JPS6130099A - 多層配線基板 - Google Patents
多層配線基板Info
- Publication number
- JPS6130099A JPS6130099A JP15091484A JP15091484A JPS6130099A JP S6130099 A JPS6130099 A JP S6130099A JP 15091484 A JP15091484 A JP 15091484A JP 15091484 A JP15091484 A JP 15091484A JP S6130099 A JPS6130099 A JP S6130099A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- wiring
- wiring board
- multilayer
- characteristic impedance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、大型コンピュータ等の電子機器に使用して好
適な多層配線基板に関する。
適な多層配線基板に関する。
一般に、高速大容量処理が求められる大型コンピュータ
等の電子機器においては、配線の高密度化および高速化
が同時に要求されている。
等の電子機器においては、配線の高密度化および高速化
が同時に要求されている。
従来、この種の電子機器には、第1図に示すように接地
配線1.電源配線2の導体印刷配線、接続パッド3およ
びスルーホール配線4を有し、複数のセラミックグリー
ンシート5を積層してなるセラミック積層配線基板6上
に、微細な薄膜配線7・8.ヴイアホール配線9を有す
る絶縁薄膜10.11および部品取付端子12を有する
絶縁薄膜13を積層してなる薄膜多層配線部14が設け
られた多層配線基板が前記の要求を満足させるものとし
て採用されている。ここで、多層配線の層間絶縁材とし
て誘電率が低い樹脂材料を用いた場合にはより一層高速
化が可能である。なお、同図において15は端子ピン接
続バット、16は端子ピンである。
配線1.電源配線2の導体印刷配線、接続パッド3およ
びスルーホール配線4を有し、複数のセラミックグリー
ンシート5を積層してなるセラミック積層配線基板6上
に、微細な薄膜配線7・8.ヴイアホール配線9を有す
る絶縁薄膜10.11および部品取付端子12を有する
絶縁薄膜13を積層してなる薄膜多層配線部14が設け
られた多層配線基板が前記の要求を満足させるものとし
て採用されている。ここで、多層配線の層間絶縁材とし
て誘電率が低い樹脂材料を用いた場合にはより一層高速
化が可能である。なお、同図において15は端子ピン接
続バット、16は端子ピンである。
ところが、このように構成された多層配線基板において
は、セラミック積層配線基板6上の薄膜配線7,8と接
地配線lとの距離がセラミ7タグリーンシート5の厚さ
によって左右されるため、薄膜配線7.8の特性インピ
ーダンスはセラミソフグリーンシート5の厚さがばらつ
くと、設計値に対しばらつくという欠点があった。また
、セラミック積層配線基板6はセラミックグリーンシー
トを焼成して形成するため、通常0.1〜0. 3鰭程
度しか薄くできず、特性インピーダンスをあまり低くす
ることができなかった。この結果、薄膜配線7.8の特
性インピーダンスが所定の値まで下がらず、これら配線
7.8と接続する回路素子(図示せず)とのインピーダ
ンス不整合があったり、クロストーク特性が悪化したり
するという欠点があった。
は、セラミック積層配線基板6上の薄膜配線7,8と接
地配線lとの距離がセラミ7タグリーンシート5の厚さ
によって左右されるため、薄膜配線7.8の特性インピ
ーダンスはセラミソフグリーンシート5の厚さがばらつ
くと、設計値に対しばらつくという欠点があった。また
、セラミック積層配線基板6はセラミックグリーンシー
トを焼成して形成するため、通常0.1〜0. 3鰭程
度しか薄くできず、特性インピーダンスをあまり低くす
ることができなかった。この結果、薄膜配線7.8の特
性インピーダンスが所定の値まで下がらず、これら配線
7.8と接続する回路素子(図示せず)とのインピーダ
ンス不整合があったり、クロストーク特性が悪化したり
するという欠点があった。
そこ゛で、第2図に示すようにセラミック積層配線基板
6の表面を研磨し、これに薄膜法により接地配線網17
を形成して薄膜配線7,8の特性インピーダンスを調整
する多層配線基板もあるが、セラミック研磨表面の粗さ
は通常最小でも0.2μmRa程度であり、その凹凸に
より接地配線網17形成時のエソチング工程でエツチン
グ残りが生じるという不都合があった。
6の表面を研磨し、これに薄膜法により接地配線網17
を形成して薄膜配線7,8の特性インピーダンスを調整
する多層配線基板もあるが、セラミック研磨表面の粗さ
は通常最小でも0.2μmRa程度であり、その凹凸に
より接地配線網17形成時のエソチング工程でエツチン
グ残りが生じるという不都合があった。
本発明はこのような事情に鑑みなされたもので、セラミ
ック積層配線基板と薄膜多層配線部間に設けた樹脂膜上
に薄膜配線の特性インピーダンスを補正するための薄膜
状接地配線パターンを形成するというきわめて簡単な構
成により、精密な接地配線パターン化ができ、薄膜配線
の最適な特性インピーダンス値を設定できる多層配線基
板を提供するものである。以下、その構成等を図に示す
実施例によって詳細に説明する。
ック積層配線基板と薄膜多層配線部間に設けた樹脂膜上
に薄膜配線の特性インピーダンスを補正するための薄膜
状接地配線パターンを形成するというきわめて簡単な構
成により、精密な接地配線パターン化ができ、薄膜配線
の最適な特性インピーダンス値を設定できる多層配線基
板を提供するものである。以下、その構成等を図に示す
実施例によって詳細に説明する。
第3図は本発明に係る多層配線基板を示す一部破断斜視
図で、同図以下において第1図および第2図と同一の部
材については同一の符号を付し、詳細な説明は省略する
。同図において、符号21で示すものはポリイミド系の
樹脂膜で、前記セラミック積層配線基板6の表面を覆う
ようにこの基板6と前記絶縁薄膜10間に形成されてい
る。この樹脂膜21上には接続パッド22および前記薄
膜配線7.8の特性インピーダンスを補正するための薄
膜状接地配線パターン23が形成されている。この接地
配線パターン23と前記薄膜配線7゜8とによる静電容
量によって薄膜配線7,8の特性インピーダンスを調整
することができる。
図で、同図以下において第1図および第2図と同一の部
材については同一の符号を付し、詳細な説明は省略する
。同図において、符号21で示すものはポリイミド系の
樹脂膜で、前記セラミック積層配線基板6の表面を覆う
ようにこの基板6と前記絶縁薄膜10間に形成されてい
る。この樹脂膜21上には接続パッド22および前記薄
膜配線7.8の特性インピーダンスを補正するための薄
膜状接地配線パターン23が形成されている。この接地
配線パターン23と前記薄膜配線7゜8とによる静電容
量によって薄膜配線7,8の特性インピーダンスを調整
することができる。
このように構成された多層配線基板においては、接地配
線パターン23が樹脂膜21上すなわち薄膜多層配線部
14の直下に形成されているため、薄膜配線7,8の特
性インピーダンスが薄膜配線7.8自体の寸法と絶縁薄
膜10.11の膜厚。
線パターン23が樹脂膜21上すなわち薄膜多層配線部
14の直下に形成されているため、薄膜配線7,8の特
性インピーダンスが薄膜配線7.8自体の寸法と絶縁薄
膜10.11の膜厚。
材質と接地配線パターン23の寸法により決定される。
この場合、絶縁薄膜10.11の膜厚は薄膜配線7.8
が薄膜法により形成されるため、がなり自由に設定する
ことができる。また絶縁薄膜10.11を有機高分子材
料で形成すると、誘電率が3〜7で膜厚が1〜50μm
となり、薄膜配線7.8の最適な特性インピーダンス値
を幅広い値の中から決定することができる。
が薄膜法により形成されるため、がなり自由に設定する
ことができる。また絶縁薄膜10.11を有機高分子材
料で形成すると、誘電率が3〜7で膜厚が1〜50μm
となり、薄膜配線7.8の最適な特性インピーダンス値
を幅広い値の中から決定することができる。
また、接地配線パターン23はポリイミド系樹脂膜の滑
らかな表面上に薄膜法により形成されるため、パターン
形成時のエソチング工程でエツチング残りが無い精密な
パターン化が可能となり、この結果、特性インピーダン
スを高精度にコントロールすることができる。
らかな表面上に薄膜法により形成されるため、パターン
形成時のエソチング工程でエツチング残りが無い精密な
パターン化が可能となり、この結果、特性インピーダン
スを高精度にコントロールすることができる。
なお、本発明は接地配線パターン23が直流的に接地さ
れていなくても、交流的に接地されていれば同様の特性
インピーダンス調整効果を有するので、接地配線パター
ン23は接地配線1の代わりに電源配線2と接続されて
いても良い。
れていなくても、交流的に接地されていれば同様の特性
インピーダンス調整効果を有するので、接地配線パター
ン23は接地配線1の代わりに電源配線2と接続されて
いても良い。
また、本発明は接地配線パターン23を第4図に示すよ
うに綱目状に形成し、2つの配線層の配線7,8が交差
する個所だけ網の線幅を他の部分より太くしてクロスト
ーク特性を向上させることができる。
うに綱目状に形成し、2つの配線層の配線7,8が交差
する個所だけ網の線幅を他の部分より太くしてクロスト
ーク特性を向上させることができる。
以上説明したように本発明によれば、セラミック積層配
線基板と薄膜多層配線部間に樹脂膜を形成すると共に、
この樹脂膜上に薄膜配線の特性インピーダンスを補正す
るための薄膜状接地配線パターンを形成したので、従来
のようにパターン形成時のエツチング残りを生じること
が無く精密なパターン化が可能となり、薄膜配線の最適
な特性インピーダンス値を設定することができる。
線基板と薄膜多層配線部間に樹脂膜を形成すると共に、
この樹脂膜上に薄膜配線の特性インピーダンスを補正す
るための薄膜状接地配線パターンを形成したので、従来
のようにパターン形成時のエツチング残りを生じること
が無く精密なパターン化が可能となり、薄膜配線の最適
な特性インピーダンス値を設定することができる。
第1図および第2図は従来の多層配線基板を示す断面図
、第3図は本発明に係る多層配線基板を示す一部破断斜
視図、第4図は他の実施例を示す平面図である。 1・・・・接地配線、2・・・・電源配線、4・・・・
スルーホール配線、5・・・・セラミックグリーンシー
ト、6・・・・セラミック積層配線基板、7.8・・・
・薄膜配線、14・・・・薄膜多層配線部、21・・・
・樹脂膜、23・・・・接地配線パターン。
、第3図は本発明に係る多層配線基板を示す一部破断斜
視図、第4図は他の実施例を示す平面図である。 1・・・・接地配線、2・・・・電源配線、4・・・・
スルーホール配線、5・・・・セラミックグリーンシー
ト、6・・・・セラミック積層配線基板、7.8・・・
・薄膜配線、14・・・・薄膜多層配線部、21・・・
・樹脂膜、23・・・・接地配線パターン。
Claims (1)
- 導体印刷配線およびスルーホール配線を有する複数のセ
ラミックグリーンシートを積層してなるセラミック積層
配線基板の上方に薄膜配線を有する薄膜多層配線部が設
けられた多層配線基板において、前記セラミック積層配
線基板と前記薄膜多層配線部間に樹脂膜を形成すると共
に、この樹脂膜上に前記薄膜配線の特性インピーダンス
を補正するための薄膜状接地配線パターンを形成したこ
とを特徴とする多層配線基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15091484A JPS6130099A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 多層配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15091484A JPS6130099A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 多層配線基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6130099A true JPS6130099A (ja) | 1986-02-12 |
JPH0367357B2 JPH0367357B2 (ja) | 1991-10-22 |
Family
ID=15507150
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15091484A Granted JPS6130099A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 多層配線基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6130099A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7649252B2 (en) | 2003-12-26 | 2010-01-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Ceramic multilayer substrate |
WO2024135849A1 (ja) * | 2022-12-23 | 2024-06-27 | 京セラ株式会社 | 配線基板、配線基板を用いた電子部品実装用基板、および電子モジュール |
-
1984
- 1984-07-20 JP JP15091484A patent/JPS6130099A/ja active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7649252B2 (en) | 2003-12-26 | 2010-01-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Ceramic multilayer substrate |
WO2024135849A1 (ja) * | 2022-12-23 | 2024-06-27 | 京セラ株式会社 | 配線基板、配線基板を用いた電子部品実装用基板、および電子モジュール |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0367357B2 (ja) | 1991-10-22 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |