JPS6159002B2 - - Google Patents
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- JPS6159002B2 JPS6159002B2 JP51103053A JP10305376A JPS6159002B2 JP S6159002 B2 JPS6159002 B2 JP S6159002B2 JP 51103053 A JP51103053 A JP 51103053A JP 10305376 A JP10305376 A JP 10305376A JP S6159002 B2 JPS6159002 B2 JP S6159002B2
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- Japan
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- frequency
- circuit
- transistor
- transistors
- modulated signal
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- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 claims description 14
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 12
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 12
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 10
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 21
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D3/00—Demodulation of angle-, frequency- or phase- modulated oscillations
- H03D3/02—Demodulation of angle-, frequency- or phase- modulated oscillations by detecting phase difference between two signals obtained from input signal
- H03D3/22—Demodulation of angle-, frequency- or phase- modulated oscillations by detecting phase difference between two signals obtained from input signal by means of active elements with more than two electrodes to which two signals are applied derived from the signal to be demodulated and having a phase difference related to the frequency deviation, e.g. phase detector
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D3/00—Demodulation of angle-, frequency- or phase- modulated oscillations
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D13/00—Circuits for comparing the phase or frequency of two mutually-independent oscillations
- H03D13/007—Circuits for comparing the phase or frequency of two mutually-independent oscillations by analog multiplication of the oscillations or by performing a similar analog operation on the oscillations
- H03D13/008—Circuits for comparing the phase or frequency of two mutually-independent oscillations by analog multiplication of the oscillations or by performing a similar analog operation on the oscillations using transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D2200/00—Indexing scheme relating to details of demodulation or transference of modulation from one carrier to another covered by H03D
- H03D2200/0001—Circuit elements of demodulators
- H03D2200/0009—Emitter or source coupled transistor pairs or long tail pairs
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D2200/00—Indexing scheme relating to details of demodulation or transference of modulation from one carrier to another covered by H03D
- H03D2200/0041—Functional aspects of demodulators
- H03D2200/0047—Offset of DC voltage or frequency
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D2200/00—Indexing scheme relating to details of demodulation or transference of modulation from one carrier to another covered by H03D
- H03D2200/0041—Functional aspects of demodulators
- H03D2200/0049—Analog multiplication for detection
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D2200/00—Indexing scheme relating to details of demodulation or transference of modulation from one carrier to another covered by H03D
- H03D2200/0041—Functional aspects of demodulators
- H03D2200/0082—Quadrature arrangements
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は直角位相検波回路(クオードラチヤー
検波器)の改良に関する。従来特公昭45−18403
号公報に開示されている如き直角位相検波回路が
提案されている。この従来の直角位相検波回路は
振幅制限増巾回路とその後段の直角位相検波回路
本体とが直結されているため、次のような欠点が
あるものである。即ち、振幅制限増巾回路の直流
オフセツトのバラツキによつて直角位相検波回路
本体の動作点のバラツキが惹起され、検波特性が
劣化する。振幅制限増巾回路の飽和動作領域に於
けるFM変調によつて生じる振幅変動分のため、
キヤプチヤレシオ、AM抑圧度及び検波特性が劣
化する。キヤプチヤレシオ、AM抑圧度の絶対値
を良好にすることができない。
検波器)の改良に関する。従来特公昭45−18403
号公報に開示されている如き直角位相検波回路が
提案されている。この従来の直角位相検波回路は
振幅制限増巾回路とその後段の直角位相検波回路
本体とが直結されているため、次のような欠点が
あるものである。即ち、振幅制限増巾回路の直流
オフセツトのバラツキによつて直角位相検波回路
本体の動作点のバラツキが惹起され、検波特性が
劣化する。振幅制限増巾回路の飽和動作領域に於
けるFM変調によつて生じる振幅変動分のため、
キヤプチヤレシオ、AM抑圧度及び検波特性が劣
化する。キヤプチヤレシオ、AM抑圧度の絶対値
を良好にすることができない。
本発明はこの様な従来の直角位相検波回路の欠
点を除去せんとして提案するものである。
点を除去せんとして提案するものである。
以下に第1図を参照して、本発明をその一実施
例につき詳細に説明しよう。1は振幅制限増巾回
路で、之はコンデンサ結合の直流負帰還を有する
安定化多段増巾回路から構成されており、その入
力端子2に入力被角度変調信号としての入力被周
波数変調信号が供給され、その出力端子3a,3
bに振幅制限された互いに逆相の同じ正の直流成
分を有する出力被角度変調信号が得られるように
なされている。尚、この振幅制限回路1の出力端
子3a,3bから見た出力インピーダンスは夫々
例えば750Ωである。
例につき詳細に説明しよう。1は振幅制限増巾回
路で、之はコンデンサ結合の直流負帰還を有する
安定化多段増巾回路から構成されており、その入
力端子2に入力被角度変調信号としての入力被周
波数変調信号が供給され、その出力端子3a,3
bに振幅制限された互いに逆相の同じ正の直流成
分を有する出力被角度変調信号が得られるように
なされている。尚、この振幅制限回路1の出力端
子3a,3bから見た出力インピーダンスは夫々
例えば750Ωである。
4は直角位相検波回路本体で、振幅制限された
互いに逆相の出力被周波数変調信号の供給される
入力端子5a,5b及び復調出力信号の得られる
出力端子6a,6bを具備している。
互いに逆相の出力被周波数変調信号の供給される
入力端子5a,5b及び復調出力信号の得られる
出力端子6a,6bを具備している。
7a,7bは出力端子3a,3b及び入力端子
5a,5b間に夫々介挿された高域通過波器
で、夫々コンデンサ8a,8b及び抵抗器9a,
9bから成り、その遮断周波数はコンデンサ8
a,8bの容量、抵抗器9a,9bの抵抗、直角
位相検波回路本体4の入力インピーダンスにて決
まり、入力被周波数変調信号の搬送波周波数付近
に選ばれ、実際には遮断周波数はその搬送波周波
数(例えばFM中間周波搬送波周波数10.7MHz)
の1/5倍乃至1/10倍程度に選ばれる。コンデンサ
8a,8bの容量は例えば5pF、抵抗器9a,9
bの抵抗は例えば2kΩである。尚、出力端子3
a,3b間には互いに逆方向に振幅制限用のダイ
オードD1,D2が接続されている。
5a,5b間に夫々介挿された高域通過波器
で、夫々コンデンサ8a,8b及び抵抗器9a,
9bから成り、その遮断周波数はコンデンサ8
a,8bの容量、抵抗器9a,9bの抵抗、直角
位相検波回路本体4の入力インピーダンスにて決
まり、入力被周波数変調信号の搬送波周波数付近
に選ばれ、実際には遮断周波数はその搬送波周波
数(例えばFM中間周波搬送波周波数10.7MHz)
の1/5倍乃至1/10倍程度に選ばれる。コンデンサ
8a,8bの容量は例えば5pF、抵抗器9a,9
bの抵抗は例えば2kΩである。尚、出力端子3
a,3b間には互いに逆方向に振幅制限用のダイ
オードD1,D2が接続されている。
次に直角位相検波回路本体4について説明す
る。之は2重差動回路にて構成されている。10
は掛算回路(スイツチング回路)であつて、2対
のトランジスタQ1〜Q4から構成されている。ト
ランジスタQ1,Q2の各エミツタが互いに接続さ
れ、トランジスタQ3,Q4の各エミツタが互いに
接続されて夫々に互いに逆相の被周波数変調信号
が供給される。トランジスタQ2,Q3の各ベース
が共通に接続されて之に互いに逆相の被周波数変
調信号の一方に対し90゜位相を異にする被周波数
変調信号が供給されるようになされ、トランジス
タQ1,Q4の各ベースが互いに接続されて之には
基準電圧が印加される。トランジスタQ1,Q3の
各コレクタが互いに接続され、トランジスタ
Q2,Q4の各コレクタが互いに接続されて、夫々
より互いに逆相の復調出力信号が得られるように
なされている。
る。之は2重差動回路にて構成されている。10
は掛算回路(スイツチング回路)であつて、2対
のトランジスタQ1〜Q4から構成されている。ト
ランジスタQ1,Q2の各エミツタが互いに接続さ
れ、トランジスタQ3,Q4の各エミツタが互いに
接続されて夫々に互いに逆相の被周波数変調信号
が供給される。トランジスタQ2,Q3の各ベース
が共通に接続されて之に互いに逆相の被周波数変
調信号の一方に対し90゜位相を異にする被周波数
変調信号が供給されるようになされ、トランジス
タQ1,Q4の各ベースが互いに接続されて之には
基準電圧が印加される。トランジスタQ1,Q3の
各コレクタが互いに接続され、トランジスタ
Q2,Q4の各コレクタが互いに接続されて、夫々
より互いに逆相の復調出力信号が得られるように
なされている。
11,12は第1及び第2の差動回路である。
第1の差動回路11は一対の増巾用トランジスタ
Q5,Q6、定電流用トランジスタQ9、トランジス
タQ9のエミツタと接地との間に接続された抵抗
器R1(600Ω)とにより構成され、トランジスタ
Q5,Q6の各ベースより入力端子5a,5bが導
出され、トランジスタQ5,Q6の各コレクタが
夫々トランジスタQ1,Q2の各エミツタ及びトラ
ンジスタQ3,Q4の各エミツタに接続されてい
る。尚、トランジスタQ9のベースにはバイアス
電源+B3が接続されている。第2の差動回路1
2は一対の増巾用トランジスタQ7,Q8、定電流
用トランジスタQ10、トランジスタQ10のエミツ
タと接地との間に接続された抵抗器R2(600Ω)
とにより構成され、トランジスタQ7,Q8の各ベ
ースより上述の入力端子5a,5bが導出され、
トランジスタQ7のコレクタが電源(6.2V)+B2に
接続され、トランジスタQ8のコレクタが抵抗器
(390Ω)R3を通じて電源+B2に接続されてい
る。
第1の差動回路11は一対の増巾用トランジスタ
Q5,Q6、定電流用トランジスタQ9、トランジス
タQ9のエミツタと接地との間に接続された抵抗
器R1(600Ω)とにより構成され、トランジスタ
Q5,Q6の各ベースより入力端子5a,5bが導
出され、トランジスタQ5,Q6の各コレクタが
夫々トランジスタQ1,Q2の各エミツタ及びトラ
ンジスタQ3,Q4の各エミツタに接続されてい
る。尚、トランジスタQ9のベースにはバイアス
電源+B3が接続されている。第2の差動回路1
2は一対の増巾用トランジスタQ7,Q8、定電流
用トランジスタQ10、トランジスタQ10のエミツ
タと接地との間に接続された抵抗器R2(600Ω)
とにより構成され、トランジスタQ7,Q8の各ベ
ースより上述の入力端子5a,5bが導出され、
トランジスタQ7のコレクタが電源(6.2V)+B2に
接続され、トランジスタQ8のコレクタが抵抗器
(390Ω)R3を通じて電源+B2に接続されてい
る。
13はFM中間周波搬送波周波数10.7MHzの信
号を90゜移相する移相回路で、複同調回路14、
コイル15、直流阻止コンデンサ16から構成さ
れ、之は外付け回路とされ、それ以外のモノリシ
ツク半導体集積回路化された回路に接続される。
複同調回路14の一端が電源+B2に接続され、
他端がコイル15を通じてトランジスタQ8のコ
レクタに接続され、その他端がコンデンサ16を
通じて後述するトランジスタQ11のベースに接続
される。
号を90゜移相する移相回路で、複同調回路14、
コイル15、直流阻止コンデンサ16から構成さ
れ、之は外付け回路とされ、それ以外のモノリシ
ツク半導体集積回路化された回路に接続される。
複同調回路14の一端が電源+B2に接続され、
他端がコイル15を通じてトランジスタQ8のコ
レクタに接続され、その他端がコンデンサ16を
通じて後述するトランジスタQ11のベースに接続
される。
移相回路13よりの90゜移相された被周波数変
調信号はエミツタフオロア形トランジスタQ11を
介してトランジスタQ2,Q3のベースに供給され
るようになされている。トランジスタQ11のベー
スは抵抗器(5kΩ)R4を通じて電源+B2に接続
され、コレクタが電源(12V)+B1に接続され、
エミツタが抵抗器(10kΩ)R5を通じて接地され
る。
調信号はエミツタフオロア形トランジスタQ11を
介してトランジスタQ2,Q3のベースに供給され
るようになされている。トランジスタQ11のベー
スは抵抗器(5kΩ)R4を通じて電源+B2に接続
され、コレクタが電源(12V)+B1に接続され、
エミツタが抵抗器(10kΩ)R5を通じて接地され
る。
トランジスタQ1,Q4のベースには、トランジ
スタQ12、抵抗器(10kΩ)R5の直列回路によつ
て電源+B1の電圧が分圧されて基準電圧として
与えられている。尚、トランジスタQ12のベース
は抵抗器(5kΩ)R6を通じて電源+B2に接続さ
れている。
スタQ12、抵抗器(10kΩ)R5の直列回路によつ
て電源+B1の電圧が分圧されて基準電圧として
与えられている。尚、トランジスタQ12のベース
は抵抗器(5kΩ)R6を通じて電源+B2に接続さ
れている。
積分回路7a,7bの抵抗器9a,9bの接続
中点には、トランジスタQ13、抵抗器(2kΩ)
R7、抵抗器(3.3kΩ)R8の直列回路によつて電
源+B1の電圧が分圧されて与えられている。
中点には、トランジスタQ13、抵抗器(2kΩ)
R7、抵抗器(3.3kΩ)R8の直列回路によつて電
源+B1の電圧が分圧されて与えられている。
掛算回路10のトランジスタQ1,Q3のコレク
タ及びトランジスタQ2,Q4のコレクタ側には
夫々出力回路としてカレントミラー回路17,1
8が接続されている。カレントミラー回路17は
トランジスタQ14,Q15及びQ16と抵抗器(680
Ω)R9,R10とから成り、トランジスタQ1,Q3の
コレクタ電流をトランジスタQ14に流し、それと
同じ電流をトランジスタQ15に流し、出力端子6
aより取出すようにしている。カレントミラー回
路18はトランジスタQ17,Q18及びQ19と抵抗器
(680Ω)R11,R12とから成り、トランジスタ
Q2,Q4のコレクタ電流をトランジスタQ17に流
し、それと同じ電流をトランジスタQ18に流し、
出力端子6bより取出すようにしている。
タ及びトランジスタQ2,Q4のコレクタ側には
夫々出力回路としてカレントミラー回路17,1
8が接続されている。カレントミラー回路17は
トランジスタQ14,Q15及びQ16と抵抗器(680
Ω)R9,R10とから成り、トランジスタQ1,Q3の
コレクタ電流をトランジスタQ14に流し、それと
同じ電流をトランジスタQ15に流し、出力端子6
aより取出すようにしている。カレントミラー回
路18はトランジスタQ17,Q18及びQ19と抵抗器
(680Ω)R11,R12とから成り、トランジスタ
Q2,Q4のコレクタ電流をトランジスタQ17に流
し、それと同じ電流をトランジスタQ18に流し、
出力端子6bより取出すようにしている。
第2図に従来の直角位相検波回路及び第1図の
直角位相検波回路の入力レベル(dBμ)―キヤ
プチヤレシオ(dB)特性を曲線20,21にて
示し、本発明による直角位相検波回路の方が良好
なキヤプチヤレシオが得られることが解る。
直角位相検波回路の入力レベル(dBμ)―キヤ
プチヤレシオ(dB)特性を曲線20,21にて
示し、本発明による直角位相検波回路の方が良好
なキヤプチヤレシオが得られることが解る。
例えばキヤプチヤレシオ2dBの特性は、同じ
周波数の希望放送局と妨害波の2つの信号が入力
される場合に、2dBの差があれば弱い方の妨害波
は希望放送局に消されて聴えなくなることを意味
し、キヤプチヤレシオはその絶対値が小さい程混
信除去能力が小さいことになる。
周波数の希望放送局と妨害波の2つの信号が入力
される場合に、2dBの差があれば弱い方の妨害波
は希望放送局に消されて聴えなくなることを意味
し、キヤプチヤレシオはその絶対値が小さい程混
信除去能力が小さいことになる。
第3図に第1図の直角位相検波回路に於て、中
間周波搬送波周波数10.7MHz、周波数変調周波
数400Hz、振幅変調周波数(妨害による)
1kHz、30%変調(100%変調75kHz)の被周波数
変調信号を供給した場合に於て、高域通過波器
7a,7bの抵抗器9a,9bの抵抗を750Ωと
し、コンデンサ8a,8bの容量を夫々5〜
6pF、3pF及び10pFとしたときの入力レベル
(dBμ)―AM抑圧度(dB)特性の曲線を22,
23及び24として示す。之等曲線のうち、22
が最も良い特性を示す。
間周波搬送波周波数10.7MHz、周波数変調周波
数400Hz、振幅変調周波数(妨害による)
1kHz、30%変調(100%変調75kHz)の被周波数
変調信号を供給した場合に於て、高域通過波器
7a,7bの抵抗器9a,9bの抵抗を750Ωと
し、コンデンサ8a,8bの容量を夫々5〜
6pF、3pF及び10pFとしたときの入力レベル
(dBμ)―AM抑圧度(dB)特性の曲線を22,
23及び24として示す。之等曲線のうち、22
が最も良い特性を示す。
上述せる本発明によれば、振幅制限増巾回路と
直角位相検波回路本体との間に、被角度変調信号
の搬送波周波数に略等しい遮断周波数の高域通過
波器(コンデンサ及び抵抗器より成る)を介挿
したから、振幅制限増巾回路と直角位相検波回路
本体とが直流的、低周波的に切り離されるから、
直角位相検波回路の動作点のバラツキが無く、検
波特性が向上する。又、妨害波のレベルが希望波
のレベルに比較して大きい時は、振幅制限増巾回
路の振幅制限作用によつては完全に取り除くこと
のできない振幅変動分を、その遮断周波数が入力
被角度変調信号の搬送周波数の1/5〜1/10に選定
された高域通過波器によつて、第3図に示され
るように除去することができ、AM抑圧度が向上
する。振幅制限増巾回路及び直角位相検波回路本
体のバイアスを安定化することによつて、検波特
性、キヤプチヤレシオ、AM抑圧度を一層良好な
らしめ得る。
直角位相検波回路本体との間に、被角度変調信号
の搬送波周波数に略等しい遮断周波数の高域通過
波器(コンデンサ及び抵抗器より成る)を介挿
したから、振幅制限増巾回路と直角位相検波回路
本体とが直流的、低周波的に切り離されるから、
直角位相検波回路の動作点のバラツキが無く、検
波特性が向上する。又、妨害波のレベルが希望波
のレベルに比較して大きい時は、振幅制限増巾回
路の振幅制限作用によつては完全に取り除くこと
のできない振幅変動分を、その遮断周波数が入力
被角度変調信号の搬送周波数の1/5〜1/10に選定
された高域通過波器によつて、第3図に示され
るように除去することができ、AM抑圧度が向上
する。振幅制限増巾回路及び直角位相検波回路本
体のバイアスを安定化することによつて、検波特
性、キヤプチヤレシオ、AM抑圧度を一層良好な
らしめ得る。
第1図は本発明の一実施例を示す回路結線図、
第2図及び第3図は特性曲線図である。 1は振幅制限増巾回路、4は直角位相検波回路
(クオードラチヤー検波器)本体、7a,7bは
高域通過波器、8a,8bはそのコンデンサ、
9a,9bはその抵抗器である。
第2図及び第3図は特性曲線図である。 1は振幅制限増巾回路、4は直角位相検波回路
(クオードラチヤー検波器)本体、7a,7bは
高域通過波器、8a,8bはそのコンデンサ、
9a,9bはその抵抗器である。
Claims (1)
- 1 入力被角度変調信号が供給されて振幅制限さ
れた互いに逆相の出力被角度変調信号が得られる
振幅制限増巾回路と、上記互いに逆相の被角度変
調信号が供給されると共にこの被角度変調信号の
瞬時周波数に比例した出力を発生するクオードラ
チヤー検波器本体と、上記振幅制限増巾回路の両
出力端子と上記クオードラチヤー検波器本体の両
入力端子間に夫々介挿された高域通過波器とを
有し、上記高域通過波器は夫々コンデンサ及び
抵抗器から成り、その遮断周波数が上記入力被角
度変調信号の搬送周波数の1/5〜1/10付近に選定
されて成ることを特徴とするクオードラチヤー検
波器。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10305376A JPS5328361A (en) | 1976-08-27 | 1976-08-27 | Quadratur e phase detection circuit |
AU28148/77A AU512458B2 (en) | 1976-08-27 | 1977-08-23 | Quadrature phase detector |
GB35506/77A GB1575357A (en) | 1976-08-27 | 1977-08-24 | Quadrature type phase detectors |
US05/827,797 US4100500A (en) | 1976-08-27 | 1977-08-25 | Angle-modulation detector having push-pull input applied through high-pass filters |
DE19772738732 DE2738732A1 (de) | 1976-08-27 | 1977-08-27 | Phasendemodulator |
CA285,674A CA1085470A (en) | 1976-08-27 | 1977-08-29 | Angle-modulation detector, for example, a quadrature type phase detector |
NLAANVRAGE7709511,A NL189836C (nl) | 1976-08-27 | 1977-08-29 | Fasedetector. |
FR7726258A FR2363225A1 (fr) | 1976-08-27 | 1977-08-29 | Detecteur en quadrature pour signaux modules en angle |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10305376A JPS5328361A (en) | 1976-08-27 | 1976-08-27 | Quadratur e phase detection circuit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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