JPS59211562A - サ−デイツプパツケ−ジはんだめつき法 - Google Patents
サ−デイツプパツケ−ジはんだめつき法Info
- Publication number
- JPS59211562A JPS59211562A JP8788783A JP8788783A JPS59211562A JP S59211562 A JPS59211562 A JP S59211562A JP 8788783 A JP8788783 A JP 8788783A JP 8788783 A JP8788783 A JP 8788783A JP S59211562 A JPS59211562 A JP S59211562A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solder
- solder plating
- package
- bath
- methanesulfonate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
- C25D3/60—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys containing more than 50% by weight of tin
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
- H05K3/3473—Plating of solder
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体用低融点ガラス封止サーディツプパッケ
ージの封止ガラス上にはんだが析出しないはんだめっき
法に関する。
ージの封止ガラス上にはんだが析出しないはんだめっき
法に関する。
半導体用低融点ガラス封止サーディツプパッケージ（以
下、サーディツプパッケージという）へのはんだめっき
法は製造工程が短く簡単である、ウィスカーが発生しな
いなどの長所を有する有効な手段ではあるが、つぎのよ
うな欠点を有するため現在はとんど実用化されていない
。
下、サーディツプパッケージという）へのはんだめっき
法は製造工程が短く簡単である、ウィスカーが発生しな
いなどの長所を有する有効な手段ではあるが、つぎのよ
うな欠点を有するため現在はとんど実用化されていない
。
すなわちサーディツプパッケージへはんだめっきするば
あいに用いられる一般的なはんだめっき浴としては、ホ
ウフッ化浴、アルカノールスルホン酸浴、フェノールス
ルホン酸浴、中性浴などが知られているが、それらのめ
つき浴を用いてサーディツプパッケージへはんだめっき
するとはんだめっきされたサーディツプパッケージのほ
とんど１００％の封止ガラス上にはんだが析出してリー
ド短絡をおこし、使用できなくなってしまうという欠点
がある。
あいに用いられる一般的なはんだめっき浴としては、ホ
ウフッ化浴、アルカノールスルホン酸浴、フェノールス
ルホン酸浴、中性浴などが知られているが、それらのめ
つき浴を用いてサーディツプパッケージへはんだめっき
するとはんだめっきされたサーディツプパッケージのほ
とんど１００％の封止ガラス上にはんだが析出してリー
ド短絡をおこし、使用できなくなってしまうという欠点
がある。
前記のよ）にサーディツプパッケージへ有効にはんだめ
っきすることが事実上不可能であるため、サーディツプ
パッケージへのはんだめっきが必要とされるばあいには
硫酸浴でまずスズめっきしたのちサー・ディップリード
をはんだディップ仕上げする方法が採用されている。し
かしサーディツプパッケージにスズめっきをしたのちは
んだディップ仕上げをする上記方法では、めっきおよび
ディップの２工程が必要であり、その上はんだディップ
により２６０°０以上の熱ストレスがサーデイツプパッ
ケージにかかり、リークなどの影響がでるばあいもあり
、必ずしも信頼性の高い製法ではない。
っきすることが事実上不可能であるため、サーディツプ
パッケージへのはんだめっきが必要とされるばあいには
硫酸浴でまずスズめっきしたのちサー・ディップリード
をはんだディップ仕上げする方法が採用されている。し
かしサーディツプパッケージにスズめっきをしたのちは
んだディップ仕上げをする上記方法では、めっきおよび
ディップの２工程が必要であり、その上はんだディップ
により２６０°０以上の熱ストレスがサーデイツプパッ
ケージにかかり、リークなどの影響がでるばあいもあり
、必ずしも信頼性の高い製法ではない。
本発明者は前記のようなサーディツプパッケージにはん
だめっきをするばあいに生じる封止ガラス上にはんだが
析出するという欠点を改善し、サーディツプパッケージ
に熱ストレスをかけることなく１工稈でサーディツプパ
ッケージにはんだめっきすることを目的として鋭意研究
を重ねた結果、サーディツプパッケージにはんだめっき
をする方法において、メタンスルホン酸スズおよびメタ
ンスルホン酸鉛を用いたはんだめっき浴をｐＨ約１〜３
に〜１ｉ整してはんだめっきすることにより、前記目的
を効果的に遂行しうろことを見出し、本発明を完成した
。
だめっきをするばあいに生じる封止ガラス上にはんだが
析出するという欠点を改善し、サーディツプパッケージ
に熱ストレスをかけることなく１工稈でサーディツプパ
ッケージにはんだめっきすることを目的として鋭意研究
を重ねた結果、サーディツプパッケージにはんだめっき
をする方法において、メタンスルホン酸スズおよびメタ
ンスルホン酸鉛を用いたはんだめっき浴をｐＨ約１〜３
に〜１ｉ整してはんだめっきすることにより、前記目的
を効果的に遂行しうろことを見出し、本発明を完成した
。
本発明に用いるはんだめっき浴はその１ｊ中にメタンス
ルホン酸スズ約１０〜６０ｇおよびメタンスルホン６シ
鉛約１〜５．を含有し、アンモニア水、トリエタノール
アミンなどでｐＨが約１〜６に調整されている浴である
。前記はんだめっき浴のｐＨが約１未満であるとサーデ
ィツプパッケージの封止ガラス上にはんだが析出しやす
くなり、また前記ｐＨが約３を超えるとメタンスルホン
酸スズやメタンスルホン酸鉛に由来する水酸化スズや水
酸化鉛などの白色沈殿が析出するため望ましい品質のは
んだめっきができなくなる。
ルホン酸スズ約１０〜６０ｇおよびメタンスルホン６シ
鉛約１〜５．を含有し、アンモニア水、トリエタノール
アミンなどでｐＨが約１〜６に調整されている浴である
。前記はんだめっき浴のｐＨが約１未満であるとサーデ
ィツプパッケージの封止ガラス上にはんだが析出しやす
くなり、また前記ｐＨが約３を超えるとメタンスルホン
酸スズやメタンスルホン酸鉛に由来する水酸化スズや水
酸化鉛などの白色沈殿が析出するため望ましい品質のは
んだめっきができなくなる。
本発明に用いるはんだめっき浴には必要に応じてゼラチ
ン、分散剤、プルテンＬＡ（ジャパンメタル■製）のよ
うな添加剤などを添加してもよく、たとえばプルテンＬ
Ａのばあいにははんだめっき浴１ノ中に約２０〜４０ｍ
７添加されることが好ましい。
ン、分散剤、プルテンＬＡ（ジャパンメタル■製）のよ
うな添加剤などを添加してもよく、たとえばプルテンＬ
Ａのばあいにははんだめっき浴１ノ中に約２０〜４０ｍ
７添加されることが好ましい。
鉄−ニッケル材などからなるはんだめっきされるべきサ
ーディツプリードは硫酸で酸処理されたのち化学研磨処
理によって酸化被膜が除去され、ついでサーディツプパ
ッケージがガラス封止される。
ーディツプリードは硫酸で酸処理されたのち化学研磨処
理によって酸化被膜が除去され、ついでサーディツプパ
ッケージがガラス封止される。
かくしてガラス封止されたサーディツプパッケージが上
記のごとく調製されたはんだめっき浴にて浴温約２０〜
６５°ｏ１電流密度約１〜５１７６ｍ の条件で約５
〜１０分間はんだめっきされたのち洗浄などの後処理が
なされ、はんだめっきされたサーディツプパッケージか
えられる。
記のごとく調製されたはんだめっき浴にて浴温約２０〜
６５°ｏ１電流密度約１〜５１７６ｍ の条件で約５
〜１０分間はんだめっきされたのち洗浄などの後処理が
なされ、はんだめっきされたサーディツプパッケージか
えられる。
以下本発明の方法を実施例および比較例に基づいて説明
するが本発明はかかる実施例のみに限定されるものでは
ない。
するが本発明はかかる実施例のみに限定されるものでは
ない。
実施例１
２４ピンのサーディツプパッケージ（めっき表面積５
ａｍ２／１個）に硫酸を用いた酸処理、化学研磨処理お
よびガラス制止を行なった。
ａｍ２／１個）に硫酸を用いた酸処理、化学研磨処理お
よびガラス制止を行なった。
メタンスルホン酸スズ１５９／！、メタンスルホン酸鉛
３ｇ／１％ゼラチン２９７！、分散剤としてＰＫＧＮＰ
ＩＩ５ｍｌ／ｌを用いアンモニア水でｐＨ１，６に調整
することにより、本発明に用いるはんだめっき浴を２ノ
調製した。
３ｇ／１％ゼラチン２９７！、分散剤としてＰＫＧＮＰ
ＩＩ５ｍｌ／ｌを用いアンモニア水でｐＨ１，６に調整
することにより、本発明に用いるはんだめっき浴を２ノ
調製した。
前記のようにしてえられたサーディツプパッケージ４個
をラックにセットし、陽極にはんだ板を使用して電流密
度２Ａ／ａｍ２、浴温２５°０の条件ではんだめっき浴
をマグネチツクスターラーで攪拌しながら７．５分間は
んだめっきしたのち洗浄した。
をラックにセットし、陽極にはんだ板を使用して電流密
度２Ａ／ａｍ２、浴温２５°０の条件ではんだめっき浴
をマグネチツクスターラーで攪拌しながら７．５分間は
んだめっきしたのち洗浄した。
えられたはんだめっきされたサーディツプパッケージは
封止ガラス上へのはんだの析出のまったくない良好な品
質のものであった。
封止ガラス上へのはんだの析出のまったくない良好な品
質のものであった。
実施例２
メタンスルホン酸スズ１０９／７．メタンスルホン酸鉛
２．／ｌおよびゼラチン２．／ｌを用いて調製したはん
だめっき浴をトリエタノールアミンでｐＨ１，２に調整
した。
２．／ｌおよびゼラチン２．／ｌを用いて調製したはん
だめっき浴をトリエタノールアミンでｐＨ１，２に調整
した。
えられたはんだめっき浴２１を用いて実施例１と同様に
してえられたガラス封止したサーディツプパッケージを
電流密度１．５４／ｄｍ２で１０分間はんだめっきした
のち洗浄した。
してえられたガラス封止したサーディツプパッケージを
電流密度１．５４／ｄｍ２で１０分間はんだめっきした
のち洗浄した。
えられたはんだめっきされたサーディツプパッケージは
封止ガラス上へのはんだの析出のまったくない良好な品
質のものであった。
封止ガラス上へのはんだの析出のまったくない良好な品
質のものであった。
比較例１
実施例１で用いたメタンスルポンｍｍ浴のがわりにホウ
７ツ酸塩を用いたホウフッ化浴、アルカノールスルホン
酸スズ、アルカノールスルホン酸鉛を用いたアルカノー
ルスルホン酸浴またはフェノールスルホン酸スズおよび
フェノールスルホン酸鉛を用いたフェノールスルボン酸
浴を用いて実絶倒１と同様にしてはんだめっきしたがい
ずれのばあいにも封止ガラス上にはんだが析出し、使用
しうる品質のはんだめっきされたサーディツプパッケー
ジをうろことができなかった。
７ツ酸塩を用いたホウフッ化浴、アルカノールスルホン
酸スズ、アルカノールスルホン酸鉛を用いたアルカノー
ルスルホン酸浴またはフェノールスルホン酸スズおよび
フェノールスルホン酸鉛を用いたフェノールスルボン酸
浴を用いて実絶倒１と同様にしてはんだめっきしたがい
ずれのばあいにも封止ガラス上にはんだが析出し、使用
しうる品質のはんだめっきされたサーディツプパッケー
ジをうろことができなかった。
比較例２
実施例１で用いたはんだめっき浴のｐＨを約０．６にし
た以外は実施例１と同様にして約５分間はんだめっきし
た。 。
た以外は実施例１と同様にして約５分間はんだめっきし
た。 。
えられたはんだめっきされたサーディツプパッケージの
約５０％の封止ガラス上にはんだが析出していた。
約５０％の封止ガラス上にはんだが析出していた。
比較例６
実施例１で用いたはんだめっき浴のｐＨを約６．２にす
ると白色沈殿が生じ、正常なはんだめっきをすることが
できなかった。
ると白色沈殿が生じ、正常なはんだめっきをすることが
できなかった。
代理人 大岩増雄 （ほか２名）
Claims (1)
- （１）半導体用低融点ガラス封止サーディツプパッケー
ジにはんだめっきする方法において、メタ・ンスルホン
酸スズおよびメタンスルホン酸鉛を用いたはんだめっき
浴をｐＨ１〜６に調整してはんだめっきすることを特徴
とするサーディツプパッケージはんだめっき法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8788783A JPS59211562A (ja) | 1983-05-17 | 1983-05-17 | サ−デイツプパツケ−ジはんだめつき法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8788783A JPS59211562A (ja) | 1983-05-17 | 1983-05-17 | サ−デイツプパツケ−ジはんだめつき法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59211562A true JPS59211562A (ja) | 1984-11-30 |
| JPH0114319B2 JPH0114319B2 (ja) | 1989-03-10 |
Family
ID=13927382
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8788783A Granted JPS59211562A (ja) | 1983-05-17 | 1983-05-17 | サ−デイツプパツケ−ジはんだめつき法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59211562A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0198038A1 (en) * | 1984-10-11 | 1986-10-22 | Learonal Inc | BATH AND METHOD FOR PLACING COMPOSITE SUBSTRATES WITH TIN / LEAD ALLOYS. |
| JPS61292350A (ja) * | 1985-06-03 | 1986-12-23 | ナシヨナル・セミコンダクタ−・コ−ポレ−シヨン | 改良されたはんだめつき法およびこの方法によつて製造された半導体製品 |
-
1983
- 1983-05-17 JP JP8788783A patent/JPS59211562A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0198038A1 (en) * | 1984-10-11 | 1986-10-22 | Learonal Inc | BATH AND METHOD FOR PLACING COMPOSITE SUBSTRATES WITH TIN / LEAD ALLOYS. |
| JPS61292350A (ja) * | 1985-06-03 | 1986-12-23 | ナシヨナル・セミコンダクタ−・コ−ポレ−シヨン | 改良されたはんだめつき法およびこの方法によつて製造された半導体製品 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0114319B2 (ja) | 1989-03-10 |
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