JPS6130646A - リ−ドフレ−ム材料の製造方法 - Google Patents
リ−ドフレ−ム材料の製造方法Info
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- JPS6130646A JPS6130646A JP15210484A JP15210484A JPS6130646A JP S6130646 A JPS6130646 A JP S6130646A JP 15210484 A JP15210484 A JP 15210484A JP 15210484 A JP15210484 A JP 15210484A JP S6130646 A JPS6130646 A JP S6130646A
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- Japan
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- lead frame
- basicity
- slag
- less
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、リードフレーム材料の製造方法に関し、特に
、低塩基度操業による、４２％）Ｊｉ−Ｆｏ 系アロイ
に代表されるリードフレーム材料の溶製法に関する。
、低塩基度操業による、４２％）Ｊｉ−Ｆｏ 系アロイ
に代表されるリードフレーム材料の溶製法に関する。
近年のエレクトロニクス分野等の発展に伴ない、ＩＣ（
集積回路）の需要が飛躍的に増大し、そのリードフレー
ム材料の需要も付随的に著しく増大している。一般にこ
れらリードフレーム材料は典型的には４２％Ｎｉ−Ｆｅ
合金で代表されるＦ・−Ｎｉ系の熱膨張制御合金等の帯
材を裁断、メッキ処理後、打ち抜き加工して形成される
ものである。リードフレーム材料は、一般に、その中心
に、半導体素子（半導体チップ）を搭載するタブと称さ
れる部分があル、又、そのクプの周囲に、リードと称さ
れる部分があシ、例えば、リードフレームの前記タブ上
に半導体チップを搭載しｓ Ａｕ１８％ Ａ／線等のワ
イヤにより、肖該チップとリードとを接続（ボンディン
グ）した後に、合成樹脂等によシ封止して半導体集積回
路装置が得られる。 ・ リードフレーム材料は、ワイヤボンデイング性を良好に
したシする等のためにｈ Ａｇ メッキ等のメッキが
施される。従って、そのメッキ性の良否はリードフレー
ム材料の品質につながる重大なポイントでメル、それ故
、良好なメッキ性を保有していることが強く要求される
。
集積回路）の需要が飛躍的に増大し、そのリードフレー
ム材料の需要も付随的に著しく増大している。一般にこ
れらリードフレーム材料は典型的には４２％Ｎｉ−Ｆｅ
合金で代表されるＦ・−Ｎｉ系の熱膨張制御合金等の帯
材を裁断、メッキ処理後、打ち抜き加工して形成される
ものである。リードフレーム材料は、一般に、その中心
に、半導体素子（半導体チップ）を搭載するタブと称さ
れる部分があル、又、そのクプの周囲に、リードと称さ
れる部分があシ、例えば、リードフレームの前記タブ上
に半導体チップを搭載しｓ Ａｕ１８％ Ａ／線等のワ
イヤにより、肖該チップとリードとを接続（ボンディン
グ）した後に、合成樹脂等によシ封止して半導体集積回
路装置が得られる。 ・ リードフレーム材料は、ワイヤボンデイング性を良好に
したシする等のためにｈ Ａｇ メッキ等のメッキが
施される。従って、そのメッキ性の良否はリードフレー
ム材料の品質につながる重大なポイントでメル、それ故
、良好なメッキ性を保有していることが強く要求される
。
又、リードフレーム表面に疵がないこともリードフレー
ム材料の品質上重要であル、フクレ疵があ夛、上記した
メッキ性を劣化させるようなことがあってはならない。
ム材料の品質上重要であル、フクレ疵があ夛、上記した
メッキ性を劣化させるようなことがあってはならない。
従来、かかる４２％Ｎｉ−Ｆｅ系リードフレーム材料（
以下単に４２Ｎ１ という）を、スラグを用い、溶製す
る場合、そのスラグにあっては高塩基度のものをなるべ
く使用しなければならないとされていた。
以下単に４２Ｎ１ という）を、スラグを用い、溶製す
る場合、そのスラグにあっては高塩基度のものをなるべ
く使用しなければならないとされていた。
即ち１品質に悪影響を及ばす溶存（ロ）をできるだけ下
げるためには、高塩基度のものを使用しなければならな
いとされ、その丸め、高塩基度のスラグを如何にして必
要量安定に確保するかに努力が払われてきた。
げるためには、高塩基度のものを使用しなければならな
いとされ、その丸め、高塩基度のスラグを如何にして必
要量安定に確保するかに努力が払われてきた。
しかるに、本発明者ら位、高塩基度操業にょる前記した
４２Ｎ１ リードフレーム材料について、フクレ疵の問
題やＡｇ メッキ性の劣化の問題に遭遇し、かかるリ
ードフレーム材料の溶製法について再検討をせまられた
。
４２Ｎ１ リードフレーム材料について、フクレ疵の問
題やＡｇ メッキ性の劣化の問題に遭遇し、かかるリ
ードフレーム材料の溶製法について再検討をせまられた
。
そこで、本発明者らは、従来の高塩基度操業の考え方か
らは、（９）が増加し、不可とされていた低塩基度操業
により、４２Ｎ１ の溶製を行なったところ、驚くべき
ことに、従来、低塩基度操業では（ロ）が増加すると予
測されていたのに反して、（ロ）の増加は殆んどなく、
高塩基度操業の場合の（至）と同様の水準を保持できる
ことを知見した。
らは、（９）が増加し、不可とされていた低塩基度操業
により、４２Ｎ１ の溶製を行なったところ、驚くべき
ことに、従来、低塩基度操業では（ロ）が増加すると予
測されていたのに反して、（ロ）の増加は殆んどなく、
高塩基度操業の場合の（至）と同様の水準を保持できる
ことを知見した。
又、次のような事実も知見した。
即ち、４２ Ｎｉ については、その表面にＭｇ−Ａ
ｌ量 主体のスピネル系介在物が形成されるが、低塩
基度操業による、これらスピネル系介在物を構成するＭ
ｇやＡ７などの挙動を調査検討したところ、低塩基度操
業によれば、Ｍｇ、Ａｌ量を減少させ、かかるＭｇ−Ａ
ｌ主体のスピネル系介在物の形態（成分組成、融点、表
面肌など）に変化をもたらすことができることが判った
。そして、かかるスピネル系介在物の形態の変化による
と思われる、フクレ疵の減少ｂ Ａｇ メッキ性の向
上を計ることができることが判った。
ｌ量 主体のスピネル系介在物が形成されるが、低塩
基度操業による、これらスピネル系介在物を構成するＭ
ｇやＡ７などの挙動を調査検討したところ、低塩基度操
業によれば、Ｍｇ、Ａｌ量を減少させ、かかるＭｇ−Ａ
ｌ主体のスピネル系介在物の形態（成分組成、融点、表
面肌など）に変化をもたらすことができることが判った
。そして、かかるスピネル系介在物の形態の変化による
と思われる、フクレ疵の減少ｂ Ａｇ メッキ性の向
上を計ることができることが判った。
本発明は上記知見に基づいて完成されたもので、本発明
は、低塩基度スラグによるリードフレーム材料の創造方
法特に十の溶獅法に係るものである。
は、低塩基度スラグによるリードフレーム材料の創造方
法特に十の溶獅法に係るものである。
本発明は従来の高塩基度操業法に代えて低塩基度操業に
より４２ Ｎｉ などのリードフレーム材料を得るこ
とにあるが、ここに塩基度としては２．５以下であるこ
とが適嶋である。
より４２ Ｎｉ などのリードフレーム材料を得るこ
とにあるが、ここに塩基度としては２．５以下であるこ
とが適嶋である。
塩基度は、鉱滓（スラグ）の性質を表わす値として使用
され、一般に塩基性成分と酸性成分の比であシ、塩基成
分として分子にＭｇＯ（％）やＭｎＯ（％）やＦｅＯ（
％）を加えたル、酸性成分として分母にＡ１２０ｓ（％
）などを加えたルする場合もあるが、本発明でいう塩基
度とは０１０（％）／５ｉＯ２（％）ｃ以下、０７ Ｂ
といり〕を用いたものをいう。
され、一般に塩基性成分と酸性成分の比であシ、塩基成
分として分子にＭｇＯ（％）やＭｎＯ（％）やＦｅＯ（
％）を加えたル、酸性成分として分母にＡ１２０ｓ（％
）などを加えたルする場合もあるが、本発明でいう塩基
度とは０１０（％）／５ｉＯ２（％）ｃ以下、０７ Ｂ
といり〕を用いたものをいう。
この塩基度（０／８）ｔｉ２．５以下であるが、好まし
くは２．０以下、特に好ましくは１．５〜２．０であル
、Ｇ／８＝１．５が最適である。この０７８が２．５を
越える場合フクレ疵やムｇ メッキ性に問題を生じ、一
方、Ｃ／ Ｓが１．０近傍以下になると（ロ）は極端に
増加し、ａｙｓ中１．５ではフリー回も低くかつ溶製炉
の耐火物溶損汚染による（口）インプットも少ないので
トータル（９）を低値にする適正スラグとなシ、これら
を考慮すると上記Ｃ／ Ｓ値とすることが良い。
くは２．０以下、特に好ましくは１．５〜２．０であル
、Ｇ／８＝１．５が最適である。この０７８が２．５を
越える場合フクレ疵やムｇ メッキ性に問題を生じ、一
方、Ｃ／ Ｓが１．０近傍以下になると（ロ）は極端に
増加し、ａｙｓ中１．５ではフリー回も低くかつ溶製炉
の耐火物溶損汚染による（口）インプットも少ないので
トータル（９）を低値にする適正スラグとなシ、これら
を考慮すると上記Ｃ／ Ｓ値とすることが良い。
スラグ組成の例としては次のものがある。
溶製は、例えば、公知のＬ Ｆ （Ｌａｄｌｅ ｒｕｒ
ｎａａｅ）法によル行われる。第１図にＬＰ法の原理図
の一例を示す。このＬＦ法祉、電極１からのアークを取
鍋２内溶鋼３上のスラグ４中で発生させるいわゆるサブ
マージド・アーク精錬を行うものて、合成スラグを添加
し、例えば図示のように装置下部よＪ） Ａｒガスを吹
込み、Ａｒガスによる攪拌を行ない表がら取鍋（レード
ル）２内を強還元性雰囲気に維持した状態で溶製を行な
う。
ｎａａｅ）法によル行われる。第１図にＬＰ法の原理図
の一例を示す。このＬＦ法祉、電極１からのアークを取
鍋２内溶鋼３上のスラグ４中で発生させるいわゆるサブ
マージド・アーク精錬を行うものて、合成スラグを添加
し、例えば図示のように装置下部よＪ） Ａｒガスを吹
込み、Ａｒガスによる攪拌を行ない表がら取鍋（レード
ル）２内を強還元性雰囲気に維持した状態で溶製を行な
う。
このＬＰ法設備では、加熱、ガス攪拌、脱ガス、除滓（
スラグオン）が効率よく行われるようになっている。
スラグオン）が効率よく行われるようになっている。
本発明が適用されるリードフレーム材料の基本組成＃′
１Ｎｉ−Ｆθペース合金で４４）、Ｎｉ 含有量は３０
〜５４％の範囲内で変化させ得る。■含有量の好ましい
範囲は４０〜４３％であシ、最も好ましくは４２％であ
る。
１Ｎｉ−Ｆθペース合金で４４）、Ｎｉ 含有量は３０
〜５４％の範囲内で変化させ得る。■含有量の好ましい
範囲は４０〜４３％であシ、最も好ましくは４２％であ
る。
とのＮ１ はリードフレーム材料の組織をオーステナ
イトする元素であるが、３０％未満で抹オーステナイト
が不安定となシ、５４％を越えると低温域（例えば３０
〜４５Ｃの温度範囲）での熱膨張係数が大となシ、牛導
体チップ特にシリコン単結晶基板よシ成るチップ（以下
シリコンチップという）との熱膨張係数差が大過くなシ
望ましくない。
イトする元素であるが、３０％未満で抹オーステナイト
が不安定となシ、５４％を越えると低温域（例えば３０
〜４５Ｃの温度範囲）での熱膨張係数が大となシ、牛導
体チップ特にシリコン単結晶基板よシ成るチップ（以下
シリコンチップという）との熱膨張係数差が大過くなシ
望ましくない。
リードフレーム材料は上記のごと（１）Ｊｉ−Ｆ・あっ
てはメッキ性や打抜き加工性や前記シリコンチップとの
熱膨張係数差などを考慮する必要がある。
てはメッキ性や打抜き加工性や前記シリコンチップとの
熱膨張係数差などを考慮する必要がある。
リードフレーム材料の具体例をその成分範囲の限定理由
とともに例示すると次の通ルである。
とともに例示すると次の通ルである。
重量％で％Ｎｔ：ｓｏ 〜５４％、Ｍｎ ： １，０％
以下、およびＢｅ ： ０，２５％以下、 Ｏａ ：
０−０６５％以下、Ｔａ ： ０，２０％以下、Ｂｉ
： ｏ、５ｏ％以下、Ｓｎ ： ２，５％以下、Ｐｂ
： ０，３０％以下の１種または２種以上を合計で０．
００５〜２．５％、必要に応じてｓ ： ｏ−ｏ ｏ
６〜０．０２０％、残部ｒｅおよび不純物（Ｃ、Ｓｉ
、 Ｐ 、 Ｃｕ 、ム／ Ｉ Ｎ１０等の成分および
Ｓを積極的に添加しない場合のＳなど） 〔リードフレーム材料の成分範囲（重量％）の限定理由
〕 Ｎ１ ：ｓｏ〜５４％ 前述の通〕 Ｍｎ ＠ １，０％以下 Ｍｎ はリードフレーム材料の加工性を向上させるの
に有効な元素であるが、１．０％を超えると熱膨張係数
が大となル、シリコンチップとの熱膨張係数差が大きく
なシすぎるので、１．０％以下とする。
以下、およびＢｅ ： ０，２５％以下、 Ｏａ ：
０−０６５％以下、Ｔａ ： ０，２０％以下、Ｂｉ
： ｏ、５ｏ％以下、Ｓｎ ： ２，５％以下、Ｐｂ
： ０，３０％以下の１種または２種以上を合計で０．
００５〜２．５％、必要に応じてｓ ： ｏ−ｏ ｏ
６〜０．０２０％、残部ｒｅおよび不純物（Ｃ、Ｓｉ
、 Ｐ 、 Ｃｕ 、ム／ Ｉ Ｎ１０等の成分および
Ｓを積極的に添加しない場合のＳなど） 〔リードフレーム材料の成分範囲（重量％）の限定理由
〕 Ｎ１ ：ｓｏ〜５４％ 前述の通〕 Ｍｎ ＠ １，０％以下 Ｍｎ はリードフレーム材料の加工性を向上させるの
に有効な元素であるが、１．０％を超えると熱膨張係数
が大となル、シリコンチップとの熱膨張係数差が大きく
なシすぎるので、１．０％以下とする。
Ｂｅ ： ０，２５％以下、Ｏａ ： ｏ、ｏ ６５％
以下、Ｔｅ ： ０，２０％以下、Ｂｉ：ＯｊＯ％以下
％ａｎ：２．５％以下、Ｐｂ： ０．３０％以下の１種
または２種以上を合計でｏ、ｏ ｏ ｓ〜２．５％８ｅ
、 Ｏａ 、 Ｔｏ 、 Ｂｉ 、 Ｓｎ 、 Ｐｂ
はいずれもリードフレーム材料の打ち抜き加工性を高め
るのに有効な元素でｔｂｂ、このような効果を得るため
にはこれらの元素の１種またｉｊ２種以上を合計でｏ、
ｏ ｏ ｓ％以上含有させる。しかしながら、含有量が
多すぎると、リードフレーム材料の靭性を低下すると同
時に熱間加工性が著しく劣化するので、上記元素の１種
または２種以上を合計で２．５％以下とし、且つ各元素
の上限をそれぞれ前記した値に定める。
以下、Ｔｅ ： ０，２０％以下、Ｂｉ：ＯｊＯ％以下
％ａｎ：２．５％以下、Ｐｂ： ０．３０％以下の１種
または２種以上を合計でｏ、ｏ ｏ ｓ〜２．５％８ｅ
、 Ｏａ 、 Ｔｏ 、 Ｂｉ 、 Ｓｎ 、 Ｐｂ
はいずれもリードフレーム材料の打ち抜き加工性を高め
るのに有効な元素でｔｂｂ、このような効果を得るため
にはこれらの元素の１種またｉｊ２種以上を合計でｏ、
ｏ ｏ ｓ％以上含有させる。しかしながら、含有量が
多すぎると、リードフレーム材料の靭性を低下すると同
時に熱間加工性が著しく劣化するので、上記元素の１種
または２種以上を合計で２．５％以下とし、且つ各元素
の上限をそれぞれ前記した値に定める。
Ｂ ： ０，０ ０ ３〜０．０ ２ ０％８はリ
ードフレーム材料の打ち抜き加工性を高めるのに有効な
元素であ）、このような効果を得るために＃′ｉｏ、ｏ
ｏ ３％以上含有させる。しかし、含有量が多すぎる
と熱間加工性が劣化し、鍛造時に角割れを生ずるので、
ｏ、ｏ ２ ｏ％以下とする。
ードフレーム材料の打ち抜き加工性を高めるのに有効な
元素であ）、このような効果を得るために＃′ｉｏ、ｏ
ｏ ３％以上含有させる。しかし、含有量が多すぎる
と熱間加工性が劣化し、鍛造時に角割れを生ずるので、
ｏ、ｏ ２ ｏ％以下とする。
Ｆｅ：残部
Ｆｅ はリードフレーム材料の強度を保持し、上記添
加成分のマトリックスとして残部とする。
加成分のマトリックスとして残部とする。
そのほか、不純物元素としては、溶解精錬時の脱酸・脱
窒元素、ガス成分および原料から混入する元素などが考
えられるが、具体的に絋、Ｃ： ０．０２％以下、Ｓｌ
：０．５０％以下、Ｐ：０．０１０％以下、Ｃｕ：０．
２％以下、Ｔｉ ： ｏ、１％以下、Ｚｒ：０．１％以
下、Ｎ ： ５０ ｐｐｍ以下、０ ： ５０ ｐｐｗ
ｒ以下に規制することがよル望ましい。
窒元素、ガス成分および原料から混入する元素などが考
えられるが、具体的に絋、Ｃ： ０．０２％以下、Ｓｌ
：０．５０％以下、Ｐ：０．０１０％以下、Ｃｕ：０．
２％以下、Ｔｉ ： ｏ、１％以下、Ｚｒ：０．１％以
下、Ｎ ： ５０ ｐｐｍ以下、０ ： ５０ ｐｐｗ
ｒ以下に規制することがよル望ましい。
Ｍｇ、Ｕ ：
不純物元素として規制されるＭＬムｌについては本発明
によシ後述のごとく低減し得、Ｍｇ ＜５ ｐｐｍ 、
Ａ／＜ ２０ ｐｐｍとすることができる。
によシ後述のごとく低減し得、Ｍｇ ＜５ ｐｐｍ 、
Ａ／＜ ２０ ｐｐｍとすることができる。
このような成分範囲のリードフレーム材料の製造は、例
えば、上記成分範囲の材料を前記のように溶製したのち
造塊し、鍛造および粗圧延した後９５０Ｃ以下の温度で
焼鈍し、３０％以下程度の圧下率で最終板厚まで冷間圧
延し、その後５００〜７２０Ｃの温度で焼鈍することに
よル行えばよい。焼鈍温度、圧下率などに特に制限はな
いが、焼鈍温度を５００〜７２０Ｃの範囲とすることが
望ましいのは、５００Ｃよシも低いと打ち抜きの際に歪
金生じてその後の工程（自動ワイヤボンディング工程な
ど）において支障をきたすことがあｌ）、７２０Ｃよシ
も高いと再結晶を生じて打ち抜き加工性が低下してくる
ためである。
えば、上記成分範囲の材料を前記のように溶製したのち
造塊し、鍛造および粗圧延した後９５０Ｃ以下の温度で
焼鈍し、３０％以下程度の圧下率で最終板厚まで冷間圧
延し、その後５００〜７２０Ｃの温度で焼鈍することに
よル行えばよい。焼鈍温度、圧下率などに特に制限はな
いが、焼鈍温度を５００〜７２０Ｃの範囲とすることが
望ましいのは、５００Ｃよシも低いと打ち抜きの際に歪
金生じてその後の工程（自動ワイヤボンディング工程な
ど）において支障をきたすことがあｌ）、７２０Ｃよシ
も高いと再結晶を生じて打ち抜き加工性が低下してくる
ためである。
次に、実施例および比較例によシ本発明を更に詳細に説
明する。
明する。
実施例１、比較例１
０ａＯと８０％ＯａＦ ２とケイ酸（ｓｔｏ２）より成
シ、度スラグ）を用い、０７８の変化（値）を横軸に、
縦軸にレードル中の’ｇ ｓ ＠’ｔ ７ ”ツトし、
これら塩基度とＭｉｓ（ロ）との関係を観察したところ
、それぞれ第２図および第３図に示す通シであった。
シ、度スラグ）を用い、０７８の変化（値）を横軸に、
縦軸にレードル中の’ｇ ｓ ＠’ｔ ７ ”ツトし、
これら塩基度とＭｉｓ（ロ）との関係を観察したところ
、それぞれ第２図および第３図に示す通シであった。
尚比較のためｆｃ、 ＣａＯと９６％（３ａＦ２ よ
シ成るスラグ（高塩基度スラグ）を用い高塩基度操業を
行ない、同様に第２図および第５図に示すようにグラフ
化した。第２図および第３図にて、白ぬきのブ四ットは
高塩基度操業を示す、第２図に示すように、塩基度とレ
ードルＭｇ との間には強相関係があシ、塩基度の低
下に伴ないＭｇが減少すること、第３図に示すように、
レードル（ロ）は、塩基度による変化がほとんどなく、
塩基度が低下しても増加しない即ち低塩基度操業でも高
塩基度操業と同様の（ロ）水準を保持していることが判
る。
シ成るスラグ（高塩基度スラグ）を用い高塩基度操業を
行ない、同様に第２図および第５図に示すようにグラフ
化した。第２図および第３図にて、白ぬきのブ四ットは
高塩基度操業を示す、第２図に示すように、塩基度とレ
ードルＭｇ との間には強相関係があシ、塩基度の低
下に伴ないＭｇが減少すること、第３図に示すように、
レードル（ロ）は、塩基度による変化がほとんどなく、
塩基度が低下しても増加しない即ち低塩基度操業でも高
塩基度操業と同様の（ロ）水準を保持していることが判
る。
実施例２、比較例２
第１表に示す材料について溶製を行ない、かつ、これら
材料の清浄度および介在物組成を調べた。
材料の清浄度および介在物組成を調べた。
溶製結果を第１表に示す。又、第１表および第２表にＪ
ＩＢ法による清浄度分析結果を、第５表に五８ＴＭ−Ｄ
法による分析値を示す。
ＩＢ法による清浄度分析結果を、第５表に五８ＴＭ−Ｄ
法による分析値を示す。
＃ｃ１表〜第３表に示すように、低塩基度操業による清
浄度の悪化は無いといえる。
浄度の悪化は無いといえる。
又、上記分析結果にも示すように、低塩基度溶製材では
、く５μｍ の介在物中のＭｇＯがはげなくな）、スピ
ネル系介在物が低減した。
、く５μｍ の介在物中のＭｇＯがはげなくな）、スピ
ネル系介在物が低減した。
さらに、試料ＡＩの溶製材を造塊し、鍛造および粗圧延
した後９５０Ｃ以下の温度で焼鈍し、約５０％の圧下率
で冷間圧延して冷間圧延材についての表面疵状況ｔ−調
べた結果、フクレなど素材起因の疵は認められなかった
。
した後９５０Ｃ以下の温度で焼鈍し、約５０％の圧下率
で冷間圧延して冷間圧延材についての表面疵状況ｔ−調
べた結果、フクレなど素材起因の疵は認められなかった
。
実施例３、比較例３
次に示す組成のスラグを用い、第４表に示す材料を溶製
した。結果を第４表に示す。
した。結果を第４表に示す。
（本発明例、低塩基度スラグ、Ｏ／１３＝：＝１５８
）（比較例、高塩度スラグ、ａ／５＝＝３．４７）脱ガ
ス前後（以下ｖｉＩＩｖ後という）、加熱溶製中（以下
Ｈ中という）およびＬＦ終了時（以下ＬＦ未という）に
各分析サンプルを採取し。
）（比較例、高塩度スラグ、ａ／５＝＝３．４７）脱ガ
ス前後（以下ｖｉＩＩｖ後という）、加熱溶製中（以下
Ｈ中という）およびＬＦ終了時（以下ＬＦ未という）に
各分析サンプルを採取し。
これらの、溶製過程中での介在物形態および組成につき
調べた。結果を次の第５表に示す。
調べた。結果を次の第５表に示す。
上記第５表に示す結果から１本発明低塩基度操業によれ
ば介在物組成において特に注目すべきは、Ｖ後〜ＬＦ未
において、ＭＬムｌが著しく少ないことであル、スピネ
ル系介在物が生成されにくいことが理解される。
ば介在物組成において特に注目すべきは、Ｖ後〜ＬＦ未
において、ＭＬムｌが著しく少ないことであル、スピネ
ル系介在物が生成されにくいことが理解される。
実施例４
実施例３と同様にして、但し、Ｃ／８を第６表に示すよ
うに変えて、溶製を行った。第６表に結果を示す。
うに変えて、溶製を行った。第６表に結果を示す。
上記第６表から、塩基度の低減に伴碌いＭｇは低下し、
塩基度が１以下になると（ロ）が下がルにくくな〕、低
Ｍｇ、低ＡＩ！でΦ〕を３０ ｐｐｍ以下にするために
はＣ／８を１．５〜２．０とすることが望ましく、かつ
Ｏ／ Ｓ中１．５とするのが最適であることが判った。
塩基度が１以下になると（ロ）が下がルにくくな〕、低
Ｍｇ、低ＡＩ！でΦ〕を３０ ｐｐｍ以下にするために
はＣ／８を１．５〜２．０とすることが望ましく、かつ
Ｏ／ Ｓ中１．５とするのが最適であることが判った。
以上説明してきたように、本発明によれば、低塩基度操
業によっても、＠の増加ははとんどなく高塩基度操業と
同様の水準を保持することができた。
業によっても、＠の増加ははとんどなく高塩基度操業と
同様の水準を保持することができた。
この理由については、本発明者らの実験によれば、次の
ようであると考えられる。
ようであると考えられる。
即ち、低塩基度スラグは融点が高く、かつ、流動性も悪
いことが本発明者らの実験によ）確められた。これに対
し、高塩基度スラグはスラグ流動性が良く、この流動性
が良いということは取鍋耐火レンガ表面における物質移
動が速く、表面からのＭｇＯの濃度勾配が急になること
によシ、反応速度が大きい状態にあシ、スラグ流動によ
る摩耗が増大する。
いことが本発明者らの実験によ）確められた。これに対
し、高塩基度スラグはスラグ流動性が良く、この流動性
が良いということは取鍋耐火レンガ表面における物質移
動が速く、表面からのＭｇＯの濃度勾配が急になること
によシ、反応速度が大きい状態にあシ、スラグ流動によ
る摩耗が増大する。
従って、低塩基度スラグは融点が高く、粘性も高く、ス
ラグ酸化物のレンガへの浸透が少なく、レンガ溶損量が
少なく、そのため、（ロ）も少なくなったものと考えら
れる。
ラグ酸化物のレンガへの浸透が少なく、レンガ溶損量が
少なく、そのため、（ロ）も少なくなったものと考えら
れる。
本発明によれば、ＭｇやムＩ！ｔ−低減し、Ｍｇ−ムｌ
を主体とする介在物を低減し、形態を変化させて、メッ
キ性特にムｇ メッキ性を良好にすることができた。
を主体とする介在物を低減し、形態を変化させて、メッ
キ性特にムｇ メッキ性を良好にすることができた。
又１表面疵もなく良好であった。
さらに、本発明によれば低塩基度スラグの使用により、
耐火物の溶損に対し有利となった。
耐火物の溶損に対し有利となった。
第１図はＬＰ法の一例を示す原理図、第２図は塩基度と
Ｍｇ との関係を示すグラフ、第３図は塩基度と（ロ
）との関係を示すグラフである。 ４・・・スラグ 特許出願人 大同特殊鋼株式会社 代理人弁理士 佐 藤 良 博 ＊１．國 第２図 Ｃ１５（αＦ２餘〈） 第３図 Ｃβ（ＱＰｘ離〈）
Ｍｇ との関係を示すグラフ、第３図は塩基度と（ロ
）との関係を示すグラフである。 ４・・・スラグ 特許出願人 大同特殊鋼株式会社 代理人弁理士 佐 藤 良 博 ＊１．國 第２図 Ｃ１５（αＦ２餘〈） 第３図 Ｃβ（ＱＰｘ離〈）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、塩基度が２．５以下のスラグにより、溶製を行ない
、Ｎｉ含有量３０〜５０重量％のＮｉ−Ｆｅ系リードフ
レーム材料を得ることを特徴とする低塩基度操業による
リードフレーム材料の製造方法。 ２、スラグが、ＣａＯとＣａＦ＿２とＳｉＯ＿２とより
成る、特許請求の範囲第１項記載のリードフレーム材料
の製造方法。 ３、リードフレーム材料のＮｉ含有量が、４２重量％で
ある、特許請求の範囲第１項記載のリードフレーム材料
の製造方法。 ４、塩基度が、１．５〜２．０である、特許請求の範囲
第１項記載のリードフレーム材料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15210484A JPS6130646A (ja) | 1984-07-24 | 1984-07-24 | リ−ドフレ−ム材料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15210484A JPS6130646A (ja) | 1984-07-24 | 1984-07-24 | リ−ドフレ−ム材料の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6130646A true JPS6130646A (ja) | 1986-02-12 |
Family
ID=15533139
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15210484A Pending JPS6130646A (ja) | 1984-07-24 | 1984-07-24 | リ−ドフレ−ム材料の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6130646A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2659984A1 (fr) * | 1990-03-22 | 1991-09-27 | Nippon Kokan Kk | Ruban d'alliage fe-ni lamine a froid et son procede de fabrication. |
| US5391241A (en) * | 1990-03-22 | 1995-02-21 | Nkk Corporation | Fe-Ni alloy cold-rolled sheet excellent in cleanliness and etching pierceability |
-
1984
- 1984-07-24 JP JP15210484A patent/JPS6130646A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2659984A1 (fr) * | 1990-03-22 | 1991-09-27 | Nippon Kokan Kk | Ruban d'alliage fe-ni lamine a froid et son procede de fabrication. |
| US5391241A (en) * | 1990-03-22 | 1995-02-21 | Nkk Corporation | Fe-Ni alloy cold-rolled sheet excellent in cleanliness and etching pierceability |
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