JPS6155810B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6155810B2
JPS6155810B2 JP14939878A JP14939878A JPS6155810B2 JP S6155810 B2 JPS6155810 B2 JP S6155810B2 JP 14939878 A JP14939878 A JP 14939878A JP 14939878 A JP14939878 A JP 14939878A JP S6155810 B2 JPS6155810 B2 JP S6155810B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
thyristor
gate
state
current
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP14939878A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5577368A (en
Inventor
Yukio Myazaki
Tooru Kameda
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP14939878A priority Critical patent/JPS5577368A/ja
Publication of JPS5577368A publication Critical patent/JPS5577368A/ja
Publication of JPS6155810B2 publication Critical patent/JPS6155810B2/ja
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  • Power Conversion In General (AREA)
  • Thyristor Switches And Gates (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、低消費電力でサイリスタの陽極・
陰極間のサージ耐圧を高めることができるように
したサイリスタ駆動回路に関するものである。
従来、この種の回路は第1図に示すように構成
されていた。すなわち、第1図において、1はト
ランジスタ、2はサイリスタ、3はゲート抵抗
器、4は入力端子である。
この動作は、入力端子4が“L”状態の時はト
ランジスタ1はオフ状態であり、従つてサイリス
タ2でもオフ状態にある。この時、サイリスタ2
の陽極にサージ電圧等が加わつた場合、サイリス
タ2の内部容量やリーク電流等の影響でゲートに
電流が流れ、ブレークオーバーを引き起す恐れが
ある。通常、このような現象を防止しサイリスタ
2の陽極、陰極間のサージ耐圧を維持するため、
ゲート・陰極間にゲート抵抗器3を接続するのが
通例となつている。
次に、入力端子4に入力信号が印加され、
“H”状態になるとトランジスタ1はオン状態と
なり、サイリスタ2のゲートにゲート電流が供給
されるため、サイリスタ2はオン状態となる。こ
の時トランジスタ1から流れる電流はサイリスタ
2のゲートに流れ込むとともに、ゲート抵抗器3
にも流れ、ゲート抵抗器3において次式に示す電
力消費が発生する。
P=V /R ここで、Pはゲート抵抗器3で消費する消費電
力、VGはゲート電圧、Rは抵抗器3の抵抗値で
ある。
従来のサイリスタ駆動回路は以上のように構成
されているので、ゲート抵抗器3での消費電力は
サイリスタ2を駆動させるためには全く不要の電
力損失であるため、第1図によつて集積回路を構
成する場合を考えると集積回路自体の消費電力を
増大させるという欠点があつた。
この発明は上記のような欠点を解決するために
なされたもので、トーテムポール接続されている
ゲート電流を供給する第1のトランジスタと、ゲ
ートリーク電流を吸収する第2のトランジスタを
有し、第1のトランジスタがオン状態の時は、第
2のトランジスタはオフ状態、また第1のトラン
ジスタがオフの状態の時は、第2のトランジスタ
はオン状態になるよう動作せしめ、さらに第2の
トランジスタと並列に定電流回路を接続すること
により消費電力を低減し、かつサイリスタの陽
極・陰極間サージ耐圧を向上せしめたサイリスタ
駆動回路を提供することを目的とするものであ
る。以下この発明について説明する。
第2図はこの発明の一実施例を示すもので、1
1は電流を流し出す第1のトランジスタ、12は
電流を吸い込む第2のトランジスタで、これらは
トーテムポール接続されている。13は前記トー
テムポール接続された第1、第2のトランジスタ
11,12を駆動する第3のトランジスタで、ベ
ースに入力端子14が接続され、コレクタは第1
のトランジスタ11のベースに接続されると同時
に抵抗器15を通して電源16に接続されてい
る。また、第3のトランジスタ13のエミツタ
は、第2のトランジスタ12のベースに接続され
ている。トーテムポール接続された第1のトラン
ジスタ11のエミツタと第2のトランジスタ12
のコレクタが接続され、この接続点に出力端子1
7が接続され、この出力端子17にサイリスタ1
8のゲート端子が接続されている。第2のトラン
ジスタ12のコレクタ・エミツタ間には定電流回
路19が接続されている。
次に、第2図の実施例の動作を説明する。
まず、入力端子14が“L”の時、第3のトラ
ンジスタ13はオフ状態、従つて第2のトランジ
スタ12もオフ状態、第1のトランジスタ11は
オン状態となり、サイリスタ18のゲート端子に
は第1のトランジスタ11から電流が流れ、サイ
リスタ18はオン状態となる。この時、第2のト
ランジスタ12はオフ状態にあるため、第1のト
ランジスタ11から流れ出る電流は第2のトラン
ジスタ12には流れない。従つて第2のトランジ
スタ12での電力損失は生じないため、ゲート抵
抗方式に比してサイリスタ18のオン時の消費電
力は大幅に低減される。一方、入力端子14が
“H”状態の時、第3のトランジスタ13はオン
状態、従つて第2のトランジスタ12もオン状態
となるが、第1のトランジスタ11はオフ状態の
ため電流は流れない。従つてサイリスタ18はオ
フ状態となつている。この時、サイリスタ18の
陽極・陰極間のサージ耐圧を維持するため、通常
は第1図のようにゲート・陰極間にゲート抵抗器
を接続するが、この発明では第2のトランジスタ
12を接続しており、かつ、オン状態にせしめて
いるため、実効ゲート抵抗としては、第2のトラ
ンジスタ12の飽和抵抗値に近く、一般的には数
十Ωとなりサイリスタ18の陽極・陰極間サージ
耐圧は向上する。
次に入力端子が“H”から“L”の状態に変化
する時、第1のトランジスタ11はオフからオン
状態に、第3のトランジスタ13および第2のト
ランジスタ12はオンからオフ状態に変化する
が、その過渡期には第1、第2のトランジスタ1
1,12ともオフの状態が存在する期間が生じ、
その期間のサイリスタ18のゲート電位が不安定
となる。この期間にサイリスタ18にサージ電圧
等が加えられるとサイリスタ18はブレークオー
バー現象を起しオン状態になり劣化を起す可能性
が出てくる。かかる過渡時の誤動作を防止するた
めこの発明では、第2のトランジスタ12のコレ
クタ・エミツタ間に並列に定電流回路19を接続
したので、サイリスタ18のゲート端子に流出す
るリーク電流をこの定電流回路19によつて吸収
することができ、過渡時にサージ電圧が加わつて
もサイリスタ18はブレークオーバーの状態には
陥入らず、サイリスタ18はブレークオーバーで
はなく、ゲート電流によりオン状態となるので、
サイリスタ18の劣化の問題はなくなる。
以上説明したようにこの発明によれば、従来の
この種回路に比して消費電力が低減し、かつ、サ
イリスタの陽極・陰極間サージ耐圧を向上せしめ
ることができ、過渡期における安定動作を達成で
きるサイリスタ駆動回路が得られる利点がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のサイリスタ駆動回路図、第2図
はこの発明の一実施例を示すサイリスタ駆動回路
図である。 図中、11は第1のトランジスタ、12は第2
のトランジスタ、13は第3のトランジスタ、1
4は入力端子、15は抵抗器、16は電源、17
は出力端子、18はサイリスタ、19は定電流回
路である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 サイリスタのゲート電流を供給する第1のト
    ランジスタと、前記サイリスタのゲート・陰極間
    に接続された第2のトランジスタと、前記第1の
    トランジスタがオン状態の時は前記第2のトラン
    ジスタはオフ状態、前記第1のトランジスタがオ
    フ状態の時は前記第2のトランジスタはオン状態
    に制御する第3のトランジスタと、さらに前記第
    2のトランジスタと並列に接続された定電流回路
    とを備えたことを特徴とするサイリスタ駆動回
    路。
JP14939878A 1978-11-30 1978-11-30 Thyristor driving circuit Granted JPS5577368A (en)

Priority Applications (1)

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JP14939878A JPS5577368A (en) 1978-11-30 1978-11-30 Thyristor driving circuit

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JP14939878A JPS5577368A (en) 1978-11-30 1978-11-30 Thyristor driving circuit

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Publication Number Publication Date
JPS5577368A JPS5577368A (en) 1980-06-11
JPS6155810B2 true JPS6155810B2 (ja) 1986-11-29

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ID=15474252

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JP14939878A Granted JPS5577368A (en) 1978-11-30 1978-11-30 Thyristor driving circuit

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8873914B2 (en) 2004-11-22 2014-10-28 Frampton E. Ellis Footwear sole sections including bladders with internal flexibility sipes therebetween and an attachment between sipe surfaces
US9568946B2 (en) 2007-11-21 2017-02-14 Frampton E. Ellis Microchip with faraday cages and internal flexibility sipes

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JP4084117B2 (ja) * 2002-07-26 2008-04-30 株式会社ルネサステクノロジ モータの駆動装置
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US8925117B2 (en) 2004-11-22 2015-01-06 Frampton E. Ellis Clothing and apparel with internal flexibility sipes and at least one attachment between surfaces defining a sipe
US8959804B2 (en) 2004-11-22 2015-02-24 Frampton E. Ellis Footwear sole sections including bladders with internal flexibility sipes therebetween and an attachment between sipe surfaces
US9107475B2 (en) 2004-11-22 2015-08-18 Frampton E. Ellis Microprocessor control of bladders in footwear soles with internal flexibility sipes
US9568946B2 (en) 2007-11-21 2017-02-14 Frampton E. Ellis Microchip with faraday cages and internal flexibility sipes

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JPS5577368A (en) 1980-06-11

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