JPS6138878B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6138878B2
JPS6138878B2 JP55113161A JP11316180A JPS6138878B2 JP S6138878 B2 JPS6138878 B2 JP S6138878B2 JP 55113161 A JP55113161 A JP 55113161A JP 11316180 A JP11316180 A JP 11316180A JP S6138878 B2 JPS6138878 B2 JP S6138878B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
resin
emitting diode
substance
scattering
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP55113161A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5737889A (en
Inventor
Tomio Nakaya
Hiromoto Tamura
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Stanley Electric Co Ltd
Original Assignee
Stanley Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Stanley Electric Co Ltd filed Critical Stanley Electric Co Ltd
Priority to JP11316180A priority Critical patent/JPS5737889A/ja
Publication of JPS5737889A publication Critical patent/JPS5737889A/ja
Publication of JPS6138878B2 publication Critical patent/JPS6138878B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/56Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0091Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は平面発光形の発光ダイオードを製造す
る方法に関するものである。
平面より均等に光を発光させる手段としては、
樹脂部内に光の拡散物質を混入させるか或は一つ
の平面、即ち発光面に拡散物質の板材を貼着させ
るか、もしくは異なる樹脂の2回注入による異質
の拡散層を形成するかである。前者の拡散物質の
混入は確かに拡散及び光散乱効果はあるが、発光
ダイオードチツプからの光が発光面に至る途中で
散乱することになるので発光面の照度が低下し、
発光効率が著しく損われる欠点がある。後者の板
材の貼着は貼着境界部分において光の反射が著し
く光が発光面に至らない部分が多く、照度低下を
招き、又異質の拡散層を形成する場合でも、2回
の注入作業が必要で作業能率が悪いばかりでなく
2回の注入に際し樹脂の粘度等を一致させないと
一部に境界面が生じたりして不都合なものとなる
等の欠点がある。
本発明はこのような実情に鑑みなされたもので
あつて、その目的は製造が簡単で性能の優れた発
光ダイオードの製造方法を提供しようとするもの
である。
この目的を達成するためになされた本発明は、
ダイオードチツプがマウントされた電極を吊垂状
態に配設した成形型内に、発光ダイオードを構成
する樹脂よりも比重が重い透明な光散乱物質を所
定量混入した樹脂を注入し、所定時間経過後に加
熱硬化させることを特徴とする発光ダイオードの
製造方法であつて、樹脂と光散乱物質の比重差を
利用し、所定時間の経過によつて沈澱させ、光散
乱物質を発光面に集中させてから硬化させるので
あつて、一回の注入で製造でき作業能率が大巾に
アツプすると共に透明部と光散乱物質層との境界
面がなく、均一で且つ照度低下に来さない発光ダ
イオードが得られるのである。更に光散乱物質の
表面にアクリルシラン等のコート材を塗布してお
けば、加熱硬化時に樹脂と反応して白濁した層が
得られ、それによつて更に反射と屈折効果により
著しい光散乱効果が得られるのである。
次に本発明の方法を実施する図示例について説
明する。1は成形用の型であり、型内に発光ダイ
オードチツプ2をマウントし、ワイヤーボンデン
グした一対の電極3を吊垂状態に保持させ、続い
てエポキシ系の樹脂4を適当量注入する。この樹
脂中には、樹脂よりも比重が重く且つ光のの透過
性のよいもの、例えばガラス粉体或はガラスフア
イバー等の光散乱物質5が適当量混入されてお
り、この光散乱物質が比重差により適当に沈澱し
始め(C図)、沈澱が略終了状態になつた時(D
図)、所謂所定時間が経過した後に加熱して硬化
させる(E図)。その後、離型させると発光ダイ
オード6が形成される(第2図)。
この成形された発光ダイオードは発光面側が光
散乱物質の集合で形成された光拡散層7となり、
他の部分は透明樹脂部8として形成されるのであ
る。
前記した光散乱物質5はその表面に例えばアク
リルシランが表面コート材として塗布されてい
る。この表面コート材は加熱硬化時に樹脂と化学
反応して白濁し、この白濁した表面コート材にお
ける光の反射効果と、ガラスの屈折とにより光散
乱効果の著しく優れたものとなる。
以上説明したように本発明に係る発光ダイオー
ドの製造方法は、樹脂の中に光散乱物質を混入し
てあるために、その成型に際し一回の樹脂注入で
光拡散層のある発光ダイオードが製造でき、作業
時間を著しく短縮できると云う優れた効果を奏す
る。
又、光散乱物質に表面コート材が塗布され、加
熱によつて白濁するものであるため光散乱効果が
大となり、発光面からの照射が均一で且つ発光効
率の大なるものが得られる効果も奏する。
更に、光散乱物質は沈澱により発光面に集中さ
せるので、光源から発光面までの途中は透明で光
のロスがなく、又透明部と光拡散層とは一体でつ
なぎ目がなく、反射面が存在しないので発光効率
の高い発光ダイオードが得られると云う効果も奏
している。
【図面の簡単な説明】
第1図A,B,C,D,Eは本発明の方法を実
施するための工程順を拡大して示した略図、第2
図は同方法によつて得られた発光ダイオードの拡
大斜視図である。 1……型、2……発光ダイオードチツプ、3…
…電極、4……樹脂、5……光散乱物質、6……
発光ダイオード、7……光拡散層、8……透明樹
脂部。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 ダイオードチツプがマウントされた電極を吊
    垂状態に配設した成形型内に、表面に加熱により
    樹脂と化学反応して白濁する物質をコートし、か
    つ発光ダイオードを構成する樹脂よりも比重が重
    い透明な光散乱物質を所定量混入した樹脂を注入
    し、前記光散乱物質の沈殿がほぼ終了状態となる
    所定時間経過後に前記樹脂を加熱硬化させると共
    に、この加熱硬化時に前記光散乱物質の表面にコ
    ートした物質を白濁させることを特徴とする発光
    ダイオードの製造方法。 2 表面コート材がアクリルシランであることを
    特徴とする前記第1項記載の発光ダイオードの製
    造方法。
JP11316180A 1980-08-18 1980-08-18 Production of light emitting diode Granted JPS5737889A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11316180A JPS5737889A (en) 1980-08-18 1980-08-18 Production of light emitting diode

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JP11316180A JPS5737889A (en) 1980-08-18 1980-08-18 Production of light emitting diode

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Publication Number Publication Date
JPS5737889A JPS5737889A (en) 1982-03-02
JPS6138878B2 true JPS6138878B2 (ja) 1986-09-01

Family

ID=14605090

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JP11316180A Granted JPS5737889A (en) 1980-08-18 1980-08-18 Production of light emitting diode

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Families Citing this family (5)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4590667A (en) * 1984-08-22 1986-05-27 General Instrument Corporation Method and apparatus for assembling semiconductor devices such as LEDs or optodetectors
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JP4322987B2 (ja) * 1999-01-27 2009-09-02 スタンレー電気株式会社 Ledランプおよびその製造方法
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JPS4952989A (ja) * 1972-09-22 1974-05-23

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