JPS6342360A - 半導体機器用銅系リ−ド材の製造法 - Google Patents
半導体機器用銅系リ−ド材の製造法Info
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- JPS6342360A JPS6342360A JP18607786A JP18607786A JPS6342360A JP S6342360 A JPS6342360 A JP S6342360A JP 18607786 A JP18607786 A JP 18607786A JP 18607786 A JP18607786 A JP 18607786A JP S6342360 A JPS6342360 A JP S6342360A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体機器用銅系リード材の製造法に関し、特
に半導体のリードフレーム等に利用される強度と導電性
（放熱性）を兼有し、かつ成型加工性、メツキ性、半田
付は性、耐食性等に優れたリード材を提供するものでお
る。
に半導体のリードフレーム等に利用される強度と導電性
（放熱性）を兼有し、かつ成型加工性、メツキ性、半田
付は性、耐食性等に優れたリード材を提供するものでお
る。
（従来の技術）
ＩＣ，トランジスター、ＬＳＩなどの半導体リードフレ
ームには、４２合金ヤコハール合金が使用されているが
、放熱性の観点から銅系の高強度合金が求められている
。このような銅合金としでは、例えばＣ１９５（Ｃｕ−
１，５ｗｔ％Ｆｅ−０，８ｗｔ％（：、 ｏ −０，６
ｗｔ％５ｎ−Ｐ合金）（以下ｗｔ％を％と略記）やリン
青銅が知られている。
ームには、４２合金ヤコハール合金が使用されているが
、放熱性の観点から銅系の高強度合金が求められている
。このような銅合金としでは、例えばＣ１９５（Ｃｕ−
１，５ｗｔ％Ｆｅ−０，８ｗｔ％（：、 ｏ −０，６
ｗｔ％５ｎ−Ｐ合金）（以下ｗｔ％を％と略記）やリン
青銅が知られている。
しかしＣ１９５は導電率５０％ｌＡＣ３，引張り強さ５
５Ｋｇ／−の特性を示すも、成型加工性、メツキ性。
５Ｋｇ／−の特性を示すも、成型加工性、メツキ性。
半田付は性が劣り、リン青銅は強度や成型加工性が優れ
ているも、導電率が１０〜２０％ｌＡＣ３と低く、放熱
性が劣る。
ているも、導電率が１０〜２０％ｌＡＣ３と低く、放熱
性が劣る。
最近Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系の析出を利用したリード材の製
造法が特公昭５９−４９２９３Ｍ公報により提案されて
いる。これはＮｉ３〜３．５％、Ｓｉ０．５〜０．９％
、 Ｚｎ０．１〜５％、Ｍｎ０．０２〜１％、残部Ｃｕ
からなる鋳塊を６００℃以上で熱間加工した後、１５℃
／ｓｅｃ以上の冷却速度で冷却し、これに冷間加工と熱
処理を施して仕上げるもので、導電率３０〜５０％ｌＡ
Ｃ３，引張り強さ５０〜６０Ｋｔｊ／ｓｒｉのリードフ
レーム材が得られる。また類似の方法が特開昭５８−１
２４２５７号公報及び特公昭６０−４５６９８号公報に
より提案されており、何れも２〜５μのＮｉｚＳｉ析出
物が分散した組織を示す。
造法が特公昭５９−４９２９３Ｍ公報により提案されて
いる。これはＮｉ３〜３．５％、Ｓｉ０．５〜０．９％
、 Ｚｎ０．１〜５％、Ｍｎ０．０２〜１％、残部Ｃｕ
からなる鋳塊を６００℃以上で熱間加工した後、１５℃
／ｓｅｃ以上の冷却速度で冷却し、これに冷間加工と熱
処理を施して仕上げるもので、導電率３０〜５０％ｌＡ
Ｃ３，引張り強さ５０〜６０Ｋｔｊ／ｓｒｉのリードフ
レーム材が得られる。また類似の方法が特開昭５８−１
２４２５７号公報及び特公昭６０−４５６９８号公報に
より提案されており、何れも２〜５μのＮｉｚＳｉ析出
物が分散した組織を示す。
（発明が解決しようとする問題点〕
日進月歩の半導体において、高密度化、高集積化と同時
に高度の信頼性が益々強く志向され、これ等に利用され
るリードフレームの特性も一層の高性能化が望まれてい
る。このためには析出物を微細均質に析出させて強度と
導電率を向上させることが重要であると同時に析出物の
吊を必要最小限に押えることが望ましい。即ち析出物が
大きい程、また高濃度程成型加工性に乏しい結果となり
、必要な強度を得るためにより多量の析出物を利用する
と、メツキのフタレやピンホールが多くなると共に、半
田付は性も低下する等悪循環におち入る。
に高度の信頼性が益々強く志向され、これ等に利用され
るリードフレームの特性も一層の高性能化が望まれてい
る。このためには析出物を微細均質に析出させて強度と
導電率を向上させることが重要であると同時に析出物の
吊を必要最小限に押えることが望ましい。即ち析出物が
大きい程、また高濃度程成型加工性に乏しい結果となり
、必要な強度を得るためにより多量の析出物を利用する
と、メツキのフタレやピンホールが多くなると共に、半
田付は性も低下する等悪循環におち入る。
ＬＳＩやＶＬＳＩに必要とされるリード数の多い高精密
微細なリードフレーム材には、強度及び導電率を共に高
く保持すると同時に、プレスやエツチングによる打法き
曲げ加工に耐える精密な成型加工性とＡ９ヤ５ｎ−Ｐｂ
合金などのメツキの健全性、半田付けの信頼性、耐食性
等が強く求められている。
微細なリードフレーム材には、強度及び導電率を共に高
く保持すると同時に、プレスやエツチングによる打法き
曲げ加工に耐える精密な成型加工性とＡ９ヤ５ｎ−Ｐｂ
合金などのメツキの健全性、半田付けの信頼性、耐食性
等が強く求められている。
本発明はこれに鑑み種々研究の結果、半導体リードフレ
ーム等に利用される強度と導電性（放熱性）を兼有し、
かつ成型加工性、メツキ性、半田付は性、 ｉ４食性等
に優れた半導体機器用銅系リード材の製造法を開発した
ものである。
ーム等に利用される強度と導電性（放熱性）を兼有し、
かつ成型加工性、メツキ性、半田付は性、 ｉ４食性等
に優れた半導体機器用銅系リード材の製造法を開発した
ものである。
本発明製造法の一つは、ＮｉとＳｉをＮｉ０．６〜３．
５％、Ｓｉを０．１〜１．０％の範囲内でＮｉとＳｉの
比（Ｎｉ／Ｓｉ）が２〜６となるように含み、Ｏ２含有
量を０．００５０％以下に制限し、残部Ｃｕと不可避的
不純物からなる銅合金素材を８００〜９８０℃で１０秒
〜５分間加熱して急冷した後、５％以上の冷間加工歪を
加え、しかる模３６０〜６００℃で１分以上加熱処理す
ることを特徴とするものでおる。
５％、Ｓｉを０．１〜１．０％の範囲内でＮｉとＳｉの
比（Ｎｉ／Ｓｉ）が２〜６となるように含み、Ｏ２含有
量を０．００５０％以下に制限し、残部Ｃｕと不可避的
不純物からなる銅合金素材を８００〜９８０℃で１０秒
〜５分間加熱して急冷した後、５％以上の冷間加工歪を
加え、しかる模３６０〜６００℃で１分以上加熱処理す
ることを特徴とするものでおる。
本発明製造法の伯の一つは、ＮｉとＳｉをＮｉ０．６〜
３．５％、Ｓｉ０．１〜１．０％の範囲内でＮｉとＳｉ
の比（Ｎｉ／Ｓｉ）が２〜６となるように含み、更にＳ
ｎ６％以下、Ｚｎ５％以下、Ｍｎ０．５％以下の範囲内
で何れか１種以上、又は／及びＭｇｏ、１％以下、 Ｃ
ａ０．１％以下。
３．５％、Ｓｉ０．１〜１．０％の範囲内でＮｉとＳｉ
の比（Ｎｉ／Ｓｉ）が２〜６となるように含み、更にＳ
ｎ６％以下、Ｚｎ５％以下、Ｍｎ０．５％以下の範囲内
で何れか１種以上、又は／及びＭｇｏ、１％以下、 Ｃ
ａ０．１％以下。
ＲＥｏ、１％以下の範囲内で何れか１種以上を含み、Ｏ
２含有量をｏ、 ｏｏｓｏ％以下に制限し、残部Ｃｕと
不可避的不純物からなる銅合金素材を、８００〜９００
℃で１０秒〜５分間加熱して急冷した後、５％以上の冷
間加工歪を加え、しかる後３６０〜６００℃で１分以上
加熱処理することを特徴とするものである。
２含有量をｏ、 ｏｏｓｏ％以下に制限し、残部Ｃｕと
不可避的不純物からなる銅合金素材を、８００〜９００
℃で１０秒〜５分間加熱して急冷した後、５％以上の冷
間加工歪を加え、しかる後３６０〜６００℃で１分以上
加熱処理することを特徴とするものである。
即ち本発明は、上記組成からなる銅合金を常法により溶
解鋳造し、得られた鋳塊を７００〜９００℃に加熱して
熱間加工し、これに必要に応じて所定寸法まで冷間加工
を加えて銅合金素材とする。この素材を８００〜９００
℃に１０秒〜３分間加熱して急冷した後、５％以上の冷
間加工歪を付与してから３６０〜６００℃で１分以上加
熱処理するものである。
解鋳造し、得られた鋳塊を７００〜９００℃に加熱して
熱間加工し、これに必要に応じて所定寸法まで冷間加工
を加えて銅合金素材とする。この素材を８００〜９００
℃に１０秒〜３分間加熱して急冷した後、５％以上の冷
間加工歪を付与してから３６０〜６００℃で１分以上加
熱処理するものである。
尚加熱処理後に、加工を付与したり、加Ｔと熱処理を繰
返して付与することもできる。また加工後に、２００〜
３５０℃の低温加熱処理を施したり、テンションレベラ
ーで仕上げることもできる。
返して付与することもできる。また加工後に、２００〜
３５０℃の低温加熱処理を施したり、テンションレベラ
ーで仕上げることもできる。
また上記組成の合金は、溶解鋳造に際し、脱酸剤として
ＰやＢを０．２％以下の範囲内で添加することができる
。更に熱間加工性の向上、脱硫作用、結晶微細化、析出
反応のコントロール。
ＰやＢを０．２％以下の範囲内で添加することができる
。更に熱間加工性の向上、脱硫作用、結晶微細化、析出
反応のコントロール。
強度、延び、耐熱性等の改善のため、Ｆｅ。
Ｃｏ、Ｔｉ、 Ｚｒ、Ｂｅ、Ｎｂ、Ｔｅ、Ｔａ。
Ｖ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｉ ｎ、Ａ１．Ｙ、Ｃｄ。
Ａ９． Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ等を１％以下の範囲内で添加
することもできる。
することもできる。
（作 用〕
本発明において、ＮｉとＳｌをＮｒｏ、ａ〜３．５％、
Ｓｉ０．１〜ｉ、ｏ％の範囲内でＮｉとＳｉの比（Ｎｉ
／Ｓｉ）が２〜６となるように含有せしめたのは、Ｎｉ
／Ｓｉが２〜６の範囲においてＮｉｚＳｉ等を析出せし
めるためで、Ｎｉ０．６％未満でもＳｉ０．１％未満で
も強度が不十分でおり、Ｎｉが３．５％を越えても、Ｓ
ｉが１．０％を越えても析出物が過剰となり、成型加工
性、メツキ性、半田付は性等を劣化するためである。ま
たＮｉとＳｉの比（Ｎｉ／Ｓｉ）が上記範囲より外れる
と、遊離又は固溶のＮｉとＳｉが過剰となり、導電率を
著しく低下せしめるばかりか、半田付けの信頼性に有害
となり、かつメツキ性を劣化する。
Ｓｉ０．１〜ｉ、ｏ％の範囲内でＮｉとＳｉの比（Ｎｉ
／Ｓｉ）が２〜６となるように含有せしめたのは、Ｎｉ
／Ｓｉが２〜６の範囲においてＮｉｚＳｉ等を析出せし
めるためで、Ｎｉ０．６％未満でもＳｉ０．１％未満で
も強度が不十分でおり、Ｎｉが３．５％を越えても、Ｓ
ｉが１．０％を越えても析出物が過剰となり、成型加工
性、メツキ性、半田付は性等を劣化するためである。ま
たＮｉとＳｉの比（Ｎｉ／Ｓｉ）が上記範囲より外れる
と、遊離又は固溶のＮｉとＳｉが過剰となり、導電率を
著しく低下せしめるばかりか、半田付けの信頼性に有害
となり、かつメツキ性を劣化する。
上記合金は、これにＳｎ、Ｚｎ、Ｍｎ （以下Ａ群元素
と略記）又は／及びＭｇ、Ｃａ、ＲＥ（以下Ｂ群元素と
略記）を付加することにより、リード材に要求される特
性を一層高度に活用できる。即ちＡ群元素は固溶元素で
あり、強度や加工性を向上し、半田付は性を改善する。
と略記）又は／及びＭｇ、Ｃａ、ＲＥ（以下Ｂ群元素と
略記）を付加することにより、リード材に要求される特
性を一層高度に活用できる。即ちＡ群元素は固溶元素で
あり、強度や加工性を向上し、半田付は性を改善する。
しかし導電率を低下するので、過剰の添加は実用的でな
い。この傾向は３ｎ、！ｖｌｎで特に著しく、一方過剰
のＺｎは耐食性を低下するばかりか、半導体パッケージ
工程でＺｎ蒸気による汚染問題を起す。またＢ群元素は
析出元素で導電率を大巾に低下することなく、強度を改
善し、かつ脱硫、脱酸素に有効に作用する。更に熱間加
工性を改善するばかりか、溶体化時の粒成長を抑え、リ
ード材の加工性や強度向上に働く。ただし過剰濃度では
メツキ性や半田付は性を低下するばかりか、溶解鋳造や
熱間加工を困難にする。
い。この傾向は３ｎ、！ｖｌｎで特に著しく、一方過剰
のＺｎは耐食性を低下するばかりか、半導体パッケージ
工程でＺｎ蒸気による汚染問題を起す。またＢ群元素は
析出元素で導電率を大巾に低下することなく、強度を改
善し、かつ脱硫、脱酸素に有効に作用する。更に熱間加
工性を改善するばかりか、溶体化時の粒成長を抑え、リ
ード材の加工性や強度向上に働く。ただし過剰濃度では
メツキ性や半田付は性を低下するばかりか、溶解鋳造や
熱間加工を困難にする。
上記Ａ群及び８群の両元素を併用するとき、その作用効
果も併せて奏することができる。特にこれ等元素の重要
な作用は溶体化焼入処理の完全化と冷却過程で不可避的
に起るＮｉｚＳｉ析出を極少化することで、これにはＳ
ｎ、Ｍｇ。
果も併せて奏することができる。特にこれ等元素の重要
な作用は溶体化焼入処理の完全化と冷却過程で不可避的
に起るＮｉｚＳｉ析出を極少化することで、これにはＳ
ｎ、Ｍｇ。
Ｚｎ２Ｍｎ等が有効である。
また■含有量を０．００５０％以下と制限したのは過剰
のα分は製造加工を困難にするばかりか、強度、成型加
工性、メツキ性、半田付は性等の特性を劣化するためで
ある。
のα分は製造加工を困難にするばかりか、強度、成型加
工性、メツキ性、半田付は性等の特性を劣化するためで
ある。
上記組成の合金素材は、８００〜９８０℃で１０秒〜５
分聞の加熱処理により溶体化できる。しかして下限未満
の処理では溶体化が不十分であり、上限を越えると結晶
粗大化などの不都合を生じる。加熱後は直ちに急冷し、
常温で溶体化状態とする。冷却速度は約り０℃／ｓｅｃ
以上、特に望ましくは３６０℃までの高温域で２５℃／
ｓｅｃ以上とする。溶体化された素材は５％以上の加工
歪を加えてから３６０〜６００℃で１分以上加熱処理す
ることにより、微細均一な析出を行なうことができる。
分聞の加熱処理により溶体化できる。しかして下限未満
の処理では溶体化が不十分であり、上限を越えると結晶
粗大化などの不都合を生じる。加熱後は直ちに急冷し、
常温で溶体化状態とする。冷却速度は約り０℃／ｓｅｃ
以上、特に望ましくは３６０℃までの高温域で２５℃／
ｓｅｃ以上とする。溶体化された素材は５％以上の加工
歪を加えてから３６０〜６００℃で１分以上加熱処理す
ることにより、微細均一な析出を行なうことができる。
この加熱処理に先立つ加工は均質な析出に必要な条件で
あり、かつ強度の向上に動くもので、特に望ましくは５
分以上である。以上の処理により析出物は実質的に１μ
以下となり、導電率を回復して機械的強度を極大化する
と共に実用諸特性を最適化できる。
あり、かつ強度の向上に動くもので、特に望ましくは５
分以上である。以上の処理により析出物は実質的に１μ
以下となり、導電率を回復して機械的強度を極大化する
と共に実用諸特性を最適化できる。
上記加熱処理の後、再び冷間加工、特に望ましくは５〜
５０％の加工を付加することにより、強度の向上と調質
に有効であり、かつ表面平滑化など表面品質を向上し、
ボンディングやメツキ性、半田付は性の向上に大きく寄
与する。
５０％の加工を付加することにより、強度の向上と調質
に有効であり、かつ表面平滑化など表面品質を向上し、
ボンディングやメツキ性、半田付は性の向上に大きく寄
与する。
実施例１
第１表に示す組成（分析値）の合金を黒鉛ルツボで溶解
して金型鋳型に鋳造し、外削して巾１００＃ｌ１１１．
厚さ４０！Ｒ１ＩＩ、長ざ３００＃とした鋳塊を８８０
℃に加熱して熱間圧延により厚さ８護の板とした。この
板を酸洗してから冷間圧延、焼鈍。
して金型鋳型に鋳造し、外削して巾１００＃ｌ１１１．
厚さ４０！Ｒ１ＩＩ、長ざ３００＃とした鋳塊を８８０
℃に加熱して熱間圧延により厚さ８護の板とした。この
板を酸洗してから冷間圧延、焼鈍。
冷間圧延の工程により厚さ０．５．の板とし、非酸化雰
囲気炉中で連続的に８５０℃で１分間加熱してから水シ
Ｖワーにより３０秒以内で常温まで冷却した。これを厚
ざ０．４２．まで冷間圧延した後、４２０’Ｃで２時間
加熱処理し、次に厚さ０．３５ｍまで冷間圧延してから
テンションレベラーと３００ ’Ｃ・３０分の加熱処理
を施した。
囲気炉中で連続的に８５０℃で１分間加熱してから水シ
Ｖワーにより３０秒以内で常温まで冷却した。これを厚
ざ０．４２．まで冷間圧延した後、４２０’Ｃで２時間
加熱処理し、次に厚さ０．３５ｍまで冷間圧延してから
テンションレベラーと３００ ’Ｃ・３０分の加熱処理
を施した。
このようにして仕上げた板について引張強ざ。
伸び、導電率２曲げ成型性、半田付は性、Ａｇメツキ性
、５ｎ−Ｐｂ合金メツキ性及び耐食性を調べた。その結
果を第２表に示す。
、５ｎ−Ｐｂ合金メツキ性及び耐食性を調べた。その結
果を第２表に示す。
曲げ成型性は、板の圧延方向と、その直角方向について
、先端各種半径（Ｒ）の９０”ポンチを用いたＶ曲げ法
により、板厚（１）に対する割れの発生しない最少曲げ
半径（Ｒ）との比（Ｒ／ｌ）を求めた。半田付は性は板
の直径５ｍの部分にＣｕのリード線を半田付けし、１５
０℃で１５０時間処理した後、プル試験を行なって接合
力（Ｋｙ／７）を求めた。Ａｇメツキ性は表面を０．３
μエツチングしてから下記Ａ９ストライクメツキ浴とＡ
３厚メツキ浴を用いて厚さ３μのＡｇメツキを行ない、
これを４５０℃で５分間加熱して実体顕微鏡によりフク
レの有無を調べた。また５ｎ−Ｐｂ合金メツキは下記の
３ ｎ−Ｐｂ合金メツキ浴を用い、厚さ７．５μの３ｎ
−ｉｏ％Ｐｂ合金メツキを施し、１００℃で３００１．
’ｉ間エージングしてから１８０°密着曲げを行ない、
メツキ層の剥離を実体顕微鏡で観察した。また耐食性に
ついては、ＪＩＳ Ｃ３８０６に準じ、３％ＮＨ３蒸気
中で引張強さの７５％の荷重をかけ、破断までの時間を
測定した。
、先端各種半径（Ｒ）の９０”ポンチを用いたＶ曲げ法
により、板厚（１）に対する割れの発生しない最少曲げ
半径（Ｒ）との比（Ｒ／ｌ）を求めた。半田付は性は板
の直径５ｍの部分にＣｕのリード線を半田付けし、１５
０℃で１５０時間処理した後、プル試験を行なって接合
力（Ｋｙ／７）を求めた。Ａｇメツキ性は表面を０．３
μエツチングしてから下記Ａ９ストライクメツキ浴とＡ
３厚メツキ浴を用いて厚さ３μのＡｇメツキを行ない、
これを４５０℃で５分間加熱して実体顕微鏡によりフク
レの有無を調べた。また５ｎ−Ｐｂ合金メツキは下記の
３ ｎ−Ｐｂ合金メツキ浴を用い、厚さ７．５μの３ｎ
−ｉｏ％Ｐｂ合金メツキを施し、１００℃で３００１．
’ｉ間エージングしてから１８０°密着曲げを行ない、
メツキ層の剥離を実体顕微鏡で観察した。また耐食性に
ついては、ＪＩＳ Ｃ３８０６に準じ、３％ＮＨ３蒸気
中で引張強さの７５％の荷重をかけ、破断までの時間を
測定した。
△３ストライクメツキ浴
Ａ！７Ｃｎ ３．５ ｇ／Ｉ
ＫＧＮ ３５ｇ／ｌ
電流密度 ５Ａ／ｄイ
時 間 １５ ＳｅＣ
／”Ｊ厚メツキ浴
Ａ’ｊＣＮ ３０’Ｊ／、Ｉ
Ｋ ＣＮ ５０ｇ／ 、ｉ！
に２ＣＯ３１５ｙ／ｆ
電流密度 ２．５ Ａ／ｄ尻
５ｎ−Ｐｂ合金メツキ浴
Ｓｎ 十＋ ５０（ｊ／１
ｐ ｂ＋＋ ４．４ｇ ／
１ｔ−ｂＢ Ｆ４ １ｏｏｇ／ Ｊ！。
ｐ ｂ＋＋ ４．４ｇ ／
１ｔ−ｂＢ Ｆ４ １ｏｏｇ／ Ｊ！。
ト１３ＢＯ３３０９／１
βナフトール １．５ｃＪ＃！
ニカワ ２ｇ／ｌ
浴 温 １５℃
電流密度 ４．ＯＡ／ｄ尻
実施例２
第１表中Ｎｏ、 ５に示す本発明用合金を用い、実施例
１と同様にして厚さ０．５＃の板とし、その後の工程を
変えて厚さ０．３５Ｍの板に仕上げ、これ等について実
施例１と同様にして各特性を調べた。その結果を第２表
に併記した。
１と同様にして厚さ０．５＃の板とし、その後の工程を
変えて厚さ０．３５Ｍの板に仕上げ、これ等について実
施例１と同様にして各特性を調べた。その結果を第２表
に併記した。
表中本発明法Ｎ０．１７は実施例１の８５０℃・１分間
の加熱に代えて９８０℃で１５秒間加熱した。本発明法
Ｎｏ、 １８は実施例１の冷間圧延後の４２０℃・２時
間の加熱処理に代えて、５１０’Ｃで０．５時間加熱し
た。本発明法Ｎα１９は実施例１において急冷後、０．
４３８ｍまで冷間圧延してから４２０ ’Ｃで２時間加
熱した。比較法Ｎα２０は、実施例１における急冷に代
えて空冷（冷却速度は約４〜５℃／５ｅｃ） Ｌ／た。
の加熱に代えて９８０℃で１５秒間加熱した。本発明法
Ｎｏ、 １８は実施例１の冷間圧延後の４２０℃・２時
間の加熱処理に代えて、５１０’Ｃで０．５時間加熱し
た。本発明法Ｎα１９は実施例１において急冷後、０．
４３８ｍまで冷間圧延してから４２０ ’Ｃで２時間加
熱した。比較法Ｎα２０は、実施例１における急冷に代
えて空冷（冷却速度は約４〜５℃／５ｅｃ） Ｌ／た。
比較法Ｎα２１は実施例１の８５０℃・１分間の加熱に
代えて９００℃で７分間加熱した。
代えて９００℃で７分間加熱した。
比較法Ｎｏ、２２は実施例１の４２０℃・２時間の加熱
処理に代えて６５０℃で１５分間加熱した。比較法Ｎα
２３は実施例１の４２０℃・２時間の加熱処理に代えて
３３０℃で６時間加熱した。
処理に代えて６５０℃で１５分間加熱した。比較法Ｎα
２３は実施例１の４２０℃・２時間の加熱処理に代えて
３３０℃で６時間加熱した。
第２表から明らかなように、本発明法Ｎｏ１−１０及び
Ｎｏ、 １７〜１９によるものは、大きな強度と成型加
工性を兼有し、かつ導電性、半田付は性。
Ｎｏ、 １７〜１９によるものは、大きな強度と成型加
工性を兼有し、かつ導電性、半田付は性。
メツキ性及び耐食性が優れていることが判る。
特にＮ０１１〜３に対しＡ群又は／及び８群の元素を含
有するＮα４〜１０及びＮα１７〜１９では導電性に多
少の低下は認められるも強度、成型加工性。
有するＮα４〜１０及びＮα１７〜１９では導電性に多
少の低下は認められるも強度、成型加工性。
半田付は性等の改善効果が大きいことが判る。
これに対し本発明で規定する合金組成より外れる比較法
Ｎα１１〜１６及び本発明で規定する製造条件より外れ
る比較法Ｎ（１２０〜２３では特性の何れか一つ以上が
劣ることが判る。即らＮｉと５ｉの比（Ｎｉ／Ｓｉ）が
外れる比較法Ｎ０１１．１２では半田付は性及び３ｎ−
ｐｂ合金メツキ性が劣り、Ｚｎ含有量の多い比較法Ｎ０
１３では導電性及び耐食性が劣り、Ｍ９含有量の多い比
較法Ｎα１４及びＳｎ含有量の多い比較法Ｎ０．１５で
は熱間加工及び冷間加工で割れが発生し、歩留りが低い
ばかりか、特性も劣る。またＱ含有量が過剰な比較法Ｎ
α１６では加工性、メツキ性及び半田付は性が劣る。更
に溶体化処理条件が外れる比較法Ｎα２０、２１では、
強度及び成型加工性が劣り、溶体化処理後の加熱処理条
件が外れる比較法Ｎα２２゜２３では強度が劣るばかり
か、半田付は性やメツキ性が不十分でおる。
Ｎα１１〜１６及び本発明で規定する製造条件より外れ
る比較法Ｎ（１２０〜２３では特性の何れか一つ以上が
劣ることが判る。即らＮｉと５ｉの比（Ｎｉ／Ｓｉ）が
外れる比較法Ｎ０１１．１２では半田付は性及び３ｎ−
ｐｂ合金メツキ性が劣り、Ｚｎ含有量の多い比較法Ｎ０
１３では導電性及び耐食性が劣り、Ｍ９含有量の多い比
較法Ｎα１４及びＳｎ含有量の多い比較法Ｎ０．１５で
は熱間加工及び冷間加工で割れが発生し、歩留りが低い
ばかりか、特性も劣る。またＱ含有量が過剰な比較法Ｎ
α１６では加工性、メツキ性及び半田付は性が劣る。更
に溶体化処理条件が外れる比較法Ｎα２０、２１では、
強度及び成型加工性が劣り、溶体化処理後の加熱処理条
件が外れる比較法Ｎα２２゜２３では強度が劣るばかり
か、半田付は性やメツキ性が不十分でおる。
このように本発明によれば、半導体リードフレーム等に
要求される広範な特性を高度に満足できるもので、半導
体機器用リード材として高集積化、高機能化と共に高信
頼性とコストパフォーマンスを同時に達成することがで
きる等工業上顕著な効果を奏するものである。
要求される広範な特性を高度に満足できるもので、半導
体機器用リード材として高集積化、高機能化と共に高信
頼性とコストパフォーマンスを同時に達成することがで
きる等工業上顕著な効果を奏するものである。
Claims (2)
- （１）ＮｉとＳｉをＮｉ０．６〜３．５ｗｔ％、Ｓｉ０
．１〜１．０ｗｔ％の範囲内でＮｉとＳｉの比（Ｎｉ／
Ｓｉ）が２〜６となるように含み、Ｏ＿２含有量を０．
００５０ｗｔ％以下に制限し、残部Ｃｕと不可避的不純
物からなる銅合金素材を、８００〜９８０℃で１０秒〜
５分間加熱して急冷した後、５％以上の冷間加工歪を加
え、しかる後３６０〜６００℃で１分以上加熱処理する
ことを特徴とする半導体機器用銅系リード材の製造法。 - （２）ＮｉとＳｉをＮｉ０．６〜３．５ｗｔ％、Ｓｉ０
．１〜１．０ｗｔ％の範囲内でＮｉとＳｉの比（Ｎｉ／
Ｓｉ）が２〜６となるように含み、更にＳｎ６ｗｔ％以
下、Ｚｎ５ｗｔ％以下、Ｍｎ０．５ｗｔ％以下の範囲内
で何れか１種以上、又は／及びＭｇ０．１ｗｔ％以下、
Ｃａ０．１ｗｔ％以下、ＲＥ（希土類）０．１ｗｔ％以
下の範囲内で何れか１種以上を含み、Ｏ＿２含有量を０
．００５０ｗｔ％以下に制限し、残部Ｃｕと不可避的不
純物からなる銅合金素材を、８００〜９８０℃で１０秒
〜５分間加熱して急冷した後、５％以上の冷間加工歪を
加え、しかる後３６０〜６００℃で１分以上加熱処理す
ることを特徴とする半導体機器用銅系リード材の製造法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18607786A JPS6342360A (ja) | 1986-08-07 | 1986-08-07 | 半導体機器用銅系リ−ド材の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18607786A JPS6342360A (ja) | 1986-08-07 | 1986-08-07 | 半導体機器用銅系リ−ド材の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6342360A true JPS6342360A (ja) | 1988-02-23 |
| JPS64458B2 JPS64458B2 (ja) | 1989-01-06 |
Family
ID=16181978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18607786A Granted JPS6342360A (ja) | 1986-08-07 | 1986-08-07 | 半導体機器用銅系リ−ド材の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6342360A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02114404A (ja) * | 1988-10-25 | 1990-04-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 電気・電子機器用銅合金細線 |
| WO2005083137A1 (en) * | 2004-02-27 | 2005-09-09 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Copper alloy |
| JP2008024999A (ja) * | 2006-07-24 | 2008-02-07 | Dowa Holdings Co Ltd | 耐力および曲げ加工性に優れたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金板材 |
-
1986
- 1986-08-07 JP JP18607786A patent/JPS6342360A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02114404A (ja) * | 1988-10-25 | 1990-04-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 電気・電子機器用銅合金細線 |
| WO2005083137A1 (en) * | 2004-02-27 | 2005-09-09 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Copper alloy |
| US8951371B2 (en) | 2004-02-27 | 2015-02-10 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Copper alloy |
| JP2008024999A (ja) * | 2006-07-24 | 2008-02-07 | Dowa Holdings Co Ltd | 耐力および曲げ加工性に優れたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金板材 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS64458B2 (ja) | 1989-01-06 |
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