JPS6161196A - 固体表示装置 - Google Patents
固体表示装置Info
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- JPS6161196A JPS6161196A JP59183348A JP18334884A JPS6161196A JP S6161196 A JPS6161196 A JP S6161196A JP 59183348 A JP59183348 A JP 59183348A JP 18334884 A JP18334884 A JP 18334884A JP S6161196 A JPS6161196 A JP S6161196A
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- JP
- Japan
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- electrode
- semiconductor
- diode
- liquid crystal
- composite
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- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「従来の利用分野」
この発明は、表示素子好ましくは液晶表示ｉｉネルを設
けることにより、マイクロコンピュータ、ワードプロセ
ッサまたはテレビ等の表示部の固体化を図る半導体装置
に関するものである。
けることにより、マイクロコンピュータ、ワードプロセ
ッサまたはテレビ等の表示部の固体化を図る半導体装置
に関するものである。
「従来の技術」
固体表示パネルは各絵素を独立に制御する方式が大面積
用として有効である。このようなアクティブ素子を用い
たパネルとして、１つのｋＴｈ Ｉｔゲイト型電界効果
半導体装置（ＩＧＦという）とそれに直列に連結した液
晶素子とよりなる１絵素を構成せしめ、これをＸ、Ｙ配
線に連結したマトリ・ノクス構成よりなるものである。
用として有効である。このようなアクティブ素子を用い
たパネルとして、１つのｋＴｈ Ｉｔゲイト型電界効果
半導体装置（ＩＧＦという）とそれに直列に連結した液
晶素子とよりなる１絵素を構成せしめ、これをＸ、Ｙ配
線に連結したマトリ・ノクス構成よりなるものである。
［発明が解決しようとする問題点」
しかし、このＩＧＦを用いた表示パネルにおいて、その
重合わせを伴う製造プロセスに必要なフォトマスク数は
６〜８枚をも有し、そのため製造歩留りが低くなってし
まうことが予想される。
重合わせを伴う製造プロセスに必要なフォトマスク数は
６〜８枚をも有し、そのため製造歩留りが低くなってし
まうことが予想される。
またこのＩＧＦ用の半導体は薄膜構造であるため、アモ
ルファス半導体で作製することを主と、しているが、こ
のアモルファス半導体とゲイ日色縁物との界面物性が十
分解明されていない。
ルファス半導体で作製することを主と、しているが、こ
のアモルファス半導体とゲイ日色縁物との界面物性が十
分解明されていない。
このためＩＧＦのスレッシュホールト電圧にバラツキが
発４ｇ１＝−してしまう、等の根本的な問題があった。
発４ｇ１＝−してしまう、等の根本的な問題があった。
１問題を解決するための手段」
本発明はかかる問題を解決するため、アクティブ素子を
制御する系としてＩＧＩ？を用いず、ダイオード特にア
モルファス半導体の１つの有効な分野である太陽電池で
十分な技術の蓄積がされている水素またはハロゲン元素
が添加された非単結晶半導体よりなる非線形素子を用い
たことを主としている。
制御する系としてＩＧＩ？を用いず、ダイオード特にア
モルファス半導体の１つの有効な分野である太陽電池で
十分な技術の蓄積がされている水素またはハロゲン元素
が添加された非単結晶半導体よりなる非線形素子を用い
たことを主としている。
かかる本発明に用いる非線形素子は、１つのＰｉｌｌ接
合とその」−下にコンタクトを有する電極より構成され
るダイオードを用いるのではなく、一対の電極はオーム
接触を有するが、逆向整流特性を構成する複合ダイオー
ドを有する素子よりなるもので、その代表例はＮ型半導
体−Ｉ型（以下真性または実質的に真性という）半導体
−Ｎ型半導体を積層して設けたＮＴＮ構造、即ちＮｌ接
合とＩＮ接合とが電気的に逆向きに連結され、かつ半導
体として一体化したＮＩＮ接合を有する半導体をはじめ
、その変形であるＮＮ−Ｎ、ＮＰ−Ｎ、ＰＩＰ、ＰＰ−
ＰまたはＰＮ−Ｐ構造を有せしめた複合ダイオードであ
る。
合とその」−下にコンタクトを有する電極より構成され
るダイオードを用いるのではなく、一対の電極はオーム
接触を有するが、逆向整流特性を構成する複合ダイオー
ドを有する素子よりなるもので、その代表例はＮ型半導
体−Ｉ型（以下真性または実質的に真性という）半導体
−Ｎ型半導体を積層して設けたＮＴＮ構造、即ちＮｌ接
合とＩＮ接合とが電気的に逆向きに連結され、かつ半導
体として一体化したＮＩＮ接合を有する半導体をはじめ
、その変形であるＮＮ−Ｎ、ＮＰ−Ｎ、ＰＩＰ、ＰＰ−
ＰまたはＰＮ−Ｐ構造を有せしめた複合ダイオードであ
る。
かかる複合ダイオードは、ダイオード特性を互いに逆向
きに相対せしめ、そのビルドイン（立り上がり）電圧（
しきい値）はＮｌ接合のＮ型半導体と■型半導体または
Ｉ型半導体に添加するＰまたはＮ型の微量の不純物の濃
度で決めることができる。このため、製造プロセスを制
御することにより、所望の素子のしきい値電圧に制御し
得る。さらに絶縁膜−半導体の界面物性を用いないため
、温度処理、Ｂ−Ｔ処理（バイアス一温度）処理に対し
不安定性がないという特長を有する。
きに相対せしめ、そのビルドイン（立り上がり）電圧（
しきい値）はＮｌ接合のＮ型半導体と■型半導体または
Ｉ型半導体に添加するＰまたはＮ型の微量の不純物の濃
度で決めることができる。このため、製造プロセスを制
御することにより、所望の素子のしきい値電圧に制御し
得る。さらに絶縁膜−半導体の界面物性を用いないため
、温度処理、Ｂ−Ｔ処理（バイアス一温度）処理に対し
不安定性がないという特長を有する。
さらに本発明は、かかる複合ダイオードとマトリックス
を構成するＸ配線またはＹ配線とが概略同一形状を有す
る１つのマスク合わせで行うのみ・ で完成させ得るた
め、一方の基板側に設けられる液晶表示の一方の電極（
第１の電極）と連結した複合ダイオードおよびＸまたは
Ｙ配線の形成に必要なマスクの数は２枚のめでプロセス
させることができる。この構造の代表例を第１図及び第
２図に示しである。
を構成するＸ配線またはＹ配線とが概略同一形状を有す
る１つのマスク合わせで行うのみ・ で完成させ得るた
め、一方の基板側に設けられる液晶表示の一方の電極（
第１の電極）と連結した複合ダイオードおよびＸまたは
Ｙ配線の形成に必要なマスクの数は２枚のめでプロセス
させることができる。この構造の代表例を第１図及び第
２図に示しである。
このため、固体表示素子である例えば液晶に対し、交流
ハイ了スを液晶の他方の電極（第４の電極）、リードの
レベルを制御することにより制御しやすく、階調制御も
可能であるという特徴を有する。
ハイ了スを液晶の他方の電極（第４の電極）、リードの
レベルを制御することにより制御しやすく、階調制御も
可能であるという特徴を有する。
「作用」
さらに、液晶の他方の電極を３分割し、それぞれの電極
またはそれぞれのアクティブ素子に対応して赤（Ｒとい
う）、緑（Ｇという）、青（Ｂという）のフィルタを通
ずことにより、そのレベルに対し独立に電圧をＹ軸とし
て加えることができる。そのためＲ，Ｇ、Ｂに対する階
調を行うことができるという特徴を有する。
またはそれぞれのアクティブ素子に対応して赤（Ｒとい
う）、緑（Ｇという）、青（Ｂという）のフィルタを通
ずことにより、そのレベルに対し独立に電圧をＹ軸とし
て加えることができる。そのためＲ，Ｇ、Ｂに対する階
調を行うことができるという特徴を有する。
またこのパターンを作製するに対し、非線形素子が設け
られる側の基板上のプロセスに必要なマスク数は２枚（
即ち１回の重合わせ）、他の基板側のマスクは１枚計３
枚でよい。このため従来より知られたＩＧＦを用いた固
体表示装置で６〜８枚のマスクを漸次重合わせて作製し
てゆく方式に比べ、製造歩留りがきわめて大きいという
特徴をもつ。
られる側の基板上のプロセスに必要なマスク数は２枚（
即ち１回の重合わせ）、他の基板側のマスクは１枚計３
枚でよい。このため従来より知られたＩＧＦを用いた固
体表示装置で６〜８枚のマスクを漸次重合わせて作製し
てゆく方式に比べ、製造歩留りがきわめて大きいという
特徴をもつ。
以下に実施例に従って本発明を説明する。
「実施例１」
第１図は本発明の固体表示装置を用いた回路図を示す。
図面において絵素（１）は複合ダイオード（２）の電極
（２１）（第２の電極）より液晶（３）の一方の電極（
３１） （第１の電極）に連結している。複合ダイオー
ドはＸ配線のアドレス線（４） 、 （５）に第３の電
極（２２）により連結している。他方、液晶（３）の第
４の電極（３２）はＹ配線のデータ線（６） 、 （７
）に連結している。このＸ配線は同一絶縁基板代表的に
はガラス基板（第５図（Ｂ） 、 （Ｃ） 、 （Ｄ）
における（１９））上に設けられ、液晶（１０）の他方
の第４の電極（第５図（Ｂ）における（３２））は対抗
した他の透光性絶縁基板代表的にはガラス基板（第５図
（Ｂ） 、 （Ｄ）における（１８））側に設けられて
いる。
（２１）（第２の電極）より液晶（３）の一方の電極（
３１） （第１の電極）に連結している。複合ダイオー
ドはＸ配線のアドレス線（４） 、 （５）に第３の電
極（２２）により連結している。他方、液晶（３）の第
４の電極（３２）はＹ配線のデータ線（６） 、 （７
）に連結している。このＸ配線は同一絶縁基板代表的に
はガラス基板（第５図（Ｂ） 、 （Ｃ） 、 （Ｄ）
における（１９））上に設けられ、液晶（１０）の他方
の第４の電極（第５図（Ｂ）における（３２））は対抗
した他の透光性絶縁基板代表的にはガラス基板（第５図
（Ｂ） 、 （Ｄ）における（１８））側に設けられて
いる。
かかる絵素をマトリックス構成せしめ、図面では２×２
とした。これはスケール・アップした表示装置例えば（
画素６４０ Ｘ ５２５）としても同一技術思想である
。
とした。これはスケール・アップした表示装置例えば（
画素６４０ Ｘ ５２５）としても同一技術思想である
。
かくの如き複合ダイオードを用いた非線形素子およびそ
の特性の例を第２図、第４図に示している。
の特性の例を第２図、第４図に示している。
この第２図を以下に略記する。
第２図（＾）は実際の素子構造の縦断面図を示している
。即ら第２図（八）においてガラス基板（１９）」−の
透光性導電膜（１７Ｌ遮光用クロムマスク（１１）ヨＯ
ナル第２ （７）？Ｊ！（２２）、 Ｎ（ＩＩ）＋（１
２）Ｎ（１３）半導体積層体よりなるＮＴＮ接合型複合
ダイオ−）”（２）。
。即ら第２図（八）においてガラス基板（１９）」−の
透光性導電膜（１７Ｌ遮光用クロムマスク（１１）ヨＯ
ナル第２ （７）？Ｊ！（２２）、 Ｎ（ＩＩ）＋（１
２）Ｎ（１３）半導体積層体よりなるＮＴＮ接合型複合
ダイオ−）”（２）。
遮光用りｎ 、Ａマスク（１５）と、アルミニューム導
体（１６）よりなる第３の電極（２１）よりなっている
。このＮＩＮ構造の場合は第２図（Ｂ）にその記号が記
され、またエネルギハンド図は半導体に水素またはハロ
ゲン元素が添加された珪素を主成分とする非単結晶半導
体を用いて第２図（Ｉｌ）に示されている。
体（１６）よりなる第３の電極（２１）よりなっている
。このＮＩＮ構造の場合は第２図（Ｂ）にその記号が記
され、またエネルギハンド図は半導体に水素またはハロ
ゲン元素が添加された珪素を主成分とする非単結晶半導
体を用いて第２図（Ｉｌ）に示されている。
さらにこの１層に対しＮ型用不純物を少し添加したＮ−
、Ｐ型用不純物を少し添加したＰ−とじて、ＮＮ−Ｎ、
ＮＰ−Ｎとしてしきい値を制御することは有効である
。またこの逆にＮ型半導体（１２） 、 （１４）をＰ
型半導体としてＰＴＰ、 ＰＰ−Ｐ、 ＰＮ−Ｐ接合と
した複合ダイオード（２゛）としてもよい。かかる場合
の記号およびエネルギバンド図をそれぞれ第２図（Ｃ）
、 （Ｅ）に記している。
、Ｐ型用不純物を少し添加したＰ−とじて、ＮＮ−Ｎ、
ＮＰ−Ｎとしてしきい値を制御することは有効である
。またこの逆にＮ型半導体（１２） 、 （１４）をＰ
型半導体としてＰＴＰ、 ＰＰ−Ｐ、 ＰＮ−Ｐ接合と
した複合ダイオード（２゛）としてもよい。かかる場合
の記号およびエネルギバンド図をそれぞれ第２図（Ｃ）
、 （Ｅ）に記している。
第２図（Ａ）〜（Ｃ）においてのダイオード特性は第４
図における（４２） 、 （４３）の原点に対し対称型
のＶ−１特性を得ることができた。
図における（４２） 、 （４３）の原点に対し対称型
のＶ−１特性を得ることができた。
この値は、従来より公知の第３図に示す特性と異なる。
即ち第３図（Ｃ）に示す順方向のダイオードリングで得
られる特性（４１）（Ｌきい値電圧０．６Ｖ）よりしき
い値電圧を０．５〜３ｖも大きくできる。これは液晶が
１．９ｖ以下においてｒＯＮＪ ｒ不透明」、２．７
μ以上において ｒＯＦＦ Ｊ ｒ透明」の一般的な
特性において、それに適したしきい値例えば１．５〜３
．Ｏｖ例えば２．Ｏｖに１層中の不純物濃度を制御して
得ることができるという特長を有する。
られる特性（４１）（Ｌきい値電圧０．６Ｖ）よりしき
い値電圧を０．５〜３ｖも大きくできる。これは液晶が
１．９ｖ以下においてｒＯＮＪ ｒ不透明」、２．７
μ以上において ｒＯＦＦ Ｊ ｒ透明」の一般的な
特性において、それに適したしきい値例えば１．５〜３
．Ｏｖ例えば２．Ｏｖに１層中の不純物濃度を制御して
得ることができるという特長を有する。
第３図の公知例において、いわゆるＮＩＰ接合をＰＴＮ
接合に直列に連結したＢＡＣＫ−ＴＯ−ＢＡＣＫ方式第
３図（Ａ） 、 （Ｂ）をも得ることができる。この場
合のり一■特性は第３図（４４）を得ることができる。
接合に直列に連結したＢＡＣＫ−ＴＯ−ＢＡＣＫ方式第
３図（Ａ） 、 （Ｂ）をも得ることができる。この場
合のり一■特性は第３図（４４）を得ることができる。
しかし、表示素子が液晶であった場合、この特性（４４
）はそのしきい値が高すぎ、ひいては高い電圧印加によ
る接合破壊が起きやすく、信頼性の面においても、実用
性においても、さらにまたプロセス上の作りやすさにお
いても、第２図に示されるＮＩＮ、ＮＮ−Ｎ。
）はそのしきい値が高すぎ、ひいては高い電圧印加によ
る接合破壊が起きやすく、信頼性の面においても、実用
性においても、さらにまたプロセス上の作りやすさにお
いても、第２図に示されるＮＩＮ、ＮＮ−Ｎ。
ＮＰ−Ｐ、 ＰＩＰ、 ＰＰ−Ｐ、 ＰＮ−Ｐの構造が
より好ましいものであった。
より好ましいものであった。
「実施例２」
この実施例は第５図にその平面図（八）及び縦断面図（
Ｂ） 、 （Ｃ） 、 （Ｄ）が示されている。
Ｂ） 、 （Ｃ） 、 （Ｄ）が示されている。
この図面は、第１図の回路における（１．１）番地の絵
素（１）をパターニングした本発明の実施例である。
素（１）をパターニングした本発明の実施例である。
さらに第５図（Ｂ） 、 （Ｃ）は（八）におけるそれ
ぞれＢ−Ｂ’ 、 Ａ−Ａ’での縦断面図を記す。加え
て、第４図（Ｄ）は（Ａ）におけるｃ−ｃ’の縦断面図
を示している。
ぞれＢ−Ｂ’ 、 Ａ−Ａ’での縦断面図を記す。加え
て、第４図（Ｄ）は（Ａ）におけるｃ−ｃ’の縦断面図
を示している。
図面において、透光性絶縁基板として無アルカリガラス
（１９）を用いた。この上面にスパッタ法または電子ビ
ーム蒸着法により導電膜であるＩＴＯまたは酸化スズ膜
を０．１〜０．５μの厚さに、さらにこの上面に遮光用
クロムを３００〜２５００人の厚さに同様に積層形成し
た。この後、この導電膜にパターニングをし、電極とす
る。即ち液晶用の第１の電極（３１）、 これより延在
した複合ダイオード（２）用の下側電極（２１） （第
２の電極）（１７）即ち透光性導電膜および遮光電極（
１１）よりなる第２の電極（２１）を第１のマスクのに
より不要部を除去して形成した。
（１９）を用いた。この上面にスパッタ法または電子ビ
ーム蒸着法により導電膜であるＩＴＯまたは酸化スズ膜
を０．１〜０．５μの厚さに、さらにこの上面に遮光用
クロムを３００〜２５００人の厚さに同様に積層形成し
た。この後、この導電膜にパターニングをし、電極とす
る。即ち液晶用の第１の電極（３１）、 これより延在
した複合ダイオード（２）用の下側電極（２１） （第
２の電極）（１７）即ち透光性導電膜および遮光電極（
１１）よりなる第２の電極（２１）を第１のマスクのに
より不要部を除去して形成した。
この後、これらの全面に公知のプラズマ気相反応法また
は元気相法によりＮＴＮ構造を有する水素またはハロゲ
ン元素が添加された非単結晶半導体よりなる複合ダイオ
ードを形成した。即ちＮ型半導体（１２）をシランを水
素にて３〜５倍に希釈し、１３．５６Ｍｌ１ｚの高周波
グロー放電を行うことにより、２００〜２５０℃に保持
された基板上の被形成面上に微結晶構造を有する非単結
晶半導体を作る。その電気伝導度は１０−’ 〜１０”
（Ωｃｍ）−’を有し、３００〜１０００人の厚さとし
た。さらにシランのみまたは水素と弗化珪素（ＳｉＣ４
，Ｓｉｎｇ）をプラズマ反応炉内に導入し、プラズマ反
応をさせ、■型の水素またはハロゲン元素が添加された
非単結晶半導体（１３）を０．３〜１７！の厚さにＮ型
半導体上に積層して形成した。さらに再び、同様のＮ型
半導体（１４）を１故結晶構造として３００〜１０００
人の厚さに積層してＮＩＮ接合とした。この■型半導体
中に、ホウ素またｔオリンをｒ＋２１１６／ｓｉｌ＋４
、 ＰＩ＋３ ／５ｉｌｌａ ＝ １０−６〜１０−
４の割合で混入させ、ｐ−またばＮ−の導電型としても
よい。
は元気相法によりＮＴＮ構造を有する水素またはハロゲ
ン元素が添加された非単結晶半導体よりなる複合ダイオ
ードを形成した。即ちＮ型半導体（１２）をシランを水
素にて３〜５倍に希釈し、１３．５６Ｍｌ１ｚの高周波
グロー放電を行うことにより、２００〜２５０℃に保持
された基板上の被形成面上に微結晶構造を有する非単結
晶半導体を作る。その電気伝導度は１０−’ 〜１０”
（Ωｃｍ）−’を有し、３００〜１０００人の厚さとし
た。さらにシランのみまたは水素と弗化珪素（ＳｉＣ４
，Ｓｉｎｇ）をプラズマ反応炉内に導入し、プラズマ反
応をさせ、■型の水素またはハロゲン元素が添加された
非単結晶半導体（１３）を０．３〜１７！の厚さにＮ型
半導体上に積層して形成した。さらに再び、同様のＮ型
半導体（１４）を１故結晶構造として３００〜１０００
人の厚さに積層してＮＩＮ接合とした。この■型半導体
中に、ホウ素またｔオリンをｒ＋２１１６／ｓｉｌ＋４
、 ＰＩ＋３ ／５ｉｌｌａ ＝ １０−６〜１０−
４の割合で混入させ、ｐ−またばＮ−の導電型としても
よい。
かくするとＮＰ−Ｎ、ＮＮ−Ｎとすることができる。
この後、この上面に遮光用のクロム（５００〜１５００
人）、さらにアルミニューム（０，１〜２メりを電子ビ
ーム蒸着法またはスパッタ法により積層した。
人）、さらにアルミニューム（０，１〜２メりを電子ビ
ーム蒸着法またはスパッタ法により積層した。
さらにこの後、Ｘ方向のリード（４）、複合ダイオード
（２）として設ける領域を除き、他部を第２のフォ１〜
マスク■ヲ用いてフォトエツチング法により除去した。
（２）として設ける領域を除き、他部を第２のフォ１〜
マスク■ヲ用いてフォトエツチング法により除去した。
即しレジストにより第５図に示す如く、アルミニューム
リード（４）、第３の電極（１６）をＣＣｌ４を用いて
プラズマエツチングした。さらにクロム（１５Ｌ半導体
（２）をエツチングして除去し、さらにこの下側のクロ
ムも第１の電極上の不要部を除去した。
リード（４）、第３の電極（１６）をＣＣｌ４を用いて
プラズマエツチングした。さらにクロム（１５Ｌ半導体
（２）をエツチングして除去し、さらにこの下側のクロ
ムも第１の電極上の不要部を除去した。
かくして１回の重ね合わせプロセスを行う第２のマスク
■により、概略同一形状にＸ方向のリード（４）、第３
の電極（２２）、半導体（２）、複合ダイオードの下側
電極（第２の電極） （２２）を形成させることができ
た。加えてこの複合ダイオードはその上下面もともに遮
光用のクロムで余分のマスク工程を用いることなしに覆
うことができ、複合ダイオード特性を有せしめることが
できた。
■により、概略同一形状にＸ方向のリード（４）、第３
の電極（２２）、半導体（２）、複合ダイオードの下側
電極（第２の電極） （２２）を形成させることができ
た。加えてこの複合ダイオードはその上下面もともに遮
光用のクロムで余分のマスク工程を用いることなしに覆
うことができ、複合ダイオード特性を有せしめることが
できた。
さらに相対する液晶の他方の第４の電極（３２Ｌリード
（６）は他の第１のマスク■によりＹ方向の配線として
形成させた。
（６）は他の第１のマスク■によりＹ方向の配線として
形成させた。
以上のことより、この面に１つのアクティブ絵素を形成
するのに３種類のマスクを用いるのみですみ、特にその
場合、重合わせマスクは２枚（１回）のみでよいという
特長を有する。
するのに３種類のマスクを用いるのみですみ、特にその
場合、重合わせマスクは２枚（１回）のみでよいという
特長を有する。
表示パネルとしては、この後第１図に示す周辺回路（８
） 、 （９）をハイブリッド構成として基板上に歌結
晶ＩＣをボンディングして作製した。さらに、対抗する
他の絶縁基板（１８）を約６〜１０ｐのｌ］に離間さゼ
、その隙間を真空引きをした後、公知の液晶（１０）を
封入した。
） 、 （９）をハイブリッド構成として基板上に歌結
晶ＩＣをボンディングして作製した。さらに、対抗する
他の絶縁基板（１８）を約６〜１０ｐのｌ］に離間さゼ
、その隙間を真空引きをした後、公知の液晶（１０）を
封入した。
かくして２枚のみのマスクでアクティブ素子型のパネル
をパターニングさせることが可能となった。
をパターニングさせることが可能となった。
「効果」
本発明は以−１−に示ず如＜、複合ダイオードを用いて
アクティブマトリックスを構成せしめたものである。こ
のため表示素子に適したしきい値を１層また＋ｊ：Ｐ−
、Ｎ−を用いることによりＮＴ、ＮＰ−、ＮＮ−としき
い値のプロセス制御を行うことができる。さらにダイオ
ードと電極リードとが一体化しているため、きわめて少
ないマスク（３枚）（重合わ廿は１回）でパターニング
を行うことができ、製造歩留りを向」ニさせることがで
きる。
アクティブマトリックスを構成せしめたものである。こ
のため表示素子に適したしきい値を１層また＋ｊ：Ｐ−
、Ｎ−を用いることによりＮＴ、ＮＰ−、ＮＮ−としき
い値のプロセス制御を行うことができる。さらにダイオ
ードと電極リードとが一体化しているため、きわめて少
ないマスク（３枚）（重合わ廿は１回）でパターニング
を行うことができ、製造歩留りを向」ニさせることがで
きる。
複合ダイオードのＮＴＮ接合またはＰＩＦ接合特性を用
いるため、プロセス」二のハ゛ラツキが少ない。
いるため、プロセス」二のハ゛ラツキが少ない。
交流駆動方式であり、特にそのダイオードのしく１３）
きい値を気相反応法を用いた半導体層の積層時における
プロセス条件により制御し得るため、階調制御がしやす
いという特徴を有する。
プロセス条件により制御し得るため、階調制御がしやす
いという特徴を有する。
本発明における表示素子は液晶表示（ＬＣＤ）のみなら
ず、エレクトロクロミック表示（ＥＣＤ）であってもよ
い。
ず、エレクトロクロミック表示（ＥＣＤ）であってもよ
い。
本発明における複合ダイオードは形成後、そのダイオー
ド部を含んで１．０６μの波長のパルス光ＹＡＧレーザ
等により強光アニールを行い、水素またはハロゲン元素
が添加された多結晶半導体としてもよい。
ド部を含んで１．０６μの波長のパルス光ＹＡＧレーザ
等により強光アニールを行い、水素またはハロゲン元素
が添加された多結晶半導体としてもよい。
第１図は本発明の液晶表示パネルの回路図を示す。
第２図は本発明の複合ダイオードの縦断面図（Ａ）およ
びその記号（Ｂ） 、 （Ｃ） 、対応したエネルギバ
ンド図（Ｄ） 、 （Ｅ）を示す。 第３図は従来より公知のＢＡＣＫ−Ｔｏ−ＢＡＣＫダイ
オード（八）、（Ｂ）、及びダイオードリング（Ｃ）を
示す。 第４図は非線形素子の特性を示す。 第５図は本発明の表示パネルの１絵素の構造を示す。
びその記号（Ｂ） 、 （Ｃ） 、対応したエネルギバ
ンド図（Ｄ） 、 （Ｅ）を示す。 第３図は従来より公知のＢＡＣＫ−Ｔｏ−ＢＡＣＫダイ
オード（八）、（Ｂ）、及びダイオードリング（Ｃ）を
示す。 第４図は非線形素子の特性を示す。 第５図は本発明の表示パネルの１絵素の構造を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、表示素子と、該素子の一方の第１の電極より延在し
た第２の電極と、該電極上の非線形素子と、該非線形素
子上に第３の電極とが設けられた固体表示装置において
、前記非線形素子は前記第２および第３の電極とオーム
接触性を有する一対の逆向整流特性を有する半導体より
なることを特徴とする固体表示装置。 ２、特許請求の範囲第１項において、非線形素子を構成
する半導体は水素またはハロゲン元素が添加された非単
結晶半導体よりなることを特徴とする固体表示素子。 ３、特許請求の範囲第１項において、非線形素子はＮＩ
Ｎ、ＮＰ＾−Ｎ、ＮＮ＾−Ｎ、ＰＩＰ、ＰＮ＾−Ｐまた
はＰＰ＾−Ｐ構造を有することを特徴とする固体表示装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59183348A JPS6161196A (ja) | 1984-09-01 | 1984-09-01 | 固体表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59183348A JPS6161196A (ja) | 1984-09-01 | 1984-09-01 | 固体表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6161196A true JPS6161196A (ja) | 1986-03-28 |
Family
ID=16134158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59183348A Pending JPS6161196A (ja) | 1984-09-01 | 1984-09-01 | 固体表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6161196A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57130081A (en) * | 1981-02-06 | 1982-08-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Liquid crystal picture display device |
| JPS60177321A (ja) * | 1984-02-24 | 1985-09-11 | Citizen Watch Co Ltd | 表示装置用薄膜非線形抵抗素子の製造法 |
-
1984
- 1984-09-01 JP JP59183348A patent/JPS6161196A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57130081A (en) * | 1981-02-06 | 1982-08-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Liquid crystal picture display device |
| JPS60177321A (ja) * | 1984-02-24 | 1985-09-11 | Citizen Watch Co Ltd | 表示装置用薄膜非線形抵抗素子の製造法 |
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