JPS61279134A - 半導体装置の製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体装置の製造法に関する。

〔従来の技術〕

従来より半導体装置の高速化のための低抵抗の電極や配
線が求められている。モリブデンやタングステンやタン
タルやチタンや白金などの金属とシリコンなどの半導体
との化合物は低抵抗であることは知られている。特にシ
リコンと高融点金属との化合物であるシリサイドは一般
に安定な物質であり有望であるとされている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

以下、半導体としてシリコンを用いた場合に限らず他の
半導体についても同じである。例えば、半導体基板上の
拡散層表面にシリサイドを形成し、低抵抗の配線を実現
しようとする場合に、シリサイドが形成された配線と、
これらの上に絶縁膜を介して形成される配線や電極との
間の耐圧が小さいという欠点がある。すなわち、シリサ
イドを熱酸化すると、表面に８１０，２膜が形成され、
シリサイド層はシリコン基板側へ平行移動するような形
状になる。このとき形成された５１０２膜はシリコン基
板を熱酸化して得られるＳｉ０，２膜に比較して耐圧が
半分以下であり、十分な耐圧が得られなかりた。

また、気相化学反応堆積法による５ＩＯ２膜の形成によ
っても十分な耐圧は得られなかった。

この発明は、このような従来の欠点を除去せしめて、良
好な特性の半導体装置を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

この発明は半導体基板表面に選択的に金属と半導体との
化合物層を形成し、この化合物層を被うように半導体層
を形成し、この半導体層を酸化することを特徴とする半
導体装置の製造法である。

〔実施例〕

以下この発明の実施例にもとづいて説明する。

第１図はこの発明の一実施例の半導体装置の製造法を示
した図である。シリコン基板上の拡散層の低抵抗化のた
めにシリサイドを用いた例である。

第１図（、）は、ｐ型シリコン基板１の主面に窒化膜を
用いた選択酸化法によってフィールド酸化膜２を形成し
、フィールド酸化膜２の形成されていない領域にリンや
ヒ素をドープし、ｎ十型拡散層３を形成した状態を示し
ている。第１図（ｂ）において、白金などの金属を蒸着
し、熱処理を施し、ｎ十型拡散層３上にシリサイド層４
を形成する。酸化膜２上の金属はシリサイド化しない。

白金の場合は王水を用いるが、各金属に応じたエツチン
グ液を用いてシリサイド化しなかった金属をエツチング
除去する。次いで第１図（Ｃ）のようにポリシリコン層
５を化学反応堆積法で形成する。第１図（ｄ）において
、このポリシリコン層５を熱酸化し、酸化膜６を形成す
る。どの時、ポリシリコン層５は完全に熱酸化し、シリ
サイド層４も一部酸化する。この後、ウェハ表面の平坦
化工程、コンタクトホール工程、アルミニウム配線工程
、保瞳膜工程を経て半導体装置を完成する。図面には拡
散層のみを図示したが、トランジスタなどが同時に作成
されていても支障はない。

〔発明の効果〕

以上のように本発明は基板に形成された金層と半導体と
の化合物層上に新たに半導体層を形成し、その半導体層
を酸化して良好な酸化膜を得るもので、得られた酸化膜
は耐圧が大きく、このため、化合物層上に形成される電
極や配線と化合物層間の耐圧を著るしく向上できる効果
を有するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図（、）〜（ｄ）はこの発明の実施例の半導体装置
の製造工程を工程順に示す断面図である。 １・・・ｐ型シリコン基板、３・・・ｎ＋型型数散層４
・・・シリサイド層、５・・・ポリシリコン層、６・・
・酸化膜。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体基板表面に選択的に金属と半導体との化合
   物層を形成し、この化合物層を被うように半導体層を形
   成し、この半導体層を酸化することを特徴とする半導体
   装置の製造法。