JPS64458B2 - - Google Patents
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- JPS64458B2 JPS64458B2 JP18607786A JP18607786A JPS64458B2 JP S64458 B2 JPS64458 B2 JP S64458B2 JP 18607786 A JP18607786 A JP 18607786A JP 18607786 A JP18607786 A JP 18607786A JP S64458 B2 JPS64458 B2 JP S64458B2
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Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体機器用銅系リード材の製造法に
関し、特に半導体のリードフレーム等に利用され
る強度と導電性（放熱性）を兼有し、かつ成型加
工性、メツキ性、半田付け性、耐食性等に優れた
リード材を提供するものである。 〔従来の技術〕 IC、トランジスター、LSIなどの半導体リード
フレームには、42合金やコーバル合金が使用され
ているが、放熱性の観点から銅系の高強度合金が
求められている。このような銅合金としては、例
えばC195（Cu−1.5wt％Fe−0.8wt％Co−0.6wt％
Sn−Ｐ合金）（以下wt％を％と略記）やリン青銅
が知られている。しかしC195は導電率50％
IACS、引張り強さ55Kg／mm2の特性を示すも、成
型加工性、メツキ性、半田付け性が劣り、リン青
銅は強度や成型加工性が優れているも、導電率が
10〜20％IACSと低く、放熱性が劣る。 最近Cu−Ni−Si系の析出を利用したリード材
の製造法が特公昭59−49293号公報により提案さ
れている。これはNi3〜3.5％、Si0.5〜0.9％、
Zn0.1〜５％、Mn0.02〜１％、残部Cuからなる鋳
塊を600℃以上で熱間加工した後、15℃／sec以上
の冷却速度で冷却し、これに冷間加工と熱処理を
施して仕上げるもので、導電率30〜50％IACS、
引張り強さ50〜60Kg／mm2のリードフレーム材が得
られる。また類似の方法が特開昭58−124257号公
報及び特公昭60−45698号公報により提案されて
おり、何れも２〜5μのNi2Si析出物が分散した組
織を示す。 〔発明が解決しようとする問題点〕 日進月歩の半導体において、高密度化、高集積
化と同時に高度の信頼性が益々強く志向され、こ
れ等に利用されるリードフレームの特性も一層の
高性能化が望まれている。このためには析出物を
微細均質に析出させて強度と導電率を向上させる
ことが重要であると同時に析出物の量を必要最小
限に押えることが望ましい。即ち析出物が大きい
程、また高濃度程成型加工性に乏しい結果とな
り、必要な強度を得るためにより多量の析出物を
利用すると、メツキのフクレやピンホールが多く
なると共に、半田付け性も低下する等悪循環にお
ち入る。 LSIやVLSIに必要とされるリード数の多い高
精密微細なリードフレーム材には、強度及び導電
率を共に高く保持すると同時に、プレスやエツチ
ングによる打抜き曲げ加工に耐える精密な成型加
工性とAgやSn−Pb合金などのメツキの健全性、
半田付けの信頼性、耐食性等が強く求められてい
る。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明はこれに鑑み種々研究の結果、半導体リ
ードフレーム等に利用される強度と導電性（放熱
性）を兼有し、かつ成型加工性、メツキ性、半田
付け性、耐食性等に優れた半導体機器用銅系リー
ド材の製造法を開発したものである。 本発明製造法の一つは、NiとSiをNi0.6〜3.5
％、Siを0.1〜1.0％の範囲内でNiとSiの比（Ni／
Si）が２〜６となるように含み、O2含有量を
0.0050％以下に制限し、残部Cuと不可避的不純物
からなる銅合金素材を800〜980℃で10秒〜５分間
加熱して急冷した後、５％以上の冷間加工歪を加
え、しかる後360〜600℃で１分以上加熱処理する
ことを特徴とするものである。 本発明製造法の他の一つは、NiとSiをNi0.6〜
3.5％、Si0.1〜1.0％の範囲内でNiとSiの比
（Ni／Si）が２〜６となるように含み、更にSn6
％以下、Zn5％以下、Mn0.5％以下の範囲内で何
れか１種以上、又は／及びMg0.1％以下、Ca0.1
％以下、RE0.1％以下の範囲内で何れか１種以上
を含み、O2含有量を0.0050％以下に制限し、残部
Cuと不可避的不純物からなる銅合金素材を、800
〜900℃で10秒〜５分間加熱して急冷した後５％
以上の冷間加工歪を加え、しかる後360〜600℃で
１分以上加熱処理することを特徴とするものであ
る。 即ち本発明は、上記組成からなる銅合金を常法
により溶解鋳造し、得られた鋳塊を700〜900℃に
加熱して熱間加工し、これに必要に応じて所定寸
法まで冷間加工を加えて銅合金素材とする。この
素材を800〜900℃に10秒〜３分間加熱して急冷し
た後、５％以上の冷間加工歪を付与してから360
〜600℃で１分以上加熱処理するものである。 尚加熱処理後に、加工を付与したり、加工と熱
処理を繰返して付与することもできる。また加工
後に、200〜350℃の低温加熱処理を施したり、テ
ンシヨンレベラーで仕上げることもできる。 また上記組成の合金は、溶解鋳造に際し、脱酸
剤としてＰやＢを0.2％以下の範囲内で添加する
ことができる。更に熱間加工性の向上、脱硫化
用、結晶微細化、析出反応のコントロール、強
度、延び、耐熱性等の改善のため、Fe、Co、
Ti、Zr、Be、Nb、Te、Ta、Ｖ、As、Sb、Ge、
In、Al、Ｙ、Cd、Ag、Au、Pt、Pd等を１％以
下の範囲内で添加することもできる。 〔作用〕 本発明において、NiとSiをNi0.6〜3.5％、
Si0.1〜1.0％の範囲内でNiとSiの比（Ni／Si）が
２〜６となるように含有せしめたのは、Ni／Si
が２〜６の範囲においてNi2Si等を析出せしめる
ためで、Ni0.6％未満でもSi0.1％未満でも強度が
不十分であり、Niが3.5％を越えても、Siが1.0％
を越えても析出物が過剰となり、成型加工性、メ
ツキ性、半田付け性等を劣化するためである。ま
たNiとSiの比（Ni／Si）が上記範囲より外れる
と、遊離又は固溶のNiとSiが過剰となり、導電
率を著しく低下せしめるばかりか、半田付けの信
頼性に有害となり、かつメツキ性を劣化する。 上記合金は、これにSn、Zn、Mn（以下Ａ群元
素と略記）又は／及びMg、Ca、RE（以下Ｂ群元
素と略記）を付加することにより、リード材に要
求される特性を一層高度に活用できる。即ちＡ群
元素は固溶元素であり、強度や加工性を向上し、
半田付け性を改善する。しかし導電率を低下する
ので、過剰の添加は実用的でない。この傾向は
Sn、Mnで特に著しく、一方過剰のZnは耐食性を
低下するばかりか、半導体パツケージ工程でZn
蒸気による汚染問題を起す。またＢ群元素は析出
元素で導電率を大巾に低下することなく、強度を
改善し、かつ脱硫、脱酸素に有効に作用する。更
に熱間加工性を改善するばかりか、溶体化時の粒
成長を抑え、リード材の加工性や強度向上に働
く。ただし過剰濃度ではメツキ性や半田付け性を
低下するばかりか、溶解鋳造や熱間加工を困難に
する。上記Ａ群及びＢ群の両元素を併用すると
き、その作用効果も併せて奏することができる。
特にこれ等元素の重要な作用は溶体化焼入処理の
完全化と冷却過程で不可避的に起るNi2Si析出を
極少化することで、これにはSn、Mg、Zn、Mn
等が有効である。 またO2含有量を0.0050％以下と制限したのは過
剰のO2分は製造加工を困難にするばかりか、強
度、成型加工性、メツキ性、半田付け性等の特性
を劣化するためである。 上記組成の合金素材は、800〜980℃で10秒〜５
分間の加熱処理により溶体化できる。しかして下
限未満の処理では溶体化が不十分であり、上限を
越えると結晶粗大化などの不都合を生じる。加熱
後は直ちに急冷し、常温で溶体化状態とする。冷
却速度は約10℃／sec以上、特に望ましくは360℃
までの高温域で25℃／sec以上とする。溶体化さ
れた素材は５％以上の加工歪を加えてから360〜
600℃で１分以上加熱処理することにより、微細
均一な析出を行なうことができる。この加熱処理
に先立つ加工は均質な析出に必要な条件であり、
かつ強度の向上に働くもので、特に望ましくは５
分以上である。以上の処理により析出物は実質的
に1μ以下となり、導電率を回復して機械的強度
を極大化すると共に実用諸特性を最適化できる。 上記加熱処理の後、再び冷間加工、特に望まし
くは５〜50％の加工を付加することにより、強度
の向上と調質に有効であり、かつ表面平滑化など
表面品質を向上し、ボンデイングやメツキ性、半
田付け性の向上に大きく寄与する。 実施例 １ 第１表に示す組成（分析値）の合金を黒鉛ルツ
ボで溶解して金型鋳型に鋳造し、外削して巾100
mm、厚さ40mm、長さ300mmとした鋳塊を880℃に加
熱して熱間圧延により厚さ８mmの板とした。この
板を酸洗してから冷間圧延、焼鈍、冷間圧延の工
程により厚さ0.5mmの板とし、非酸化雰囲気炉中
で連続的に850℃で１分間加熱してから水シヤワ
ーにより30秒以内で常温まで冷却した。これを厚
さ0.42mmまで冷間圧延した後、420℃で２時間加
熱処理し、次に厚さ0.35mmまで冷間圧延してから
テンシヨンレベラーと300℃・30分の加熱処理を
施した。 このようにして仕上げた板について引張強さ、
伸び、導電率、曲げ成型性、半田付け性、Agメ
ツキ性、Sn−Pb合金メツキ性及び耐食性を調べ
た。その結果を第２表に示す。 曲げ成型性は、板の圧延方向と、その直角方向
について、先端各種半径（Ｒ）の90゜ポンチを用
いたＶ曲げ法により、板厚（ｔ）に対する割れの
発生しない最少曲げ半径（Ｒ）との比（Ｒ／ｔ）
を求めた。半田付け性は板の直径５mmの部分に
Cuリード線を半田付けし、150℃で150時間処理
した後、プル試験を行なつて接合力（Kg／mm2）を
求めた。Agメツキ性は表面を0.3μエツチングし
てから下記Agストライクメツキ浴とAg厚メツキ
浴を用いて厚さ3μのAgメツキを行ない、これを
450℃で５分間加熱して実体顕微鏡によりフクレ
の有無を調べた。またSn−Pb合金メツキは下記
のSn−Pb合金メツキ浴を用い、厚さ7.5μのSn−
10％Pb合金メツキを施し、100℃で300時間エー
ジングしてから180゜密着曲げを行ない、メツキ層
の剥離を実体顕微鏡で観察した。また耐食性につ
いては、JIS C3806に準じ、３％NH3蒸気中で引
張強さの75％の荷重をかけ、破断までの時間を測
定した。 Agストライクメツキ浴 AgCn 3.5ｇ／ KCN 35ｇ／ 電流密度 5Ａ／ｄm2 時 間 15sec Ag厚メツキ浴 AgCN 30ｇ／ KCN 50ｇ／ K2CO3 15ｇ／ 電流密度 2.5A／ｄm2 Sn−Pb合金メツキ浴 Sn++ 50ｇ／ Pb++ 4.4ｇ／ H3BF4 100ｇ／ H3BO3 30ｇ／ β−ナフトール 1.5ｇ／ ニカワ 2ｇ／ 浴 温 15℃ 電流密度 4.0A／ｄm2 実施例 ２ 第１表中No.5に示す本発明合金を用い、実施
例１と同様にして厚さ0.5mmの板とし、その後の
工程を変えて厚さ0.35mmの板に仕上げ、これ等に
ついて実施例１と同様にして各特性を調べた。そ
の結果を第２表に併記した。 表中本発明法No.17は実施例１の850℃・１分
間の加熱に代えて980℃で15秒間加熱した。本発
明法No.18は実施例１の冷間圧延後の420℃・２
時間の加熱処理に代えて、510℃で0.5時間加熱し
た。本発明法No.19は実施例１において急冷後、
0.438mmまで冷間圧延してから420℃で２時間加熱
した。比較法No.20は、実施例１における急冷に
代えて空冷（冷却速度は約４〜５℃／sec）した。
比較法No.21は実施例１の850℃・１分間の加熱
に代えて900℃で７分間加熱した。比較法No.22
は実施例１の420℃・２時間の加熱処理に代えて
650℃で15分間加熱した。比較法No.23は実施例
１の420℃・２時間の加熱処理に代えて330℃で６
時間加熱した。
関し、特に半導体のリードフレーム等に利用され
る強度と導電性（放熱性）を兼有し、かつ成型加
工性、メツキ性、半田付け性、耐食性等に優れた
リード材を提供するものである。 〔従来の技術〕 IC、トランジスター、LSIなどの半導体リード
フレームには、42合金やコーバル合金が使用され
ているが、放熱性の観点から銅系の高強度合金が
求められている。このような銅合金としては、例
えばC195（Cu−1.5wt％Fe−0.8wt％Co−0.6wt％
Sn−Ｐ合金）（以下wt％を％と略記）やリン青銅
が知られている。しかしC195は導電率50％
IACS、引張り強さ55Kg／mm2の特性を示すも、成
型加工性、メツキ性、半田付け性が劣り、リン青
銅は強度や成型加工性が優れているも、導電率が
10〜20％IACSと低く、放熱性が劣る。 最近Cu−Ni−Si系の析出を利用したリード材
の製造法が特公昭59−49293号公報により提案さ
れている。これはNi3〜3.5％、Si0.5〜0.9％、
Zn0.1〜５％、Mn0.02〜１％、残部Cuからなる鋳
塊を600℃以上で熱間加工した後、15℃／sec以上
の冷却速度で冷却し、これに冷間加工と熱処理を
施して仕上げるもので、導電率30〜50％IACS、
引張り強さ50〜60Kg／mm2のリードフレーム材が得
られる。また類似の方法が特開昭58−124257号公
報及び特公昭60−45698号公報により提案されて
おり、何れも２〜5μのNi2Si析出物が分散した組
織を示す。 〔発明が解決しようとする問題点〕 日進月歩の半導体において、高密度化、高集積
化と同時に高度の信頼性が益々強く志向され、こ
れ等に利用されるリードフレームの特性も一層の
高性能化が望まれている。このためには析出物を
微細均質に析出させて強度と導電率を向上させる
ことが重要であると同時に析出物の量を必要最小
限に押えることが望ましい。即ち析出物が大きい
程、また高濃度程成型加工性に乏しい結果とな
り、必要な強度を得るためにより多量の析出物を
利用すると、メツキのフクレやピンホールが多く
なると共に、半田付け性も低下する等悪循環にお
ち入る。 LSIやVLSIに必要とされるリード数の多い高
精密微細なリードフレーム材には、強度及び導電
率を共に高く保持すると同時に、プレスやエツチ
ングによる打抜き曲げ加工に耐える精密な成型加
工性とAgやSn−Pb合金などのメツキの健全性、
半田付けの信頼性、耐食性等が強く求められてい
る。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明はこれに鑑み種々研究の結果、半導体リ
ードフレーム等に利用される強度と導電性（放熱
性）を兼有し、かつ成型加工性、メツキ性、半田
付け性、耐食性等に優れた半導体機器用銅系リー
ド材の製造法を開発したものである。 本発明製造法の一つは、NiとSiをNi0.6〜3.5
％、Siを0.1〜1.0％の範囲内でNiとSiの比（Ni／
Si）が２〜６となるように含み、O2含有量を
0.0050％以下に制限し、残部Cuと不可避的不純物
からなる銅合金素材を800〜980℃で10秒〜５分間
加熱して急冷した後、５％以上の冷間加工歪を加
え、しかる後360〜600℃で１分以上加熱処理する
ことを特徴とするものである。 本発明製造法の他の一つは、NiとSiをNi0.6〜
3.5％、Si0.1〜1.0％の範囲内でNiとSiの比
（Ni／Si）が２〜６となるように含み、更にSn6
％以下、Zn5％以下、Mn0.5％以下の範囲内で何
れか１種以上、又は／及びMg0.1％以下、Ca0.1
％以下、RE0.1％以下の範囲内で何れか１種以上
を含み、O2含有量を0.0050％以下に制限し、残部
Cuと不可避的不純物からなる銅合金素材を、800
〜900℃で10秒〜５分間加熱して急冷した後５％
以上の冷間加工歪を加え、しかる後360〜600℃で
１分以上加熱処理することを特徴とするものであ
る。 即ち本発明は、上記組成からなる銅合金を常法
により溶解鋳造し、得られた鋳塊を700〜900℃に
加熱して熱間加工し、これに必要に応じて所定寸
法まで冷間加工を加えて銅合金素材とする。この
素材を800〜900℃に10秒〜３分間加熱して急冷し
た後、５％以上の冷間加工歪を付与してから360
〜600℃で１分以上加熱処理するものである。 尚加熱処理後に、加工を付与したり、加工と熱
処理を繰返して付与することもできる。また加工
後に、200〜350℃の低温加熱処理を施したり、テ
ンシヨンレベラーで仕上げることもできる。 また上記組成の合金は、溶解鋳造に際し、脱酸
剤としてＰやＢを0.2％以下の範囲内で添加する
ことができる。更に熱間加工性の向上、脱硫化
用、結晶微細化、析出反応のコントロール、強
度、延び、耐熱性等の改善のため、Fe、Co、
Ti、Zr、Be、Nb、Te、Ta、Ｖ、As、Sb、Ge、
In、Al、Ｙ、Cd、Ag、Au、Pt、Pd等を１％以
下の範囲内で添加することもできる。 〔作用〕 本発明において、NiとSiをNi0.6〜3.5％、
Si0.1〜1.0％の範囲内でNiとSiの比（Ni／Si）が
２〜６となるように含有せしめたのは、Ni／Si
が２〜６の範囲においてNi2Si等を析出せしめる
ためで、Ni0.6％未満でもSi0.1％未満でも強度が
不十分であり、Niが3.5％を越えても、Siが1.0％
を越えても析出物が過剰となり、成型加工性、メ
ツキ性、半田付け性等を劣化するためである。ま
たNiとSiの比（Ni／Si）が上記範囲より外れる
と、遊離又は固溶のNiとSiが過剰となり、導電
率を著しく低下せしめるばかりか、半田付けの信
頼性に有害となり、かつメツキ性を劣化する。 上記合金は、これにSn、Zn、Mn（以下Ａ群元
素と略記）又は／及びMg、Ca、RE（以下Ｂ群元
素と略記）を付加することにより、リード材に要
求される特性を一層高度に活用できる。即ちＡ群
元素は固溶元素であり、強度や加工性を向上し、
半田付け性を改善する。しかし導電率を低下する
ので、過剰の添加は実用的でない。この傾向は
Sn、Mnで特に著しく、一方過剰のZnは耐食性を
低下するばかりか、半導体パツケージ工程でZn
蒸気による汚染問題を起す。またＢ群元素は析出
元素で導電率を大巾に低下することなく、強度を
改善し、かつ脱硫、脱酸素に有効に作用する。更
に熱間加工性を改善するばかりか、溶体化時の粒
成長を抑え、リード材の加工性や強度向上に働
く。ただし過剰濃度ではメツキ性や半田付け性を
低下するばかりか、溶解鋳造や熱間加工を困難に
する。上記Ａ群及びＢ群の両元素を併用すると
き、その作用効果も併せて奏することができる。
特にこれ等元素の重要な作用は溶体化焼入処理の
完全化と冷却過程で不可避的に起るNi2Si析出を
極少化することで、これにはSn、Mg、Zn、Mn
等が有効である。 またO2含有量を0.0050％以下と制限したのは過
剰のO2分は製造加工を困難にするばかりか、強
度、成型加工性、メツキ性、半田付け性等の特性
を劣化するためである。 上記組成の合金素材は、800〜980℃で10秒〜５
分間の加熱処理により溶体化できる。しかして下
限未満の処理では溶体化が不十分であり、上限を
越えると結晶粗大化などの不都合を生じる。加熱
後は直ちに急冷し、常温で溶体化状態とする。冷
却速度は約10℃／sec以上、特に望ましくは360℃
までの高温域で25℃／sec以上とする。溶体化さ
れた素材は５％以上の加工歪を加えてから360〜
600℃で１分以上加熱処理することにより、微細
均一な析出を行なうことができる。この加熱処理
に先立つ加工は均質な析出に必要な条件であり、
かつ強度の向上に働くもので、特に望ましくは５
分以上である。以上の処理により析出物は実質的
に1μ以下となり、導電率を回復して機械的強度
を極大化すると共に実用諸特性を最適化できる。 上記加熱処理の後、再び冷間加工、特に望まし
くは５〜50％の加工を付加することにより、強度
の向上と調質に有効であり、かつ表面平滑化など
表面品質を向上し、ボンデイングやメツキ性、半
田付け性の向上に大きく寄与する。 実施例 １ 第１表に示す組成（分析値）の合金を黒鉛ルツ
ボで溶解して金型鋳型に鋳造し、外削して巾100
mm、厚さ40mm、長さ300mmとした鋳塊を880℃に加
熱して熱間圧延により厚さ８mmの板とした。この
板を酸洗してから冷間圧延、焼鈍、冷間圧延の工
程により厚さ0.5mmの板とし、非酸化雰囲気炉中
で連続的に850℃で１分間加熱してから水シヤワ
ーにより30秒以内で常温まで冷却した。これを厚
さ0.42mmまで冷間圧延した後、420℃で２時間加
熱処理し、次に厚さ0.35mmまで冷間圧延してから
テンシヨンレベラーと300℃・30分の加熱処理を
施した。 このようにして仕上げた板について引張強さ、
伸び、導電率、曲げ成型性、半田付け性、Agメ
ツキ性、Sn−Pb合金メツキ性及び耐食性を調べ
た。その結果を第２表に示す。 曲げ成型性は、板の圧延方向と、その直角方向
について、先端各種半径（Ｒ）の90゜ポンチを用
いたＶ曲げ法により、板厚（ｔ）に対する割れの
発生しない最少曲げ半径（Ｒ）との比（Ｒ／ｔ）
を求めた。半田付け性は板の直径５mmの部分に
Cuリード線を半田付けし、150℃で150時間処理
した後、プル試験を行なつて接合力（Kg／mm2）を
求めた。Agメツキ性は表面を0.3μエツチングし
てから下記Agストライクメツキ浴とAg厚メツキ
浴を用いて厚さ3μのAgメツキを行ない、これを
450℃で５分間加熱して実体顕微鏡によりフクレ
の有無を調べた。またSn−Pb合金メツキは下記
のSn−Pb合金メツキ浴を用い、厚さ7.5μのSn−
10％Pb合金メツキを施し、100℃で300時間エー
ジングしてから180゜密着曲げを行ない、メツキ層
の剥離を実体顕微鏡で観察した。また耐食性につ
いては、JIS C3806に準じ、３％NH3蒸気中で引
張強さの75％の荷重をかけ、破断までの時間を測
定した。 Agストライクメツキ浴 AgCn 3.5ｇ／ KCN 35ｇ／ 電流密度 5Ａ／ｄm2 時 間 15sec Ag厚メツキ浴 AgCN 30ｇ／ KCN 50ｇ／ K2CO3 15ｇ／ 電流密度 2.5A／ｄm2 Sn−Pb合金メツキ浴 Sn++ 50ｇ／ Pb++ 4.4ｇ／ H3BF4 100ｇ／ H3BO3 30ｇ／ β−ナフトール 1.5ｇ／ ニカワ 2ｇ／ 浴 温 15℃ 電流密度 4.0A／ｄm2 実施例 ２ 第１表中No.5に示す本発明合金を用い、実施
例１と同様にして厚さ0.5mmの板とし、その後の
工程を変えて厚さ0.35mmの板に仕上げ、これ等に
ついて実施例１と同様にして各特性を調べた。そ
の結果を第２表に併記した。 表中本発明法No.17は実施例１の850℃・１分
間の加熱に代えて980℃で15秒間加熱した。本発
明法No.18は実施例１の冷間圧延後の420℃・２
時間の加熱処理に代えて、510℃で0.5時間加熱し
た。本発明法No.19は実施例１において急冷後、
0.438mmまで冷間圧延してから420℃で２時間加熱
した。比較法No.20は、実施例１における急冷に
代えて空冷（冷却速度は約４〜５℃／sec）した。
比較法No.21は実施例１の850℃・１分間の加熱
に代えて900℃で７分間加熱した。比較法No.22
は実施例１の420℃・２時間の加熱処理に代えて
650℃で15分間加熱した。比較法No.23は実施例
１の420℃・２時間の加熱処理に代えて330℃で６
時間加熱した。
【表】
【表】
このように本発明によれば、半導体リードフレ
ーム等に要求される広範な特性を高度に満足でき
るもので、半導体機器用リード材として高集積
化、高機能化と共に高信頼性とコストパフオーマ
ンスを同時に達成することができる等工業上顕著
な効果を奏するものである。
ーム等に要求される広範な特性を高度に満足でき
るもので、半導体機器用リード材として高集積
化、高機能化と共に高信頼性とコストパフオーマ
ンスを同時に達成することができる等工業上顕著
な効果を奏するものである。
１ リード用銅合金素材を仕上げ調質圧延した
後、伸び率0.2％以上でテンシヨンレベラーをか
け、150〜600℃の温度で５分〜300分の低温焼鈍
を行なうか、又は300〜800℃の温度で10秒〜５分
の連続焼鈍を行なうことを特徴とする半導体用銅
系リード材の製造法。 ２ リード用銅合金素材を仕上げ調質圧延した
後、伸び率0.2％以上でテンシヨンレベラーをか
け、150〜600℃の温度で５分〜300分の低温焼鈍
を行なうか、又は300〜800℃の温度で10秒〜５分
の連続焼鈍を行ない、しかる後伸び率0.3％未満
のテンシヨンレベラーをかけるか又はローラーレ
ベラーをかけることを特徴とする半導体用銅系リ
ード材の製造法。
後、伸び率0.2％以上でテンシヨンレベラーをか
け、150〜600℃の温度で５分〜300分の低温焼鈍
を行なうか、又は300〜800℃の温度で10秒〜５分
の連続焼鈍を行なうことを特徴とする半導体用銅
系リード材の製造法。 ２ リード用銅合金素材を仕上げ調質圧延した
後、伸び率0.2％以上でテンシヨンレベラーをか
け、150〜600℃の温度で５分〜300分の低温焼鈍
を行なうか、又は300〜800℃の温度で10秒〜５分
の連続焼鈍を行ない、しかる後伸び率0.3％未満
のテンシヨンレベラーをかけるか又はローラーレ
ベラーをかけることを特徴とする半導体用銅系リ
ード材の製造法。
Claims (1)
- 体機器用銅系リード材の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18607786A JPS6342360A (ja) | 1986-08-07 | 1986-08-07 | 半導体機器用銅系リ−ド材の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18607786A JPS6342360A (ja) | 1986-08-07 | 1986-08-07 | 半導体機器用銅系リ−ド材の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6342360A JPS6342360A (ja) | 1988-02-23 |
| JPS64458B2 true JPS64458B2 (ja) | 1989-01-06 |
Family
ID=16181978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18607786A Granted JPS6342360A (ja) | 1986-08-07 | 1986-08-07 | 半導体機器用銅系リ−ド材の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6342360A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02114404A (ja) * | 1988-10-25 | 1990-04-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 電気・電子機器用銅合金細線 |
| WO2005083137A1 (en) * | 2004-02-27 | 2005-09-09 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Copper alloy |
| JP5097970B2 (ja) * | 2006-07-24 | 2012-12-12 | Ｄｏｗａメタルテック株式会社 | 銅合金板材及びその製造方法 |
-
1986
- 1986-08-07 JP JP18607786A patent/JPS6342360A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6342360A (ja) | 1988-02-23 |
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