JPS6151976A - Ｍｉｓ型半導体装置 - Google Patents

Ｍｉｓ型半導体装置

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JPS6151976A
JPS6151976A JP17464584A JP17464584A JPS6151976A JP S6151976 A JPS6151976 A JP S6151976A JP 17464584 A JP17464584 A JP 17464584A JP 17464584 A JP17464584 A JP 17464584A JP S6151976 A JPS6151976 A JP S6151976A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明はＭＩＳ型半導体装置の構造に関する。
〔従来技術〕
従来、？１ｉ　Ｎ　ＯＳ型と称されるシリコン酸化膜及
びシリコン窒化膜とからなる複合膜を絶縁膜とするＭＩ
Ｓ型半導体装置においては、シリコン窒化膜と多結晶シ
リコンよりなるゲート電極とは、実質的（＝同じ形状を
している。第１図（−従来のＭＮＯ８半導体装置の断面
図を示す。１はシリコン基体、２はシリコン酸化膜、６
はシリコン窒化膜、４は多結晶ンリコ／よりなるゲート
電極である。
ところでゲート電極４と交差してこれと′眠気的に絶縁
された配線層８を設けるとき、一般的にゲート電極４の
表面を酸化して絶縁性被膜で覆うことが行なわれている
。しかし従来例（＝示す（１り造では、ゲート電極４と
シリコン窒化膜６の形状が実負的二同じであるため、ゲ
ート′電極４を酸化した際にゲート電極４の表面に形成
されるシリコン酸化膜５とシリコン基体１の表面上（＝
形成されるシリコン酸化膜６との間、すなわちシリコン
窒化膜６の側面部７に間隙ができる。このため配線層８
とゲート電極４間の絶縁耐圧が低下するという欠点があ
る。これはシリコン窒化膜６の珪酸化性によって起きる
現象である。
〔発明の目的〕
本発明は上記の点（１筺み提案されたものであり、ゲー
ト・配線間耐圧のすぐれたＭＩＳ型半導体装置の提供を
目的とする。
〔発明のイ、′り成〕
本発明は、半導体基体の一主表面上に形成された該半導
体基体の酸化物を主成分とする第１の絶縁膜と、該第１
の絶縁膜を覆い難酸化性物質よりなる？ｉ↓２絶縁膜と
、前記第１及び第２の絶縁膜からなる複合膜なゲート絶
縁膜とし、多結晶半醇体を主成分とする前記ゲート絶縁
膜を覆うゲート電極とを有するＭＩＳ型半導体装置（＝
おいて、前記第２の絶嶽膜の形状が前記ゲート電極の形
状と相似形で、かつ前記ゲート４極の形状より小さいこ
とを特徴とする。
〔実施例〕
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第２図は本発明の実施例（−係るＭＩＳ型半導体装置の
構造を形成するための製造プロセスを示す図であり、１
１はシリコン基体、１２はシリコン酸化膜、１６はシリ
コン窒化膜、１４は多結晶シリコンによるゲート′屯極
、１５はシリコンゲート重重・玩１４の酸化（＝よるシ
リコン酸化膜、１６は基板１１の酸化によるシリコン酸
化膜、１８は配線層である。
伏に実施例の装造プロセスな説明する。まずシリコン基
体１１の表面（＝約１０ＯＡの厚さのシリコン酸化膜１
２を形成し、次いで気相成長法で約２００Ｘの厚さのシ
リコン窒化膜１６を形成し、この後多結晶シリコンより
なるゲート４極１４を形成する（第２図−ａ）、、欠い
てゲート電極１４をマスクとしてシリコン窒化膜１６を
エツチング処理して整形する。上を己のエツチング処理
の際、エツチング時間を適当（二制御すること（二より
、シリコン窒化膜１３はゲート電極１４の端部より例え
ば０．２μｍ後退した形状とすることができる（第２図
−ｂ）１２次いで酸化性雰囲気内で熱処理すること（二
より、ゲー）？［１ｉ１４の表面にシリコン酸化１１’
Ｑ１５が形成されるととも（：、シリコン基体１１の表
面にシリコン酸化膜１６が成長する。この熱処理により
、シリコン窒化膜１３の側面部１７は、下部から成長す
るシリコン酸化膜１６と上部から下方向へ成長するシリ
コン酸化膜１５（二より充填される。このため間隙は埋
まり（第２図−〇）、配線層１８とゲート電極１４間の
耐圧は向上するなお実施例ではＭ　Ｉ　Ｓ型キャパシタ
の構造を示したが、ゲート電極１４の側面（二隣接して
シリコン基体１１内にソース、ドレイン拡散層を有する
ＭＩＳ型トランジスタ（二対しても本発明を適用できる
事はいうまでもない。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、難酸化性のシリコ
ン窒化膜の側部が酸化膜で倶われるので。
配か層とゲート電極間の耐圧が良好で半導体装置の信頼
性が一］上する。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来例（１係る半導体装置の概略断面図。 第２図は本発明の実施例に係る半導体装置の構造を形成
するための製造プロセスを示すイ既略断面図である。 １．１１・・・半導体基体 ２．１２・・・シリコン哉化膜 ６．１６・・・シリコン窒化膜 ４．１４・・・多結晶シリコン（＝よるゲート′献極５
．１５・・・ゲート電極の表面に形成されるシリコン酸
化膜 ６．１６・・・シリコン基体表面に形成されるシリコン
酸化膜 ７．１７・・・シリコン窒化膜の側面部８．１８・・・
配線層 特許出願人　　日本電気林式会社 第１図 第２図　（Ｑ） 第２図　（ｂ） ＋２　　　１３　　　１７ 第２図　（Ｃ）

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 半導体基体の一主表面上に形成された該半導体基体の酸
    化物を主成分とする第１の絶縁膜と、該第１の絶縁膜を
    覆い難酸化性物質よりなる第２絶縁膜と、前記第１及び
    第２の絶縁膜からなる複合膜をゲート絶縁膜とし、多結
    晶半導体を主成分とする前記ゲート絶縁膜を覆うゲート
    電極とを有するＭＩＳ型半導体装置において、 前記第２の絶縁膜の形状が前記ゲート電極の形状と相似
    形で、かつ前記ゲート電極の形状より小さいことを特徴
    とするＭＩＳ型半導体装置。
JP17464584A 1984-08-22 1984-08-22 Ｍｉｓ型半導体装置 Granted JPS6151976A (ja)

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JP17464584A JPS6151976A (ja) 1984-08-22 1984-08-22 Ｍｉｓ型半導体装置

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JP17464584A JPS6151976A (ja) 1984-08-22 1984-08-22 Ｍｉｓ型半導体装置

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JPS6151976A true JPS6151976A (ja) 1986-03-14
JPH0568861B2 JPH0568861B2 (ja) 1993-09-29

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02263461A (ja) * 1989-04-03 1990-10-26 Nec Yamaguchi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55157264A (en) * 1979-05-25 1980-12-06 Fujitsu Ltd Manufacturing method for semiconductor device

Patent Citations (1)

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JPH0568861B2 (ja) 1993-09-29

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