JPH04175679A - 光送信回路 - Google Patents
光送信回路Info
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- JPH04175679A JPH04175679A JP2301066A JP30106690A JPH04175679A JP H04175679 A JPH04175679 A JP H04175679A JP 2301066 A JP2301066 A JP 2301066A JP 30106690 A JP30106690 A JP 30106690A JP H04175679 A JPH04175679 A JP H04175679A
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- Japan
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- semiconductor laser
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 35
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 title abstract description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 23
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 210000004899 c-terminal region Anatomy 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
Landscapes
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- Optical Communication System (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、光送信回路に関し、特に半導体レーザの駆
動回路に関するものである。
動回路に関するものである。
第3図は従来の光送信回路を示す回路構成図である。
同図において、■は駆動部であり、トランジスタ101
,102.定電流源103.可変電流源104および抵
抗114を含んでなる。可変電流源104は半導体レー
ザ100にバイアス電流を供給する役目を果たす、トラ
ンジスタ101,102、遊電流源103は、半導体レ
ーザiooへのバイアス電流に、パルス電流を重畳する
役目を果たす。
,102.定電流源103.可変電流源104および抵
抗114を含んでなる。可変電流源104は半導体レー
ザ100にバイアス電流を供給する役目を果たす、トラ
ンジスタ101,102、遊電流源103は、半導体レ
ーザiooへのバイアス電流に、パルス電流を重畳する
役目を果たす。
■は制御部であり、半導体レーザ100の光出力が光送
信回路の周囲温度の変動や光送信回路に入力されるデー
タのマーク率で変動しないように補償するためのもので
、半導体レーザ100の光出力を検出するホトダイオー
ド110.ホトダイオード110の出力を増幅する前置
増幅器111゜光送信回路に入力されるデータのマーク
率を検出するマーク率検出回路113およびバイアス電
流制御回路112を含んでなる。バイアス電流制御回路
112は、前置増幅器111の出力とマーク率検出回路
113の出力とが等しくなるように、半導体レーザ10
0へのバイアス電流を制御する役目を果たす、なお、同
図において、W、Z端子゛には所定の電圧が印加され、
x、 y端子には極性が反対のデータが入力される。
信回路の周囲温度の変動や光送信回路に入力されるデー
タのマーク率で変動しないように補償するためのもので
、半導体レーザ100の光出力を検出するホトダイオー
ド110.ホトダイオード110の出力を増幅する前置
増幅器111゜光送信回路に入力されるデータのマーク
率を検出するマーク率検出回路113およびバイアス電
流制御回路112を含んでなる。バイアス電流制御回路
112は、前置増幅器111の出力とマーク率検出回路
113の出力とが等しくなるように、半導体レーザ10
0へのバイアス電流を制御する役目を果たす、なお、同
図において、W、Z端子゛には所定の電圧が印加され、
x、 y端子には極性が反対のデータが入力される。
しかしながら、このような従来の光送信回路では、回路
の周囲温度が変動したり、回路の電源電圧が変わったり
すると、半導体レーザ100の光出力波形のデユーティ
比が変わるという問題があった。
の周囲温度が変動したり、回路の電源電圧が変わったり
すると、半導体レーザ100の光出力波形のデユーティ
比が変わるという問題があった。
本発明はこのような課題を解決するために提案されたも
ので、半導体レーザの光出力のピーク値を検出するピー
ク値検出回路と、半導体レーザの光出力の平均値を検出
する平均値検出回路とを設け、ピーク値検出回路の出力
と平均値検出回路の出力とに基づき、半導体レーザの光
出力波形のデユーティ比を一定に保つように、半導体レ
ーザに流れる電流を制御するようにしたものである。
ので、半導体レーザの光出力のピーク値を検出するピー
ク値検出回路と、半導体レーザの光出力の平均値を検出
する平均値検出回路とを設け、ピーク値検出回路の出力
と平均値検出回路の出力とに基づき、半導体レーザの光
出力波形のデユーティ比を一定に保つように、半導体レ
ーザに流れる電流を制御するようにしたものである。
したがってこの発明によれば、例えば、平均値検出回路
の出力(VA )とピーク値検出回路の出力(■、)と
の関係がVA−m・■、となるように、半導体レーザに
流れる電流を制御することにより、半導体レーザの光出
力波形のデユーティ比を一定に保ち得る。
の出力(VA )とピーク値検出回路の出力(■、)と
の関係がVA−m・■、となるように、半導体レーザに
流れる電流を制御することにより、半導体レーザの光出
力波形のデユーティ比を一定に保ち得る。
但し、mは光送信回路に入力されるデータのマーク率で
ある。
ある。
以下、本発明に係る光送信回路を詳細に説明する。
第1図はこの光送信回路の一実施例を示す回路構成図で
ある。
ある。
同図において、I゛は駆動部であり、トランジスタ5,
6.定電流源8.可変電流源9および抵抗16を含んで
なる。可変電流源9は半導体レーザ1にバイアス電流を
供給する役目を果たす。トランジスタ5,6.定電流源
8は、半導体レーザlへのバイアス電流に、パルス電流
を重畳する役目を果たす。
6.定電流源8.可変電流源9および抵抗16を含んで
なる。可変電流源9は半導体レーザ1にバイアス電流を
供給する役目を果たす。トランジスタ5,6.定電流源
8は、半導体レーザlへのバイアス電流に、パルス電流
を重畳する役目を果たす。
■゛は制御部であり、半導体レーザ1の光出力を検出す
るホトダイオード2.ホトダイオード2の出力から光出
力のピーク値を検出するピーク値検出回路10.ホトダ
イオード2の出力から光出力の平均値を検出する平均値
検出回路11.バイアス電流制御回路12.闇値制御回
路13.ピーク値変換回路14.光送信回路に入力され
るデータのマーク率を検出するマーク率検出回路15を
含んでなる。バイアス電流制御回路12ば、平均値検出
回路11の出力vAとマーク率検出回路15の出力とが
等しくなるように、半導体レーザ1にバイアス電流を供
給する可変電流源9を制御する役目を果たす、ピーク値
変換回路14は、ピーク値検出回路10の出力■2とマ
ーク率検出回路15の出力とから、m−V、(但し、m
はマーク率)を出力する役目を果たす。閾値制御回路1
3は、平均値検出回路11の出力■、とピーク値検出回
路14の出力m−V、とが等しくなるように、光送信回
路に入力されるデータの閾値を制御する役目を果たす。
るホトダイオード2.ホトダイオード2の出力から光出
力のピーク値を検出するピーク値検出回路10.ホトダ
イオード2の出力から光出力の平均値を検出する平均値
検出回路11.バイアス電流制御回路12.闇値制御回
路13.ピーク値変換回路14.光送信回路に入力され
るデータのマーク率を検出するマーク率検出回路15を
含んでなる。バイアス電流制御回路12ば、平均値検出
回路11の出力vAとマーク率検出回路15の出力とが
等しくなるように、半導体レーザ1にバイアス電流を供
給する可変電流源9を制御する役目を果たす、ピーク値
変換回路14は、ピーク値検出回路10の出力■2とマ
ーク率検出回路15の出力とから、m−V、(但し、m
はマーク率)を出力する役目を果たす。閾値制御回路1
3は、平均値検出回路11の出力■、とピーク値検出回
路14の出力m−V、とが等しくなるように、光送信回
路に入力されるデータの閾値を制御する役目を果たす。
なお、同図において、a、C端子には所定の電圧が印加
され、b端子にはデータが入力される。
され、b端子にはデータが入力される。
また、本実施例においては、b端子へ与えられるデータ
がマーク率検出回路15へ与えられると共に、トランジ
スタ3のベースヘ与えられるものとなっており、トラン
ジスタ3のコレクタが抵抗18を介してa端子へ接続さ
れている。トランジスタ3のエミツタはトランジスタ4
のエミッタと共に定電流源7を介してC端子へ接続され
ており、トランジスタ4のコレクタは抵抗17を介して
a端子へ接続されている。そして、トランジスタ3のコ
レクタと抵抗18との接続点にトランジスタ5のベース
が接続され、トランジスタ4のコレクタと抵抗17との
接続点にトランジスタ6のへ一スが接続され、トランジ
スタ4のベースに闇値制御回路13の出力が与えられる
ものとなっている。
がマーク率検出回路15へ与えられると共に、トランジ
スタ3のベースヘ与えられるものとなっており、トラン
ジスタ3のコレクタが抵抗18を介してa端子へ接続さ
れている。トランジスタ3のエミツタはトランジスタ4
のエミッタと共に定電流源7を介してC端子へ接続され
ており、トランジスタ4のコレクタは抵抗17を介して
a端子へ接続されている。そして、トランジスタ3のコ
レクタと抵抗18との接続点にトランジスタ5のベース
が接続され、トランジスタ4のコレクタと抵抗17との
接続点にトランジスタ6のへ一スが接続され、トランジ
スタ4のベースに闇値制御回路13の出力が与えられる
ものとなっている。
次に動作について説明する。
第2図はマーク率1/2のデータが入力されたときの各
部の波形を示し、同図(a)はデータ入力波形、同図伽
)はトランジスタ6の入力波形(ベース入力波形)、同
図(C)は半導体レーザ(LD)1の光出力波形を示し
ている。入力データの波形は予めローパスフィルタを通
過させておき第2図(a)のような波形となっている。
部の波形を示し、同図(a)はデータ入力波形、同図伽
)はトランジスタ6の入力波形(ベース入力波形)、同
図(C)は半導体レーザ(LD)1の光出力波形を示し
ている。入力データの波形は予めローパスフィルタを通
過させておき第2図(a)のような波形となっている。
このとき、半導体レーザ1の光出力波形がVヶ=172
・V、となるように(第2図(C)参照)、闇値制御
回路13の出力が変化する。これにより、トランジスタ
6の入力波形が制御され(第2図(b)参照)、すなわ
ち半導体レーザ1に流れるパルス電流が制御され、周囲
温度の変動や電源電圧の変動に対し、光出力波形のデユ
ーティ比が一定に保たれる。
・V、となるように(第2図(C)参照)、闇値制御
回路13の出力が変化する。これにより、トランジスタ
6の入力波形が制御され(第2図(b)参照)、すなわ
ち半導体レーザ1に流れるパルス電流が制御され、周囲
温度の変動や電源電圧の変動に対し、光出力波形のデユ
ーティ比が一定に保たれる。
以上説明したことから明らかなようにこの発明によると
、周囲温度の変動や電源電圧の変動に対して、光出力波
形のデユーティ比を一定に保ち得るという効果を奏する
。
、周囲温度の変動や電源電圧の変動に対して、光出力波
形のデユーティ比を一定に保ち得るという効果を奏する
。
第1図は本発明に係る光送信回路の一実施例を示す回路
構成図、第2図はこの光送信回路の動作を説明するため
の各部の波形図、第3図は従来の光送信回路を示す回路
構成図である。 1・・・半導体レーザ、2・・・ホトダイオード、10
・・・ピーク値検出回路、11・・・平均値検出回路、
13・・・闇値制御回路、14・・・ピーク値変換回路
、15・・・マーク率検出回路。
構成図、第2図はこの光送信回路の動作を説明するため
の各部の波形図、第3図は従来の光送信回路を示す回路
構成図である。 1・・・半導体レーザ、2・・・ホトダイオード、10
・・・ピーク値検出回路、11・・・平均値検出回路、
13・・・闇値制御回路、14・・・ピーク値変換回路
、15・・・マーク率検出回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体レーザの光出力のピーク値を検出するピーク値検
出回路と、 前記半導体レーザの光出力の平均値を検出する平均値検
出回路と、 前記ピーク値検出回路の出力と前記平均値検出回路の出
力とに基づき、前記半導体レーザの光出力波形のデュー
ティ比を一定に保つように、前記半導体レーザに流れる
電流を制御する制御回路とを備えた光送信回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2301066A JPH04175679A (ja) | 1990-11-08 | 1990-11-08 | 光送信回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2301066A JPH04175679A (ja) | 1990-11-08 | 1990-11-08 | 光送信回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04175679A true JPH04175679A (ja) | 1992-06-23 |
Family
ID=17892458
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2301066A Pending JPH04175679A (ja) | 1990-11-08 | 1990-11-08 | 光送信回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04175679A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5675600A (en) * | 1995-09-27 | 1997-10-07 | Fujitsu Limited | Laser diode driver system |
JP2005340278A (ja) * | 2004-05-24 | 2005-12-08 | Freescale Semiconductor Inc | 発光素子駆動回路 |
-
1990
- 1990-11-08 JP JP2301066A patent/JPH04175679A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5675600A (en) * | 1995-09-27 | 1997-10-07 | Fujitsu Limited | Laser diode driver system |
JP2005340278A (ja) * | 2004-05-24 | 2005-12-08 | Freescale Semiconductor Inc | 発光素子駆動回路 |
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