JPS61292350A - 改良されたはんだめつき法およびこの方法によつて製造された半導体製品 - Google Patents
改良されたはんだめつき法およびこの方法によつて製造された半導体製品Info
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- JPS61292350A JPS61292350A JP61129061A JP12906186A JPS61292350A JP S61292350 A JPS61292350 A JP S61292350A JP 61129061 A JP61129061 A JP 61129061A JP 12906186 A JP12906186 A JP 12906186A JP S61292350 A JPS61292350 A JP S61292350A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は一般に集積回路その他の半導体製品を、金属リ
ード線が多数露出したプラスチック製パッケージに実装
することに関する。より詳細には、本発明はリード線を
はんだ被覆して保護し、かつプリント配線板へのリード
線のはんだづけを可能にするための改良された方法に関
する。
ード線が多数露出したプラスチック製パッケージに実装
することに関する。より詳細には、本発明はリード線を
はんだ被覆して保護し、かつプリント配線板へのリード
線のはんだづけを可能にするための改良された方法に関
する。
半導体デバイスを実装する際には、集積回路（通常はチ
ップまたはダイと呼ばれる）を一般にワイヤボンディン
グ法またはテープ自動ボンディングにより多数の金属リ
ード線に接続する。この接続ののちダイはプラスチック
本体敗はセラミック製のパッケージにカプセル封止され
る。このパッケージはダイを保護するものであり、以下
半導体パッケージと呼ぶ。本発明は特にプラスチック製
の半導体パッケージに関する。
ップまたはダイと呼ばれる）を一般にワイヤボンディン
グ法またはテープ自動ボンディングにより多数の金属リ
ード線に接続する。この接続ののちダイはプラスチック
本体敗はセラミック製のパッケージにカプセル封止され
る。このパッケージはダイを保護するものであり、以下
半導体パッケージと呼ぶ。本発明は特にプラスチック製
の半導体パッケージに関する。
金属リード線（一般に銅または銅合金〕は半導体パッケ
ージから突出し、一般のはんだ付は技術により他の回路
部品に接続することができる。しかし銅は直接にはんだ
付けすることができず、まｆＩＪ−ド線をスズまたはス
ズ／鉛合金の薄層で被覆してはんだ付は性金与える必要
がある。
ージから突出し、一般のはんだ付は技術により他の回路
部品に接続することができる。しかし銅は直接にはんだ
付けすることができず、まｆＩＪ−ド線をスズまたはス
ズ／鉛合金の薄層で被覆してはんだ付は性金与える必要
がある。
これまで金属リード線を被覆するために主として２種類
の方法が用いられてきた。これらは共にカプセル封止が
終了したのちに半導体パッケージに施される。第１の方
法は半導体パッケージを溶融したスズまたはスズ／鉛合
金に短時間（一般に１〜ｌＯ秒間）浸漬することによる
。この方法はかなり有効ではあるが、溶融合金の高温（
一般に２８０〜２６０℃）がパッケージに著しい熱応力
を与え、プラスチック製パッケージのリード線の周りに
ギャップを生じる可能性がある。さらに、リード線に施
されたはんだ被膜の厚さがしばしば不均一であり、これ
はその後のデバイスの操作、特にプリント配線板への自
動挿入を妨げる可能性がある。
の方法が用いられてきた。これらは共にカプセル封止が
終了したのちに半導体パッケージに施される。第１の方
法は半導体パッケージを溶融したスズまたはスズ／鉛合
金に短時間（一般に１〜ｌＯ秒間）浸漬することによる
。この方法はかなり有効ではあるが、溶融合金の高温（
一般に２８０〜２６０℃）がパッケージに著しい熱応力
を与え、プラスチック製パッケージのリード線の周りに
ギャップを生じる可能性がある。さらに、リード線に施
されたはんだ被膜の厚さがしばしば不均一であり、これ
はその後のデバイスの操作、特にプリント配線板への自
動挿入を妨げる可能性がある。
金属リード線にはんだ層を被覆するためのもつ一つの方
法は、適切なめつき浴中での電気めっきによる。この電
気めつき全行うためには、まずパッケージを一般に強い
鉱酸、たとえば塩酸、硫酸、硝酸、リン醒なとで洗浄す
る。用いられるめっき用電解液は一般に腐食性の酸、お
よびスズ／鉛塩類からなる。たとえば純粋のスズを被覆
する場合、硫［−基礎とする電解液が使用され、スズ／
鉛合金を被覆するためには、フッ化ホウ素酸を基礎とす
る電解液が使用された。あるいはアルカ／／アルカノー
ルスルホンｒＲヲ基礎とする電解液が使用された。
法は、適切なめつき浴中での電気めっきによる。この電
気めつき全行うためには、まずパッケージを一般に強い
鉱酸、たとえば塩酸、硫酸、硝酸、リン醒なとで洗浄す
る。用いられるめっき用電解液は一般に腐食性の酸、お
よびスズ／鉛塩類からなる。たとえば純粋のスズを被覆
する場合、硫［−基礎とする電解液が使用され、スズ／
鉛合金を被覆するためには、フッ化ホウ素酸を基礎とす
る電解液が使用された。あるいはアルカ／／アルカノー
ルスルホンｒＲヲ基礎とする電解液が使用された。
本発明は、従来本発明者が認識していた以下の問題を解
決しようとするものである。プラスチック製の半導体パ
ッケージにはんだ全電気めっきする際、パッケージにプ
ラスチック製カプセル封止材料と金属リード線との間に
小さなギャップがある場合、半導体ダイ上のアルミニウ
ム金属被膜が著しく腐食される可能性がある。このよう
なギャップは腐食性の洗浄液およびめっき用電解液を半
導体パッケージのプラスチック本体に浸入させる。
決しようとするものである。プラスチック製の半導体パ
ッケージにはんだ全電気めっきする際、パッケージにプ
ラスチック製カプセル封止材料と金属リード線との間に
小さなギャップがある場合、半導体ダイ上のアルミニウ
ム金属被膜が著しく腐食される可能性がある。このよう
なギャップは腐食性の洗浄液およびめっき用電解液を半
導体パッケージのプラスチック本体に浸入させる。
腐食性物質がいったん浸入すると、その後のパッケージ
のリンスおよび洗浄によってこれ全除去できない場合が
多い。ごく少量であっても腐食性物質が長期間アルミニ
ウム金属被膜上に残留するとアルミニウムを腐食させ、
パッケージに対する潜在的な破損の問題を提示する可能
性がある。
のリンスおよび洗浄によってこれ全除去できない場合が
多い。ごく少量であっても腐食性物質が長期間アルミニ
ウム金属被膜上に残留するとアルミニウムを腐食させ、
パッケージに対する潜在的な破損の問題を提示する可能
性がある。
従って、金属被覆層の腐食が大幅に避けられる様式でプ
ラスチック製の半導体デバイスパッケージの金属リード
線をはんだめっきする方法を提供することが望まれる。
ラスチック製の半導体デバイスパッケージの金属リード
線をはんだめっきする方法を提供することが望まれる。
米国特許第４，１６８，７００号明細書には、多エン醒
溶液に溶解したスズ塩（たとえばクエン酸スズ）を含有
するスズおよびスズ合金用電気めっき浴が示されている
。このめっき浴にはさらにヒドロキシカルボン酸（クエ
ン酸またはクエン°酸以外のもの）および／または二塩
基性カルボン酸が含有される。リーロナール社にューヨ
ーク州フリーボード）はスズおよび／まだはスズ合金を
各種金属上にめっきするための電気めっき系を販売して
いる。この系は６ソルダー・オン（ＳｏｌｄｅｒＯｎ）
ＳＧ”の商品名で販売され、スルホン酸を基礎とする系
中のスズおよび鉛の塩類からなる。この電気めっき系に
は組成の不明な金属イオン封鎖剤（ソルダーオン・ＳＧ
メークアップ）が含まれる。リーロナール社は同社の系
をセラミック製の半導体パッケージに使用すること全推
奨しており、その際金属リード線は電気めっきの前に強
い鉱酸、たとえば硫酸で洗浄される。
溶液に溶解したスズ塩（たとえばクエン酸スズ）を含有
するスズおよびスズ合金用電気めっき浴が示されている
。このめっき浴にはさらにヒドロキシカルボン酸（クエ
ン酸またはクエン°酸以外のもの）および／または二塩
基性カルボン酸が含有される。リーロナール社にューヨ
ーク州フリーボード）はスズおよび／まだはスズ合金を
各種金属上にめっきするための電気めっき系を販売して
いる。この系は６ソルダー・オン（ＳｏｌｄｅｒＯｎ）
ＳＧ”の商品名で販売され、スルホン酸を基礎とする系
中のスズおよび鉛の塩類からなる。この電気めっき系に
は組成の不明な金属イオン封鎖剤（ソルダーオン・ＳＧ
メークアップ）が含まれる。リーロナール社は同社の系
をセラミック製の半導体パッケージに使用すること全推
奨しており、その際金属リード線は電気めっきの前に強
い鉱酸、たとえば硫酸で洗浄される。
本発明はプラスチック製の半導体パッケージにおける金
属リード線をはんだめっきするための方法全提供し、こ
の方法はプラスチック製パッケージに小さなギャップが
あった場合ですら金属リード線およびカプセル封止され
た半導体ダイに対する損傷を避けるだめに無腐食性の洗
浄液および電気めっき液を使用する。この方法は２工程
からなり、第１工程は半導体パッケージの金属リード線
をカルボン酸およびヒドロキシカルボン酸よりなる有機
酸で洗浄することである。第２工程は無腐食性めっき液
中でリード線にはんだを電気めっきすることである。
属リード線をはんだめっきするための方法全提供し、こ
の方法はプラスチック製パッケージに小さなギャップが
あった場合ですら金属リード線およびカプセル封止され
た半導体ダイに対する損傷を避けるだめに無腐食性の洗
浄液および電気めっき液を使用する。この方法は２工程
からなり、第１工程は半導体パッケージの金属リード線
をカルボン酸およびヒドロキシカルボン酸よりなる有機
酸で洗浄することである。第２工程は無腐食性めっき液
中でリード線にはんだを電気めっきすることである。
好ましい実施態様においては洗浄液中の有機酸はクエン
酸、シュウ酸、またはこれらの酸のいずれかと他の有機
酸との組合せであり、洗浄は高められた温度で行われる
。電気めっき液は無腐食性のめつき浴中にスズ塩、ある
いはスズ塩および鉛塩を有し、その際スズと鉛の相対量
は目的とするはんだめっきの組成に依存する。これらの
金属塩はスルホン酸またはクエン酸中に存在する。スル
ホン酸系のめつき浴にはアルキルスルホン酸のスズ塩お
よび／またはアルキルスルホン酸の鉛塩、ならびにアル
ミニウムに対するスルホン酸の攻撃を抑制するだめの金
属イオン封鎖剤が含まれる。
酸、シュウ酸、またはこれらの酸のいずれかと他の有機
酸との組合せであり、洗浄は高められた温度で行われる
。電気めっき液は無腐食性のめつき浴中にスズ塩、ある
いはスズ塩および鉛塩を有し、その際スズと鉛の相対量
は目的とするはんだめっきの組成に依存する。これらの
金属塩はスルホン酸またはクエン酸中に存在する。スル
ホン酸系のめつき浴にはアルキルスルホン酸のスズ塩お
よび／またはアルキルスルホン酸の鉛塩、ならびにアル
ミニウムに対するスルホン酸の攻撃を抑制するだめの金
属イオン封鎖剤が含まれる。
クエンｅｋ基礎とする系の場合、クエン識スズおよび／
またはクエン酸鉛がクエン酸に溶解される。
またはクエン酸鉛がクエン酸に溶解される。
めっきは一般的装置中で行われ、目的とする厚さのはん
だがリードフレームに施される。
だがリードフレームに施される。
本発明の方法はプラスチック製の半導体パッケージ、た
とえばマイクロエレクトロニクス全般に用いられている
シュアルインラインパッケージ上の金属リード線にはん
だめっきするために有用である。半導体ダイはリードフ
レームにマウントされ、半導体ダイを保護しかつマウン
トを容易にするためのプラスチックでカプセル封止され
る。リードフレームは通常は銅、銅合金、またはニッケ
ルー鉄合金からなり、個々のリード線を多数含み、これ
らがプラスチック製パッケージから外側へ伸びる。リー
ド線は通常はプリント配線板にはんだづけされる。リー
ド線を保護し、かつこれらがプリント配線板その他のデ
バイスにはんだ付けさ゛れるのを可能にするためには、
リード線をスズまたはスズ／鉛合金の層で被覆すること
が望ましい。
とえばマイクロエレクトロニクス全般に用いられている
シュアルインラインパッケージ上の金属リード線にはん
だめっきするために有用である。半導体ダイはリードフ
レームにマウントされ、半導体ダイを保護しかつマウン
トを容易にするためのプラスチックでカプセル封止され
る。リードフレームは通常は銅、銅合金、またはニッケ
ルー鉄合金からなり、個々のリード線を多数含み、これ
らがプラスチック製パッケージから外側へ伸びる。リー
ド線は通常はプリント配線板にはんだづけされる。リー
ド線を保護し、かつこれらがプリント配線板その他のデ
バイスにはんだ付けさ゛れるのを可能にするためには、
リード線をスズまたはスズ／鉛合金の層で被覆すること
が望ましい。
本発明は、パッケージへのカプセル封止が終了したのち
に、半導体パッケージから伸びたリード線にスズまたは
スズ／鉛合金を電気めっきする方法である。本方法は無
腐食性の洗浄液およびめっき液を用いるので、半導体ダ
イ上の金属被覆層がこれらの液に暴露されても損傷を受
けることはな（・。
に、半導体パッケージから伸びたリード線にスズまたは
スズ／鉛合金を電気めっきする方法である。本方法は無
腐食性の洗浄液およびめっき液を用いるので、半導体ダ
イ上の金属被覆層がこれらの液に暴露されても損傷を受
けることはな（・。
洗浄液はカルボン酸およびヒドロキシカルボン酸から選
ばれる緩和な有機酸からなる。この酸系洗浄液をわずか
に高められた温度で使用することによりリード線が洗浄
されるが、パッケージの小さなギャップないしは細隙全
通してパッケージに浸入した酸が残留したとしても半導
体ダイ上のアルミニウム金属被膜を腐食することはない
であろう。主として強酸（たとえば硫酸、硝酸など〕で
あった先行技術の洗浄液についての問題点は、パッケー
ジに侵入した酸を洗浄除去できないことであった。従っ
てこれらの酸はパッケージ内に長期間残留し、著しい損
傷を与えたと思われる。
ばれる緩和な有機酸からなる。この酸系洗浄液をわずか
に高められた温度で使用することによりリード線が洗浄
されるが、パッケージの小さなギャップないしは細隙全
通してパッケージに浸入した酸が残留したとしても半導
体ダイ上のアルミニウム金属被膜を腐食することはない
であろう。主として強酸（たとえば硫酸、硝酸など〕で
あった先行技術の洗浄液についての問題点は、パッケー
ジに侵入した酸を洗浄除去できないことであった。従っ
てこれらの酸はパッケージ内に長期間残留し、著しい損
傷を与えたと思われる。
本発明における洗浄液中に用いられるカルボン酸にはシ
ュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルメル酸などが含まれ
る。適切なヒドロキシカルボン酸にはクエン酸、酒石酸
、リンゴ酸、乳酸、アスコルピン酸などが含まれる。こ
れらの酸は一般に約１０〜２００９／ｌ、より一般的に
は約１００〜１５０″ｔ７ｔの濃度で用いられる。暴露
は２５〜１００℃の温度で、１〜２０分間行われる。
ュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルメル酸などが含まれ
る。適切なヒドロキシカルボン酸にはクエン酸、酒石酸
、リンゴ酸、乳酸、アスコルピン酸などが含まれる。こ
れらの酸は一般に約１０〜２００９／ｌ、より一般的に
は約１００〜１５０″ｔ７ｔの濃度で用いられる。暴露
は２５〜１００℃の温度で、１〜２０分間行われる。
カルボン酸系洗浄液およびヒドロキシカルボン酸系洗浄
液の双方について、溶液が新鮮であること全確認するこ
と、およびこれらに重金属（たとえば銅）が負荷された
場合は溶液を交換することに注意を払わなければならな
い。銅その他の金属はリード線に再析出し、はんだのめ
つき全妨害するであろ５゜ アルミニウムリード線にスズまたはスズ／鉛合金のはん
だ層をめっきするだめの電気めっき液も無腐食性である
。２種の電気めっき系が本発明に適していることが見出
された。これらの系のうち第１はスルホン酸を基礎とす
る電解液であり、第２の系はクエン酸を基礎とする電解
液である。さらにアルミニウムの表面が腐食されるのを
抑制するだめに、金属イオン封鎖剤がスルホン酸系電解
液と共に用いられる。
液の双方について、溶液が新鮮であること全確認するこ
と、およびこれらに重金属（たとえば銅）が負荷された
場合は溶液を交換することに注意を払わなければならな
い。銅その他の金属はリード線に再析出し、はんだのめ
つき全妨害するであろ５゜ アルミニウムリード線にスズまたはスズ／鉛合金のはん
だ層をめっきするだめの電気めっき液も無腐食性である
。２種の電気めっき系が本発明に適していることが見出
された。これらの系のうち第１はスルホン酸を基礎とす
る電解液であり、第２の系はクエン酸を基礎とする電解
液である。さらにアルミニウムの表面が腐食されるのを
抑制するだめに、金属イオン封鎖剤がスルホン酸系電解
液と共に用いられる。
スルホン酸系のめつき系には、一般にアルカン／アルカ
ノールスルホン酸のスズ塩および／まだはアルカン／ア
ルカノールスルホン酸の鉛塩が用いられ、その際アルカ
ンまたはアルカノールの基は１〜６個の炭素原子、通常
は１〜３個の炭素原子含有する。これらの塩の濃度は目
的とするはんだめっき中のスズ灯船の比率に応じて変化
し、一般に５〜１００ｆ／ｌ、より詳細には５〜１００
ｆ／ｌである。スズ：鉛が９０：１０の比率をもつスズ
／鉛はんだを得るためには、適切なめつき液は約２５？
／ｌのアルカンスルホン醒スズおよび約５９／ｌ（過剰
〕のアルカンスルホン酸鉛を含むであろう。塩としてメ
タンスルホン酸スズおよびメタンスルホン酸鉛を用いる
ことが好都合である。スルホン酸の濃度は一般に５〜３
０容量％、より一般的には１０〜２０容量％である。
ノールスルホン酸のスズ塩および／まだはアルカン／ア
ルカノールスルホン酸の鉛塩が用いられ、その際アルカ
ンまたはアルカノールの基は１〜６個の炭素原子、通常
は１〜３個の炭素原子含有する。これらの塩の濃度は目
的とするはんだめっき中のスズ灯船の比率に応じて変化
し、一般に５〜１００ｆ／ｌ、より詳細には５〜１００
ｆ／ｌである。スズ：鉛が９０：１０の比率をもつスズ
／鉛はんだを得るためには、適切なめつき液は約２５？
／ｌのアルカンスルホン醒スズおよび約５９／ｌ（過剰
〕のアルカンスルホン酸鉛を含むであろう。塩としてメ
タンスルホン酸スズおよびメタンスルホン酸鉛を用いる
ことが好都合である。スルホン酸の濃度は一般に５〜３
０容量％、より一般的には１０〜２０容量％である。
スルホン酸を基礎とする電解液には、半導体パッケージ
内部のアルミニウムその化９構成材料に対する電解液に
よる酸攻撃を抑制するだめに選ばれた金属イオン封鎖剤
が含有されるであろう。適切な金属イオン封鎖剤にはメ
タケイ酸ナトリウム、およびリーロナール社から同社の
ソルダー・オンＳＧ系の一部として入手できるソルダー
・オンＳＧメークアップが含まれる。これらの金属イオ
ン封鎖剤は一般に１〜５０９／ｌ、より一般的には５〜
３０グ／ｌの濃度で用ｌ−コられる。
内部のアルミニウムその化９構成材料に対する電解液に
よる酸攻撃を抑制するだめに選ばれた金属イオン封鎖剤
が含有されるであろう。適切な金属イオン封鎖剤にはメ
タケイ酸ナトリウム、およびリーロナール社から同社の
ソルダー・オンＳＧ系の一部として入手できるソルダー
・オンＳＧメークアップが含まれる。これらの金属イオ
ン封鎖剤は一般に１〜５０９／ｌ、より一般的には５〜
３０グ／ｌの濃度で用ｌ−コられる。
クエン酸系のめつき液には一般にクエン酸のスズ塩およ
び／またはクエン酸の鉛塩が、目的とするはんだめっき
中のスズ／鉛の比率を与えるべく選ばれた濃度において
含有される。一般にクエン酸のスズ塩は約５〜１００
ｆ／ｌの濃度で存在し、一方クエン酸鉛は約１〜５０９
／ｌの濃度で存在するであろう。スズ９０％の合金を得
るために適した濃度はクエン駿スズ２５ｒ／４およびク
エン酸鉛５１／ｌでらろ５゜クエン酸の濃度は決定的な
ものではなく、一般に約１０〜１００％である。
び／またはクエン酸の鉛塩が、目的とするはんだめっき
中のスズ／鉛の比率を与えるべく選ばれた濃度において
含有される。一般にクエン酸のスズ塩は約５〜１００
ｆ／ｌの濃度で存在し、一方クエン酸鉛は約１〜５０９
／ｌの濃度で存在するであろう。スズ９０％の合金を得
るために適した濃度はクエン駿スズ２５ｒ／４およびク
エン酸鉛５１／ｌでらろ５゜クエン酸の濃度は決定的な
ものではなく、一般に約１０〜１００％である。
クエン酸系電解液のｐＨｋ一般にＮＨ，ＯＨにより約６
〜７の値に調整することによつｒ″′Ｃ電解液はアルミ
ニウム金属被膜に対し１実質的に無腐食性になることが
見出された。
〜７の値に調整することによつｒ″′Ｃ電解液はアルミ
ニウム金属被膜に対し１実質的に無腐食性になることが
見出された。
本発明のめつき法は一般の電気めっき装置中で行うこと
ができる。めっき槽は耐酸性材料、たとえば耐酸性ポリ
マー、たとえばポリプロピレン、ポリ塩化ビニルなどで
作成すべきである。めつき槽内に引掛けが備えられ、適
切な電源音用いて必要なめっき用電流が供給される。陽
極（αｎｏｄｅ ）は一般に目的とするはんだめっきの
組成に適合した組成のスズ／鉛の比率をもつスズ／鉛合
金である。陰極（ｃａｔｈｏｄ ）は引掛けに接続され
、めっき用電源が低い電圧で（一般に１〜２０Ｖ、通常
は約３Ｖ）、目的とする厚さのはんだめっきを施すのに
十分な期間流される。厚さは通常は約０．３〜２ミル（
約ｏ、ｏ ｏ ｓ〜０．０５羽）であろう。必要な電流
の量はめつきされるパッケージ数、およびめっき処理に
許容される時間に依存するであろう。
ができる。めっき槽は耐酸性材料、たとえば耐酸性ポリ
マー、たとえばポリプロピレン、ポリ塩化ビニルなどで
作成すべきである。めつき槽内に引掛けが備えられ、適
切な電源音用いて必要なめっき用電流が供給される。陽
極（αｎｏｄｅ ）は一般に目的とするはんだめっきの
組成に適合した組成のスズ／鉛の比率をもつスズ／鉛合
金である。陰極（ｃａｔｈｏｄ ）は引掛けに接続され
、めっき用電源が低い電圧で（一般に１〜２０Ｖ、通常
は約３Ｖ）、目的とする厚さのはんだめっきを施すのに
十分な期間流される。厚さは通常は約０．３〜２ミル（
約ｏ、ｏ ｏ ｓ〜０．０５羽）であろう。必要な電流
の量はめつきされるパッケージ数、およびめっき処理に
許容される時間に依存するであろう。
一般に、より高い電流はより短いめっき時間に対応する
であろう。
であろう。
以下の例は説明のために提供されるものであり、限定の
ためではない。
ためではない。
実験結果
１、シリコンダイ上の金属被覆層に対するめつき浴の腐
食作用 露出したアルミニウム金属被覆層金有するシリコンダイ
を表１に列挙しためつき液に浸漬し、５分後、２４時間
後、５５時間後、８０時間後、および１００時間後に腐
食につき鏡検した。用いた金属イオン封鎖剤はリーロナ
ール社にューヨーク州フリーボード）から入手された６
ソルダー・オンＳＧメークアップ”金属イオン封鎖剤、
またはメタケイ酸ナトリウムであった。
食作用 露出したアルミニウム金属被覆層金有するシリコンダイ
を表１に列挙しためつき液に浸漬し、５分後、２４時間
後、５５時間後、８０時間後、および１００時間後に腐
食につき鏡検した。用いた金属イオン封鎖剤はリーロナ
ール社にューヨーク州フリーボード）から入手された６
ソルダー・オンＳＧメークアップ”金属イオン封鎖剤、
またはメタケイ酸ナトリウムであった。
表 １
５ 試料層４と同じ ５％メークア
ップ６ 試料層４と同じ ２０％メー
クアップ７ 試料Ａ４と同じ １１／
ｌメタケイ酸ナトリウム 腐食の程度 １００％ −一一一 ００％ −−−− ｏ ｏ ｏ ｏ 。
ップ６ 試料層４と同じ ２０％メー
クアップ７ 試料Ａ４と同じ １１／
ｌメタケイ酸ナトリウム 腐食の程度 １００％ −一一一 ００％ −−−− ｏ ｏ ｏ ｏ 。
０１５％ １００％ １００％ １００％０ ０
０ （Ｊ １５％ｏ ｏ ｏ ｏ
。
０ （Ｊ １５％ｏ ｏ ｏ ｏ
。
２、金属イオン封鎖剤の腐食抑制効果
露出しだアルミニウム金属被覆層を有するシリコンダイ
を表２に示すめっき液に浸漬した。２４時間後、５５時
間後、および１０３時間後に起こる腐食を顕微鏡下で視
覚的に評価し、結果を記録した。
を表２に示すめっき液に浸漬した。２４時間後、５５時
間後、および１０３時間後に起こる腐食を顕微鏡下で視
覚的に評価し、結果を記録した。
以上、明確に理解するために本発明を説明および具体例
によりある程度詳細に記述しだが、特許請求の範囲内に
おいて一定の変更および修正を行い５ることは明らかで
あろう。
によりある程度詳細に記述しだが、特許請求の範囲内に
おいて一定の変更および修正を行い５ることは明らかで
あろう。
（外５名）
Claims (9)
- （１）プラスチック製の半導体パッケージをカルボン酸
およびヒドロキシカルボン酸から選ばれる有機酸に暴露
してリード線から金属酸化物を除去し；そして スズ塩またはスズおよび鉛の塩類がスルホン酸またはク
エン酸中に存在する非腐食性電解液中においてスズまた
はスズ／鉛合金を金属リード線上に電気めつきする ことよりなる、プラスチック製の半導体パッケージ上の
金属リード線をはんだめつきする方法。 - （２）カルボン酸がシユウ酸、マロン酸、コハク酸、お
よびグルタル酸よりなる群から選ばれる、特許請求の範
囲第１項に記載の方法。 - （３）ヒドロキシカルボン酸がクエン酸、酒石酸、アス
コルピン酸、リンゴ酸、および乳酸よりなる群から選ば
れる、特許請求の範囲第１項に記載の方法。 - （４）有機酸が高められた温度のものである、特許請求
の範囲第１項に記載の方法。 - （５）電解液がスルホン酸を基礎とし、金属イオン封鎖
剤を含有する、特許請求の範囲第１項に記載の方法。 - （６）電解液がクエン酸を基礎とし、６〜７のｐＨを有
する、特許請求の範囲第１項に記載の方法。 - （７）電解液がスルホン酸を基礎とする電解液中にアル
カンスルホン酸のスズ塩、あるいはアルカンスルホン酸
のスズ塩およびアルカンスルホン酸の鉛塩を含有する、
特許請求の範囲第１項に記載の方法。 - （８）電解液がクエン酸を基礎とする電解液中にクエン
酸のスズ塩、あるいはクエン酸のスズ塩およびクエン酸
の鉛塩を含有する、特許請求の範囲第１項に記載の方法
。 - （９）プラスチック製の半導体パッケージをカルボン酸
およびヒドロキシカルボン酸から選ばれる有機酸に暴露
してリード線から金属酸化物を除去し；そして スズ塩またはスズおよび鉛の塩類がスルホン酸またはク
エン酸中に存在する非腐食性電解液中においてスズまた
はスズ／鉛合金を金属リード線上に電気めつきする、 工程よりなるはんだめつき方法によつて製造された金属
リード線を有する半導体パッケージ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/740,170 US4589962A (en) | 1985-06-03 | 1985-06-03 | Solder plating process and semiconductor product |
| US740170 | 1985-06-03 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61292350A true JPS61292350A (ja) | 1986-12-23 |
Family
ID=24975344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61129061A Pending JPS61292350A (ja) | 1985-06-03 | 1986-06-03 | 改良されたはんだめつき法およびこの方法によつて製造された半導体製品 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4589962A (ja) |
| JP (1) | JPS61292350A (ja) |
| DE (1) | DE3616715A1 (ja) |
| FR (1) | FR2582676B1 (ja) |
| GB (1) | GB2176208B (ja) |
| HK (1) | HK3390A (ja) |
| SG (1) | SG77289G (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5320737A (en) * | 1989-08-10 | 1994-06-14 | Olin Corporation | Treatment to reduce solder plating whisker formation |
| US5545440A (en) * | 1994-12-05 | 1996-08-13 | At&T Global Information Solutions Company (Aka Ncr Corporation) | Method and apparatus for polymer coating of substrates |
| US5597469A (en) * | 1995-02-13 | 1997-01-28 | International Business Machines Corporation | Process for selective application of solder to circuit packages |
| DE69712999T2 (de) | 1996-07-26 | 2003-01-23 | Nec Corp | Festelektrolytkondensator mit vorplattierten Leiteranschlüssen und dessen Herstellungsverfahren |
| US6773828B1 (en) | 2003-04-18 | 2004-08-10 | Ase Electronics (M) Sdn. Bhd. | Surface preparation to eliminate whisker growth caused by plating process interruptions |
| JP2005060822A (ja) * | 2003-08-08 | 2005-03-10 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 複合基体の電気メッキ |
| TW201205882A (en) * | 2010-07-16 | 2012-02-01 | Foxsemicon Integrated Tech Inc | Manufacturing method for LED light emitting device |
| FR3060610B1 (fr) * | 2016-12-19 | 2020-02-07 | Veolia Environnement-VE | Procede electrolytique pour extraire de l'etain et/ou du plomb compris dans un melange conducteur |
| CN114808051A (zh) * | 2021-10-20 | 2022-07-29 | 中山市一鸣电子材料有限公司 | 一种用于磁芯电感电镀的镀锡液及其制备方法 |
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| JPS5967387A (ja) * | 1982-10-08 | 1984-04-17 | Hiyougoken | すず、鉛及びすず―鉛合金メッキ浴 |
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1985
- 1985-06-03 US US06/740,170 patent/US4589962A/en not_active Expired - Lifetime
-
1986
- 1986-04-15 GB GB8609149A patent/GB2176208B/en not_active Expired
- 1986-05-17 DE DE19863616715 patent/DE3616715A1/de not_active Ceased
- 1986-06-02 FR FR8607865A patent/FR2582676B1/fr not_active Expired
- 1986-06-03 JP JP61129061A patent/JPS61292350A/ja active Pending
-
1989
- 1989-12-02 SG SG772/89A patent/SG77289G/en unknown
-
1990
- 1990-01-18 HK HK33/90A patent/HK3390A/xx unknown
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5980957A (ja) * | 1982-10-29 | 1984-05-10 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置 |
| JPS59211562A (ja) * | 1983-05-17 | 1984-11-30 | Mitsubishi Electric Corp | サ−デイツプパツケ−ジはんだめつき法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| HK3390A (en) | 1990-01-25 |
| US4589962A (en) | 1986-05-20 |
| GB8609149D0 (en) | 1986-05-21 |
| GB2176208A (en) | 1986-12-17 |
| SG77289G (en) | 1990-04-20 |
| FR2582676B1 (fr) | 1988-10-07 |
| FR2582676A1 (fr) | 1986-12-05 |
| DE3616715A1 (de) | 1986-12-04 |
| GB2176208B (en) | 1989-07-19 |
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