NL8004470A - Hete-ladingsdragertransistor. - Google Patents
Hete-ladingsdragertransistor. Download PDFInfo
- Publication number
- NL8004470A NL8004470A NL8004470A NL8004470A NL8004470A NL 8004470 A NL8004470 A NL 8004470A NL 8004470 A NL8004470 A NL 8004470A NL 8004470 A NL8004470 A NL 8004470A NL 8004470 A NL8004470 A NL 8004470A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- zone
- base
- barrier
- emitter
- transistor according
- Prior art date
Links
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 112
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims description 25
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims description 15
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 13
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 12
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 claims description 3
- 239000002784 hot electron Substances 0.000 description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 5
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 4
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- -1 boron ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 229910001449 indium ion Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000036316 preload Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 230000002459 sustained effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/47—Schottky barrier electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/7606—Transistor-like structures, e.g. hot electron transistor [HET]; metal base transistor [MBT]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
* PHB 32670 1 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken te Eindhoven.
"Hete-ladingsdragertransistor".
De uitvinding heeft betrekking op een transistor met een halfgeleiderlichaam dat een basiszone van een eerste type geleidings-vermogen bevat, waarin stroomdoorgang plaats vindt door hete meerderheids ladingsdragers , en sperlaagvormende middelen die met genoemde ba-5 siszone emitter-basis en basis-collector sperlagen vormt, terwijl genoemde emitter-bas is-sperlaagvormende middelen een sper zone bevatten met een doteringsconcentratie van een het tweede, tegengestelde geleidings-type veroorzakende doteringsstof.
Een dergelijke transistor is bekend uit United States Patent 10 Specification (US-PS) 4,149,174. Een dergelijke transistor kan een "he-te-elek.tron" of "hete-gaterPtransistor worden genoemd, afhankelijk van het feit of de hete meerderheidsladingsdragers elektronen of gaten zijn.
Een "hete" ladingdrager is een ladingdrager die niet in ther-sch evenwicht is met het kristalrooster. Zo hebben hete elektronen ener-15 gieën die meer dan enkele k.T. boven de geleidingsbandgrens liggen (waarin k en T respectievelijk de konstanten van Boltzmann en de roostertemperatuur zijn), terwijl hete-gatoienergieën hebben die meer dan enkele k.T. beneden de valentiebandgrens liggen.
Dergelijke transistors kunnen verwaarloosbare minderheidsaccu-20 mulatieeffecten in zowel de emitter- als basiszones hebben en derhalve geschikt zijn voor gebruik bij hoge schakel-snelheid of hoge frequentie. Ze kunnen eveneens een lage basisweerstand hebben doordat voor de basiszone een hoge doteringsconcentratie van het ene geleidingstype wordt gekozen en ze kunnen betrekkelijk ongevoelig zijn voor in-homogeniteiten 25 in de basisdotering. Daarom kunnen dergelijke transistors aanzienlijke voordelen vertonen in vergelijking met conventionele n-£-n of £-£-£-bipolaire transistors.
In een uitvoeringsvorm die in genoemd United States Patent . wordt beschreven bevatten genoemde emitter-basis sperlaagvormende midde-30 len een sperzone die een doteringsconcentratie heeft die een geleidingstype veroorzaakt dat tegengesteld is aan dat van de basiszone. Deze sper-zone scheidt zowel de basiszone als een emitterzone met hetzelfde type geleidingsvermogen als genoemde basiszone en vormt daarmee uitputtings- 8 0 0 4 4 70
N
PHB 32670 2 s t zones. De sperzone is dun genoeg om deze bij nulpotentiaal gevormde uit-puttingszones samen te smelten in genoemde sperlaagzone, zodat bij nulpotentiaal de gehele genoemde sperzone aan beweeglijke ladingsdragers van zowel het genoemde eerste geleidingstype als van het tegengestelde, twee-5 de geleidingstype aanzienlijk wordt verarmd.
In de transistor die in genoemd Unites States Patent worden beschreven, werd de energiesprong van de emitter-basis sperlaag hoger gekozen dan die van de basis-collector-sperlaag, zodat het merendeel van de hete ladingdragers die in de basiszone worden gebracht energieën heb-10 ben die groot genoeg zijn om de basis-collector sperlaag te overwinnen, waarbij een goed collectorrendement wordt verkregen. Een hoog collector-rendement is wenselijk, speciaal voor het verkrijgen van een grote ge-meenschappelijke-emitter stroomversterking voor de transistor. Ook is het vaak wenselijk een lage emittercapaciteit te hebben, speciaal bij snel 15 schakelende of hoogfrequente werking.
De onderhavige uitvinding biedt een verbetering van de emit-ter-basis-sperlaagvormende middelen, waardoor de energie van de uitgezonden dragers wordt vergroot ten opzichte van de energiesprong van de basis-collector sperlaag en het mogelijk wordt genaakt structuren te 20 verkrijgen die eenlagere emittercapaciteit kunnen hebben.
Volgens de onderhavige uitvinding wordt een transistor van de in de aanhef beschreven soort gekenmerkt doordat de dikte en de do-teringsconcentratie van genoemde sperzone zo groot zijn dat genoemde sperzone op zijn minst over een deel van zijn dikte niet wordt ingenomen 25 door de uitputtingszone(s) die bij nulpotentiaal aan genoemde emitter-basis sperlaag aanwezig is, terwijl het aanleggen van een voorspanning tussen basis en emitter van de transistor noodzakelijk is om een toevoer van genoemde hete meerderheidsladingdragers met energieën groter dan de energiesprong van de basis-collector sperlaag tot stand te breng-30 en.
Er is een voorspanning van bepaalde grootte nodig om genoemde toevoer van hete meerderheidsdragers naar de basiszone teweeg te brengen. Deze toevoer kan door genoemde voorspanning tot stand worden gebracht doordat genoemde voorspanning ervoor zorgt dat genoemde uitputtingszone 35 (s) zich over de gehele dikte van de sperzone tussen de emitter- en de basiszone uitstrekken, dit is een zo genoemde "punch-through"-configu-ratie.
Er zijn ook andere manieren om genoemde toevoer tot stand te 800 4 4 70 EHB 32670 3 brengen, bijvoorbeeld doordat genoemde voorspanning hetzij een lawine-doorslag van genoemde grenslaagzone veroorzaakt, hetzij de ladingdragers in genoemde sperzone laat tunnelen tussen de geleidings- en valentieban-den. 2o lang genoemde toevoer niet tot stand is gebracht, belemmert het 5 niet-verarmde deel van de sperzone de emissie van hete ladingdragers in de basiszone en het effect van de aangelegde voorspanning is dat ten opzichte van de basis-collector sperlaag de energie van de te emitteren la-dingdragerverdeling wordt vergroot. Daardoor zal de energie van de ge-emitteerde ladingdragers, wanneer er emissie plaatsvindt, aanzienlijk 10 groter kunnen zijn dan de energiesprong van de basis-collector grenslaag, zodat er een hoog collectorrendement wordt verkregen. Zoals hierna zal worden beschreven kan een lage emittercapaciteit worden verkregen door de aangelegde voorspanning te gebruiken voor uitbreiding van de uitputtings-zone(s) aan de emitter-basis sperlaag bij nulpotentiaal, speciaal als er 15 een lager gedoteerde zone in de emitterstructuur is opgenomen en als er een "punch-through"-configuratie wordt gebruikt.
De sperzone kan aanwezig zijn tussen de basiszone en hetzij een ohms contact van de emitter, hetzij een Schottky-contact van de emitter. De sperzone kan door een lager gedoteerde zone met een van de genoemde 20 geleidingstype gescheiden zijn van het ohmse contact of het Schottky-contact; als deze lager gedoteerde zone het eerste geleidingstype heeft, vormt hij tevens een uitputtingszone met de sperzone. Tengevolge van de uitbreiding van de uitputtingszones in de lager gedoteerde zone en in de sperzone, kunnen dergelijke structuren een uiterst lage emittercapaciteit 25 hebben.
In één uitvoeringsvorm kunnen de emitter-bas is-sperlaagvormende middelen dus een Schottky-contact aan een oppervlak van het halfgeleider-lichaam bevatten, waarbij genoemde sperzone aanwezig is tussen het Schottky-contact en de basiszone, en minstens een deel van de dikte van genoemr 30 de sperzone buiten de uitputtingszone ligt die bij nulpotentiaal aan genoemd Schottky-contact aanwezig is. De combinatie van de minstens gedeeltelijk niet-verarmde sperzone en het Schottky-contact kan een hoge emitter-basis sperlaag veroorzaken voor de injectie van zeer hete meerderheids ladingdragers in de basiszone, zodat het collectorrendement wordt 35 verbeterd. Vergeleken met een Schottky-emitter zónder een dergelijke sperzone kan de emittercapaciteit eveneens kleiner zijn, speciaal als er meer zones worden opgenomen om de uitputtingszone nog meer te spreiden. Zo kan genoemde sperzone van het tegengestelde geleidingstype van het Schottky- 800 4 4 70 i i» PHB 32670 4 contact worden gescheiden door een lager gedoteerde zone, die hetzij genoemd tweede, tegengestelde geleidingstype, hetzij het eerste geleidings-type heeft.
In het algemeen verdient het de voorkeur dat de basiszone 5 sterk gedoteerd wordt, zodat de uitbreiding van uitputtingszones in de basiszone wordt verminderd en de basisweerstand wordt verkleind. Daarom heeft genoemde basiszone bij voorkeur een het geleidingsvermogen veroor- 20 3 zakende doteringsconcentratie van minstens 10 doteringsatamen/cm en kan als een ontaard gedoteerde halfgeleiderzone worden beschouwd. Om een 10 excessieve dikte van de emitter-sperlaagzone te vermijden, die de opname in de trans istorstruktuur zou bemoeilijken, moet bovendien de doterings- 18 8 concentratie in het algemeen groter dan 10 doteringsatomen/cm zijn.
Deze en andere kenmerken van de uitvinding en enkele van hun voordelen zullen hierna worden beschreven aan de hand van de bij gevoegde 15 schematische tekeningen, die bij wijze van voorbeeld diverse uitvoeringsvormen van de uitvinding illustreren. In deze tekeningen tonen Figuren 1 en 2 energieschema's voor transistors overeenkomstig de uitvinding, zowel onder voorspanning als onder nulpotentiaal;
Figuur 3 een dwarsdoorsnede van een voorbeeld van een derge-20 lijke transistor met mogelijke circuitaansluitingen;
Figuur 4 een dwarsdoorsnede van een ander voorbeeld van een dergelijke transistor met mogelijke circuitaansluitingen;
Figuur 5 een energieschema voor een gewijzigde vorm van de transistor van Figuur 1, zowel onder voorspanning als onder nulpotenti-25 aal;
Figuur 6 een energieschema voor weer een andere transistor overeenkomstig de uitvinding, zowel onder voorspanning als onder nulpotentiaal; en
Figuur 7 een dwarsdoorsnede van een voorbeeld van de tran-30 sistor van Figuur 6.
Er wordt op gewezen dat alle figuren schematisch zijn en niet op schaal zijn getekend; de respectieve maten en verhoudingen van sommige delen van deze figuren werden met het oog op duidelijkheid en gemak groter of kleiner weergegeven. Dezelfde referentienuirmers die in de ene 35 figuur worden gebruikt worden in het algemeen ook in de andere figuren gebruikt voor verwijzing naar dezelfde of soortgelijke onderdelen.
De in Figuur 1 getoonde transistor bevat een monokristallijn halfgeleiderlichaam met halfgeleiderzones 1 tot en met 4. Zone 2 is een 800 4 4 70 -* PHB 32670 5 * sterk gedoteerde basiszone van een eerste geleidingstype (in dit voorbeeld het n-type). De sperlaagvormende middelen 1 en 4,5 vormen samen met basiszone 2 respectievelijk een basis-collector sperlaag en een emitter-basis sperlaag. De stroom door basiszone 2 (van de emitter-basis 5 sperlaag naar de basis-collector sperlaag is gebaseerd qp hete meerder-heidsladingdragers (in dit voorbeeld dus hete elektronen voor de n-type basiszone 2), die door pijltjes 7 worden aangeduid.
De basis-collector sperlaag wordt gevormd door een sperzone 1 met een doteringsconcentratie die kenmerkend is voor het tweede gelei-10 dingstype (in dit voorbeeld het £~type), waarvan de grootte bepalend is voor de hoogte van een potentiaaldrempel voor de doorstroming van ladingdragers van het ene type (in dit voorbeeld elektronen) vanuit zowel de basiszone 2 als de collectorzone 3. De sperzone 1 is dun genoeg cm het mogelijk te maken dat de uitputtingszones die zij bij nulpotentiaal met 15 zowel de basis- als de collectorzones vormt samensmelten in zone 1, zodat zelfs bij nulpotentiaal heel de zone 1 aanzienlijk wordt verarmd aan beweeglijke ladingdragers van beide typen. De collectorzone 3 heeft hetzelfde geleidingstype (n-type) als de basiszone 2, maar is minder sterk gedoteerd. De doteringsconcentratie van de basiszone is bij voorkeur mins- 20 3 20 tens 10 donoratomen/cm .
De vorming en het gebruik van dergelijke sterk verarmde sper-zones 1 voor de basis-collector sperlagen van hete elektron (of hete-gaten) transistors wordt gedetailleerd beschreven in US-PS 4,149,174. Om de sperzone 1 bij nulpotentiaal sterk verarmd te houden, moeten dikte en 25 doteringsniveau van zone 1 aan bepaalde voorwaarden voldoen, die in US-PS 4,149,174 staan beschreven.
De emitter-basis sperlaag wordt gevormd door een metaallaag 5, die een Schottky-contact vormt, en een sperzone 4 met een doteringsconcentratie van geleidingstype dat tegenovergesteld is (£-type) aan dat 30 van basiszone 2. Er wordt op gewezen dat US-PS 4.149,174 transistors beschrijft met een emitter-basis sperlaag die gevormd wordt door hetzij een Schottky-contact, hetzij een sterk verarmde sperzone. Maar overeenkomstig de onderhavige uitvinding is de sperzone 4 aanwezig tussen het
Schottky-contact 5 en de basiszone 2 en heeft die een zo grote dikte en
Vbii nulpotentiaal) 35 doteringsconcentratie daÈVmxnstens een deel van zijn dikte buiten de uitputtingszone bij genoemd Schottky-contact 5 ligt. Ms er dus geen voorspanning aan de Schottky-emitter 5 en de basiszone 2 wordt gelegd, is de sperzone 4 niet-verarmd over minstens een deel van zijn dikte en 800 44 70 PHB 32670 6 gedraagt zich dan als een laag van het £-type, hetgeen in Fig. 1 wordt aangeduid met p+.
Lijn a in Figuur 1 toont de elektronenenergie en het potenti-aalverloop in de transistorstructuur bij thermisch evenwicht en bij nul-5 potentiaal.
Lijn b in Figuur 1 is het overeenkomstige schema voor basiszone 2 en collectorzone 3, met een potentiaal die ten opzichte van emitter 5 respectievelijk een waarde νβΕ en heeft. Het aanleggen van een voor-spanning V.^ is noodzakelijk om een toevoer van hete elektronen 7 met 10 energieën groter dan de energiesprong van de basis-collector sperlaag tot stand te brengen. In dit voorbeeld van Figuur 1 worden er geen hete elektronen 7 in belangrijke hoeveelheid vanuit emitter 5 in de basiszone 2 geïnjecteerd voordat de basis-emitter voorspanning νβΕ groot genoeg is om de uitputtingszone over heel de dikte van de sperzone 4 uit te brei-15 den. Er wordt dan gezegd dat de uitputtingszone door zone 4 heensteekt, tussen de emitter 5 en de basiszone 2, hetgeen resulteert in stroomdoor-gang door thermionische emissie van elektronen 7. De lijn b in Figuur 1 toont de situatie als νβΕ net groot genoeg is om heel de zone 4 te verarmen.
20 Zoals men bij vergelijking van de lijnen a en b in Figuur 1 kan zien, moet er een voorspanning νβΕ van op zijn minst een bepaalde grootte worden aangelegd voordat er stroom gaat lopen en dit heeft tot gevolg dat de potentiaal van de basis-collector sperzone 1 naar een lager niveau (positiever) ten opzichte van de emitter 5 wordt verschoven, zodat 25 als er ladingdragerinjectie plaatsvindt (lijn b), de energie van de uitgezonden ladingdragers 7 tot een aanzienlijke hoogte ten opzichte van de energiesprong van de basis-collector sperlaag 1 is toegenomen. De opname van een emitter-basis sperzone 4 met een niet-verarmde dikte bij nulpo-tentiaal vergroot dus het collectorrendement van de basis-collector sper-30 laag 3. Zo zijn er collectorrendementen van 75% en meer mogelijk.
De grootte van de voorspanning νβΕ die nodig is om zone 4 volledig te verarmen is afhankelijk van de dikte en de doteringsconcentratie van zone 4 tussen het Schottky-contact 5 en de basiszone 2. In een typisch geval kunnen die zo worden gekozen dat er een voorspanning VD_ van iifci 35 minstens 0,5 volt nodig is om "punch-through" te laten plaatsvinden, zodat de energie van de uitgezonden ladingdragers net een overeenkomstige hoeveelheid wordt verhoogd. Als de transistor werkt met een emitter-basis voorspanning die groter is dan het minimale niveau dat voor "punch-through" 800 44 70 ♦ PHB 32670 7 nodig is, wordt de energiesprong van de emitter-basis sperlaag verkleind en dus de stroom in de basiszone 2 vergroot. Deze situatie wordt in Figuur 1 geïllustreerd door de lijn d.
Maar een dergelijke sperzone 4 die bij nulpotentiaal niet 5 over heel zijn dikte is verarmd, kan zo'n grote doteringsconcentratie hebben dat de aangelegde voorspanning νβΕ ofwel lawinedoorslag ofwel ze-nerdoorslag aan de sperzone veroorzaakt voordat er een punch-through conditie kan worden bereikt. Een dergelijke situatie wordt in Figuur 2 geïllustreerd. In Figuur 2 tonen E (a) en E (a) de respectieve randen van 10 de geleidingsband en de valentieband in de nulpotentiaalconditie, terwijl Ec(b) en Ev(b) deze randen tonen bij een voorspanning νβΕ die tussen emitter 5 en basis 2 wordt aangelegd. Tengevolge van de grotere doteringsconcentratie van sperzone 4 in deze gewijzigde configuratie, vormt de aangelegde voorspanning νβΕ in de grenslagen van zone 4 een elektrisch veld 15 dat groot genoeg is om aan de sperzone 4 doorslag te doen optreden, hetzij door een lawinedoorslag, hetzij door het zenereffect, zodat er een toevoer van hete elektronen 7 ontstaat, die in de basiszone 2 worden geïnjecteerd met energieën die aanzienlijk groter zijn dan de energiesprong van de basis-collector sperlaag 1. Zoals in Figuur 2 wordt geïllustreerd wor-20 den de energiehanden door de aangelegde voorspanning νβΕ met meer dan de energiesprong (E - E ) gebogen. In het geval van zenerdoorslag is het resulterende veld groot genoeg om elektronen uit de siliciumroosteratomen te verwijderen, zodat er een direct tunnelen van elektronen uit de valentieband naar de geleidingsband plaatsvindt, zoals in Figuur 2 door pijl 25 7a wordt geïllustreerd. Ingeval van lawinedoorslag is het resulterende veld groot genoeg om ladingdragers 7b tussen de botsingen met de siliciumr roosteratomen zodanig te versnellen dat zij bij botsing in staat zijn e-lektron-gat paren te genereren, waarbij de hete elektronen 7c in de basiszone 2 worden geïnjecteerd, terwijl de hete gaten naar emitter 5 gaan, 30 zoals in Figuur 2 door pijl 17 wordt aangegeven.
De voorspanning die voor een dergelijke gewijzigde emitter op basis van lawine- of zenerdoorslag wordt gebruikt kan bijvoorbeeld meer dan 1,5 volt bedragen.
Figuur 3 geeft een voorbeeld van een transistor als in Figuur 35 1 of Figuur 2 geschematiseerd. Afgezien van de opname van de sperzone 4, is de structuur van deze transistor gelijk aan die van de transistors welke in US-PS 4,149,174 worden beschreven en ze kunnen op dezelfde manier met behulp van ionenimplantatie worden gemaakt. De collectorzone 3 wordt B00 44 70 ί PHB 32670 8
gevormd door een n-type epitaxiale siliciumlaag op een sterk gedoteerd siliciumsubstraat 13 van hetzelfde type geleidingsvermogen. Een niet-verarmde ringvormige zone 11 van het £-type, die als een beschermring rond de rand van de sperzone 1 moet werken, wordt in de epitaxiale laag 5 3 aangebracht, bijvoorbeeld door diffusie als beschreven in de US-PS
4,149,174. Via een venster in een isolerende laag 10 van bijvoorbeeld siliciumdioxide aan het oppervlak van de epitaxiale laag, worden vervolgens zones 1,2 en 4 in de epitaxiale laag 3 gevormd door middel van ionenimplantatie.
10 Eerst kan de sperzone 4 met behulp van een kleiner venster in laag 10 worden geïmplanteerd, waarna het venster kan worden verbreed voor implantatie van de basiszone 2, gevolgd door de sperzone 1. De geïmplanteerde ionendosis en -energie voor de zone 4 moeten samen groot genoeg zijn om te verzekeren dat zone 4 niet alleen de n-type achtergronddotering 15 van de n-type zones 2 en 3 omdoteert, maar ook op zijn minst gedeeltelijk voorbij de uitputtingszone ligt die bij nulpotentiaal aan het Schottky-contact 5 aanwezig is, zodat bij nulpotentiaal minstens een deel van zone 4 een niet-verarmde zone van het jo-type vormt. De voor vorming van de basiszone 2 gekozen ionenenergie kan zodanig zijn dat de resulterende 20 doteringsconcentratie zijn maximale waarde op enige afstand van de sperzone 4 heeft. Als er voorspanningen aan emitter 5 en basis- en collector-contacten 8 en 9 worden gelegd, veroorzaakt deze afstand een potentiaal-val tussen de emitter 5 en het niet-verarmde deel van de basiszone 2, zodat de potentiaal van de collectorsperzone 1 nog verder naar lagere ni-25 veaus ten opzichte van de emitter 5 wordt verschoven als de voorspanning groter wordt. Dit kenmerk verhoogt het collectorrendement nog meer en wordt in US-PS 4,149,174 beschreven.
In een typische voorbeeld kunnen 1 KeV boriumionen of 4 KeV
indiumionen worden geïmplanteerd in een dosis van bijvoorbeeld minstens 14 2 30 10 ionen per cm voor de vorming van de niet-verarmde sperzone 4, kun- 14 nen 10 KeV arsenicumionen worden geïmplanteerd in eendosis van 10 tot 15 "
10 ionen per cm voor de vorming van de basiszone 2 en kunnen 5 KeV
boriumionen of 20 KeV indiumionen worden geïmplanteerd in een dosis van 12 13 2 5x10 tot 5x10 ionen per cm voor de vorming van heel de verarmde 35 sperzone 1. De epitaxiale laag 3 kan een soortelijke weerstand van bijvoorbeeld 5 of 10 Ohm cm -„hebben en een dikte van bijvoorbeeld 12 micron. Onder dergelijke implantatiecondities kan worden geschat dat de piek van de geïmplanteerde arsenicumverdeling, afhankelijk van de verwarmings- en 8 0 0 4 4 70 * PHB 32670 9 koelingscondities, zal optreden op ca. 15 ran of meer beneden het oppervlak 20 21 van de epitaxiale laag, met een concentratie van ca. 10 to 10 arseni- 3 cumatcanen per cm . De £-type sperzone 4 wordt gevormd op minder dan ca.
10 nm van het oppervlak en heeft een zo grote doteringsconcentratie dat 5 wordt geschat dat hij bij nulpotentiaal niet-verarrrd is over aanzienlijk meer dan zijn halve dikte. De afstand tussen de sperzones 4 en 1 kan op ca. 25 nm of meer worden geschat. De breedte van de sperzone kan op ca.
15 nm worden geschat. Na warmtebehandeling van de implantaties worden metaallagen 5, 8 en 9 op de bekende wijze aangebracht. Lagen 8 en 9 (die 10 bijvoorbeeld van aluminium kunnen zijn) vormen ohmse contacten voor respectievelijk de basiszone 2 en het collectorsubstraat 13. De laag 5 vormt het Schottky-contact voor de emitter van de transistor en kan bijvoorbeeld van goud of nikkel zijn.
De verwarmingscondities bepalen hoeveel van elke geïmplanteer- 15 de doteringsdosis elektrisch aktief wordt en of er diffusie van enige betekenis plaatsvindt. Als de voor vorming van de sperzone 4 geïmplan- 14 2 teerde borium- of indium-ionendosis ongeveer 10 ionen per cm is en er vervolgens gedurende 15 minuten een warmtebehandeling bij ca. 750°C in vacuüm plaatsvindt, geven berekeningen aan dat de resulterende gemiddel- 19 20 de aktieve doteringsconcentratie van zone 4 tussen 5 x 10 atomen per 3 cm ligt en dat de aangelegde voorspanning νβΕ punch-through van de grenslagen in de resulterende sperzone 4 veroorzaakt. De gemiddelde aktieve doteringsconcentratie van sperzone 4 kan iets worden verhoogd door gebruik van een hogere verwarmingstenperatuur en in grotere mate door ge-25 bruik van een grotere dosis. Op deze wijze kan de aktieve concentratie van zone 4 zodanig worden vergroot dat doorslag en de resulterende toevoer van hete elektronen tot stand kan worden gebracht door een lawine-of zenereffect in de grenslagen, in plaats van door punch-through. Om diffusie van de geïmplanteerde ionen te verminderen mag een langdurig 30 toegepaste verwarmingstenperatuur in het algemeen niet hoger dan 850°C zijn. Maar de warmtebehandeling kan tot stand worden gebracht door gelokaliseerde verwarming tot hogere temperaturen met behulp van een laser of elektronenbundel met korte impulsen. Bij werking in de circuitconfigura-tie die in Figuur 3 wordt geïllustreerd, wordt emitter 5 negatief voor-35 bekrachtigd ten opzichte van basiscontact 8, dat op zijn beurt negatief wordt voorbekrachtigd ten opzichte van collectorcontact 9. Zoals hierboven reeds werd gezegd, zal er geen stroomdcorgang van. betekenis zijn tussen emitter 5 en collectorcontact 9 zo lang de spanning die tussen 800 4 4 70 * PHB 32670 10 emitter 5 en basiscontact 5 wordt aangelegd niet voldoende is cm de sperzone hier over heel zijn dikte te verarmen, of lawinedoorslag of zener- doorslag te veroorzaken.
Zoals in Figuur 3 wordt getoond kan er een ingangssignaal (bij-5 voorbeeld van hoge frequentie) tussen emitter 5 en basiscontact 8 worden aangelegd en kan er een versterkt uitgangssignaal worden onttrokken aan een belasting R tussen de basis- en collectorcontacten 8 en 9. Als gevolg van zijn hoge collectorrendement kan de transistor een grote stroom-versterking hebben.
10 Het zal duidelijk zijn dat er in overeenstemming met de uitvin ding veel wijzigingen van deze transistorstructuur mogelijk zijn. Zoals bijvoorbeeld in Figuur 4 wordt geïllustreerd, kunnen de Schottky-emitter 5 en zijn sperzone 4 ringvormig zijn en zich rond het basiscontact 8 uitstrekken. Bij deze uitvoeringsvorm met een uitwendige emitter, kan de 15 ondiepe sperzone 4 varhet p-type verzonken in de diepere p-type bescherm-ring 11 van de verarmde grenszone 1 zijn aangebracht, zoals in Figuur 4 wordt geïllustreerd hoeft de p-type beschermring niet in een afzonderlijke doteringsstap te worden gevormd, maar kan hij worden gevormd bij de implantaties voor de sperzones 1 en 4 door de implantaties te laten 20 plaatsvinden na de implantatie voor de basiszone 2 en via een iets verbreed venster in laag 10; een soortgelijk proces wordt in US-PS 4,149,174 beschreven. Andere in US-PS 4,149,174 beschreven kenmerken kunnen eveneens worden opgenomen. Zo kan bijvoorbeeld de doteringsconcentratie van laag 3 onmiddellijk naast sperzone 1 worden vergroot door nogmaals donors 25 te implanteren. Een dergelijke plaatselijke toename van de dotering kan binnen ca. 15 nm van de sperzone 1 worden gehouden en dient ter vergroting van de omvang van het elektrische veld daarin, zodat de spannings-val in zone 3 steiler wordt gemaakt en het collectorrendement wordt verbeterd.
30 Figuur 5 toont een andere wijziging overeenkomstig de uitvin ding, waarbij een minder gedoteerde zone 6 in de emitters truc tuur is opgenomen, tussen het Schottky-contact 5 en de hoofdpersoon 4. Voor punch-through moet ook deze zone 6 volledig verarmd zijn onder voorspanning aan emitter-basis, zodat er emissie van hete elektronen kan plaatsvinden 35 in de basiszone 2, vanuit Schottky.contact 5. Er kan een overeenkomstig laag gedoteerde zone 6 worden opgenomen met een lawine- en zenerdoorslag-sperzone 4. De toevoeging van zone 6 heeft tot gevolg dat de uitputtings-zone bij de emitter-basis sperlaag nog breder wordt in vergelijking met SÖ0 4 4 70 PBB 32670 11 de structuur van Figuur 1, zodat de emittercapaciteit van de transistor wordt verkleind. In de in Figuur 5 getoonde vorm heeft zone 6 hetzelfde type geleidingsvermogen als de sperzone 4 (£-type), hoeweldit alternatief hetzelfde type geleidingsvermogen kan zijn als van basiszone 2 (n-type).
17 5 De doteringsconcentratie van zone 6 kan bijvoorbeeld ca. 10 atomen per 3 ..
cm zxnn.
De structuur van Figuur 5 kan worden vervaardigd door gebruik van iets hogere ionenenergieën voor implantatie van de zones 4, 2 en 1, zodat de piékconcentratie van de geïmplanteerde verontreiniging die zone 10 4 vormt op afstand van het oppervlak van de epitaxiale laag wordt aangebracht. Zone 6 kan worden gevormd door de dotering die aanwezig is tussen deze piekconcentratie en het oppervlak, hoewel zijn doteringsconcentratie bij voorkeur in een afzonderlijke stap wordt aangebracht, bijvoorbeeld door een afzonderlijke implantatie met kleinere dosis. In een wij-1a ziging van de transistorstructuur van Figuur 5 is het Schottky-contact 5 vervangen door een sterk gedoteerde emitterzone van het n-type. In dit geval wordt de emitter-basis sperlaag uitsluitend gevormd door de jo-type sperzones 4 en 6, die de £-n juncties met de basiszone 2 en deze emitterzone vormen. Bet is eveneens mogelijk de transistorstructuren van. Figuur 20 1 en Figuur 2 te wijzigen door het Schottky-contact 5 te vervangen door een sterk gedoteerde emitterzone van het n-type.
Figuur 6 toont een hete-elektron transistorstructuur overeenkomstig de uitvinding, waarin de emitter-basis sperlaag uitsluitend wordt gevormd door de £-type sperzone 4, die £-n overgangen vormt met zowel de 25 basiszone 2 van het n-type als een laag gedoteerde n-type emitterzone 6.
Een laag 15 vormt een ohms contact voor de emitterzone 6 en deze laag 15 kan bijvoorbeeld gemaakt zijn van een metaal als aluminium of een sterk gedoteerd n-type halfgeleidermateriaal. Op overeenkomstige wijze als voor de Schottky-emitter transistors van Figuren 1 tot en met 15 worden gelegd 30 om de grenslagen van beide £-n overgangen over heel de dikte van de zone 4 uit te breiden of lawinedoorslag of zenerdoorslag van de sperzone 4 te veroorzaken. Evenals bij de transistors van figuren 1 tot en met 5 verhoogt dit de energie van de geëmitteerde ladingdragers 7 ten opzichte van de basis-collector sperlaag. Maar in vergelijking met de transistors van 35 figuren 1 tot en met 5 kan de emittercapaciteit kleiner zijn.
Een transistor met een structuur als getoond in Figuur 6 kan op dezelfde wijze als die van Figuren 1 tot en met 5 worden vervaardigd met behulp van ioneniirplantatie. Een manier voor het aanbrengen van zone 6 en 800 4 4 70 PHB 32670 12 contactlaag 15 is als volgt: na de vanning van zones 1, 2 en 4 in een epi-taxiale siliciumlaag door middel van ionenimplantatie, kan een silicium-laag met hoge soortelijke weerstand en vervolgens een sterk gedoteerde n-type siliciumlaag worden aangebracht op een deel van de p-type sper zone 5 4, in een venster in een isolerende laag, teneinde respectievelijk zone 6 en laag 15 te verkrijgen. De laag met hoge soortelijke weerstand kan bijvoorbeeld bestaan uit amorf silicium, dat vervolgens wordt gekristalliseerd met een laser of een elektronenstraal die voor de warmtebehandeling van de implantaties wordt gebruikt. De sterk gedoteerde n-type silicium-10 laag kan ook zo worden aangebracht dat hij contact maakt met een deel van de basiszone 2, ter verkrijging van het basiscontact.
Figuur 7 toont een andere vorm van de trans is tors truc tuur van Figuur 6, die met behulp van moleculaire-straal epitaxie kan worden gemaakt. De transistor bevat een sterk gedoteerd n-type substraat 13 van 15 bijvoorbeeld galliumarsenide, waarop qp conventionele wijze, bijvoorbeeld door vloeistofepitaxie, een minder sterk gedoteerde n-type epitaxiale laag van hetzelfde materiaal wordt gegroeid. Daarna worden achtereenvolgens lagen galliumarsenide met de diktes en doteringsconcentraties die gewenst zijn voor de zones 1, 2, 4 en 6, op het oppervlak van laag 3 aan-20 gebracht met behulp van moleculaire-straal epitaxie. De twee bovenste lagen worden dan verwijderd door middel van etsen met een ionenstraal, of door een ander etsproces, over heel hun dikte, behalve waar ze zijn afgedekt voor de vorming van zone 6 en sperzone 4. Vervolgens worden de twee andere lagen op soortgelijke wijze over hun gehele dikte verwijderd, be-25 halve waar ze zijn afgedekt voor de vorming van basiszone 2 en sperzone 1. Dan worden metaallagen die ohmse contacten met de halfgeleider vormen aangebracht ter verkrijging van de emitter-, basis- en collectorcontacten 15, 8 en 9. Indien gewenst kan contact 15 worden aangebracht voordat er lagen worden verwijderd, welk contact 15 dan als masker kan worden ge-30 bruikt bij het definiëren van de zo^es 6 en 4 door ionen-etsen. In plaats van een materiaal verwijdering ter bepaling van de grootte van zones 1 en 2, kan een gelokaliseerd protonenbombardement worden toegepast voor de vorming van half isolerende gebieden rond de zones 1 en 2.
De tot nu toe beschreven transistors wareh hete-elektron tran-35 sistors met basiszones 2 van het n-type. Maar hete-gaten transistors zijn overeenkomstig de uitvinding eveneens mogelijk, in welk geval de basisen collectorzones 2 en 3 van het p-type zouden zijn en de sperzonesl en 4 zouden zijn gedoteerd net dcnoratomen.
800 44 70 PHB 32670 13
De in de Figuren 3, 4 en 7 getoonde transistors hebben een enkele emitter-basis sperlaag. Maar transistors die overeenkomstig de onderhavige uitvinding worden gemaakt kunnen een veelvoud van emitters hebben, die een veelvoud van emitter-basis sperlagen met een basiszone 2 vormen.
5 Dergelijke meervoudige-emitter transistors kunnen bijvoorbeeld worden gebruikt voor werking bij hogere vermogens of als snelschakelende transistor in een logisch circuit.
Hete-elektron of hete-gaten transistorstructuren overeenkomstig deze uitvinding kunnen worden geïntegreerd met andere halfgeleiderzones 10 en worden voorzien van contacten voor de vorming van meer complexe scha-kelelementen bijvoorbeeld een thyristor of een geïntegreerde schakeling (IC). In de inrichtingen die in Figuren 3, 4 en 7 worden getoond maakt de collectorzone 3 deel uit van een epitaxiale laag, die is aangebracht op een substraat 13 van hetzelfde geleidingstype, en een elektrodeaan-15 sluiting 9 op de zone 3 maakt contact met de achterzijde van het substraat 13. Maar er zijn ook inrichtingen en geïntegreerde schakelingen met transistors overeenkomstig deze uitvinding mogelijk. waarin de collec-torzone 3 deel uitmaakt van een laag van. het eerste geleidingstype die is aangebracht op een substraat van het tweede tegengestelde geleiding-20 type, bijvoorbeeld met het oog op isolatie, en waarin een elektrcdeaan-sluiting op de collectorzone 3 contact maakt met het oppervlak van de epitaxiale laag, bijvoorbeeld met een sterker gedoteerde oppervlaktezone en een begraven laag ter verlaging van de serieweerstand.
In de transistors die in Figuren 3, 4 en 7 staan afgebeeld is 25 de basis-collector sperlaag begraven in het halfgeleiderlichaam, onder de emitter-basis sperlaag, die aan een oppervlak van het lichaam grenst. Maar er zijn ook transistors overeenkomstig deze uitvinding mogelijk waarvan de emitter-basis sperlaag in bet halfgeleiderlichaam onder een of meer collector-basis sperlagen begraven is. Zo kan bijvoorbeeld de 30 collector-basis sperlaag een Schottky-contact met de basiszone 2 bevatten en kan de emitter-basis sperlaag bestaan uit een sperzone 4 die bij nulpotentiaal over een deel van zijn dikte niet verarmd is, terwijl de emitterzone een halfgeleiderzone is van hetzelfde geleidingstype als de basiszone 2.
35 In de tot nu toe beschreven transistors wordt de basis-collec tor sperlaag gevormd door een sperzone 1, die bij nulpotentiaal praktisch over zijn gehele dikte verarmd is. Maar bij sommige toepassingen kan het de voorkeur verdienen een basis-collector sperzone 1 te hebben die bij 800 4 4 70 5 PHB 32670 14 nulpotentiaal over een deel van zijn dikte niet verarmd is. In deze situatie kan de grootte van de sperstroom kleiner zijn dan in de situatie waarin zone 1 volledig verarmd is.
10 15 20 25 30 35 300 4 4 70
Claims (10)
1. Transistor met een halfgeleiderlichaam dat een basiszone van een eerste type geleidingsvermogen bevat, waarin stroomdoorgang plaatsvindt door hete meerheidsladingdragers, en sperlaagvormer.de middelen die met genoemde basiszone emitter-basis en basis-collector sperlagen vormen, 5 terwijl genoemde emitter-basis-sperlaagvormende middelen een sper zone bevatten met een doteringsconcentratie van een het tweede, tegengestelde type veroorzakende doteringsstof, met het kenmerk, dat de dikte en de doteringsconcentratie van genoemde sperzone zo groot zijn dat genoemde sperzone op zijn minst over een deel van zijn dikte niet wordt ingenomen 10 door de uitputtingszone(s) die bij nulpotentiaal aan genoemde emitter-basis sperlaag aanwezig is, terwijl het aanleggen van een voorspanning tussen basis en emitter van de transistor noodzakelijk is om een toevoer van genoemde hete meerderheidsladingdragers met energieën groter dan de energiesprong van de basis-collector sperlaag tot stand te brengen.
2. Transistor volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de emitter- basis sperlaagvormende middelen op een oppervlak van het lichaam een Schottky-contact bevatten, dat genoemde sperzone aanwezig is tussen het Schottky-contact en de basiszone en dat op zijn minst een deel van de dikte van genoemde sperzone buiten de uitputtingszone ligt die bij nul"· 20 potentiaal aan genoemd Schottky-contact aanwezig is.
3. Transistor volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat genoemde sperzone van het tweede geleidingstype van het Schottky-contact is gescheiden door een zone die lager gedoteerd is dan genoemde sperzone.
4. Transistor volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de sper-25 zone gelegen is tussen de basiszone en een ohms contact van de emitter en dat de sperzone van het ohmse contact is gescheiden door een zone die lager gedoteerd is dan de sperzone.
5. Transistor volgens conclusie 3 of conclusie 4, met het kenmerk, dat genoemde lager gedoteerde zone van het eerste geleidingstype is en 30 met de sperzone een uitputtings zone vormt.
6. Transistor volgens conclusie 3 of conclusie 4, met het kenmerk, dat genoemde lager gedoteerde zone van het tweede geleidingstype is.
7. Transistor volgens een der voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat genoemde basiszone een voor het geleidingstype bepalende dote- 20 "3 35 ringsconcentratie van minstens 1ü atomen/cm heeft.
8. Transistor volgens een der voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat het aanleggen van genoemde voorspanning de toevoer van genoemr-de hete meerderheidsladingdragers tot stand brengt door de genoemde uit- 800 44 70 PHB 32670 16 puttingszone(s) over de gehele dikte van de sperzone tussen de emitter-zone en de basiszone uit te breiden.
9. Transistor volgens een der conclusies 1 tot en met 7, met het kenmerk, dat het aanleggen van genoemde voorspanning de toevoer van ge- 5 noemde hete meerderheidsladingsdragers tot stand brengt door lawinedoor-slag aan de genoemde sperzone.
10. Transistor volgens een der conclusies 1 tot en met 7, met het kenmerk, dat het aanleggen van genoemde voorspanning de toevoer van genoemde hete meerderheidsladingsdragers tot stand brengt door tunnelen in 10 genoemde sperzone. 15 20 25 30 35 800 44 70
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB7927647A GB2056165A (en) | 1979-08-08 | 1979-08-08 | Hot-electron or hot-hole transistor |
| GB7927647 | 1979-08-08 | ||
| GB7943911 | 1979-12-20 | ||
| GB7943911A GB2056166B (en) | 1979-08-08 | 1979-12-20 | Hot-electron or hot-hole transistor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL8004470A true NL8004470A (nl) | 1981-02-10 |
| NL186126C NL186126C (nl) | 1990-09-17 |
Family
ID=26272474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NLAANVRAGE8004470,A NL186126C (nl) | 1979-08-08 | 1980-08-06 | Hete-ladingsdragertransistor. |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4862238A (nl) |
| AU (1) | AU536182B2 (nl) |
| CA (1) | CA1157961A (nl) |
| DE (1) | DE3027599A1 (nl) |
| ES (1) | ES8104639A1 (nl) |
| FR (1) | FR2463511A1 (nl) |
| GB (1) | GB2056166B (nl) |
| IE (1) | IE50185B1 (nl) |
| IT (1) | IT1132331B (nl) |
| NL (1) | NL186126C (nl) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4449140A (en) * | 1981-12-24 | 1984-05-15 | National Research Development Corporation | Semi-conductor barrier switching devices |
| GB2118363A (en) * | 1982-04-08 | 1983-10-26 | Philips Electronic Associated | Hot-electron and hot-hole transistors |
| JPS61248561A (ja) * | 1985-04-25 | 1986-11-05 | インタ−ナショナル・ビジネス・マシ−ンズ・コ−ポレ−ション | 半導体構造体 |
| GB2191035A (en) * | 1986-05-23 | 1987-12-02 | Philips Electronic Associated | Hot charge-carrier transistors |
| GB2191037A (en) * | 1986-05-23 | 1987-12-02 | Philips Electronic Associated | Hot charge-carrier transistors |
| NL8701497A (nl) * | 1987-06-26 | 1989-01-16 | Philips Nv | Halfgeleiderinrichting voor het opwekken van electromagnetische straling. |
| GB8717361D0 (en) * | 1987-07-22 | 1987-08-26 | Gen Electric Co Plc | Hot electron transistors |
| US5258624A (en) * | 1988-05-27 | 1993-11-02 | U.S. Philips Corp. | Transferred electron effect device |
| US5204871A (en) * | 1990-03-29 | 1993-04-20 | Larkins Eric C | Bistable optical laser based on a heterostructure pnpn thyristor |
| FR2678774B1 (fr) * | 1991-07-05 | 1998-07-10 | Thomson Csf | Detecteur d'ondes electromagnetiques. |
| US5347142A (en) * | 1993-06-25 | 1994-09-13 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Modes of infrared hot electron transistor operation in infrared detection |
| US20070215873A1 (en) * | 2004-10-12 | 2007-09-20 | Guy Silver | Near natural breakdown device |
| US20090250696A1 (en) * | 2006-06-04 | 2009-10-08 | Guy Silver | Near natural breakdown device |
| US8320191B2 (en) | 2007-08-30 | 2012-11-27 | Infineon Technologies Ag | Memory cell arrangement, method for controlling a memory cell, memory array and electronic device |
| GB2485400B (en) * | 2010-11-12 | 2014-12-10 | Toshiba Res Europ Ltd | Photon detector |
| JP5708660B2 (ja) * | 2010-12-06 | 2015-04-30 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BE622805A (nl) * | 1961-09-25 | |||
| US3940783A (en) * | 1974-02-11 | 1976-02-24 | Signetics Corporation | Majority carriers-variable threshold rectifier and/or voltage reference semiconductor structure |
| GB1573309A (en) * | 1976-03-24 | 1980-08-20 | Mullard Ltd | Semiconductor devices and their manufacture |
| US4127861A (en) * | 1977-09-26 | 1978-11-28 | International Business Machines Corporation | Metal base transistor with thin film amorphous semiconductors |
-
1979
- 1979-12-20 GB GB7943911A patent/GB2056166B/en not_active Expired
-
1980
- 1980-07-21 DE DE19803027599 patent/DE3027599A1/de active Granted
- 1980-07-31 CA CA000357396A patent/CA1157961A/en not_active Expired
- 1980-08-05 IT IT24018/80A patent/IT1132331B/it active
- 1980-08-05 IE IE1633/80A patent/IE50185B1/en not_active IP Right Cessation
- 1980-08-05 AU AU61076/80A patent/AU536182B2/en not_active Ceased
- 1980-08-06 ES ES494024A patent/ES8104639A1/es not_active Expired
- 1980-08-06 FR FR8017366A patent/FR2463511A1/fr active Granted
- 1980-08-06 NL NLAANVRAGE8004470,A patent/NL186126C/nl not_active IP Right Cessation
-
1983
- 1983-04-22 US US06/487,234 patent/US4862238A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2463511A1 (fr) | 1981-02-20 |
| CA1157961A (en) | 1983-11-29 |
| IE801633L (en) | 1981-02-08 |
| IE50185B1 (en) | 1986-03-05 |
| ES494024A0 (es) | 1981-04-16 |
| AU6107680A (en) | 1981-02-12 |
| GB2056166B (en) | 1983-09-14 |
| DE3027599A1 (de) | 1981-02-26 |
| IT8024018A0 (it) | 1980-08-05 |
| NL186126C (nl) | 1990-09-17 |
| US4862238A (en) | 1989-08-29 |
| GB2056166A (en) | 1981-03-11 |
| ES8104639A1 (es) | 1981-04-16 |
| FR2463511B1 (nl) | 1984-05-11 |
| DE3027599C2 (nl) | 1988-11-17 |
| AU536182B2 (en) | 1984-04-19 |
| IT1132331B (it) | 1986-07-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3906076B2 (ja) | 半導体装置 | |
| CN109075213B (zh) | 半导体装置 | |
| JP5365009B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP3706026B2 (ja) | 高い逆方向電圧用のパワー半導体素子 | |
| NL8004470A (nl) | Hete-ladingsdragertransistor. | |
| US7485920B2 (en) | Process to create buried heavy metal at selected depth | |
| US5541122A (en) | Method of fabricating an insulated-gate bipolar transistor | |
| JP3692157B2 (ja) | 可制御のパワー半導体素子 | |
| JPH06163888A (ja) | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 | |
| US6100575A (en) | Semiconductor switching device having different carrier lifetimes between a first portion serving as a main current path and the remaining portion of the device | |
| KR950014279B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
| US6762080B2 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device having a cathode and an anode from a wafer | |
| JP2006523009A (ja) | 半導体素子およびその製造方法 | |
| JP4123913B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2003152198A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| US5838027A (en) | Semiconductor device and a method for manufacturing the same | |
| KR20040071722A (ko) | 반도체 디바이스 및 그 제조 방법 | |
| US20010005024A1 (en) | Power semiconductor element with an emitter region and a stop zone in front of the emitter region | |
| US9647100B2 (en) | Semiconductor device with auxiliary structure including deep level dopants | |
| JPH0248147B2 (nl) | ||
| JP2008512861A (ja) | 電圧制限用の半導体構成体 | |
| JPH10200132A (ja) | 高速ダイオード | |
| EP0092645B1 (en) | Transistor and circuit including a transistor | |
| JPS5937865B2 (ja) | トランジスタ | |
| JP4629809B2 (ja) | ＳｉＣの半導体層を有する半導体素子を製造する方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A1A | A request for search or an international-type search has been filed | ||
| BB | A search report has been drawn up | ||
| BC | A request for examination has been filed | ||
| A85 | Still pending on 85-01-01 | ||
| V1 | Lapsed because of non-payment of the annual fee |