JPS61265878A - 光変調形検出装置 - Google Patents
光変調形検出装置Info
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- JPS61265878A JPS61265878A JP60108859A JP10885985A JPS61265878A JP S61265878 A JPS61265878 A JP S61265878A JP 60108859 A JP60108859 A JP 60108859A JP 10885985 A JP10885985 A JP 10885985A JP S61265878 A JPS61265878 A JP S61265878A
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- Japan
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- circuit
- emitting element
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- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title abstract description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 16
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 claims 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 5
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 210000000988 bone and bone Anatomy 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
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- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、発光素子からパルス変調された光を投光し、
この光が物体を反射し又は透過するのを受光素子で検知
して、その受光信号から物体の有無を判定するようにし
た光変調形検出装置に関するものである。
この光が物体を反射し又は透過するのを受光素子で検知
して、その受光信号から物体の有無を判定するようにし
た光変調形検出装置に関するものである。
この種の光変調形検出装置の従来例の構成を第４図に、
又その動作タイミングチャートを第５図に示している。
又その動作タイミングチャートを第５図に示している。
第４図において、発光素子１は、発振回路２からのパル
ス信号により発光素子駆動回路３を通してパルス駆動さ
れ、これにより発光素子１からはパルス変調された発光
信号ａが投光される。
ス信号により発光素子駆動回路３を通してパルス駆動さ
れ、これにより発光素子１からはパルス変調された発光
信号ａが投光される。
このようにして投光された光は、物体Ａで反射し又は透
過して受光素子４に入射する。これにより、受光素子４
に入射するパルス光は、物体Ａの有無［第５図（ｂ）に
物体Ａがある場合をＨレベル、無い場合をＬレベルで示
す］に応じてオン・オフすることになる。
過して受光素子４に入射する。これにより、受光素子４
に入射するパルス光は、物体Ａの有無［第５図（ｂ）に
物体Ａがある場合をＨレベル、無い場合をＬレベルで示
す］に応じてオン・オフすることになる。
受光素子４の出力は、ＡＣアンプ５で増幅され、その受
光信号ｄは次段の判定回路６に入力され、ここで所定の
判定レベルと比較される。上記判定回路６の出力ｅは同
期検出回路７に入力され、ここで前記発光素子１の発光
タイミングとの同期が検出される。その同期検出信号ｆ
は、次段の積分回路８に入力され、その積分出力ｇが判
定回路９において所定の判定レベルと比較され、その判
定結果が出力回路１０より判定信号りとして出力される
。
光信号ｄは次段の判定回路６に入力され、ここで所定の
判定レベルと比較される。上記判定回路６の出力ｅは同
期検出回路７に入力され、ここで前記発光素子１の発光
タイミングとの同期が検出される。その同期検出信号ｆ
は、次段の積分回路８に入力され、その積分出力ｇが判
定回路９において所定の判定レベルと比較され、その判
定結果が出力回路１０より判定信号りとして出力される
。
上記動作において、受光素子４に発光素子１から、のパ
ルス光の他、例えば第５図（ｃ）に示すような外乱光が
入射する場合、ＡＣアンプ５で増幅された受光信号ｄは
、第５図（ｄ）にｄｌで示すような波形となる。この波
形ｄ、は判定回路６により第５図（ｅｌ）にｅ、で示す
ように波形整形され、更に同期検出回路７で第５図（ｆ
）にｆ、で示すように波形に変換される。同期検出回路
７の出力ｆは、次段の積分回路８により積分波形に整形
されるため、その積分波形の前記ｆ、に対応する部分が
次の判定回路９の判定レベルより低く抑えられ、これに
より外乱光Ｃによる誤動作が回避される。
ルス光の他、例えば第５図（ｃ）に示すような外乱光が
入射する場合、ＡＣアンプ５で増幅された受光信号ｄは
、第５図（ｄ）にｄｌで示すような波形となる。この波
形ｄ、は判定回路６により第５図（ｅｌ）にｅ、で示す
ように波形整形され、更に同期検出回路７で第５図（ｆ
）にｆ、で示すように波形に変換される。同期検出回路
７の出力ｆは、次段の積分回路８により積分波形に整形
されるため、その積分波形の前記ｆ、に対応する部分が
次の判定回路９の判定レベルより低く抑えられ、これに
より外乱光Ｃによる誤動作が回避される。
ところが、上記従来例の構成の場合、外乱光Ｃによる誤
動作を防止するのに、長い時定数の積分回路８が必要で
、回路の応答が遅くなるばかりでなく、大きな容量のコ
ンデンサを用いることになるため回路構成の小型化、Ｉ
Ｃ化に支障があった。
動作を防止するのに、長い時定数の積分回路８が必要で
、回路の応答が遅くなるばかりでなく、大きな容量のコ
ンデンサを用いることになるため回路構成の小型化、Ｉ
Ｃ化に支障があった。
本発明は、従来例における前記問題点を考慮してなされ
たものであって、応答速度が速く小型化およびＩＣ化に
も適した光変調形検出装置の提供を目的とするものであ
る。
たものであって、応答速度が速く小型化およびＩＣ化に
も適した光変調形検出装置の提供を目的とするものであ
る。
本発明の光変調形検出装置は、発光素子から投光される
パルス変調された光が物体を反射し又は透過するのを受
光素子により検知し、その受光信号から物体の有無を判
別するようにしたものにおいて、前記受光信号を増幅す
る増幅器とその増幅出力を判定する判定回路とを交流結
合すると共に、発光素子が発光しているタイミング以外
のタイミングにおいて判定回路の入力端子を比較基準レ
ベルに保持する基準レベル保持手段を設けることにより
、受光信号のうち外乱光に相当する直流信号部分を上記
交流結合によりカットすると共に、発光素子の発光に対
応しないタイミングでの受光信号の判定を上記基準レベ
ル保持手段により回避するようにして、外乱光による誤
動作防止のために大容量のコンデンサを要する積分回路
を用いるのをやめ、以て応答速度のアップを図ると共に
、小型化・ＩＣ化に適合し得るようにしたことを特徴と
するものである。
パルス変調された光が物体を反射し又は透過するのを受
光素子により検知し、その受光信号から物体の有無を判
別するようにしたものにおいて、前記受光信号を増幅す
る増幅器とその増幅出力を判定する判定回路とを交流結
合すると共に、発光素子が発光しているタイミング以外
のタイミングにおいて判定回路の入力端子を比較基準レ
ベルに保持する基準レベル保持手段を設けることにより
、受光信号のうち外乱光に相当する直流信号部分を上記
交流結合によりカットすると共に、発光素子の発光に対
応しないタイミングでの受光信号の判定を上記基準レベ
ル保持手段により回避するようにして、外乱光による誤
動作防止のために大容量のコンデンサを要する積分回路
を用いるのをやめ、以て応答速度のアップを図ると共に
、小型化・ＩＣ化に適合し得るようにしたことを特徴と
するものである。
本発明の一実施例を、第１図ないし第３図に基づき以下
に説明する。
に説明する。
第１図は本実施例の光変調形検出装置の概略構成を示す
ブロック図であって、発振回路工２のパルス信号により
発光素子駆動回路１３を通して発光素子１１をパルス駆
動する構成は先述の従来例と同様である。
ブロック図であって、発振回路工２のパルス信号により
発光素子駆動回路１３を通して発光素子１１をパルス駆
動する構成は先述の従来例と同様である。
上記発光素子１１より投光された光が物体Ａで反射し又
は透過するのを検知する受光素子１４は、その受光信号
を次段のＡＣアンプ１５で増幅するように構成され、Ａ
Ｃアンプ１５で増幅された受光信号ｄを所定の比較基準
レベルと比較する判定回路１６と上記ＡＣアンプ１５と
の間は交流結合されている。
は透過するのを検知する受光素子１４は、その受光信号
を次段のＡＣアンプ１５で増幅するように構成され、Ａ
Ｃアンプ１５で増幅された受光信号ｄを所定の比較基準
レベルと比較する判定回路１６と上記ＡＣアンプ１５と
の間は交流結合されている。
上記判定回路１６は、第２図に示すようにコンパレータ
２１から成り、このコンパレータ２１のｅ入力端子がコ
ンデンサ２２を介することにより前記ＡＣアンプ１５に
交流結合されている。一方、コンパレータ２１のｅ入力
端子は所定の基準レベル電圧源に接続され、ｅ入力端子
に入力される信号レベルをこの基準レベルと比較するよ
うに構成されている。又、上記ｅ入力端子と基準レベル
電圧源とはスイッチ２３を介して接続されており、この
スイッチ２３は発振回路工２のパルス信号によりオン・
オフするように構成されてｌ、Ｎる。すなわち、発光素
子１１が発光するタイミング以外のタイミングでオンし
てコンパレータ２１のｅ入力端子を基準レベルに保持す
るように構成されている。
２１から成り、このコンパレータ２１のｅ入力端子がコ
ンデンサ２２を介することにより前記ＡＣアンプ１５に
交流結合されている。一方、コンパレータ２１のｅ入力
端子は所定の基準レベル電圧源に接続され、ｅ入力端子
に入力される信号レベルをこの基準レベルと比較するよ
うに構成されている。又、上記ｅ入力端子と基準レベル
電圧源とはスイッチ２３を介して接続されており、この
スイッチ２３は発振回路工２のパルス信号によりオン・
オフするように構成されてｌ、Ｎる。すなわち、発光素
子１１が発光するタイミング以外のタイミングでオンし
てコンパレータ２１のｅ入力端子を基準レベルに保持す
るように構成されている。
上記判定回路１６の出力ｅを同期検出回路１７に入力す
る構成は先の従来例の場合と同じであるが、ここでは同
期検出回路１７の出力ｆを積分回路に通すことなく、そ
のまま別の判定回路１９に入力するように構成した点が
従来例と異なる０判定回路１９による判定結果を出力回
路２０より判定回路信号りとして出力する構成は従来例
と同じである。
る構成は先の従来例の場合と同じであるが、ここでは同
期検出回路１７の出力ｆを積分回路に通すことなく、そ
のまま別の判定回路１９に入力するように構成した点が
従来例と異なる０判定回路１９による判定結果を出力回
路２０より判定回路信号りとして出力する構成は従来例
と同じである。
以上の構成において外乱光Ｃがある場合、ＡＣアンプ１
５で増幅された受光信号ｄは、その外乱光Ｃに相当する
部分が第３図に（ｄ）にｄ、−ｄｔで示す波形となる。
５で増幅された受光信号ｄは、その外乱光Ｃに相当する
部分が第３図に（ｄ）にｄ、−ｄｔで示す波形となる。
判定回路１６を構成するコンパレータ２１のｅ入力端子
に接続されているスイッチ２３は、発振回路１２からの
同期信号によりオン・オフ制御され、発光素子１１が発
光していない期間中オンの状態となる。そのため、この
期間中コンパレータ２１は、ｅ入力端子、■入力端子共
に基準レベルに設定され、判定回路１６は外乱光Ｃの有
無に関係なく動作しない。従って、この期間に外乱光Ｃ
による誤動作が生じることはない。一方、発光素子１１
が発光している期間には、スイッチ２３がオフするので
、コンパレータ２１のｅ入力端子は基準レベル電圧源か
ら完全に切り離され、この間に受光素子１４が検知した
光量変化だけが受光信号ｄとして判定回路１６によりレ
ベル比較され、その出力ｅは第３図（ｅ）に示す波形と
なり、同期検出回路１７の出力は同図（ｆ）に示す波形
となる。又、外乱光Ｃに相当する受光信号ｄの波形ｄ、
−ｄｔの部分では、その直流波形骨が交流結合をなすコ
ンデンサ２２により効果的にカットされるので、判定回
路１６の出力にはその影響が及ばず、全体として外乱光
による誤動作を防ぎ得るものである。
に接続されているスイッチ２３は、発振回路１２からの
同期信号によりオン・オフ制御され、発光素子１１が発
光していない期間中オンの状態となる。そのため、この
期間中コンパレータ２１は、ｅ入力端子、■入力端子共
に基準レベルに設定され、判定回路１６は外乱光Ｃの有
無に関係なく動作しない。従って、この期間に外乱光Ｃ
による誤動作が生じることはない。一方、発光素子１１
が発光している期間には、スイッチ２３がオフするので
、コンパレータ２１のｅ入力端子は基準レベル電圧源か
ら完全に切り離され、この間に受光素子１４が検知した
光量変化だけが受光信号ｄとして判定回路１６によりレ
ベル比較され、その出力ｅは第３図（ｅ）に示す波形と
なり、同期検出回路１７の出力は同図（ｆ）に示す波形
となる。又、外乱光Ｃに相当する受光信号ｄの波形ｄ、
−ｄｔの部分では、その直流波形骨が交流結合をなすコ
ンデンサ２２により効果的にカットされるので、判定回
路１６の出力にはその影響が及ばず、全体として外乱光
による誤動作を防ぎ得るものである。
本発明の光変調形検出装置は、以上のように受光素子の
出力する受光信号を増幅する増幅器とその増幅出力を基
準レベルと比較判定する判定回路とを交流結合する共に
、基準レベル保持手段により判定回路の入力端子を発光
素子が発光しているタイミング以外のタイミングにおい
て基準レベルに保持するように構成したものである。そ
れ故、発光素子の発光時に対応しないタイミングでの受
光信号の判定動作が回避されると共に、受光信号のうち
外乱光に相当する直流信号部分が上記交流結合によって
効果的にカットされ、外乱光による誤動作防止のために
大容量のコンデンサを要する積分回路を付加する必要が
な（なり、応答速度がアップし、小型化、ＩＣ化が可能
となる等の効果を奏し得る。
出力する受光信号を増幅する増幅器とその増幅出力を基
準レベルと比較判定する判定回路とを交流結合する共に
、基準レベル保持手段により判定回路の入力端子を発光
素子が発光しているタイミング以外のタイミングにおい
て基準レベルに保持するように構成したものである。そ
れ故、発光素子の発光時に対応しないタイミングでの受
光信号の判定動作が回避されると共に、受光信号のうち
外乱光に相当する直流信号部分が上記交流結合によって
効果的にカットされ、外乱光による誤動作防止のために
大容量のコンデンサを要する積分回路を付加する必要が
な（なり、応答速度がアップし、小型化、ＩＣ化が可能
となる等の効果を奏し得る。
第１図は本発明の一実施例を示すブロック図、第２図は
その判定回路の具体的構成を示す図、第３図はその動作
タイミングチャート、第４図は従来例を示すブロック図
、第５図はその動作タイミングチャートである。 Ｉｆは発光素子、１２は発振回路、１３は発光素子駆動
回路、１４は受光素子、１５はＡＣアンプ、１６は判定
回路、１７は同期検出回路、１９は判定回路、２０は出
力回路、２１はコンパレータ、２２はコンデンサ、２３
はスイッチである。
その判定回路の具体的構成を示す図、第３図はその動作
タイミングチャート、第４図は従来例を示すブロック図
、第５図はその動作タイミングチャートである。 Ｉｆは発光素子、１２は発振回路、１３は発光素子駆動
回路、１４は受光素子、１５はＡＣアンプ、１６は判定
回路、１７は同期検出回路、１９は判定回路、２０は出
力回路、２１はコンパレータ、２２はコンデンサ、２３
はスイッチである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、発光素子から投光されるパルス変調された光が物体
を反射し又は透過するのを受光素子により検知し、その
受光信号から物体の有無を判別するようにした光変調形
検出装置において、前記受光信号を増幅する増幅器とそ
の増幅出力を判定する判定回路とを交流結合すると共に
、発光素子が発光しているタイミング以外のタイミング
において判定回路の入力端子を比較基準レベルに保持す
る基準レベル保持手段を設けたことを特徴とする光変調
形検出装置。 ２、前記基準レベル保持手段は、発光素子駆動信号に同
期する制御信号により基準レベル電圧源と判定回路の入
力端子との間をオン・オフするスイッチ手段から成る特
許請求の範囲第１項記載の光変調形検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60108859A JPS61265878A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | 光変調形検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60108859A JPS61265878A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | 光変調形検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61265878A true JPS61265878A (ja) | 1986-11-25 |
Family
ID=14495400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60108859A Pending JPS61265878A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | 光変調形検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61265878A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62264679A (ja) * | 1986-05-12 | 1987-11-17 | Teru Saamuko Kk | フォトセンサの外乱光補償方法及びその回路 |
| US7382511B2 (en) | 2004-12-08 | 2008-06-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light modulation type photointerrupter |
-
1985
- 1985-05-20 JP JP60108859A patent/JPS61265878A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62264679A (ja) * | 1986-05-12 | 1987-11-17 | Teru Saamuko Kk | フォトセンサの外乱光補償方法及びその回路 |
| US7382511B2 (en) | 2004-12-08 | 2008-06-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light modulation type photointerrupter |
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