JPS5963673A - 光電池 - Google Patents
光電池Info
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- JPS5963673A JPS5963673A JP57170861A JP17086182A JPS5963673A JP S5963673 A JPS5963673 A JP S5963673A JP 57170861 A JP57170861 A JP 57170861A JP 17086182 A JP17086182 A JP 17086182A JP S5963673 A JPS5963673 A JP S5963673A
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- H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
- H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
- H10F10/17—Photovoltaic cells having only PIN junction potential barriers
- H10F10/172—Photovoltaic cells having only PIN junction potential barriers comprising multiple PIN junctions, e.g. tandem cells
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M10/00—Secondary cells; Manufacture thereof
- H01M10/05—Accumulators with non-aqueous electrolyte
- H01M10/056—Accumulators with non-aqueous electrolyte characterised by the materials used as electrolytes, e.g. mixed inorganic/organic electrolytes
- H01M10/0561—Accumulators with non-aqueous electrolyte characterised by the materials used as electrolytes, e.g. mixed inorganic/organic electrolytes the electrolyte being constituted of inorganic materials only
- H01M10/0562—Solid materials
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01M10/00—Secondary cells; Manufacture thereof
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01M16/00—Structural combinations of different types of electrochemical generators
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- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
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- H10F77/90—Energy storage means directly associated or integrated with photovoltaic cells, e.g. capacitors integrated with photovoltaic cells
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
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- Secondary Cells (AREA)
- Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は二次電池の充′魁を太陽電池に行なわせること
によシ、人為的なエネルキー消費なくして半永久的に使
用可能な電池に係シ、特に薄膜構造であるため、薄形、
軽量化に好適な光電池に関する。
によシ、人為的なエネルキー消費なくして半永久的に使
用可能な電池に係シ、特に薄膜構造であるため、薄形、
軽量化に好適な光電池に関する。
太陽電池を二次電池の充゛亀源として用いることにより
、昼仇に関係なく、かつ半永久的に作動する電池を実現
するという発明は公知である。しかし、従来発表されて
いるこのような電池においては、二次電池の構造から基
板として堅固な材質を用いなければならず、膜厚2重量
をろまシ小さくできない欠点があった。また、太陽電池
が二次電池の充電電源として十分でないために、二次電
池の放亀亀流を完全に回復することができず、寿命の点
でも問題があった。
、昼仇に関係なく、かつ半永久的に作動する電池を実現
するという発明は公知である。しかし、従来発表されて
いるこのような電池においては、二次電池の構造から基
板として堅固な材質を用いなければならず、膜厚2重量
をろまシ小さくできない欠点があった。また、太陽電池
が二次電池の充電電源として十分でないために、二次電
池の放亀亀流を完全に回復することができず、寿命の点
でも問題があった。
本発明の目的は人為的なエネルギーを補充することなく
半永久的に作動する薄形、かつ軽量な電池を提供するこ
とにある。
半永久的に作動する薄形、かつ軽量な電池を提供するこ
とにある。
最初に二次電池(以下Lat池とよぶ)の動作子がイオ
ン<Li”>となって固体電解質層を通過し、陽極に達
することによって生じる。すなわち、陽極は放電に伴な
いLixTiStにおいてx=Qから最大値x = ’
l、まで変化する。生じる起電力はX=Oにおける最大
1[i 2.5 Vからゆるヤかに減少し、X;1にお
いて1.85Vに達し、それ以後は急激に減少する(第
1図)。
ン<Li”>となって固体電解質層を通過し、陽極に達
することによって生じる。すなわち、陽極は放電に伴な
いLixTiStにおいてx=Qから最大値x = ’
l、まで変化する。生じる起電力はX=Oにおける最大
1[i 2.5 Vからゆるヤかに減少し、X;1にお
いて1.85Vに達し、それ以後は急激に減少する(第
1図)。
放電したL iit池を充電するには約3V以上の起電
力をもつ電池を用いて行なわれる。反応は放電の場合と
全く逆で陽極中のLiが正イオンの形で固体電解質層を
通過し、陰極に到達することによって完了する。このと
き、放電後におけるXの値が1をこえると完全な回復が
不可能となる。しかし、xく1の場合には現在までに放
電・充電過程を約100回繰り返、した範囲内において
、いかなる劣化現象も認められていない。
力をもつ電池を用いて行なわれる。反応は放電の場合と
全く逆で陽極中のLiが正イオンの形で固体電解質層を
通過し、陰極に到達することによって完了する。このと
き、放電後におけるXの値が1をこえると完全な回復が
不可能となる。しかし、xく1の場合には現在までに放
電・充電過程を約100回繰り返、した範囲内において
、いかなる劣化現象も認められていない。
源として3V程度の起電力を有する電池が必要であるこ
と、および、比較的短時間に充電する方が劣化の恐れが
ないことを考慮する時、充電電源として太陽電池が有力
な候補となるのは当然の帰結である。
と、および、比較的短時間に充電する方が劣化の恐れが
ないことを考慮する時、充電電源として太陽電池が有力
な候補となるのは当然の帰結である。
次に太陽電池として、とくにHを含有する微結晶S1(
以下μmsi:Hと略す)を用いたものが有利であるこ
とを説明する。ここでいうμmst :Hとはかなシ広
い概念でおって、微結晶界面にHが付加することにニジ
界面の歪やダングリングボンドに起因する深い再結合中
心を少なくしている狭義の微結晶Siだけでなく、同様
の塩山によシ光励起キャリアの寿命の長い、nを含有す
さて、μm81 :)1が太陽電池材料として有利とな
る第1点は開放端電圧が0.9〜1,2Vと大きいため
にpn、pinおよびショットキ接合構造を少なくとも
2ヶ含めば十分所定の起電力が得られる点でめる。第2
点は光吸収係数が大きいために膜厚を薄くできる点であ
る。第3点は比較的低温(150tl’〜450C)で
形成されるために基板、とじて選び得る材質の制約が少
ないことである。
以下μmsi:Hと略す)を用いたものが有利であるこ
とを説明する。ここでいうμmst :Hとはかなシ広
い概念でおって、微結晶界面にHが付加することにニジ
界面の歪やダングリングボンドに起因する深い再結合中
心を少なくしている狭義の微結晶Siだけでなく、同様
の塩山によシ光励起キャリアの寿命の長い、nを含有す
さて、μm81 :)1が太陽電池材料として有利とな
る第1点は開放端電圧が0.9〜1,2Vと大きいため
にpn、pinおよびショットキ接合構造を少なくとも
2ヶ含めば十分所定の起電力が得られる点でめる。第2
点は光吸収係数が大きいために膜厚を薄くできる点であ
る。第3点は比較的低温(150tl’〜450C)で
形成されるために基板、とじて選び得る材質の制約が少
ないことである。
もちろん従来のグロー放電法によるa−BiHH太陽電
池を用いて構成してもよいことは明らかである。
池を用いて構成してもよいことは明らかである。
膜厚の小さいこと、基板材質の制約の緩和は、またLi
電池の特徴でもある。本発明は両者を同一基板上に形成
することによシ両者の特徴を生かした薄形、かつ軽量な
光電池の実現を可能としたものである。
電池の特徴でもある。本発明は両者を同一基板上に形成
することによシ両者の特徴を生かした薄形、かつ軽量な
光電池の実現を可能としたものである。
以下、本発明の一実施例を第2図によシ説明する。30
0Cに加熱したポリイミド系樹脂フィルム上にT i
c t4 とH,SをソースガスとしたCVD法または
ズラズマCVD法によシT t s。
0Cに加熱したポリイミド系樹脂フィルム上にT i
c t4 とH,SをソースガスとしたCVD法または
ズラズマCVD法によシT t s。
電極を形成する。ついで、Lt4s:o、・Li、PO
。
。
をスパッタすることにより固体電解質層を設ける。
つぎに裏側の樹脂フィルム上にAA電極を形成する。基
板を2500に加熱し、Hz 雰囲気のもとでsiH,
を、7yズマCVD法にLpit−8i:H層を設ける
。最初ヱH8を雰囲気カス中に混入することによin形
層を56nmの厚さに形成する。
板を2500に加熱し、Hz 雰囲気のもとでsiH,
を、7yズマCVD法にLpit−8i:H層を設ける
。最初ヱH8を雰囲気カス中に混入することによin形
層を56nmの厚さに形成する。
ついで5QQf1mの厚さの1層を設け、その上にB、
H,を雰囲気カス中に混入することによシ15nmの厚
さをもつp層を形成する。以上の手続を2回くシ返すこ
とによp、pin単位構造を2段積み重ねた膜を形成す
る。その上にネ丈透F3Atf!を設けることによシ太
陽電池の構造が完成する。
H,を雰囲気カス中に混入することによシ15nmの厚
さをもつp層を形成する。以上の手続を2回くシ返すこ
とによp、pin単位構造を2段積み重ねた膜を形成す
る。その上にネ丈透F3Atf!を設けることによシ太
陽電池の構造が完成する。
基板を100Cに加熱し、ht、sto。
bi、po、自体電解質層の上にLiAt電極を設ける
。L=tの上にNiなどの集電体と5i3N4などのパ
ッシベーション膜を設ける。最後に図に示したように出
力端子を設ける。
。L=tの上にNiなどの集電体と5i3N4などのパ
ッシベーション膜を設ける。最後に図に示したように出
力端子を設ける。
上記構造において、1回の放電で流れ得る全電荷蓋はT
ts、からhiTts2への変化に対応するため陽極の
体積により決定される。すなわち、ldの体積をもりT
ts、電極に対して0.8Ahrの電荷量がとp出され
る。したがって、たとえは、電極面M 10 ctn
)膜厚10μmに対して0.8 X 1O−3Ahrす
なわち、1μ八へ度の電流値で使用するとすれは約80
0向間の連続使用が可能である。
ts、からhiTts2への変化に対応するため陽極の
体積により決定される。すなわち、ldの体積をもりT
ts、電極に対して0.8Ahrの電荷量がとp出され
る。したがって、たとえは、電極面M 10 ctn
)膜厚10μmに対して0.8 X 1O−3Ahrす
なわち、1μ八へ度の電流値で使用するとすれは約80
0向間の連続使用が可能である。
一方、不構造における太陽用を池においては、太陽光の
もとで1001nA以上の電流がとりだせるので充電に
は1分間以内で十分である。[11天、室内等において
は数時間の充電時間を必要とする場合もあるが、現実問
題として800時間の連続動作を行なうことは少なく、
図のように動作していない時には常に充電モードになる
ようにしておけば実用−ヒの問題点はほとんどないと考
えられる。ただし、その用途に応じ、L1醒池起亀力の
限界電圧(1,85V)を越える電圧低下に伴なう劣化
を防止するために臨界電圧近傍で警告灯が点火するよう
な回路を設けておくなどの工夫が必要となる場合もある
。
もとで1001nA以上の電流がとりだせるので充電に
は1分間以内で十分である。[11天、室内等において
は数時間の充電時間を必要とする場合もあるが、現実問
題として800時間の連続動作を行なうことは少なく、
図のように動作していない時には常に充電モードになる
ようにしておけば実用−ヒの問題点はほとんどないと考
えられる。ただし、その用途に応じ、L1醒池起亀力の
限界電圧(1,85V)を越える電圧低下に伴なう劣化
を防止するために臨界電圧近傍で警告灯が点火するよう
な回路を設けておくなどの工夫が必要となる場合もある
。
また、本実施列ではLi′a池を主′電池として用い太
陽′電池を充電電源として用いたが、太陽電池を主−池
とし、L1紙池を従属的な蓄電池として用いる使用法も
考えられる。
陽′電池を充電電源として用いたが、太陽電池を主−池
とし、L1紙池を従属的な蓄電池として用いる使用法も
考えられる。
μms l: H−ra−s l: liを母体として
用いた太陽電池の効率はここ数年自主の一途をたどって
いる。しかし、当然のことながら、太陽電池は光照射中
でしか動作しない。この点を補うために充電可能な二次
電池と組み合わせて用いるという自然な着想に到達する
。しかし、従来発表されている二次電池においてはその
構造から堅固な基板を用いなければならず膜厚に限界(
最小のもので1.3聴)があシ、またこのため重量のあ
るものにならざるを得なかった。また、起重力、電流値
とも二次電池と太陽電池とのマツチングが良くなく寿命
の点でも問題があった。
用いた太陽電池の効率はここ数年自主の一途をたどって
いる。しかし、当然のことながら、太陽電池は光照射中
でしか動作しない。この点を補うために充電可能な二次
電池と組み合わせて用いるという自然な着想に到達する
。しかし、従来発表されている二次電池においてはその
構造から堅固な基板を用いなければならず膜厚に限界(
最小のもので1.3聴)があシ、またこのため重量のあ
るものにならざるを得なかった。また、起重力、電流値
とも二次電池と太陽電池とのマツチングが良くなく寿命
の点でも問題があった。
本発明によれば、これらの欠点を完全に見、服できる。
特に強調しておきたい利点は薄膜化と軽輩化である。最
近主コンピューターと端末との情報の交換を少なくする
要求から、マ・1クロ・コンピューター内蔵のキャッシ
ュ・カード等が開発式れている。本発明による英電池は
このようなキャッシュ・カードの内蔵電池としてうって
つけである。
近主コンピューターと端末との情報の交換を少なくする
要求から、マ・1クロ・コンピューター内蔵のキャッシ
ュ・カード等が開発式れている。本発明による英電池は
このようなキャッシュ・カードの内蔵電池としてうって
つけである。
また通常の電卓、駆動電源としても好適でろる。さらに
、人工衛星の電源等にもその応用が考えられる。
、人工衛星の電源等にもその応用が考えられる。
捷だ基板としてはカラス基板のように堅固な材質のみな
らず、ホリイミド系などの樹脂フィルムまた、′■自I
Nbl v、MO+ステンレス合金などの金属箔など
の変形にとむ材質を用いることもできる。
らず、ホリイミド系などの樹脂フィルムまた、′■自I
Nbl v、MO+ステンレス合金などの金属箔など
の変形にとむ材質を用いることもできる。
第1図はLji亀池電池電にともなう起重力の変化を示
す図、第2図は本発明による光電池実施例の縦断面図で
ある。 1・・・透明電極、2・・・l、i化合物電極、3・・
・TjliS2電極、4・・・A7電極、5・・・n形
μmSi:H層、6・・・1形μmSi:H層、7・・
・p形μmSi:H層、8・・・ポリイミド合成樹脂膜
、9・・・LI4SIO4:Li3VO4固体亀解層、
10・・・NIとS凰3N4カラなるパッシベーション
膜。 代理人 弁理士 薄田利幸 箪 1 図 葛 2 図
す図、第2図は本発明による光電池実施例の縦断面図で
ある。 1・・・透明電極、2・・・l、i化合物電極、3・・
・TjliS2電極、4・・・A7電極、5・・・n形
μmSi:H層、6・・・1形μmSi:H層、7・・
・p形μmSi:H層、8・・・ポリイミド合成樹脂膜
、9・・・LI4SIO4:Li3VO4固体亀解層、
10・・・NIとS凰3N4カラなるパッシベーション
膜。 代理人 弁理士 薄田利幸 箪 1 図 葛 2 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、太陽電池と薄膜二次電池とを同一基板の片側または
両側に設けたことを特徴とする光電池。 2、太陽電池は氷菓を含有する非晶質、微結晶あるいは
多結晶薄膜Siを母体とし、pn、pinまたはショッ
トキ接合の単位構造を少なくとも二つ以上含むことを特
徴とする特許精求軛囲第1項記載の光電池。 3、二次電池はか−−i〒1i噴を寺り態化合物よシな
る陰極とi、14Si04・Li1P04よシなる固体
電解質層とTis、よシなる陽極よ#)構成されること
を特徴とする特許請求範囲第1項又は第2項記載の光電
池。 4、基板が樹脂フィルムまたは金属箔であることを特徴
とする特許請求範囲第1項から第3項までのいずれかに
記載の光電池。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57170861A JPS5963673A (ja) | 1982-10-01 | 1982-10-01 | 光電池 |
| KR1019830004551A KR840006573A (ko) | 1982-10-01 | 1983-09-28 | 광전지(光電池) |
| EP83305941A EP0108492A2 (en) | 1982-10-01 | 1983-09-30 | Composite photocell |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57170861A JPS5963673A (ja) | 1982-10-01 | 1982-10-01 | 光電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5963673A true JPS5963673A (ja) | 1984-04-11 |
Family
ID=15912667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57170861A Pending JPS5963673A (ja) | 1982-10-01 | 1982-10-01 | 光電池 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0108492A2 (ja) |
| JP (1) | JPS5963673A (ja) |
| KR (1) | KR840006573A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6188468A (ja) * | 1984-10-05 | 1986-05-06 | Mitsubishi Electric Corp | 電池 |
| JPH0617699U (ja) * | 1992-04-07 | 1994-03-08 | ササキ金属有限会社 | 衣類乾燥機 |
| JP2020520214A (ja) * | 2017-05-31 | 2020-07-02 | ティーディーケイ・エレクトロニクス・アクチェンゲゼルシャフトTdk Electronics Ag | 電気回路及び電気回路の使用 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4609771A (en) * | 1984-11-02 | 1986-09-02 | Sovonics Solar Systems | Tandem junction solar cell devices incorporating improved microcrystalline p-doped semiconductor alloy material |
| US4740431A (en) * | 1986-12-22 | 1988-04-26 | Spice Corporation | Integrated solar cell and battery |
| FR2672713A1 (fr) * | 1991-02-13 | 1992-08-14 | Inst Nat Polytech Grenoble | Composant d'alimentation du type carte de credit. |
| US5626976A (en) * | 1995-07-24 | 1997-05-06 | Motorola, Inc. | Flexible energy storage device with integral charging unit |
| EP1820234A2 (en) * | 2004-11-26 | 2007-08-22 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Energy system, electronic module, electronic device, and method for manufacturing of said energy system |
| EP2364507B1 (en) * | 2008-11-07 | 2021-07-28 | Sakti3, Inc. | A method for manufacture and structure of multiple electrochemistries and energy gathering components within a unified structure |
| FR3016239A1 (fr) * | 2014-01-09 | 2015-07-10 | Alex Hr Roustaei | Systeme photovoltaique de production d'electricite a haut rendement avec stockage integre au substrat ou embarque sur panneaux (stockage abord) |
-
1982
- 1982-10-01 JP JP57170861A patent/JPS5963673A/ja active Pending
-
1983
- 1983-09-28 KR KR1019830004551A patent/KR840006573A/ko not_active Ceased
- 1983-09-30 EP EP83305941A patent/EP0108492A2/en not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6188468A (ja) * | 1984-10-05 | 1986-05-06 | Mitsubishi Electric Corp | 電池 |
| JPH0617699U (ja) * | 1992-04-07 | 1994-03-08 | ササキ金属有限会社 | 衣類乾燥機 |
| JP2020520214A (ja) * | 2017-05-31 | 2020-07-02 | ティーディーケイ・エレクトロニクス・アクチェンゲゼルシャフトTdk Electronics Ag | 電気回路及び電気回路の使用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0108492A2 (en) | 1984-05-16 |
| KR840006573A (ko) | 1984-11-30 |
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