JPS6138596B2 - - Google Patents
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- JPS6138596B2 JPS6138596B2 JP6015579A JP6015579A JPS6138596B2 JP S6138596 B2 JPS6138596 B2 JP S6138596B2 JP 6015579 A JP6015579 A JP 6015579A JP 6015579 A JP6015579 A JP 6015579A JP S6138596 B2 JPS6138596 B2 JP S6138596B2
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 26
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 9
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 7
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 9
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
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- Circuit Arrangements For Discharge Lamps (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、放電灯点灯装置に関するものであ
る。
る。
従来、この種の放電灯点灯装置は第1図に示す
ように、商用電源Vsとインダクタンス素子Lと
放電灯FLとを直列接続して第1閉回路を形成す
るとともに、商用電源Vsとインダクタンス素子
Lとの直列回路にスイツチ素子Qを接続して第2
閉回路を形成し、第2図に示すように商用電源
Vsの各半サイクル中にスイツチ素子Qを一定期
間オンしてこのオン期間中にインダクタンス素子
Lにエネルギを蓄積し、前記商用電源Vsの各半
サイクル中のスイツチ素子Qのオフ期間に上記蓄
積されたエネルギを商用電源Vsに重畳して放電
灯FLに印加して点灯するようにスイツチ素子Q
の制御回路1を形成していた。図中、Bは全波整
流器、ZNRは耐圧補償素子である。ここに、上記
制御回路1では、ランプ電圧Vl3の反転する時点
を検出し、スイツチ素子Qのベース電流Ibを一定
期間流すことによつてスイツチ素子Qをオンさせ
るようになつており、ベース電流Ibは第3図aに
示すようになつている。ここに、時刻t1からt2の
間はスイツチ素子Qが導通しており、電源Vs−
インダクタンス素子L―放電灯FLの閉回路に第
3図dに示すような電流IQが流れる。次に時刻t2
において、スイツチ素子Qがオフに転ずると、ス
イツチ素子Qのオン期間中にインダクタンス素子
Lに蓄えられていたエネルギが商用電源Vsに重
畳して放電灯FLの両端に加わり、ランプ電圧Vla
は第3図bに示すように瞬時に大きなパルス状電
圧となり、放電灯FLは再点弧する。したがつ
て、その後はランプ電圧Vlaが反転しようとする
時刻t3まで第1の閉回路を電流が流れる。時刻t3
で再びスイツチ素子Qがオンに転じて前述の動作
を繰り返す。なお、第3図bの破線は商用電源
Vsの電圧波形、第3図cはインダクタンス素子
Lを流れる主回路電流Isの電流波形、第3図eは
放電灯FLに流れるランプ電流Ilaの電流波形であ
る。また、一般に、始動時に放電灯FLに印加す
るエネルギは再点弧時よりも大きなものが必要で
あり、スイツチ素子Qのオン期間は、点灯時のオ
ン期間よりも始動時のオン期間が長くなるように
設定されている。
ように、商用電源Vsとインダクタンス素子Lと
放電灯FLとを直列接続して第1閉回路を形成す
るとともに、商用電源Vsとインダクタンス素子
Lとの直列回路にスイツチ素子Qを接続して第2
閉回路を形成し、第2図に示すように商用電源
Vsの各半サイクル中にスイツチ素子Qを一定期
間オンしてこのオン期間中にインダクタンス素子
Lにエネルギを蓄積し、前記商用電源Vsの各半
サイクル中のスイツチ素子Qのオフ期間に上記蓄
積されたエネルギを商用電源Vsに重畳して放電
灯FLに印加して点灯するようにスイツチ素子Q
の制御回路1を形成していた。図中、Bは全波整
流器、ZNRは耐圧補償素子である。ここに、上記
制御回路1では、ランプ電圧Vl3の反転する時点
を検出し、スイツチ素子Qのベース電流Ibを一定
期間流すことによつてスイツチ素子Qをオンさせ
るようになつており、ベース電流Ibは第3図aに
示すようになつている。ここに、時刻t1からt2の
間はスイツチ素子Qが導通しており、電源Vs−
インダクタンス素子L―放電灯FLの閉回路に第
3図dに示すような電流IQが流れる。次に時刻t2
において、スイツチ素子Qがオフに転ずると、ス
イツチ素子Qのオン期間中にインダクタンス素子
Lに蓄えられていたエネルギが商用電源Vsに重
畳して放電灯FLの両端に加わり、ランプ電圧Vla
は第3図bに示すように瞬時に大きなパルス状電
圧となり、放電灯FLは再点弧する。したがつ
て、その後はランプ電圧Vlaが反転しようとする
時刻t3まで第1の閉回路を電流が流れる。時刻t3
で再びスイツチ素子Qがオンに転じて前述の動作
を繰り返す。なお、第3図bの破線は商用電源
Vsの電圧波形、第3図cはインダクタンス素子
Lを流れる主回路電流Isの電流波形、第3図eは
放電灯FLに流れるランプ電流Ilaの電流波形であ
る。また、一般に、始動時に放電灯FLに印加す
るエネルギは再点弧時よりも大きなものが必要で
あり、スイツチ素子Qのオン期間は、点灯時のオ
ン期間よりも始動時のオン期間が長くなるように
設定されている。
ところで、このような従来例にあつては、スイ
ツチ素子Qのオン期間を制御する制御回路1に制
御用直流電源を給電する電源回路を別に設ける必
要があり、商用電源Vsを降圧する電源トランス
および整流平滑回路を用いて形成していたので、
回路構成が複雑になつて大形化し、コストが高く
なるという問題があつた。また、商用電源Vsの
電源電圧が変動した場合においてランプ電流が増
減して点灯状態が不安定になるという問題があつ
た。また、ランプ電流を一定に制御するために、
第1の閉回路にカレントトランスCTを挿入し、
カレントトランスCTにて検出されたランプ電流
に基いてスイツチ素子Qのオン期間をフイードバ
ツク制御して、放電灯FLを安定点灯させること
も考えられるが、この場合、カレントトランス
CTを別に設ける必要があり、コストが高くなる
という問題があつた。
ツチ素子Qのオン期間を制御する制御回路1に制
御用直流電源を給電する電源回路を別に設ける必
要があり、商用電源Vsを降圧する電源トランス
および整流平滑回路を用いて形成していたので、
回路構成が複雑になつて大形化し、コストが高く
なるという問題があつた。また、商用電源Vsの
電源電圧が変動した場合においてランプ電流が増
減して点灯状態が不安定になるという問題があつ
た。また、ランプ電流を一定に制御するために、
第1の閉回路にカレントトランスCTを挿入し、
カレントトランスCTにて検出されたランプ電流
に基いてスイツチ素子Qのオン期間をフイードバ
ツク制御して、放電灯FLを安定点灯させること
も考えられるが、この場合、カレントトランス
CTを別に設ける必要があり、コストが高くなる
という問題があつた。
本発明は上記の点に鑑みて為されたものであ
り、その目的とするところは、制御回路の電源回
路およびランプ電流を検出してフイードバツク信
号を得るためのランプ電流検出手段を簡単な構成
で得ることができ、電源電圧の変動によつてラン
プ電流が変動することがなく、しかも小形で安価
な放電灯点灯装置を提供することにある。
り、その目的とするところは、制御回路の電源回
路およびランプ電流を検出してフイードバツク信
号を得るためのランプ電流検出手段を簡単な構成
で得ることができ、電源電圧の変動によつてラン
プ電流が変動することがなく、しかも小形で安価
な放電灯点灯装置を提供することにある。
以下実施例ついて図面を用いて説明する。第4
図は本発明一実施例のブロツク回路図であり、第
1図従来例と同様の放電灯点灯装置において、イ
ンダクタンス素子Lに2次巻線L′を設け、上記2
次巻線L′の誘起電圧を整流平滑した直流電圧がス
イツチ素子Qを制御する制御回路1の電源電圧と
して入力されるとともに、上記直流電圧をランプ
電流に比例した電圧として該直流電圧に基いてス
イツチ素子Qのオン期間を制御することによりラ
ンプ電流をほぼ一定に保つランプ電流制御回路3
を設けたものであり、スイツチ素子Qのオン期間
を制御する制御回路1に給電する電源をインダク
タンス素子Lに設けた2次巻線L′の誘起電圧を整
流平滑することによつて容易に得ることができ、
従来例のように商用電源Vsを降圧する電源トラ
ンスなどを用いる必要がなく、構成が簡単になつ
て小形化、低コスト化が図れるようになつてお
り、また、ランプ電流を検出してフイードバツク
信号を得るためのランプ電流検出手段も上記2次
巻線L′を用いて形成できるので、制御回路の電源
回路およびランプ電流検出手段を簡単な構成で得
ることができ、電源電圧の変動によつてランプ電
流が変動することがなく、しかも小形で安価な放
電灯点灯装置を提供することができるようになつ
ている。
図は本発明一実施例のブロツク回路図であり、第
1図従来例と同様の放電灯点灯装置において、イ
ンダクタンス素子Lに2次巻線L′を設け、上記2
次巻線L′の誘起電圧を整流平滑した直流電圧がス
イツチ素子Qを制御する制御回路1の電源電圧と
して入力されるとともに、上記直流電圧をランプ
電流に比例した電圧として該直流電圧に基いてス
イツチ素子Qのオン期間を制御することによりラ
ンプ電流をほぼ一定に保つランプ電流制御回路3
を設けたものであり、スイツチ素子Qのオン期間
を制御する制御回路1に給電する電源をインダク
タンス素子Lに設けた2次巻線L′の誘起電圧を整
流平滑することによつて容易に得ることができ、
従来例のように商用電源Vsを降圧する電源トラ
ンスなどを用いる必要がなく、構成が簡単になつ
て小形化、低コスト化が図れるようになつてお
り、また、ランプ電流を検出してフイードバツク
信号を得るためのランプ電流検出手段も上記2次
巻線L′を用いて形成できるので、制御回路の電源
回路およびランプ電流検出手段を簡単な構成で得
ることができ、電源電圧の変動によつてランプ電
流が変動することがなく、しかも小形で安価な放
電灯点灯装置を提供することができるようになつ
ている。
第5図は具体回路例を示すもので、制御回路1
は、インダクタンス素子Lの2次巻線L′の誘起電
圧を整流平滑して安定化する電圧安定回路2と、
スイツチ素子Qのオン期間を適当に設定して放電
灯FLに流れるランプ電流を制御するランプ電流
制御回路3と、放電灯FLの耐端電圧の反転時点
を検出するランプ電圧零点検出回路4と、スイツ
チ素子Qのベース電流を供給する発振回路5とで
形成されている。ここに、電圧安定回路2は整流
用ダイオードブリツジBD、平滑コンデンサC1,
C2、ダイオードD1、トランジスタQ1およびツエ
ナーダイオードZD2、抵抗R2〜R6などによつて形
成され、ツエナーダイオードZD2のツエナー電圧
V0にに安定化された一定電圧が出力される。ま
た、ツエナーダイオードZD1、PUTS1は遅延オン
回路を形成しており、商用電源Vsの投入時にお
いて、抵抗R1を介して充電されるコンデンサC2
の充電電圧がV0を越えた時点でPUTS1がオン
し、トランジスタQ1がオンしてスイツチ素子Q
のベースに電流が流れてスイツチ素子Qをオンさ
せる。これによつて第2の閉回路に電流が流れて
インダクタンス素子Lの2次巻線L′に誘起電圧が
発生し、この誘起電圧をVoよりも高く設定して
おくことにより、電圧安定回路にてこの誘起電圧
を整流平滑して安定化した一定電圧Voを得るこ
とができることになる。また、ランプ電流制御回
路3は、平滑コンデンサC0の耐端電圧Vc1により
充電されるコンデンサC3、トランジスタQ2、ツ
エナーダイオードZD3および抵抗R7,R8にて形成
されており、平滑コンデンサC1の両端電圧Vc1は
主回路電流Isの大きさとほぼ比例した電圧にな
り、その電圧を抵抗R7を介してコンデンサC3に
充電し、この充電電圧をトランジスタQ2で電流
増幅しツエナーダイオード,D3のツエナー電圧
V1を差引いて電圧が抵抗R8の両端に生じるよう
にしておく、したがつて、抵抗R8の電圧は平滑
コンンサC1の電圧、さらに主回路電流Isの大きさ
にほぼ比例した電圧となる。したがつて、後述の
発振回路5と組合せ、抵抗R8の両端電圧が高い
とスイツチ素子Qのオン時間を短くするように制
御すれば主回路電流、即ちランプ電流を一定にで
きる。又、トランジスタQ3、コンデンサC4、ダ
イオードD2および抵抗R9〜R13よりなるランプ電
圧零点検出回路4は、端子aからランプ電圧Vla
を検出し、抵抗R9,R10で分圧し、Vla=0にな
るとトランジスタQ3がオフになる。トランジス
タQ3のコレクタ電圧の変化をコンデンサC4、抵
抗R12,R13で微分するが、発振回路5のトランジ
スタQ4を完全オンさせ、コンデンサC5の電荷を
放電させる必要があるため、ダオードD2で一定
巾をもつトリガを作り、トランジスタQ4のベー
スに印加する。つぎに、トランジスタQ4〜Q6、
ツエーダイオードZD4、ダイオードD3、コンデン
サC5および抵抗R14〜R20にて形成される単安定
マルチバイブレータよりなる発振回路5をコンデ
ンサC5の動作を中心に説明する。トリガが入る
までコンデンサC5は充電された状態にある。ス
イツチ素子Qのオン期間を決定する発振回路5の
コンデンサC5には、ランプ電流制御回路3の出
力にて制御されるトランジスタQ6を介して充電
する第1の充電回路と、ランプ電圧を整流した電
圧にて抵抗R17を介して充電する第2の充電回路
とを設け、トランジスタQ6よりなる第1の充電
回路による充電速度と抵抗R17よりなる第2の充
電回路による充電速度よりも充分速くしておく。
ランプ電圧零点検出回路4からトランジスタQ4
にトリガが入ると、コンデンサC5の両端電圧Vc5
は瞬時に放電してリセツトされる。さて、電圧
Vc5がツエナーダイオードZD4のツエナー電圧よ
り高い場合にはトランジスタQ5がオンして端子
bの電位が零となり、スイツチ素子Qはオフす
る。したがつて、電圧Vc5がリセツトされた瞬時
にスイツチ素子Qはオン状態に転じ、そのオン時
間はコンデンサC5の充電時間によつて定まる。
ところで、2通りの充電経路の内、トランジスタ
Q6の充電速度が大きいので、トランジスタQ6に
よつてコンデンサC5は急速に充電される。ただ
し、最終の充電電位はトランジスタQ6のベース
電位、即ち、抵抗R8の端子電圧によつて定ま
り、これとトランジスタQ6のエミツタ電位(コ
ンデンサC5の端子電圧)と等しくなつたときト
ランジスタQ6はオフし、以後は抵抗R17によつて
充電される。したがつて、コンデンサC5は第6
図aのように2段階に分割された充電が行なわれ
る。第6図aでt1〜t3が全充電時間、t1〜t2がトラ
ンジスタQ6による充電時間、t2〜t3が抵抗R17に
よる充電時間で、時刻t2はトランジスタQ6のベー
ス電位によつて定まる。第6図aでV4はツエナ
ーダイオードZD4のツエナー電圧である。したが
つて、トランジスタQ6のベース電位を変化する
ことによつて第6図bのように全充電時間をt1〜
t3′からt1〜t3に変化できる。最短時間はトラン
ジスタQ6のベース電位と電圧V4が等しいとき
で、トランジスタQ6のみで充電され、最長時間
はトランジスタQ6のベース電位が零のときで、
抵抗R17によつてのみ充電される。この充電電位
をツエナーダイオードZD4で検出すると、トラン
ジスタQ5はオンし、、端子bの電位が0となつて
スイツチ素子Qはオフする。しかも、スイツチ素
子Qのオン期間はトランジスタQ6のベース電位
を変えると自由に広範囲にわたつてコントロール
できる。尚、トランジスタQ6はNPN形トランジ
スタを使用しているが、PNP形トランジスタを使
用した場合には、トランジスタQ6は常に能動状
態に保たねばならないため、ベース制御回路が相
当に複雑になり、しかもトランジスタQ6自身の
ばらつきの影響も大きいが、第5図のものではト
ランジスタQ6の制御回路が簡単にでき、電流制
限用抵抗R16を挿入しておけばトランジスタQ6の
ばらつきも殆んど無関係となる。
は、インダクタンス素子Lの2次巻線L′の誘起電
圧を整流平滑して安定化する電圧安定回路2と、
スイツチ素子Qのオン期間を適当に設定して放電
灯FLに流れるランプ電流を制御するランプ電流
制御回路3と、放電灯FLの耐端電圧の反転時点
を検出するランプ電圧零点検出回路4と、スイツ
チ素子Qのベース電流を供給する発振回路5とで
形成されている。ここに、電圧安定回路2は整流
用ダイオードブリツジBD、平滑コンデンサC1,
C2、ダイオードD1、トランジスタQ1およびツエ
ナーダイオードZD2、抵抗R2〜R6などによつて形
成され、ツエナーダイオードZD2のツエナー電圧
V0にに安定化された一定電圧が出力される。ま
た、ツエナーダイオードZD1、PUTS1は遅延オン
回路を形成しており、商用電源Vsの投入時にお
いて、抵抗R1を介して充電されるコンデンサC2
の充電電圧がV0を越えた時点でPUTS1がオン
し、トランジスタQ1がオンしてスイツチ素子Q
のベースに電流が流れてスイツチ素子Qをオンさ
せる。これによつて第2の閉回路に電流が流れて
インダクタンス素子Lの2次巻線L′に誘起電圧が
発生し、この誘起電圧をVoよりも高く設定して
おくことにより、電圧安定回路にてこの誘起電圧
を整流平滑して安定化した一定電圧Voを得るこ
とができることになる。また、ランプ電流制御回
路3は、平滑コンデンサC0の耐端電圧Vc1により
充電されるコンデンサC3、トランジスタQ2、ツ
エナーダイオードZD3および抵抗R7,R8にて形成
されており、平滑コンデンサC1の両端電圧Vc1は
主回路電流Isの大きさとほぼ比例した電圧にな
り、その電圧を抵抗R7を介してコンデンサC3に
充電し、この充電電圧をトランジスタQ2で電流
増幅しツエナーダイオード,D3のツエナー電圧
V1を差引いて電圧が抵抗R8の両端に生じるよう
にしておく、したがつて、抵抗R8の電圧は平滑
コンンサC1の電圧、さらに主回路電流Isの大きさ
にほぼ比例した電圧となる。したがつて、後述の
発振回路5と組合せ、抵抗R8の両端電圧が高い
とスイツチ素子Qのオン時間を短くするように制
御すれば主回路電流、即ちランプ電流を一定にで
きる。又、トランジスタQ3、コンデンサC4、ダ
イオードD2および抵抗R9〜R13よりなるランプ電
圧零点検出回路4は、端子aからランプ電圧Vla
を検出し、抵抗R9,R10で分圧し、Vla=0にな
るとトランジスタQ3がオフになる。トランジス
タQ3のコレクタ電圧の変化をコンデンサC4、抵
抗R12,R13で微分するが、発振回路5のトランジ
スタQ4を完全オンさせ、コンデンサC5の電荷を
放電させる必要があるため、ダオードD2で一定
巾をもつトリガを作り、トランジスタQ4のベー
スに印加する。つぎに、トランジスタQ4〜Q6、
ツエーダイオードZD4、ダイオードD3、コンデン
サC5および抵抗R14〜R20にて形成される単安定
マルチバイブレータよりなる発振回路5をコンデ
ンサC5の動作を中心に説明する。トリガが入る
までコンデンサC5は充電された状態にある。ス
イツチ素子Qのオン期間を決定する発振回路5の
コンデンサC5には、ランプ電流制御回路3の出
力にて制御されるトランジスタQ6を介して充電
する第1の充電回路と、ランプ電圧を整流した電
圧にて抵抗R17を介して充電する第2の充電回路
とを設け、トランジスタQ6よりなる第1の充電
回路による充電速度と抵抗R17よりなる第2の充
電回路による充電速度よりも充分速くしておく。
ランプ電圧零点検出回路4からトランジスタQ4
にトリガが入ると、コンデンサC5の両端電圧Vc5
は瞬時に放電してリセツトされる。さて、電圧
Vc5がツエナーダイオードZD4のツエナー電圧よ
り高い場合にはトランジスタQ5がオンして端子
bの電位が零となり、スイツチ素子Qはオフす
る。したがつて、電圧Vc5がリセツトされた瞬時
にスイツチ素子Qはオン状態に転じ、そのオン時
間はコンデンサC5の充電時間によつて定まる。
ところで、2通りの充電経路の内、トランジスタ
Q6の充電速度が大きいので、トランジスタQ6に
よつてコンデンサC5は急速に充電される。ただ
し、最終の充電電位はトランジスタQ6のベース
電位、即ち、抵抗R8の端子電圧によつて定ま
り、これとトランジスタQ6のエミツタ電位(コ
ンデンサC5の端子電圧)と等しくなつたときト
ランジスタQ6はオフし、以後は抵抗R17によつて
充電される。したがつて、コンデンサC5は第6
図aのように2段階に分割された充電が行なわれ
る。第6図aでt1〜t3が全充電時間、t1〜t2がトラ
ンジスタQ6による充電時間、t2〜t3が抵抗R17に
よる充電時間で、時刻t2はトランジスタQ6のベー
ス電位によつて定まる。第6図aでV4はツエナ
ーダイオードZD4のツエナー電圧である。したが
つて、トランジスタQ6のベース電位を変化する
ことによつて第6図bのように全充電時間をt1〜
t3′からt1〜t3に変化できる。最短時間はトラン
ジスタQ6のベース電位と電圧V4が等しいとき
で、トランジスタQ6のみで充電され、最長時間
はトランジスタQ6のベース電位が零のときで、
抵抗R17によつてのみ充電される。この充電電位
をツエナーダイオードZD4で検出すると、トラン
ジスタQ5はオンし、、端子bの電位が0となつて
スイツチ素子Qはオフする。しかも、スイツチ素
子Qのオン期間はトランジスタQ6のベース電位
を変えると自由に広範囲にわたつてコントロール
できる。尚、トランジスタQ6はNPN形トランジ
スタを使用しているが、PNP形トランジスタを使
用した場合には、トランジスタQ6は常に能動状
態に保たねばならないため、ベース制御回路が相
当に複雑になり、しかもトランジスタQ6自身の
ばらつきの影響も大きいが、第5図のものではト
ランジスタQ6の制御回路が簡単にでき、電流制
限用抵抗R16を挿入しておけばトランジスタQ6の
ばらつきも殆んど無関係となる。
第7図および第8図はスイツチ素子Qのオン期
間と主回路電流Isとの関係を示したもので、第7
図はオン期間が短かい場合で、第8図は長い場合
である。スイツチ素子Qがオンしている間にイン
ダクタンス素子Lに流れる電流は一定であるか
ら、第7図のオン期間t1〜t2と第8図のオン期間
t1〜t3の主回路電流Isの増加の傾きは等しい。し
たがつて、スイツチ素子Qのオン期間が長い程、
スイツチ素子Qがオフした時点での電流値は大き
い。放電灯FLに流れる電流はスイツチ素子Qが
オフした時点でのインダクタンス素子Lの電流を
初期値として決定され、初期値が大きい程(オン
期間が長い程)以後の電流が増大する。したがつ
て、主回路電流Isが小さくなければオン期間を長
くなるように自動制御すれば主回路電流Isを一定
に制御できる。具体的にはオン期間を短くするに
はトランジスタQ6のベース電位を高くすればよ
い。ところで、主回路電流Isが大きくなると、平
滑コンデンサC1の端子電圧が高くなり、これを
ランプ電流制御回路3で変換してトランジスタ
Q6のベースに接続することによりフイードバツ
クが実現できる。
間と主回路電流Isとの関係を示したもので、第7
図はオン期間が短かい場合で、第8図は長い場合
である。スイツチ素子Qがオンしている間にイン
ダクタンス素子Lに流れる電流は一定であるか
ら、第7図のオン期間t1〜t2と第8図のオン期間
t1〜t3の主回路電流Isの増加の傾きは等しい。し
たがつて、スイツチ素子Qのオン期間が長い程、
スイツチ素子Qがオフした時点での電流値は大き
い。放電灯FLに流れる電流はスイツチ素子Qが
オフした時点でのインダクタンス素子Lの電流を
初期値として決定され、初期値が大きい程(オン
期間が長い程)以後の電流が増大する。したがつ
て、主回路電流Isが小さくなければオン期間を長
くなるように自動制御すれば主回路電流Isを一定
に制御できる。具体的にはオン期間を短くするに
はトランジスタQ6のベース電位を高くすればよ
い。ところで、主回路電流Isが大きくなると、平
滑コンデンサC1の端子電圧が高くなり、これを
ランプ電流制御回路3で変換してトランジスタ
Q6のベースに接続することによりフイードバツ
クが実現できる。
第9図は本発明の他の実施例で、トランジスタ
Q6の電界効果トランジスタを用いるとともに、
トランジスタQ3のベースにツエナーダイオード
ZD5を直列接続して検出効果を高めたものであ
る。これは浮遊容量等によつてランプ電圧零点検
出が困難で検出ミスが生じたり、回路定数のばら
つきにより抵抗R10の値が大巾に異なるという欠
点を解決したもので、ツエナーダイオードZD5に
よつて検出レベルを変化させ、ランプ電圧零点検
出を確実にできる。
Q6の電界効果トランジスタを用いるとともに、
トランジスタQ3のベースにツエナーダイオード
ZD5を直列接続して検出効果を高めたものであ
る。これは浮遊容量等によつてランプ電圧零点検
出が困難で検出ミスが生じたり、回路定数のばら
つきにより抵抗R10の値が大巾に異なるという欠
点を解決したもので、ツエナーダイオードZD5に
よつて検出レベルを変化させ、ランプ電圧零点検
出を確実にできる。
本発明は上述のように、商用電源とインダクタ
ンス素子と放電灯とを直列接続して第1閉回路を
形成するとともに商用電源とインダクタンス素子
との直列回路にスイツチ素子を接続して第2閉回
路を形成し、商用電源の各半サイクル中にスイツ
チ素子を一定期間オンしてこのオン期間中にイン
ダクタンス素子にエネルギを蓄積し、前記商用電
源の各半サイクル中のスイツチ素子のオフ期間に
上記蓄積されたエネルギを商用電源に重畳して放
電灯に印加して点灯する如くして成る放電灯点灯
装置において、前記インダクタンス素子に2次巻
線を設け、上記2次巻線の誘起電圧を整流平滑し
た直流電圧がスイツチ素子を制御する制御回路の
電源電圧として入力されるとともに、上記直流電
圧をランプ電流に比例した電圧として該直流電圧
に基いてスイツチ素子のオン期間を制御すること
によりランプ電流をほぼ一定に保つランプ電流制
御回路を設けたものであり、制御回路の電源回路
およびランプ電流を検出してフイードバツク信号
を得るためのランプ電流検出手段を簡単な構成で
得ることができ、電源電圧の変動によつてランプ
電流が変動することがなく、しかも小形で安価な
放電灯点灯装置を提供することができるという効
果を奏する。
ンス素子と放電灯とを直列接続して第1閉回路を
形成するとともに商用電源とインダクタンス素子
との直列回路にスイツチ素子を接続して第2閉回
路を形成し、商用電源の各半サイクル中にスイツ
チ素子を一定期間オンしてこのオン期間中にイン
ダクタンス素子にエネルギを蓄積し、前記商用電
源の各半サイクル中のスイツチ素子のオフ期間に
上記蓄積されたエネルギを商用電源に重畳して放
電灯に印加して点灯する如くして成る放電灯点灯
装置において、前記インダクタンス素子に2次巻
線を設け、上記2次巻線の誘起電圧を整流平滑し
た直流電圧がスイツチ素子を制御する制御回路の
電源電圧として入力されるとともに、上記直流電
圧をランプ電流に比例した電圧として該直流電圧
に基いてスイツチ素子のオン期間を制御すること
によりランプ電流をほぼ一定に保つランプ電流制
御回路を設けたものであり、制御回路の電源回路
およびランプ電流を検出してフイードバツク信号
を得るためのランプ電流検出手段を簡単な構成で
得ることができ、電源電圧の変動によつてランプ
電流が変動することがなく、しかも小形で安価な
放電灯点灯装置を提供することができるという効
果を奏する。
第1図は従来の放電灯点灯装置の基本回路図、
第2図および第3図は同上の動作説明図、第4図
は本発明一実施例のブロツク回路図、第5図は同
上の具体回路図、第6図a,bは同上のスイツチ
素子のオン期間を決めるコンデンサの電圧波形
図、第7図a,bは同上のスイツチ素子のオン期
間が短い場合の動作説明図、第8図a,bは同上
のスイツチ素子のオン期間が長い場合の動作説明
図、第9図は本発明の他の実施例の回路図であ
る。 3……ランプ電流制御回路、4……ランプ電圧
零点検出回路、Vs……商用電源、L……インダ
クタンス素子、FL……放電灯、Q……スイツチ
素子、C5……コンデンサ、R17……抵抗、Q3……
トランジスタ、Q6……トランジスタ、ZD5……ツ
エナーダイオード。
第2図および第3図は同上の動作説明図、第4図
は本発明一実施例のブロツク回路図、第5図は同
上の具体回路図、第6図a,bは同上のスイツチ
素子のオン期間を決めるコンデンサの電圧波形
図、第7図a,bは同上のスイツチ素子のオン期
間が短い場合の動作説明図、第8図a,bは同上
のスイツチ素子のオン期間が長い場合の動作説明
図、第9図は本発明の他の実施例の回路図であ
る。 3……ランプ電流制御回路、4……ランプ電圧
零点検出回路、Vs……商用電源、L……インダ
クタンス素子、FL……放電灯、Q……スイツチ
素子、C5……コンデンサ、R17……抵抗、Q3……
トランジスタ、Q6……トランジスタ、ZD5……ツ
エナーダイオード。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 商用電源とインダクタンス素子と放電灯とを
直列接続して第1閉回路を形成するとともに商用
電源とトンダクタンス素子との直列回路にスイツ
チ素子を接続して第2閉回路を形成し、商用電源
の各半サイクル中にスイツチ素子を一定期間オン
してこのオン期間中にインダクタンス素子にエネ
ルギを蓄積し、前記商用電源の各半サイクル中の
スイツチ素子のオフ期間に上記蓄積されたエネル
ギを商用電源に重畳して放電灯に印加して点灯す
る如くして成る放電灯点灯装置において、前記イ
ンダクタンス素子に2次巻線を設け、上記2次巻
線の誘起電圧を整流平滑した直流電圧がスイツチ
素子を制御する制御回路の電源電圧として入力さ
れるとともに、上記直流電圧をランプ電流に比例
した電圧として該直流電圧に基いてスイツチ素子
のオン期間を制御することによりランプ電流をほ
ぼ一定に保つランプ電流制御回路に設けたことを
特徴とする放電灯点灯装置。 2 スイツチ素子のオン期間を決定する発振回路
のコンデンサを、ランプ電流制御回路の出力にて
制御されるトランジスタを介して充電する第1の
充電回路と、ランプ電圧を整流した電圧にて抵抗
を介して充電する第2の充電回路とを設け、第1
の充電回路による充電速度を第2の充電回路によ
る充電速度よりも速くするとともに、上記コンデ
ンサを第1の充電回路にて所定電圧まで充電した
後第2の充電回路にて充電するようにしたことを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の放電灯点
灯装置。 3 上記トランジスタとして電界効果トランジス
タを使用したことを特徴とする特許請求の範囲第
2項記載の放電灯点灯装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6015579A JPS55151786A (en) | 1979-05-15 | 1979-05-15 | Device for firing discharge lamp |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6015579A JPS55151786A (en) | 1979-05-15 | 1979-05-15 | Device for firing discharge lamp |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55151786A JPS55151786A (en) | 1980-11-26 |
| JPS6138596B2 true JPS6138596B2 (ja) | 1986-08-29 |
Family
ID=13133970
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6015579A Granted JPS55151786A (en) | 1979-05-15 | 1979-05-15 | Device for firing discharge lamp |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55151786A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6138094Y2 (ja) * | 1979-05-15 | 1986-11-04 |
-
1979
- 1979-05-15 JP JP6015579A patent/JPS55151786A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55151786A (en) | 1980-11-26 |
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