JPS60103681A - 樹脂封止型光電変換モジユ−ル - Google Patents
樹脂封止型光電変換モジユ−ルInfo
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- JPS60103681A JPS60103681A JP58211168A JP21116883A JPS60103681A JP S60103681 A JPS60103681 A JP S60103681A JP 58211168 A JP58211168 A JP 58211168A JP 21116883 A JP21116883 A JP 21116883A JP S60103681 A JPS60103681 A JP S60103681A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 4
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Classifications
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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-
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
不発明は光半導体装置のうち光電変換モジュールの遮光
性改善に関するものである。
性改善に関するものである。
この種の光電変換モジ、−ルに要求される特性のひとつ
に遮光特性があり、遮光の目的は、外米光を電気エネル
ギーに変換する受光用半導体素子(以下受光素子と称す
)と、受光素子出力を必要な信号形に処理する集積回路
素子(以下IC素子と称す)が同一平面上に配置され、
光透過性樹脂でモールド封止されている一体化構造の光
電変換モジュールにおいて外米光のIC素子への侵入に
よりIC素子が誤動作するのを防ぐものである。
に遮光特性があり、遮光の目的は、外米光を電気エネル
ギーに変換する受光用半導体素子(以下受光素子と称す
)と、受光素子出力を必要な信号形に処理する集積回路
素子(以下IC素子と称す)が同一平面上に配置され、
光透過性樹脂でモールド封止されている一体化構造の光
電変換モジュールにおいて外米光のIC素子への侵入に
よりIC素子が誤動作するのを防ぐものである。
従来の光電変換モジュールでは、受光素子の受光面以外
の樹脂表面を黒色塗装することによりIC素子への受光
全行なっている。
の樹脂表面を黒色塗装することによりIC素子への受光
全行なっている。
しかし、上記構造の場合、作業の均一化が困難な塗布作
業になるため作業性に起因した塗料むら等の不具合が発
生し易く、遮光性品質の低下を招く欠点がある。
業になるため作業性に起因した塗料むら等の不具合が発
生し易く、遮光性品質の低下を招く欠点がある。
不発明の目的は遮光性品質の安定化及び同上化した光電
変換モジュールを提供することにある。
変換モジュールを提供することにある。
不発明によればリードフレームの受光素子のマウントさ
れている面と反対の面に受光以外の機能全もつ半導体素
子がマウントされてなる構造を有することを特徴とする
樹脂封止型光電変換モジュールが得られる・ 以下、不発明を図面により詳細に説明する。
れている面と反対の面に受光以外の機能全もつ半導体素
子がマウントされてなる構造を有することを特徴とする
樹脂封止型光電変換モジュールが得られる・ 以下、不発明を図面により詳細に説明する。
第1図は一般的な樹脂封止型光電変換モジ、−ルの断面
図を示す、受光素子1とIC素子2を平面上に配し1元
透過性樹脂3でモールド封止がなされ、受光素子1の出
力がボンディング線4でIC素子2に伝達され各々の素
子は外部リード5に接続されている。この構造の場合受
光、IC素子とも同一平面上に位置しているため、外米
光6は受光素子1だけでな(IC素子2にも入射されI
C素子2が誤動作する。
図を示す、受光素子1とIC素子2を平面上に配し1元
透過性樹脂3でモールド封止がなされ、受光素子1の出
力がボンディング線4でIC素子2に伝達され各々の素
子は外部リード5に接続されている。この構造の場合受
光、IC素子とも同一平面上に位置しているため、外米
光6は受光素子1だけでな(IC素子2にも入射されI
C素子2が誤動作する。
第2図は、遮光特性をもった従来品の一例を示す・
受光面を除く光透過性樹脂13の表面全黒色塗料17で
塗装する。この構造は外米光16は受光素子11t/c
入射するがIC索子12には入射しないため誤動作を防
ぐことができる。しかし、塗装作業に起因した不具合、
例えば黒色塗装むら、はがれ等が生じ易く遮光性品質の
安定化が難しい欠点がある。更には塗布工数もかかり不
経済な方法といえる。
塗装する。この構造は外米光16は受光素子11t/c
入射するがIC索子12には入射しないため誤動作を防
ぐことができる。しかし、塗装作業に起因した不具合、
例えば黒色塗装むら、はがれ等が生じ易く遮光性品質の
安定化が難しい欠点がある。更には塗布工数もかかり不
経済な方法といえる。
第3図は、不発明による一実施例の断面図金示す、IC
素子22は受光素子21のリードフレームの反対側にマ
ウントされている。この場合、外米光26のIC素子へ
の侵入はIC素子がマウントされている。リードフレー
ムによって遮光され外米光によるIC素子の誤動作を防
ぐことができる。
素子22は受光素子21のリードフレームの反対側にマ
ウントされている。この場合、外米光26のIC素子へ
の侵入はIC素子がマウントされている。リードフレー
ムによって遮光され外米光によるIC素子の誤動作を防
ぐことができる。
以上、不発明は受光素子とIC素子が光透過性樹脂で、
モールド封止されている一体化構造でIC素子への外米
光の侵入を防止する手段において、IC素子を受光素子
の反対側にマウントする構造により、遮光性品質の安定
化、向上化した、樹脂封止型光電変換モジュールが得ら
れる。
モールド封止されている一体化構造でIC素子への外米
光の侵入を防止する手段において、IC素子を受光素子
の反対側にマウントする構造により、遮光性品質の安定
化、向上化した、樹脂封止型光電変換モジュールが得ら
れる。
第1図は、一般的な樹脂封止型光電変換モジュールの断
面図である。第2図は、上記光電変換モジュールに遮光
特性をもった従来品の一例の断面図である。第3図は不
発明による光電変換モジュールの一実施例の断面図を示
す。 1.11.21・・・・・・受光素子、2,12.22
・・・・・・IC素子、3,13,23・・・・・・光
透過性樹脂、4.14.24・・・・・・ボンディング
線、5,15゜25・・・・・・外部リード% 6,1
6.26・・・・・・外米光。 17・・・・・・黒色塗料。 5 −
面図である。第2図は、上記光電変換モジュールに遮光
特性をもった従来品の一例の断面図である。第3図は不
発明による光電変換モジュールの一実施例の断面図を示
す。 1.11.21・・・・・・受光素子、2,12.22
・・・・・・IC素子、3,13,23・・・・・・光
透過性樹脂、4.14.24・・・・・・ボンディング
線、5,15゜25・・・・・・外部リード% 6,1
6.26・・・・・・外米光。 17・・・・・・黒色塗料。 5 −
Claims (1)
- リードフレームの受光素子のマウントされている面と反
対の面に受光以外の機能金もつ半導体素子がマウントさ
れてなる構造を有することを特徴とする樹脂封止型光電
変換モジ、−ル。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58211168A JPS60103681A (ja) | 1983-11-10 | 1983-11-10 | 樹脂封止型光電変換モジユ−ル |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58211168A JPS60103681A (ja) | 1983-11-10 | 1983-11-10 | 樹脂封止型光電変換モジユ−ル |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60103681A true JPS60103681A (ja) | 1985-06-07 |
Family
ID=16601531
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58211168A Pending JPS60103681A (ja) | 1983-11-10 | 1983-11-10 | 樹脂封止型光電変換モジユ−ル |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60103681A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0807976A2 (en) * | 1996-05-17 | 1997-11-19 | Sony Corporation | Solid-state imaging apparatus and camera using the same |
-
1983
- 1983-11-10 JP JP58211168A patent/JPS60103681A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0807976A2 (en) * | 1996-05-17 | 1997-11-19 | Sony Corporation | Solid-state imaging apparatus and camera using the same |
EP0807976A3 (en) * | 1996-05-17 | 1999-03-24 | Sony Corporation | Solid-state imaging apparatus and camera using the same |
EP1715525A2 (en) * | 1996-05-17 | 2006-10-25 | Sony Corporation | Solid-state imaging apparatus |
EP1715524A3 (en) * | 1996-05-17 | 2008-01-23 | Sony Corporation | Solid-state imaging apparatus |
EP1715525A3 (en) * | 1996-05-17 | 2008-01-23 | Sony Corporation | Solid-state imaging apparatus |
EP1715526A3 (en) * | 1996-05-17 | 2008-01-23 | Sony Corporation | Solid-state imaging apparatus and camera using the same |
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