JPS61267390A - 半導体レ−ザの製造方法およびこの方法によつて得られた半導体レ−ザ - Google Patents

半導体レ−ザの製造方法およびこの方法によつて得られた半導体レ−ザ

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JPS61267390A
JPS61267390A JP61110967A JP11096786A JPS61267390A JP S61267390 A JPS61267390 A JP S61267390A JP 61110967 A JP61110967 A JP 61110967A JP 11096786 A JP11096786 A JP 11096786A JP S61267390 A JPS61267390 A JP S61267390A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体レーザの製造方法およびこれによって得
られる半導体レーザに関し、評言すれば光速距離通信に
使用される、テープまたはリボンジオメトリを備えた半
導体レーザの製造方法およびこの方法によって得られる
半導体レーザに関するものである。
本発明の技術分野はいわゆる二重ヘテロ接合を有する半
導体レーザの分野である。このような接合は単結晶基板
上にエピタキシによって蒸着された半導体レーザの積重
ねによって構成される。一般に、基板から始まって、第
１抑制層、活性層（光放出の責任がある）、第２抑制層
、接触層および最後に金属層がある。二重ヘテロ接合の
特徴は活性層がその組成が活性層の組成と異なる２つの
層によって取り囲まれるという事実から生じる。
０．８〜０．９μｍの間で放出するレーザに関して抑制
層はＧａニー、Ａ１工Ａｓ合金からなりそして活性層と
基板はＧａＡａからなる。１．６〜１．６５μｍの間で
放出するレーザに関して、抑制層はＧａよ−エＩｎＸＡ
ｓ□−ｙＰｙからなり一方活性層と基板はＩｎＰからな
る。
しきい値電流密度はこのような接合については約ＩＫＡ
／ｃＪである。しきい値電流を減じるために、活性の狭
いテープの画成を可能とする種々の方法が使用されてい
る。テープは電荷キャリヤの抑制およびそれらの活性層
に向けての方向付けを可能にする。
前記テープを形成するために実質上６つの方法が知られ
ている。
１．２つの高抵抗領域の発生を可能とするウィンドーの
両側へのプロトンの注入。電流は非注入ウィンドーにの
み通る。この方法は例えば１９７３年の「ジャーナル・
オブールミネセンス」、７゜３１０に発表されたエル・
ニー・ダサロによる論文、および１９７５年の「アプラ
イド・フィジックス・レターＪ、２７，１３８に発表さ
れたエッチ−カン、エッチ・すξザキ、エム・イシイお
よびニー９イトウによる論文に記載されている。
２シリカウインドーを通して活性領域への亜鉛の拡散。
それにより拡散領域は境界区域より高い導電性を有する
。この方法は例えば１９７３年の「ジャパン・ジエー・
アプライド・フィシツク」、１２．１５８５に発表され
たエッチ・ヨネヅ、アイ・サクマ、ケー・コバヤシ、テ
ィー・カメシマ、エム・ウエノおよびワイ・ナンニチに
よる論文および１９７７年の「ジャパン・エヌ・アプラ
イド・フィシツクＪ、１６　２０９に発表されたエッチ
・ヨネヅ、ワイ・マツモト、ティー・ジノハラ、アイ・
サクマ、ティー・ススディ、ケー・コバヤシ、アール・
ラング、ワイＯナンニチおよびアイ９ハヤシによる論文
に記載されている。
′５．１９７４年の「ジャーナル・アプライド・フィシ
ツクＪ、４５．４８９９に発表されたティー・ツカダの
論文に記載された方法において埋込みテープを製造する
ことである。
幾つかの点においては十分であるけれども、これら３つ
の方法は以下の欠点、すなわち、プロトンの横方向注入
を用いる第１の方法はキャリヤ注入領域における導電性
を改善しない。
中央拡散をもたらす第２の方法は横方向領域における導
電性を減少しない。
最後に、第６の方法はとくにエピタキシの繰返しによる
非常に複雑な技術を使用する。
本発明の目的はこれらの欠点を除去することにある。そ
れゆえ、注入および拡散方法を組み合せる方法を勧める
。本発明によれば、レーザ構造の全表面が所望の厚さに
ｐ型ドーピング不純物（例えばべＩＪ　９ウム）で注入
される。したがって、表面層は半導体内Ｖｃｌ’−力に
より」導入された高分量の不純物によって誘起された全
部のまｆｃはｔｌぼ全部の非晶質化により電気的に絶縁
となる。これに良好な導電に適切な材料に結晶構造を復
帰させる適当なエネルギ源を集束させることにより注入
領域の局部アニーリングが追随する。照射源または半導
体構造を支持するプレートの移動により、アニール領域
は所望の寸法を有するテープの形状が付与される。
したがって、注入（横方向領域における絶縁を導く）お
よび拡散（テープを画成する領域における導電性の改善
を導く）の利点が組み合される。
本発明はまたこの方法によって得られかつ横方６一 向のアモルファス領域によって取り囲まれるｐ型ドーピ
ング結晶テープの存在を特徴とするレーザに関する。
以下に本発明を非限定的な実施例および添付図面に基づ
き詳細に説明する。
本発明によれば、矢印１０で略示されたイオン注入は領
域１２（点線で示す）をアモルファスにする作用を有す
るｐ型ドーパントにエリ行なわれる。したがって、この
領域は高電気的抵抗性を有する。この注入のため、例え
ば５．１０　〜５．１０　　Ｃ，ｊの間の分量により２
５０〜６５０にθＶの間のエネルギで注入されるベリリ
ウム全使用することができる。注入は活性領域６に近づ
くが達しないようにしなければならない。
本発明方法の第２段階を第２図に示す。電子銃ま′ｆｃ
はレーザのごとき照射源２０によって、注入後得られる
二重ヘテロ接合は表面層４，５を小さ１　　　　な表面
２６にわたって加熱するための手段２４によって適宜に
集束された高エネルギビームによって照射される。
加熱は表面２６の下に配置された領域６０によって示さ
れる体積における材料の再結晶化を生じる。この体積の
深さは再結晶化が注入領域の底部に達するような方法に
おいて調整される供給されたエネルギに依存する。
前記再結晶化は材料の導電性全回復しかつこれはまた前
に注入されたｐ型ドーパントの存在により増大される。
照射源２０または二重ヘテロ接合のいずれか全直線状に
移動することにより、それに沿う導電性が優れているテ
ープが形成される。
該テープは抵抗が高い２つのアモルファス領域によって
境界付けられる。したがって、キャリヤの２重に有効な
抑制が得られる。
照射源２０としてのレーザの使用はとぐに有利であると
思われる。約０．１ジユール／ｃ４の平均エネルギ密度
を供給するＹＡＧ、Ｎｄ　　型のパルスレーザを使用す
ることができる。衝突点の移動速度は０、０１６ｍ／　
ｓ　にすることができる。また直線開口を有するマスク
を使用しかつランプにより存在物を照射することもでき
る。
注入および再結晶化作業が完了されたとき、金属層（図
示せず）が存在物に蒸着され必）つ電源に接続される。
ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓヘテロ接合の場合において、本
発明がそれに制限されるものではないが、種々の層につ
いて以下の組成および厚さを有することができる。すな
わち、 第１層：　ＧａＡｓ　、厚さ１００μｍ第２層：ｎドー
プドＧａ　ｏ、　７　Ａ　ｌ　ｏ、　３Ａｓ　（ｉｏ１
８ｃｒＩＬ−”）厚さ１μｍ 第３層：アンドープドＧａＡｓ　、厚さ０．５μｍ第４
層：ｐドープドＧａｏ、７Ａｌｏ、３Ａθ（１０１８ｃ
ＩＩＬ−３）、厚さ１μｍ 第５層：ｐ＋ドープドＧａ　Ｏ，ｏ　Ａ１　ｏ、　ｘＡ
ａ　（５゜１０１８ｃｍ−３）。
厚さ０．２μｍ
【図面の簡単な説明】
第１図は注入作業の結果として生じる二重ヘテロ接合を
示す断面図、 第２図はアニーリングの結果として生じる接合を示す断
面図である。 図中、符号１は基板、２は第１抑制層、５は活性層（領
域）、４は第２抑制層、５は接触層、１０はイオン注入
、１２はアモルファス領域、２０は照射源、２６は表面
、２８ａ、２８ｂｉｉ′アモルファス領域、６０は表面
２６の下方の領域である。 代理人　弁理士　佐　々　木　清　隆 （外２名） −１ロ　−

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）二重ヘテロ接合が基板上に第１抑制層、活性層、
    第２抑制層および接触層を形成し、それにより電荷キャ
    リヤの導入がそれを取り囲む領域に関して促進されるテ
    ープが形成される半導体レーザの製造方法において、前
    記テープを形成するために、 ａ）前記接触層および前記第２抑制層の一部に注入され
    た領域がアモルファスになるようなエネルギおよび分量
    でｐ型ドーピング不純物が注入され、ｂ）注入された構
    造がテープに沿つてアモルファス領域を再結晶化できる
    集束された高エネルギビームにより照射されることを特
    徴とする半導体レーザの製造方法。
  2. （２）前記高エネルギビームは集束された光線であり、
    前記二重ヘテロ接合および光線はテープを得るために相
    対的に直線状に配置されていることを特徴とする特許請
    求の範囲第１項に記載の半導体レーザの製造方法。
  3. （３）二重ヘテロ接合が基板上に第１抑制層、活性層、
    第２抑制層および接触層を形成し、それにより電荷キャ
    リヤの導入がそれを取り囲む領域に関して促進されるテ
    ープが形成され、該テープを形成するために、前記接触
    層および前記第２抑制層の一部に注入された領域がアモ
    ルファスになるようなエネルギおよび分量でｐ型ドーピ
    ング不純物が注入されかつ注入された構造がテープに沿
    つてアモルファス領域を再結晶化できる集束された高エ
    ネルギビームにより照射される半導体レーザにおいて、
    前記テープはｐ型不純物によつて注入された結晶領域に
    よつて構成され、そして同一不純物によつて注入された
    領域により取り囲まれるが注入によつてアモルファスに
    されることを特徴とする半導体レーザ。
JP61110967A 1985-05-21 1986-05-16 半導体レ−ザの製造方法およびこの方法によつて得られた半導体レ−ザ Pending JPS61267390A (ja)

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FR8507619A FR2582455B1 (fr) 1985-05-21 1985-05-21 Procede de fabrication d'un laser a semiconducteur a geometrie a ruban et laser obtenu par ce procede

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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4948960A (en) * 1988-09-20 1990-08-14 The University Of Delaware Dual mode light emitting diode/detector diode for optical fiber transmission lines
JPH08222797A (ja) * 1995-01-17 1996-08-30 Hewlett Packard Co <Hp> 半導体装置およびその製造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3936322A (en) * 1974-07-29 1976-02-03 International Business Machines Corporation Method of making a double heterojunction diode laser
GB2030766A (en) * 1978-09-02 1980-04-10 Plessey Co Ltd Laser treatment of semiconductor material
FR2465337A1 (fr) * 1979-09-11 1981-03-20 Landreau Jean Procede de fabrication d'un laser a semi-conducteur a confinements transverses optique et electrique et laser obtenu par ce procede
US4340967A (en) * 1980-06-02 1982-07-20 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Semiconductor lasers with stable higher-order modes parallel to the junction plane
US4536940A (en) * 1981-06-12 1985-08-27 At&T Bell Laboratories Method of making a loss stabilized buried heterostructure laser
US4388145A (en) * 1981-10-29 1983-06-14 Xerox Corporation Laser annealing for growth of single crystal semiconductor areas
US4535220A (en) * 1981-11-10 1985-08-13 The Secretary Of State For Defence In Her Britannic Majesty's Government Of The United Kingdom Of Great Britain And Northern Ireland Integrated circuits
US4639275A (en) * 1982-04-22 1987-01-27 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Forming disordered layer by controlled diffusion in heterojunction III-V semiconductor
US4539743A (en) * 1983-11-28 1985-09-10 At&T Bell Laboratories Production of semiconductor structures with buried resistive or conductive regions by controlled ion bombardment and heat treatment
US4564403A (en) * 1984-01-27 1986-01-14 Sony Corporation Research Center Single-crystal semiconductor devices and method for making them
JPS6115319A (ja) * 1984-07-02 1986-01-23 Sharp Corp 半導体装置の製造方法

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FR2582455A1 (fr) 1986-11-28
US4742013A (en) 1988-05-03
DE3673459D1 (de) 1990-09-20
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EP0203848A1 (fr) 1986-12-03

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