必要なフォトマスク数は
６〜８枚をも有し、そのため製造歩留りが低くなってし
まうことが予想される。
このフォトマスク数を６〜８枚より２枚（１回の重合わ
せ）とすることにより、その製造歩留りの向上を図らん
とするものである。このためアクティブエレメントとそ
の」−側の電極とは概略同一形状としてマトリックス構
成の一方の電極・リードとせしめている。
せ）とすることにより、その製造歩留りの向上を図らん
とするものである。このためアクティブエレメントとそ
の」−側の電極とは概略同一形状としてマトリックス構
成の一方の電極・リードとせしめている。
「問題を解決するだめの手段」
本発明はかかる問題を解決するため、アクティブ素子を
制御する系としてＴＧＦを用いず、ダイオード特にアモ
ルファス半導体の１つの有効な分野である太陽電池で十
分な技術の蓄積がされている水素またはハロゲン元素が
添加された非単結晶半導体よりなる非線形素子を用いた
ことを主としている。
制御する系としてＴＧＦを用いず、ダイオード特にアモ
ルファス半導体の１つの有効な分野である太陽電池で十
分な技術の蓄積がされている水素またはハロゲン元素が
添加された非単結晶半導体よりなる非線形素子を用いた
ことを主としている。
かかる本発明に用いる非線形素子は、１つのＴ”ＩＮ接
合とその上下にコンタクトを有する電極より構成される
ダイオードを用いるのではなく、一対のそれぞれの電極
はオーム接触を有するが、逆向整流特性を構成する複合
ダイオードを有する素子よりなるもので、その代表例は
、Ｎ型半導体＝Ｉ型（以下真性または実質的に真性とい
う）半導体−Ｎ型半導体を積層して設けたＮＩＮ構造、
即ちＮｌ接合とＩＮ接合とが電気的に逆向きに連結され
、かつ半導体として一体化したＮＴＮ接合を有する半導
体をはじめ、その変形であるＮＮ−Ｎ、 ＮＰ−Ｎ、
ＰＩＰ、 ＰＰ−Ｐ。
合とその上下にコンタクトを有する電極より構成される
ダイオードを用いるのではなく、一対のそれぞれの電極
はオーム接触を有するが、逆向整流特性を構成する複合
ダイオードを有する素子よりなるもので、その代表例は
、Ｎ型半導体＝Ｉ型（以下真性または実質的に真性とい
う）半導体−Ｎ型半導体を積層して設けたＮＩＮ構造、
即ちＮｌ接合とＩＮ接合とが電気的に逆向きに連結され
、かつ半導体として一体化したＮＴＮ接合を有する半導
体をはじめ、その変形であるＮＮ−Ｎ、 ＮＰ−Ｎ、
ＰＩＰ、 ＰＰ−Ｐ。
ＰＮ−Ｐ、 ＮＩＰＩＮまたはＰＴＮＩＰ接合構造を有
せしめた複合ダイオードである。
せしめた複合ダイオードである。
かかる複合ダイオードは、ダイオード特性を互いに逆向
きに相対せしめ、そのビルドイン（立ち上がり）電圧（
しきい値）はＮｌ接合のＮ型半導体と１型半導体または
■型半導体に添加するＰまたはＮ型の不純物の濃度で決
めることができる。またはＮＩＰ接合のしきい値電圧で
決めることができる。このため、製造プロセスを制御す
ることにより、所望の素子のしきい値電圧に制御し得る
。
きに相対せしめ、そのビルドイン（立ち上がり）電圧（
しきい値）はＮｌ接合のＮ型半導体と１型半導体または
■型半導体に添加するＰまたはＮ型の不純物の濃度で決
めることができる。またはＮＩＰ接合のしきい値電圧で
決めることができる。このため、製造プロセスを制御す
ることにより、所望の素子のしきい値電圧に制御し得る
。
本発明は、かかる複合ダイオード外周辺と７トリソクス
を構成するＸ方向の電極・リード（Ｙ方向の電極・リー
ド）とが概略同一形状を有する１つのマスク合わせを行
うのみで完成してしまうため、一方の基板側に設けられ
る液晶表示の一方の電極（第１の電極）と連結した複合
ダイオード′およびそれに連結したＸ配線の形成に必要
なマスクの数は２枚のめでプロセスさせることができる
。
を構成するＸ方向の電極・リード（Ｙ方向の電極・リー
ド）とが概略同一形状を有する１つのマスク合わせを行
うのみで完成してしまうため、一方の基板側に設けられ
る液晶表示の一方の電極（第１の電極）と連結した複合
ダイオード′およびそれに連結したＸ配線の形成に必要
なマスクの数は２枚のめでプロセスさせることができる
。
この構造の代表例を第２図及び第５図に示しである。
このため、固体表示素子である例えば液晶に対し、交流
バイアスを液晶の他方の電極（第４の電極）リードのレ
ベルを制御することにより制御しやすく、階調制御も可
能であるという特徴を有する。
バイアスを液晶の他方の電極（第４の電極）リードのレ
ベルを制御することにより制御しやすく、階調制御も可
能であるという特徴を有する。
１作用」
さらに、液晶の他方の電極を３分割し、それぞれの電極
またはそれぞれのアクティブ素子の他方の電極（第４の
電極）に対応して赤（Ｒという）、緑（Ｇという）、青
（Ｂという）のフィルタを；ｍすことにより、そのレベ
ルに対し独立に電圧を加えることができる。そのためＩ
？、 Ｇ、 Ｂに対する階調を行うことができるという
特徴を有する。
またはそれぞれのアクティブ素子の他方の電極（第４の
電極）に対応して赤（Ｒという）、緑（Ｇという）、青
（Ｂという）のフィルタを；ｍすことにより、そのレベ
ルに対し独立に電圧を加えることができる。そのためＩ
？、 Ｇ、 Ｂに対する階調を行うことができるという
特徴を有する。
またこのパターンを作製するに対し、非線形素子が設け
られる側の基板上のプロセスに必要なマスク数は２枚（
即ち１回の重合わせ）、他の基板側のマスクは１枚計３
枚でよい。このため従来より知られたＴＧＦを用いた固
体表示装置で６〜８枚のマスクを漸次重合わせて作製し
てゆく方式に比べ、製造歩會りがきわめて大きいという
特徴をもつ。
られる側の基板上のプロセスに必要なマスク数は２枚（
即ち１回の重合わせ）、他の基板側のマスクは１枚計３
枚でよい。このため従来より知られたＴＧＦを用いた固
体表示装置で６〜８枚のマスクを漸次重合わせて作製し
てゆく方式に比べ、製造歩會りがきわめて大きいという
特徴をもつ。
以下に実施例に従って本発明を説明する。
「実施例１」
第１図は本発明の固体表示装置用の等何回路を示す。
図面において絵素（１）は複合ダイオード（２）の電極
（２１） （第２の電極）より液晶（３）の一方の電極
（３１）（第１の電極）に連結している。複合ダイオー
ドはＸ配線のアドレス線（４） 、 （５）に第３の電
極（２２）により連結している。他方、液晶（３）の第
４の電極（３２）はＹ配線のデータ線（６） 、 （７
）に連結している。このＸ配線は同一絶縁基板代表的に
は一ガラス基板（第５図（Ｂ） 、 （Ｃ） 、 （Ｄ
）における（１９））上に設けられ、液晶（１０）の他
方の第４の電極（第４図（Ｂ）における（３２））は対
抗した他の透光性絶縁基板代表的にはガラス基板（第５
図（Ｂ） 、 （Ｄ）における（１８））側に設けられ
ている。
（２１） （第２の電極）より液晶（３）の一方の電極
（３１）（第１の電極）に連結している。複合ダイオー
ドはＸ配線のアドレス線（４） 、 （５）に第３の電
極（２２）により連結している。他方、液晶（３）の第
４の電極（３２）はＹ配線のデータ線（６） 、 （７
）に連結している。このＸ配線は同一絶縁基板代表的に
は一ガラス基板（第５図（Ｂ） 、 （Ｃ） 、 （Ｄ
）における（１９））上に設けられ、液晶（１０）の他
方の第４の電極（第４図（Ｂ）における（３２））は対
抗した他の透光性絶縁基板代表的にはガラス基板（第５
図（Ｂ） 、 （Ｄ）における（１８））側に設けられ
ている。
かかる絵素をマトリックス構成せしめ、図面では２×２
とした。これはスケール・アップした表示装置例えば（
画素６４０ Ｘ５２５）としても同一技術思想である。
とした。これはスケール・アップした表示装置例えば（
画素６４０ Ｘ５２５）としても同一技術思想である。
かくの如き複合ダイオードを用いた非線形素子の特性の
例を第２図、第３図に示している。
例を第２図、第３図に示している。
この第２図を以下に略記する。
第２図（Ａ）、（Ｄ）は実際の素子構造の縦断面図を示
している。
している。
即ち第２図（八）においてガラス基板（１９）上の透光
性導電膜（１７）、遮光用クロムマスク（１１）よりな
る第２の電極（２２）、 Ｎ（１１）Ｔ（１２）Ｎ（１
３）半導体積層体よりなるＮＩＮ接合型複合ダイオード
（２）、遮光用クロムマスク（１５）、アルミニューム
導体（１６）よりなる１００μ口の面積の第３の電極（
２１）よりなっている。このＮＩＮ構造の場合は第２図
（Ｂ）にその等価記号が記されており、最も代表的なも
のである。
性導電膜（１７）、遮光用クロムマスク（１１）よりな
る第２の電極（２２）、 Ｎ（１１）Ｔ（１２）Ｎ（１
３）半導体積層体よりなるＮＩＮ接合型複合ダイオード
（２）、遮光用クロムマスク（１５）、アルミニューム
導体（１６）よりなる１００μ口の面積の第３の電極（
２１）よりなっている。このＮＩＮ構造の場合は第２図
（Ｂ）にその等価記号が記されており、最も代表的なも
のである。
さらにこの１層に対しＮ型用不純物を少し添加したＮ−
、Ｐ型用不純物を少し添加したＰ−とじて、ＮＮ−Ｎ、
ＮＰ−Ｐとしてしきい値を制御することは有効である
。またこの逆にＮ型半導体（１２） 、 （１４）をＰ
型半導体としてＰＩＰ、ＰＰ−Ｐ、 ＰＮ−Ｐ接合とし
た複合ダイオード（２゛）としてもよい。かかる場合の
等価記号を第２図（Ｃ）に記している。
、Ｐ型用不純物を少し添加したＰ−とじて、ＮＮ−Ｎ、
ＮＰ−Ｐとしてしきい値を制御することは有効である
。またこの逆にＮ型半導体（１２） 、 （１４）をＰ
型半導体としてＰＩＰ、ＰＰ−Ｐ、 ＰＮ−Ｐ接合とし
た複合ダイオード（２゛）としてもよい。かかる場合の
等価記号を第２図（Ｃ）に記している。
第２図（＾）〜（Ｃ）においてのダイオード特性は第２
図における（４２） 、 （４３）の原点に対し対称型
のＶ−１特性を得ることができた。
図における（４２） 、 （４３）の原点に対し対称型
のＶ−１特性を得ることができた。
この値は、第２図（Ｇ）に示す順方向のダイオードリン
グで得られる特性（４１）よりしきい値電圧を０．５〜
３ｖも大きくできる。これは液晶が１．９Ｖ以下におい
てｒＯＮＪ ｒ不透明Ｊ 、２．７ν以上においてｒ
ＯＦＦ Ｊ ｒ透明」の一般的な特性において、それ
に適したしきい値例えば１．５〜３．０ν例えば２．Ｏ
ｖに１層中の不純物濃度を制御して得ることができると
いう特長を有する。
グで得られる特性（４１）よりしきい値電圧を０．５〜
３ｖも大きくできる。これは液晶が１．９Ｖ以下におい
てｒＯＮＪ ｒ不透明Ｊ 、２．７ν以上においてｒ
ＯＦＦ Ｊ ｒ透明」の一般的な特性において、それ
に適したしきい値例えば１．５〜３．０ν例えば２．Ｏ
ｖに１層中の不純物濃度を制御して得ることができると
いう特長を有する。
第２図において、いわゆるＮＩＰ接合をＰＩＮ接合に直
列に連結したＢＡＣＫ−Ｔｏ−ＢＡＣＫ方式第２図（Ｄ
） 、 （Ｅ） 。
列に連結したＢＡＣＫ−Ｔｏ−ＢＡＣＫ方式第２図（Ｄ
） 、 （Ｅ） 。
（Ｆ）をも得ることができる。第２図（＋１）において
は、Ｎ（１２） Ｉ（１３）Ｐ（２３） Ｉ（１３’）
Ｎ（１４）の複合ダイオード（２）とし、それらは第２
図（Ｅ）における２つのダイオード（２５Ｌ （２６）
として示し得る。また、Ｐ（１２） Ｉ（１３）Ｎ（２
３） Ｉ（１３’）Ｎ（１４）の複合ダイオード（２゛
）とし、それらを第２図（Ｆ）に示す（２５） 、 （
２６’ ）とすることができる。この場合のＶ−１特性
は、第３図（４４）を得ることができる。表示素子が液
晶であった場合、この特性（４４）はそのしきい値が高
すぎるため、エレクトロクロミック（ＥＣＵ）に用いる
と好ましい。
は、Ｎ（１２） Ｉ（１３）Ｐ（２３） Ｉ（１３’）
Ｎ（１４）の複合ダイオード（２）とし、それらは第２
図（Ｅ）における２つのダイオード（２５Ｌ （２６）
として示し得る。また、Ｐ（１２） Ｉ（１３）Ｎ（２
３） Ｉ（１３’）Ｎ（１４）の複合ダイオード（２゛
）とし、それらを第２図（Ｆ）に示す（２５） 、 （
２６’ ）とすることができる。この場合のＶ−１特性
は、第３図（４４）を得ることができる。表示素子が液
晶であった場合、この特性（４４）はそのしきい値が高
すぎるため、エレクトロクロミック（ＥＣＵ）に用いる
と好ましい。
「実施例２」
この実施例は第４図にその平面図（Ａ）及び縦断面図（
Ｂ） 、 （Ｃ） 、 （Ｄ）が示されている。
Ｂ） 、 （Ｃ） 、 （Ｄ）が示されている。
この図面は、第１図の回路における（Ｌｌ）番地の絵素
（１）をパターニングした本発明の実施例である。
（１）をパターニングした本発明の実施例である。
さらに第４図（Ｂ） 、 （Ｃ）は（＾）におけるそれ
ぞれＢ−Ｂ’ 、＾−八へでの縦断面図を記す。加えて
、第４図（Ｄ）は（八）におけるｃ−ｃ’の縦断面図を
示している。
ぞれＢ−Ｂ’ 、＾−八へでの縦断面図を記す。加えて
、第４図（Ｄ）は（八）におけるｃ−ｃ’の縦断面図を
示している。
図面において、透光性絶縁基板として無アルカリガラス
（１９）を用いた。この上面にスパッタ法または電子ビ
ーム蒸着法により導電膜であるＩＴＯまたは酸化スズ膜
を０．１〜０．５μの厚さに、さらにこの上面に遮光用
クロムを５００〜２５００人の厚さに同様に積層形成し
た。この後、この導電膜にパターニングをし、電極とす
る。即ち液晶用の第１の電極（３１）、 これより延在
した複合ダイオード（２）用の下側電極（１７） （第
２の電極） （１７）即ち透光性導電膜および遮光電極
（１１）よりなる第２の電極（２１）を第１のマスク■
により不要部を除去して形成した。
（１９）を用いた。この上面にスパッタ法または電子ビ
ーム蒸着法により導電膜であるＩＴＯまたは酸化スズ膜
を０．１〜０．５μの厚さに、さらにこの上面に遮光用
クロムを５００〜２５００人の厚さに同様に積層形成し
た。この後、この導電膜にパターニングをし、電極とす
る。即ち液晶用の第１の電極（３１）、 これより延在
した複合ダイオード（２）用の下側電極（１７） （第
２の電極） （１７）即ち透光性導電膜および遮光電極
（１１）よりなる第２の電極（２１）を第１のマスク■
により不要部を除去して形成した。
この後、これらの全面に公知のプラズマ気相反応法また
は元気相法により非線形半導体素子例えばＮＩＮ構造を
有する水素またはハロゲン元素が添加された非単結晶半
導体よりなる複合ダイオードを形成した。即ちＮ型半導
体（１２）をシランを水素にて３〜５倍に希釈し、１３
．５６Ｍ１ｌｚの高周波グロ一層重を行うことにより２
００〜２５０℃に保持された基板」二の被形成面」二に
、微結晶構造を有する非単結晶半導体を作る。その電気
伝導度は１０−′〜１０２（９ｃｍ）−’を有し３００
〜１０００人の厚さとした。さらにシランのＩｊまたは
水素と弗化珪素（ＳｉＦａまたば５ｉＦ２）をプラズマ
反応炉内に導入し、プラズマ反応をさせ、夏型の水素ま
たはハロゲン元素が添加された非単結晶半導体（１３）
を０．３〜１μの厚さにＮ型半導体上に積層して形成し
た。さらに、再び、同様のＮ型半導体（１４）を微結晶
構造として、３００〜１０００人の厚さに積層してＮＩ
ＩＩ＋接合とした。
は元気相法により非線形半導体素子例えばＮＩＮ構造を
有する水素またはハロゲン元素が添加された非単結晶半
導体よりなる複合ダイオードを形成した。即ちＮ型半導
体（１２）をシランを水素にて３〜５倍に希釈し、１３
．５６Ｍ１ｌｚの高周波グロ一層重を行うことにより２
００〜２５０℃に保持された基板」二の被形成面」二に
、微結晶構造を有する非単結晶半導体を作る。その電気
伝導度は１０−′〜１０２（９ｃｍ）−’を有し３００
〜１０００人の厚さとした。さらにシランのＩｊまたは
水素と弗化珪素（ＳｉＦａまたば５ｉＦ２）をプラズマ
反応炉内に導入し、プラズマ反応をさせ、夏型の水素ま
たはハロゲン元素が添加された非単結晶半導体（１３）
を０．３〜１μの厚さにＮ型半導体上に積層して形成し
た。さらに、再び、同様のＮ型半導体（１４）を微結晶
構造として、３００〜１０００人の厚さに積層してＮＩ
ＩＩ＋接合とした。
この夏型半導体中に、ホウ素またはリンをＢ’２１１６
／／Ｓ：Ｈａ、 ｐＨ３／５ｉｌ１４＝ １０−’〜１
０−４の割合で混入させ、ｐ−またはＮ−の導電型とし
てもよい。かくすると、１ｐ−ｈ、 ＮＮ−Ｎとするこ
とができる。
／／Ｓ：Ｈａ、 ｐＨ３／５ｉｌ１４＝ １０−’〜１
０−４の割合で混入させ、ｐ−またはＮ−の導電型とし
てもよい。かくすると、１ｐ−ｈ、 ＮＮ−Ｎとするこ
とができる。
この後、この上面に遮光用のクロム（５００〜１５００
人）、さらにアルミニューム（０，１〜２μ）を電子ビ
ーム蒸着法またはスパンタ法により積層した。
人）、さらにアルミニューム（０，１〜２μ）を電子ビ
ーム蒸着法またはスパンタ法により積層した。
さらにこの後、Ｘ方向のリード、複合ダイオード（２）
として設ける領域を除き、他部を第２のフォトマスク■
を用いてフォトエツチング法により除去した。
として設ける領域を除き、他部を第２のフォトマスク■
を用いてフォトエツチング法により除去した。
即ちレジストにより第４図に示す如く、アルミニューム
（４） 、 （１６）をＣＣｌ４を用い、プラズマエツ
チングした。さらにクロム（１５） 、半導体（２）を
エツチングして除去し、第３の電極の外側周辺（第４図
（Ｄ） （４０） ）とその下の半導体の外周辺（第４
図（１′１）（４１））とを概略同一形状として、さら
にこの下側のクロムも第１の電極上の不要部を除去し第
３の電極の外側周辺と同一形状とした。かくして１回の
重合わせプロセスを１〒う第２のマスク■により、Ｘ方
向のリード（４）、第３の電極（２１）とその下側に位
置する非線形素子である複合ダイオード用の半導体（２
）とを概略同一形状にし得た。さらに複合ダイオード（
２）とその下側電極（２２）とを同一形状として形成さ
せることができた。加えてこの複合ダイオードはその上
下面もともに遮光用のクロム（１５） ； （１１）で
余分の工程を用いることなしに覆うことができ、複合ダ
イオード特性を有せしめることができた。
（４） 、 （１６）をＣＣｌ４を用い、プラズマエツ
チングした。さらにクロム（１５） 、半導体（２）を
エツチングして除去し、第３の電極の外側周辺（第４図
（Ｄ） （４０） ）とその下の半導体の外周辺（第４
図（１′１）（４１））とを概略同一形状として、さら
にこの下側のクロムも第１の電極上の不要部を除去し第
３の電極の外側周辺と同一形状とした。かくして１回の
重合わせプロセスを１〒う第２のマスク■により、Ｘ方
向のリード（４）、第３の電極（２１）とその下側に位
置する非線形素子である複合ダイオード用の半導体（２
）とを概略同一形状にし得た。さらに複合ダイオード（
２）とその下側電極（２２）とを同一形状として形成さ
せることができた。加えてこの複合ダイオードはその上
下面もともに遮光用のクロム（１５） ； （１１）で
余分の工程を用いることなしに覆うことができ、複合ダ
イオード特性を有せしめることができた。
さらに相対する他の基板の内側に設けられた液晶の他方
の電極（３２） 、 リード（６）は他の第１のマス
ク■によりＹ方向の配線として形成させた。
の電極（３２） 、 リード（６）は他の第１のマス
ク■によりＹ方向の配線として形成させた。
以」二のことより、この面に１つのアクティブ絵素を形
成するのに３種類のマスクを用いるのみですみ、特にそ
の場合、重合わせマスクは２枚（１回）のみでよいとい
う特長を有する。
成するのに３種類のマスクを用いるのみですみ、特にそ
の場合、重合わせマスクは２枚（１回）のみでよいとい
う特長を有する。
表示パネルとしては、この後第１図に示す周辺回路（８
） 、 （９）をハイブリッド構成として基板に単結晶
ＩＣをボンディングして作製した。さらに、対抗する他
の基板（１８）を約６〜１０μの巾に離間させ、その隙
間を真空引きした後、公知の液晶（１０）を封入した。
） 、 （９）をハイブリッド構成として基板に単結晶
ＩＣをボンディングして作製した。さらに、対抗する他
の基板（１８）を約６〜１０μの巾に離間させ、その隙
間を真空引きした後、公知の液晶（１０）を封入した。
「効果」
本発明は以上に示す如く、複合ダイオードを用いてアク
ティブマトリックスを構成せしめたものである。このた
め表示素子に適したしきい値を１層またはＰ−、Ｎ−を
用いることによりＮｒ、ＮＰ−、ＮＮ−としきい値のプ
ロセス制御を行うことができる。さらにダイオードと電
極リードとが一体化しているため、きわめて少ないマス
ク（３枚）（重合わせは１回）でパターニングを行うこ
とができ、製造歩留りを向上させることができる。
ティブマトリックスを構成せしめたものである。このた
め表示素子に適したしきい値を１層またはＰ−、Ｎ−を
用いることによりＮｒ、ＮＰ−、ＮＮ−としきい値のプ
ロセス制御を行うことができる。さらにダイオードと電
極リードとが一体化しているため、きわめて少ないマス
ク（３枚）（重合わせは１回）でパターニングを行うこ
とができ、製造歩留りを向上させることができる。
複合ダイオードのＮＩＮ接合またはＰＩＦ接合特性を用
いるため、プロセス上のバラツキが少ない。
いるため、プロセス上のバラツキが少ない。
交流駆動方式であり、特にそのダイオードのしきい値を
気相反応法を用いた半導体層の積層時におけるプロセス
条件により制御し得るため、階調制御がしやすいという
特徴を有する。
気相反応法を用いた半導体層の積層時におけるプロセス
条件により制御し得るため、階調制御がしやすいという
特徴を有する。
本発明における表示素子は液晶表示（ＬＣＤ）のみなら
ず、エレクトロクロミック表示（ＥＣＤ）であってもよ
い。
ず、エレクトロクロミック表示（ＥＣＤ）であってもよ
い。
本発明における複合ダイオードはその形成後、ソノタイ
オード部を含んで１．０６μの波長のパルス光ＹＡＧレ
ーザ等により強光アニールを行い、水素またはハロゲン
元素が添加された多結晶半導体としてもよい。
オード部を含んで１．０６μの波長のパルス光ＹＡＧレ
ーザ等により強光アニールを行い、水素またはハロゲン
元素が添加された多結晶半導体としてもよい。
本発明方法において、Ｉ、Ｎ−またはＰ−の半導体を単
に水素またはハロゲン元素が添加された珪素とするので
はなく、この中に炭素または窒素を添加したＳｉｘ虐−
Ｘ （０＜Ｘ＜１）、５ｉｘＮ４−ｘ （０＜Ｘ＜４）
として耐圧の向上を図ることは有効である。
に水素またはハロゲン元素が添加された珪素とするので
はなく、この中に炭素または窒素を添加したＳｉｘ虐−
Ｘ （０＜Ｘ＜１）、５ｉｘＮ４−ｘ （０＜Ｘ＜４）
として耐圧の向上を図ることは有効である。
第１図は本発明の液晶表示パネルの回路図を示す。
第２図は本発明の複合ダイオードの縦断面（＾）。
（Ｂ）およびその記号（Ｒ） 、 （Ｃ） 、 （［り
、 （Ｆ）及び従来より公知のダイオードリング（Ｇ
）を示す。 第３図は非線形素子の特性を示す。 第４図は本発明の表示パネルの１絵素の構造を示す。
、 （Ｆ）及び従来より公知のダイオードリング（Ｇ
）を示す。 第３図は非線形素子の特性を示す。 第４図は本発明の表示パネルの１絵素の構造を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、絶縁基板上に設けられた導電膜により、表示素子の
一方の第１の電極と、該電極より延在した非線形素子用
の第２の電極とを形成する工程と、前記基板および前記
第１および第２の電極上に非線形素子を構成する半導体
と、該半導体上に第２の導電膜を形成する工程と、該第
２の導電膜により、ＸまたはＹ方向の第３の電極、リー
ドを形成するとともに、該電極、リードに概略同一形状
に前記半導体を選択的に形成せしめ、前記第２の電極と
前記第３の電極との交叉部に非線形素子を構成せしめる
工程とを有することを特徴とする固体表示装置作製方法
。 ２、特許請求の範囲第１項において、半導体は水素また
はハロゲン元素が添加された半導体であって、Ｎまたは
Ｐ型の半導体、Ｉ型半導体、ＮまたはＰ型半導体を積層
してＮＩＮ、ＮＮ＾−Ｎ、ＮＰ＾−Ｎ、ＰＩＰ、ＰＮ＾
−Ｐ、ＰＰ＾−ＰまたはＮＩＰＩＮ、ＰＩＮＩＰ接合を
有せしめたことを特徴とする固体表示装置作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59183350A JPS6161198A (ja) | 1984-09-01 | 1984-09-01 | 固体表示装置作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59183350A JPS6161198A (ja) | 1984-09-01 | 1984-09-01 | 固体表示装置作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6161198A true JPS6161198A (ja) | 1986-03-28 |
Family
ID=16134198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59183350A Pending JPS6161198A (ja) | 1984-09-01 | 1984-09-01 | 固体表示装置作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6161198A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01190117A (ja) * | 1988-01-26 | 1989-07-31 | Mitsubishi Electric Corp | ラッチ回路 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6024075A (ja) * | 1983-07-20 | 1985-02-06 | Citizen Watch Co Ltd | 薄膜ダイオ−ドの製造方法 |
-
1984
- 1984-09-01 JP JP59183350A patent/JPS6161198A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6024075A (ja) * | 1983-07-20 | 1985-02-06 | Citizen Watch Co Ltd | 薄膜ダイオ−ドの製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01190117A (ja) * | 1988-01-26 | 1989-07-31 | Mitsubishi Electric Corp | ラッチ回路 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR960010931B1 (ko) | 반도체 집접회로 및 그 제작방법 | |
| US5008590A (en) | Display arrangement having pin diode switching elements | |
| JP2005057240A (ja) | 薄膜半導体素子、及び薄膜半導体素子の製造方法 | |
| JPS6161198A (ja) | 固体表示装置作製方法 | |
| JPS6336574A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| JPH01192173A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6161197A (ja) | 固体表示装置 | |
| JPS6191687A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2008218626A (ja) | Ｔｆｔアレイ基板及びその製造方法 | |
| JPH07169973A (ja) | 薄膜トランジスタアレイとその製造方法およびこれを用いた液晶表示装置 | |
| JPS6161196A (ja) | 固体表示装置 | |
| JPS6167262A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2006186266A (ja) | 光電変換素子及びこれを用いた表示装置 | |
| JPH02230130A (ja) | 液晶電気光学装置 | |
| JPS6167263A (ja) | 半導体装置作製方法 | |
| JPS6161199A (ja) | 固体表示装置 | |
| JPS61117521A (ja) | 半導体装置作製方法 | |
| JPS6167261A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6184069A (ja) | 固体表示装置 | |
| JPS6190190A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62186320A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6167081A (ja) | 固体表示装置 | |
| JPS60177381A (ja) | 固体表示装置の作製方法 | |
| JPS62186223A (ja) | 半導体装置の作成方法 | |
| JPS6269553A (ja) | 半導体装置 |