JPS6143485A - アモルフアスシリコン半導体を使用する太陽電池 - Google Patents

アモルフアスシリコン半導体を使用する太陽電池

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JPS6143485A
JPS6143485A JP60170971A JP17097185A JPS6143485A JP S6143485 A JPS6143485 A JP S6143485A JP 60170971 A JP60170971 A JP 60170971A JP 17097185 A JP17097185 A JP 17097185A JP S6143485 A JPS6143485 A JP S6143485A
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layer
amorphous silicon
semiconductor
cell according
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JP60170971A
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ヘルモルト、カウシエ
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Siemens AG
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Siemens AG
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、例えば１！！ｆヒスズー酸化イ／ジウム系
の反射防止層２よびｐ型領域とｎ型１ＩＡＱＲＱ間に！
を性ｉｉｒ！　ｆ夕、）；は！くれているアモルファス
フリコツから成り、１′Ｌ１′ｌ：６Ｑ或のホウ素ドー
ヒ゛／グばｉｎ接合ＩＣ回って砥ドするプロ７・ｆルを
示す太陽電池シて関するものである。
〔むｆ来り技１り：ｉ） このｆΦの太陽電池は文献「ジャーナル　オブアグラｆ
ド　フイジクスＪ　（Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｏ、）５４
、　　〔ｉ　ｉ　’ｌ、　　ｐ、６７０５〜ｂｙｏｙ、
ｒアプライド　フイジクス　レターズＪ　（Ａｐｐｌ、
Ｐｈ７Ｂ。
Ｌｅｔｔｅｒｓ）　４４．　　〔１１）、　　ｐ、　　
＋　０９２〜＋０９４に記載され公知である。真性層内
のホウ素ドーピングプロフィルに工り９４５％にまで達
する高い効率と０．７２　Ｋ達する高い充填率が達成さ
れる。
電池はガラス基・１反ト：Ｃ作もれ、光はｐ型頭峨１ｉ
１Ｑから人１４；ｊ　；！せｂｏ アモルファスフリコツから成りｐ−１−ｎ型層調造の１
：、γ・：莫−１〜陽電池では、光はｐ側とｎ側のいず
ｎからも入射させることができる。この４１の電池（を
多少の差：は、ちるがいずＩＬもステープラ・ウロンス
キ（Ｓｔａｅｂｌｅｒ　−Ｗｒｏｎｓｋｉ、　）効７ｋ
を示す。この効！（トに基き電池が開放動作吠態にちっ
て無負荷電圧を示しているとき効率が可逆的（（低下し
、例えば＋　００　ｍＷ　／　ｃｍ２の照射で１６時間
の間に５０％に１で低下する。ここで可逆的というのは
テ／・く−熱処理により効率が回復することを表わし、
例えば１８０℃、３０分のテンパー処理い：よシ最初の
効率値に戻る。効率の低下は時間と共に減少するが、こ
の種の電池の技術的使用は限定さ几る。
〔発明が解決しようとする問題点〕
この発明の目的は、上記の光照射エイジング現象を阻止
し、ステープラ・ウロンスキ効果を示さｆｚｂ安廻した
太＠電池を提供することである。
〔問題点の解決手段〕
この目的は冒頭ンζ挙げた太陽電池を次の部分ａ）　　
金属から成る背面接触電極。
ｂ）背面接触電極の上に基板として設けられたｐ−１−
ｎ三層構造のアモルファス半褥オ。
Ｃ）アモルファス半導体上に析出した上部７４　極とし
ての１１射防１ｊユ層。
ｄ）反旧防１ヒ層上に設けＣりれた前面接触電極として
の金「αストう・ｆグイ１り造 からｔｌり成ｒることによ−りてＩ室成される。
アモルファス／リコ／内のホウ素ドー・々ノド（慶１（
ｙ金ｐ１接廿部シておいて４’　Ｏｐｐｍとし、１Ｂ接
合部１゛にす、・いて（１まで（氏下させることもこの
発明の枠内Ｌ（ある。これによ一つてアモルファス／リ
コ／内て峡当・ｔホウ素ａ度勾配が設定される。真性半
導体層はグロー放電析出室内で作られるから、この手ｊ
２：・こよりトウ素の運び去りは問題にならなくなるい
反応ガク４内部でｉよホウ部分；ま反応ガスとしての／
う／（５ｉＨ４）に対してジボラン（８２Ｈ６）　２０
ｐｐｍ、Ｌニジて調１：瞥さね、る。
この発明の（Ｅ々の実施聾様は特許請求の範囲第２　’
ｎ　以’Ｆ　Ｋ　’ＦさｒＬ　で’／ｌ　ル。
「Ｊ二ノバロ＋ｉす１ 次Ｋ　、Ｆ、　Ｉ　１．７１と第２図についてこの発Ｉ
Ｆ４を更に、↑ｎ　ｍ１１１　！て説明する。
第１図は一例として図の傍らに示したようなホウ素ドー
ピングプロフィルを示す大＠堀池の構成を示すもので、
各番号は次のものを表わす。
１−例えば特殊鋼製の基板 ２＝ｐ型ドープされたアモルファスノリコン層（厚さ２
０ｎｍ） ３−ドーパントホウ素プロフィル全示すＡｔｌアモルフ
ァス／リコ７層（厚さ５０Ｑｎｍン４＝ｎ型ドーグされ
たアモルファスフリコツ層（厚さ＋５ｎｍ） ５：酸化インジウム−酸化スズ反射防止層（７さ７０ｎ
ｍン ６；クロム−ニッケル合金７Ｚと例えば銀の中間層およ
びスズ層から成る金属ストライプ購造り＝入対光の進行
方向（エネルギーｈｖ）８２図は負荷抵抗無しに１６時
時間位面積当り１００　ｍ　Ｖ　／　ｃｍ２の光で照射
したときの効−ヰの低下△η（％）のホウ素・・４度と
の関係を示す。１＃軸ばｐ１接合にＬ・ける／ジノ中の
ジボンン蔓度の初１１月’Ｂ冗である、 図から４゛１、性層のホウ素ドービノグ：１３度ゾロフ
イＩしが直線１１％つ電７ｔ１の無負荷光間財エージノ
グは測定ＴＩ′ｊ　１度範１ｊｌｌ内にら・ける効…η
の変化だけであって、偏差の絶７ＪＩＩαは約０．１チ
である。
動噴に１６シては１ｉ頭νこ挙１げた大Ｉｔ！　？ｆｆ
油程高くはな（八が、この発明ＶＣＸる太陽電池の安定
性は公知のものに比べて１６かに良好である。
４　図面のｉ’、’ｉ学な説明 第Ｎｆｆ１ｉ：ｔこの発明による太陽か池の構成の概略
を示し、第２図Ｖよこの発明１〆ζよる太ｒ−４ｒＬ池
の光間ｒｒｔ　ｖｃ　、する効；イニの低Ｆ情況で示す
グラフである。
第゛１図にひいて１　特殊鋼４（仮、２　ｐ型ドープア
モルファヌ、／す゛ブ／ｒ：ＪＪ、５・真１士ア七ルフ
ァス／リコ７層、４・ｎ型１゛−グアモルフ１２フ９３
フ層、５　反゛１才防と層、６・余属ストライプ構造。
寸“　　ＦＩＧＩ ＩＧ　２

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １）酸化スズ−酸化インジウムの反射防止層（５）とア
    モルフアスシリコンから成りｐ型領域（２）とｎ型領域
    （４）の間に真性半導体層（３）がはさまれた構造の半
    導体を含む太陽電池において、 ａ）金属から成る背面接触電極（１）、 ｂ）背面接触電極上に基体として設けられたｐ−ｉ−ｎ
    成層溝造のアモルファス半導体（２、３、４）と、 ｃ）半導体（２、３、４）上に析出した上部電極として
    の反射防止層（５）、 ｄ）反射防止層上に設けられた前面電極としての金属ス
    トライプ系（６） から構成されることを特徴とするアモルファスシリコン
    半導体を使用する太陽電池。 ２）アモルフアスシリコン（３）のｐｉ接合部のホウ素
    濃度が４０ｐｐｍであり、１層の厚さが０．４乃至０．
    ６μｍに調整されることを特徴とする特許請求の範囲第
    １項記載の太陽電池。 ３）ホウ素濃度がアモルフアスシリコン内でｐｉ接合か
    らｉｎ接合に向つて低下することを特徴とする特許請求
    の範囲第１項記載の太陽電池。 ４）背面接触電極（１）が特殊鋼製であることを特徴と
    する特許請求の範囲第１項乃至第３項のいずれか１つに
    記載の太陽電池。 ５）金属ストライプ系（６）がクロム−ニツケル／銀／
    錫という層系列であることを特徴とする特許請求の範囲
    第１項乃至第４項のいずれか１つに記載の太陽電池。
JP60170971A 1984-08-07 1985-08-02 アモルフアスシリコン半導体を使用する太陽電池 Pending JPS6143485A (ja)

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DE3429088 1984-08-07
DE3429088.5 1984-08-07

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JPS6143485A true JPS6143485A (ja) 1986-03-03

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JP60170971A Pending JPS6143485A (ja) 1984-08-07 1985-08-02 アモルフアスシリコン半導体を使用する太陽電池

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57187972A (en) * 1981-05-15 1982-11-18 Agency Of Ind Science & Technol Manufacture of solar cell
US4409424A (en) * 1982-06-21 1983-10-11 Genevieve Devaud Compensated amorphous silicon solar cell
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DE3242791A1 (de) * 1982-11-19 1984-05-24 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum herstellen von elektrische kontakte bildende fingerelektrodenstrukturen an amorphen silizium-solarzellen
JPH065765B2 (ja) * 1982-12-23 1994-01-19 株式会社半導体エネルギ−研究所 光電変換装置

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DE8423469U1 (de) 1986-01-30
DE3580806D1 (de) 1991-01-17
EP0172484A3 (en) 1986-07-16
EP0172484B1 (de) 1990-12-05
EP0172484A2 (de) 1986-02-26

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