JPS58207707A - 差動増幅回路 - Google Patents

差動増幅回路

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JPS58207707A
JPS58207707A JP8631982A JP8631982A JPS58207707A JP S58207707 A JPS58207707 A JP S58207707A JP 8631982 A JP8631982 A JP 8631982A JP 8631982 A JP8631982 A JP 8631982A JP S58207707 A JPS58207707 A JP S58207707A
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JP
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transistor
inverting input
collector
differential amplifier
input terminal
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JP8631982A
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JPS6242405B2 (ja
Inventor
Toshinori Ogawara
大河原 俊徳
Terutaka Hirata
平田 輝孝
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Yokogawa Electric Corp
Original Assignee
Yokogawa Electric Corp
Yokogawa Hokushin Electric Corp
Yokogawa Electric Works Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/30Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor
    • H03F3/3069Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor the emitters of complementary power transistors being connected to the output
    • H03F3/3071Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor the emitters of complementary power transistors being connected to the output with asymmetrical driving of the end stage

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  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、1電源で駆動される差動増幅回路の改良に関
するものである。
第1図は1電源駆動の差動増幅回路の従来例を示す電気
回路図である。1電源駆動の差動増幅回路1では、電源
の低圧側電圧即ちコモン電圧の範囲進入力が加わっても
動作するSうに初段がPNPトランジスタ2.5.4.
5で構成されている。
このように構成されている場合に、非反転入力e+がコ
モン電圧以下になると出力e。は電源の高圧側電圧即ち
V、と等しくなって飽和するという現象が′あり、応用
上程々の問題を引き起こす。
第2図及び第3図は第1図の差動増幅回路の応用面にお
ける問題点を示すものである。第2図(A)は差動増幅
回路1を用いてボルテージ・フォロワを構成した場合の
電気回路図で第2図(B+にこのときの入出力特性を示
す。入力電圧eijが負の領域で出力電圧e(,1がo
vから電源電圧V、ヘジャンブしている。第3図(A)
は差動増幅回路1を用いて2線式電圧電流変換回路を構
成した場合の電気回路図で、第3図(B) ticこの
ときの入出力特性を示す。
入力電圧812が負の領域で出力電流Ioが0チ以下の
値から100%以上の値にジャンプしている。第2図、
第3図のいずれの場合にも、久方信号が最小となってい
るときに出方は逆圧増大して最大値を示すという不合理
を生じる。これは例えば、プロセス制御において、流量
が少ないのでパルプを開(べきと9きに逆にパルプを閉
じてしまうというような誤操作の原因ともなる。したが
って従来は防止策としてレベルシフト回路やダイオード
・クランプ回路などを差動増幅回路の外部に設けて上記
の現象を防止する必要があり、回路部品の増加を招いて
いた。
本発明は上記の欠点を解消するためになされたもので、
非反転入力がコモン電圧以下になった場合にも出力が電
源の高圧側で飽和しない1電源駆動の差動増幅回路を実
現することを目的P二する。
本発明によれば、初段がPNP )ランジスタで構成さ
れた1電源駆動の差動増幅器において、非反転入力とし
てコモン電圧レベル以下の負電圧が加わったときに、ク
ランプ用トランジスタが出力制御用トランジスタを制御
して差動増幅回路の出力をコモン電圧に保持することが
できろ。
以下図面にもとすいて本発明を説明する。
第4図は、本発明の一実施例を示す電気回路図である。
図において、11は1電源駆動の差動増幅回路で、21
は非反転入力端子、22は反転入力端子、2.3.4及
び5は初段のPNP )ランジスタ、67.8.9は出
力制御回路を構成するトランジスタ、10はそのエミッ
タが非反転入力端子21及びトランジスタ5のベースに
接続し、そのベースがコモン20に接続し、そのコレク
タが出力制御用トランジスタ6のコレクタに接続するク
ランプ用トランジスタである。
上記のような構成において、非反転入力e+が負になっ
た場合、トランジスタ10のベースからエミ、夕にベー
ス電流が流れ始める。トランジスタ6のコレクタ電位は
トランジスタ10のエミッタ電位よりもプラス側にある
ため、トランジスタ10は導通となる。トランジスタ6
のコレクタに接続されている定電流はトランジスタ10
によってバイパスされトランジスタ6のコレクタ電位を
低下させる。
この結果トランジスタ7.9はオンとなり、トランジス
タ8はオフとなるので出力e0はコモン電圧レベルに保
持される。電源電圧範囲内の入力O〜Vs (V)が加
わっている正常動作時にはトランジスタ100ペース・
エミッタ間は逆バイアスされるのでトランジスタ10は
オフとなり、差動増幅器11は通常の動作を行なう。
なお上記の実施例においてクランプ用トランジスタ10
のコレクタをA点に接続したが、これに限らずB点、0
点などに接続しても同様の効果を得ることができ、出力
e0をコモン電圧レベルに保持できる箇所ならどこでも
よい。
M5図は、本発明の第二の実施例を示す電気回路図であ
る。第5図は第4図の場合とは異なる構成の差動増幅回
路に本発明を適用したもので、12がクランプ用トラン
ジスタとして働く。動作及び効果は第4図の場合と同様
である。
第6図は、本発明の第三の実施例を示す要部断面斜視図
である。本実施例は第4図の実施例を集積回路化する際
にクランプ用トランジスタ10を寄生トランジスタで構
成したものである。図において、15.14.15はそ
れぞれ第4図のトランジスタ5のエミツタ層、ベース層
、コレクタ層で、このトランジスタ5に隣接して8層1
6を設け、このとき8層14.2層15.8層16で形
成されるNPN形の寄生トランジスタ(点線で示す)を
クランプ用トランジスタ10として利用する構造となっ
ている。
第7図は、本発明の第四の実施例を示す要部断面斜視図
である。本実施例も第6図と同様、第4図の実施例を集
積回路化する際に寄生トランジスタを利用してクランプ
用トランジスタ10を構成したものである。エミ、り層
13、ベース層14、コレフタ層15で構成されている
トランジスタ5に隣接して、コレクタ17、ベース18
、エミッタ19で構成される出力制御用トランジスタ6
を設け、このときN層14.2層15、N層17で形成
されるNPN形の寄生トランジスタ(点線の部分)をク
ランプ用トランジスタ10として利用する構造となって
いる。
なお第三、第四の実施例で用いた寄生トランジスタ利用
の方法は、本発明の集積回路化を容易にする。この方法
は第4図の場合に限らず第5図その他の場合について本
発明の範囲内で応用できる。
第8図は、本発明の第五の実施例を示す要部断面斜視図
で、本発明の実施例を集積化する際九クランプ用トラン
ジスタをラテラル形NPNで構成したものである。、2
3のエミッタ、24のベース、25のコレクタでNPN
)ランジスタを構成している。
以上述べたように、本発明によれば非反転入力がコモン
電圧以下になった場合にも出力が電源の高圧側で飽和し
ない1電源駆動の差動増幅回路を簡単な構成で実現でき
る。また本発明は集積化も容易である。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の1電源駆動差動増幅回路の電気回路図、
第2図(A>は第1図の従来例を用いてボルテージ・フ
ォロワを構成した場合の電気回路図、第2図(B)は第
2図(A)の回路の入出力特性曲線図、第3図(A)は
第1図の従来例を用いて2線式電圧電流変換回路を構成
した場合の電気回路図、第5図(Blは第5図(元の入
出力特性曲線図、第4図は本発明の第一の実施例を示す
電気回路図、第5図は本発明の第二の実施例を示す電気
回路図、第6図は本発明の第三の実施例を示す要部断面
斜視図、第7図は本発明の第四の実障例を示す要部断面
斜視図、第8図は本発明の第五の実施例を示す要部断面
斜視図である。 1.11・・・1電源駆動差動増幅回路、2,5,4゜
5・・・初段のPNP)ランジスタ、20・・・コモン
、6゜7.8.9・・・出力制御用トランジスタ、10
・・・クランプ用トランジスタ、21・・・非反転入力
端子、22・・・反転入力端子、16・・・寄生トラン
ジスタのコレクタとなるN層。 竿 I 図 萼2図(A)         第2図CB)W、3図
(A)          第3図(B)蒼 4 区 ・・ξ−村叱

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)  初段がPNP )ランジスタで構成された1
    電源駆動の差動増幅回路において、クランプ用トランジ
    スタを設け、このトランジスタのエミッタを非反転入力
    端子に接続し、同ペースをコモンに接続し、同フレクタ
    を出方制御用トランジスタに接続することにより、前記
    非反転入力端子にコモンレベル以下の電圧が加わったと
    きに出力電圧をコモンレベルに保持するようにしたこと
    を特徴としだ差動増幅回路。
  2. (2)  クランプ用トランジスタとして、非反転入力
    端子に接続するPNP )ランジスタに隣接して設けた
    N層と前記PNP )ランジスタの間で形成される寄生
    トランジスタを用いて集積回路化した特許請求範囲第1
    項記載の差動増幅回路。
  3. (3)  クランプ用トランジスタとして、非反転入力
    端子に接続するPNP)ランンスタに隣接して配置した
    出力制御用トランジスタと前記PNP )う/ジスタの
    間で形成される寄生トランジスタを用いて集積回路化し
    た特許請求範囲第1項記載の差動増幅回路。
JP8631982A 1982-05-21 1982-05-21 差動増幅回路 Granted JPS58207707A (ja)

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JP8631982A JPS58207707A (ja) 1982-05-21 1982-05-21 差動増幅回路

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JPS58207707A true JPS58207707A (ja) 1983-12-03
JPS6242405B2 JPS6242405B2 (ja) 1987-09-08

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