JPS62252181A - 光半導体素子の製造方法 - Google Patents
光半導体素子の製造方法Info
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- JPS62252181A JPS62252181A JP61095430A JP9543086A JPS62252181A JP S62252181 A JPS62252181 A JP S62252181A JP 61095430 A JP61095430 A JP 61095430A JP 9543086 A JP9543086 A JP 9543086A JP S62252181 A JPS62252181 A JP S62252181A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、光半導体素子の製造方法に関するものであ
る。
る。
（従来の技術）
従来の光半導体素子は、通常発光部が透明の合成樹脂で
モールドされ、かつこの合成樹脂中には拡散剤が混入さ
れる。拡散剤としては、シリカやガラスピーズやガラス
粉体等が用いられているが、シリカを用いた場合には、
均一の拡散は得られるが、光度が低下する欠点があり、
ガラスピーズの場合には、均一の拡散を得ることは難し
く、かつ高度も低下し、一方ガラス粉体の場合には、拡
散効果が小さく、大きな拡散効果を得ようとすると混入
量が多くなって光度が落らる等の欠点がある。
モールドされ、かつこの合成樹脂中には拡散剤が混入さ
れる。拡散剤としては、シリカやガラスピーズやガラス
粉体等が用いられているが、シリカを用いた場合には、
均一の拡散は得られるが、光度が低下する欠点があり、
ガラスピーズの場合には、均一の拡散を得ることは難し
く、かつ高度も低下し、一方ガラス粉体の場合には、拡
散効果が小さく、大きな拡散効果を得ようとすると混入
量が多くなって光度が落らる等の欠点がある。
（発明が解決しようとする問題点）
この発明は、上記従来の問題点を解決するためになされ
、拡散効果にすぐれしかも光度の低下を来たさないよう
にした拡散剤浪人タイプ光半導体素子の製造方法を提供
しようとするものである。
、拡散効果にすぐれしかも光度の低下を来たさないよう
にした拡散剤浪人タイプ光半導体素子の製造方法を提供
しようとするものである。
（問題点を解決するための手段）
このような問題点を解決する手段として、この発明は、
薄板状で表面に凹凸を有するガラス小片を拡散剤として
モールド用の合成樹脂に混入し、この合成樹脂を成形型
に注入し、光半導体を先端部にマウントしたリードフレ
ームを前記成形型中にセットすると共に、前記合成樹脂
を硬化させて発光部を形成覆ることを要旨とするもので
ある。
薄板状で表面に凹凸を有するガラス小片を拡散剤として
モールド用の合成樹脂に混入し、この合成樹脂を成形型
に注入し、光半導体を先端部にマウントしたリードフレ
ームを前記成形型中にセットすると共に、前記合成樹脂
を硬化させて発光部を形成覆ることを要旨とするもので
ある。
（実施例）
以下、図示の実施例によりこの発明を具体的に説明する
。１は鱗形薄板状で表面に凹凸を有するガラス小片であ
り、エポキシ等のモールド用の合成樹脂２に拡散剤とし
て混入し、モールド成形用の型３に注入される。４はリ
ードフレーム５の先端部に取付けられたチップであり、
他方のリードフレーム６にワイヤー７でボンディングさ
れている。このようにチップをマウントしたリードフレ
ーム薬、６は前記成形型３に挿入セットされ、この成形
型に注入された合成樹ｍ２を加熱硬化することにより光
半導体素子８が形成される。
。１は鱗形薄板状で表面に凹凸を有するガラス小片であ
り、エポキシ等のモールド用の合成樹脂２に拡散剤とし
て混入し、モールド成形用の型３に注入される。４はリ
ードフレーム５の先端部に取付けられたチップであり、
他方のリードフレーム６にワイヤー７でボンディングさ
れている。このようにチップをマウントしたリードフレ
ーム薬、６は前記成形型３に挿入セットされ、この成形
型に注入された合成樹ｍ２を加熱硬化することにより光
半導体素子８が形成される。
このとき、合成樹ｍ２内のガラス小片１は、前記のよう
に鱗形の薄板状で表面に凹凸を有し、その比重が小さい
ので沈降速度は穫めて遅く、合成樹脂２の硬化時に平均
的に敗らばって均一な分布状態となる。これに反して、
従来のガラスピーズａは、第２図に示ずように比重が大
きく、合成樹ｌ１ｌＩＩ）の硬化が終る前に沈澱してし
まうので、この合成樹脂内に均一に分布することはでき
ない。
に鱗形の薄板状で表面に凹凸を有し、その比重が小さい
ので沈降速度は穫めて遅く、合成樹脂２の硬化時に平均
的に敗らばって均一な分布状態となる。これに反して、
従来のガラスピーズａは、第２図に示ずように比重が大
きく、合成樹ｌ１ｌＩＩ）の硬化が終る前に沈澱してし
まうので、この合成樹脂内に均一に分布することはでき
ない。
（発明の効果）
以上説明した本発明方法によれば、拡散剤として薄板状
で表面に凹凸を有づ′るガラス小片を用い、これをモー
ルド用の合成樹脂に混入して発光部を形成したので、こ
の発光部内に拡散剤の均一な分布が得られ、かつ拡散剤
の形状が薄板状で凹凸を有するので光を全方向に拡散す
ることができ、この結果、拡散効果が大きくしかも光電
の高い光半導体素子を得ることができる。
で表面に凹凸を有づ′るガラス小片を用い、これをモー
ルド用の合成樹脂に混入して発光部を形成したので、こ
の発光部内に拡散剤の均一な分布が得られ、かつ拡散剤
の形状が薄板状で凹凸を有するので光を全方向に拡散す
ることができ、この結果、拡散効果が大きくしかも光電
の高い光半導体素子を得ることができる。
第１図は、この発明の実施例を示す説明図、第２図は、
従来例の説明図である。 １・・・ガラス小片、 ２・・・合成樹脂、 ３・・・成形型、 ４・・・チップ、 ５．６・・・リードフレーム、 ７・・・ワイヤー、 ８・・・光半導体素子。
従来例の説明図である。 １・・・ガラス小片、 ２・・・合成樹脂、 ３・・・成形型、 ４・・・チップ、 ５．６・・・リードフレーム、 ７・・・ワイヤー、 ８・・・光半導体素子。
Claims (1)
- 薄板状で表面に凹凸を有するガラス小片を拡散剤として
モールド用の合成樹脂に混入し、この合成樹脂を成形型
に注入し、光半導体を先端部にマウントしたリードフレ
ームを前記成形型中にセットすると共に、前記合成樹脂
を硬化させて発光部を形成することを特徴とする光半導
体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61095430A JPS62252181A (ja) | 1986-04-24 | 1986-04-24 | 光半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61095430A JPS62252181A (ja) | 1986-04-24 | 1986-04-24 | 光半導体素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62252181A true JPS62252181A (ja) | 1987-11-02 |
| JPH0440869B2 JPH0440869B2 (ja) | 1992-07-06 |
Family
ID=14137476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61095430A Granted JPS62252181A (ja) | 1986-04-24 | 1986-04-24 | 光半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62252181A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5221641A (en) * | 1991-06-21 | 1993-06-22 | Rohm Co., Ltd. | Process for making light emitting diodes |
| WO1997004509A2 (de) * | 1995-07-19 | 1997-02-06 | Siemens Aktiengesellschaft | Halbleiterlaserchip und infrarot-emitter-bauelement |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10190066A (ja) * | 1996-12-27 | 1998-07-21 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光ダイオード及びそれを用いたｌｅｄ表示装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4899063U (ja) * | 1972-02-28 | 1973-11-22 | ||
| JPS5137427U (ja) * | 1974-09-09 | 1976-03-19 |
-
1986
- 1986-04-24 JP JP61095430A patent/JPS62252181A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4899063U (ja) * | 1972-02-28 | 1973-11-22 | ||
| JPS5137427U (ja) * | 1974-09-09 | 1976-03-19 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5221641A (en) * | 1991-06-21 | 1993-06-22 | Rohm Co., Ltd. | Process for making light emitting diodes |
| WO1997004509A2 (de) * | 1995-07-19 | 1997-02-06 | Siemens Aktiengesellschaft | Halbleiterlaserchip und infrarot-emitter-bauelement |
| WO1997004509A3 (de) * | 1995-07-19 | 2002-02-14 | Siemens Ag | Halbleiterlaserchip und infrarot-emitter-bauelement |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0440869B2 (ja) | 1992-07-06 |
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