JPS6142975A - 光伝送用素子 - Google Patents
光伝送用素子Info
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- JPS6142975A JPS6142975A JP59163863A JP16386384A JPS6142975A JP S6142975 A JPS6142975 A JP S6142975A JP 59163863 A JP59163863 A JP 59163863A JP 16386384 A JP16386384 A JP 16386384A JP S6142975 A JPS6142975 A JP S6142975A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は光ファイバーとの間で光信号の送受信を行う光
伝送用素子に関するものである。
伝送用素子に関するものである。
（従来の技術）
従来、この種の双方向光伝送用素子１は第４図に示すよ
うにケース２内に光電素子の如き受光用光電素子３と、
発光ダイオードの如き発光用光電素子４とがその受光窓
部３Ａと発光窓部４Ａとを外部に臨ませて収容され、こ
れら光電素子３，４の端子５がケース２の一部から外部
に突出された構造になっていた。
うにケース２内に光電素子の如き受光用光電素子３と、
発光ダイオードの如き発光用光電素子４とがその受光窓
部３Ａと発光窓部４Ａとを外部に臨ませて収容され、こ
れら光電素子３，４の端子５がケース２の一部から外部
に突出された構造になっていた。
このような光伝送用素子１においては光信号を電気信号
に変換する受光用光電素子３のところで特に電磁波によ
るノイズの影響を受は易いので、電磁波シールドをする
必要がある。
に変換する受光用光電素子３のところで特に電磁波によ
るノイズの影響を受は易いので、電磁波シールドをする
必要がある。
このような電磁シールドを従来はケース２の表面に金属
ケニスを被せたり、あるいは光電素子３゜４を取り付け
るコネクタハウジング自体を導電性樹脂により成形する
ことにより行っていた。
ケニスを被せたり、あるいは光電素子３゜４を取り付け
るコネクタハウジング自体を導電性樹脂により成形する
ことにより行っていた。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、金属ケースを被せて電磁シールドを行う
場合には、光電素子３，４の各窓部３Ａ。
場合には、光電素子３，４の各窓部３Ａ。
４Ａに対応して・該金属ケースに孔を開けなければなら
ず、この孔から電磁波が侵入するために、ノイズの影響
が避けられない欠点があった。
ず、この孔から電磁波が侵入するために、ノイズの影響
が避けられない欠点があった。
また、コネクタハウジングが導電性樹脂で形成されてい
る場合には、光電素子３，４を取り付けるコネクタハウ
ジングのプラグ接続用開口より電磁波が侵入し、やはり
ノイズの影響が避けられないばかりか、特にプラグが導
電性フェルールでなく、プラスチックフェルールの場合
にノイズの影響が大きい欠点があった。さら、に、導電
性樹脂によりコネクタハウジングを成形することは高価
であるという欠点があった。
る場合には、光電素子３，４を取り付けるコネクタハウ
ジングのプラグ接続用開口より電磁波が侵入し、やはり
ノイズの影響が避けられないばかりか、特にプラグが導
電性フェルールでなく、プラスチックフェルールの場合
にノイズの影響が大きい欠点があった。さら、に、導電
性樹脂によりコネクタハウジングを成形することは高価
であるという欠点があった。
本発明は、これらの点に着目してなされたもので、透明
導電性膜を使用することで電磁波による障害をなくすよ
うにした光伝送用素子を提供せんとするものである。
導電性膜を使用することで電磁波による障害をなくすよ
うにした光伝送用素子を提供せんとするものである。
（問題点を解決するための手段）
そのため、本発明では光電素子の患部をケース外部に臨
ませてケース内に光Ｗ＆素子を収容した構造の光伝送用
素子を前提としたもので、前記ケースの表面を光電素子
の窓部を含めて透明導電性膜により被って構成したこと
を特徴としている。
ませてケース内に光Ｗ＆素子を収容した構造の光伝送用
素子を前提としたもので、前記ケースの表面を光電素子
の窓部を含めて透明導電性膜により被って構成したこと
を特徴としている。
（作用）
このようにケースの表面に光電素子の窓部を含めて透明
導電性膜が設けられていると、従来電磁シールドが困難
であった光電素子の窓部に対しても電磁シールドを行う
ことができる。また、このように光電素子の窓部にシー
ルドを行っても透明の膜であるので光の透過には支障が
ない。
導電性膜が設けられていると、従来電磁シールドが困難
であった光電素子の窓部に対しても電磁シールドを行う
ことができる。また、このように光電素子の窓部にシー
ルドを行っても透明の膜であるので光の透過には支障が
ない。
（実施例）
次に、本発明の実施の一例を図面を参照しながら説明す
る。第１図および第２図は本発明に係る１実施例を示す
斜視図、底面図である。なお、前述した第４図と同一部
分には同一符号を付してその説明を省略する。本実施例
の光伝送用素子１は受光用光電素子３の受光用窓部３Ａ
および発光用光電素子４の発光用窓部４Ａを含めてケー
ス２の表面に透明導電性ｇ１６が設けられている。ただ
し、本実施例では端子５を導出させているケース２の面
は端子の短絡防止のため透明導電性膜６の形成を省略し
ている。この透明導電性膜６は酸化錫を主成分とする微
粉末を用い、これを透明樹脂に混入したものを１０μ以
下の膜厚で塗布することにより形成することができる。
る。第１図および第２図は本発明に係る１実施例を示す
斜視図、底面図である。なお、前述した第４図と同一部
分には同一符号を付してその説明を省略する。本実施例
の光伝送用素子１は受光用光電素子３の受光用窓部３Ａ
および発光用光電素子４の発光用窓部４Ａを含めてケー
ス２の表面に透明導電性ｇ１６が設けられている。ただ
し、本実施例では端子５を導出させているケース２の面
は端子の短絡防止のため透明導電性膜６の形成を省略し
ている。この透明導電性膜６は酸化錫を主成分とする微
粉末を用い、これを透明樹脂に混入したものを１０μ以
下の膜厚で塗布することにより形成することができる。
このような透明導電性膜６によれば、各光電素子３，４
の窓部３Ａ。
の窓部３Ａ。
４Ａも含めてケース２に塗布するとかできるので、従来
電磁−ルドが困難であった各窓部３Ａ、４Ａの電磁−ル
ドも行うことができる。このように窓部３Ａ、４Ａの電
磁シールドを行っても透明導電性膜６は透明の膜である
ために、光の透過に支障はない。
電磁−ルドが困難であった各窓部３Ａ、４Ａの電磁−ル
ドも行うことができる。このように窓部３Ａ、４Ａの電
磁シールドを行っても透明導電性膜６は透明の膜である
ために、光の透過に支障はない。
第３図は前述したような本発明の光伝送用素子１をコネ
クタハウジング７内に収容した例を示したものである。
クタハウジング７内に収容した例を示したものである。
なお、本発明は受光用光電素子３または発光用光電素子
４のいずれか一方がケース２の中に収納されている構造
の光伝送用素子にも同様に適用することができる。
４のいずれか一方がケース２の中に収納されている構造
の光伝送用素子にも同様に適用することができる。
（発明の効果）
本発明は以上の様に構成され、光電素子の窓部を含めて
ケースの表面に透明導電性膜を形成したものであるため
、従来困難であった光電素子の窓部も電磁シールドを行
うことができ、またこのように窓部の電磁シールドを行
っても透明膜なので。
ケースの表面に透明導電性膜を形成したものであるため
、従来困難であった光電素子の窓部も電磁シールドを行
うことができ、またこのように窓部の電磁シールドを行
っても透明膜なので。
光の通過には支障がないという効果が得られる。
第１図は本発明に係る光伝送用素子の一実施例を示す斜
視図、第２図は同じく底面図、第３図は光伝送用素子が
取り付けられるコネクタハウジングを示す斜視図、第４
図は従来の光伝送用素子の斜視図である。
視図、第２図は同じく底面図、第３図は光伝送用素子が
取り付けられるコネクタハウジングを示す斜視図、第４
図は従来の光伝送用素子の斜視図である。
Claims (1)
- ケース内に光電素子がその窓部をケース外部に臨ませて
収容されている光伝送用素子において、前記ケースの表
面に前記光電素子の窓部を含めて透明導電性膜が設けら
れていることを特徴とする光伝送用素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59163863A JPS6142975A (ja) | 1984-08-06 | 1984-08-06 | 光伝送用素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59163863A JPS6142975A (ja) | 1984-08-06 | 1984-08-06 | 光伝送用素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6142975A true JPS6142975A (ja) | 1986-03-01 |
Family
ID=15782194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59163863A Pending JPS6142975A (ja) | 1984-08-06 | 1984-08-06 | 光伝送用素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6142975A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06208861A (ja) * | 1993-01-12 | 1994-07-26 | Yazaki Corp | 液体容器内からのリード線の導出構造 |
| JPH0660947U (ja) * | 1993-02-08 | 1994-08-23 | 横河電機株式会社 | 単眼反射形光電スイッチ |
| JPH06252424A (ja) * | 1991-04-25 | 1994-09-09 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 光通信装置 |
| US7075118B2 (en) | 2003-12-25 | 2006-07-11 | Seiko Epson Corporation | Light source unit and projector |
-
1984
- 1984-08-06 JP JP59163863A patent/JPS6142975A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06252424A (ja) * | 1991-04-25 | 1994-09-09 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 光通信装置 |
| JPH06208861A (ja) * | 1993-01-12 | 1994-07-26 | Yazaki Corp | 液体容器内からのリード線の導出構造 |
| JPH0660947U (ja) * | 1993-02-08 | 1994-08-23 | 横河電機株式会社 | 単眼反射形光電スイッチ |
| US7075118B2 (en) | 2003-12-25 | 2006-07-11 | Seiko Epson Corporation | Light source unit and projector |
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