JPS61265831A - ウエハ集積回路装置 - Google Patents

ウエハ集積回路装置

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Publication number
JPS61265831A
JPS61265831A JP10782385A JP10782385A JPS61265831A JP S61265831 A JPS61265831 A JP S61265831A JP 10782385 A JP10782385 A JP 10782385A JP 10782385 A JP10782385 A JP 10782385A JP S61265831 A JPS61265831 A JP S61265831A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
zone
block
blocks
wafer
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10782385A
Other languages
English (en)
Inventor
Shinpei Tsuchiya
土屋 真平
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP10782385A priority Critical patent/JPS61265831A/ja
Publication of JPS61265831A publication Critical patent/JPS61265831A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/0203Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0207Geometrical layout of the components, e.g. computer aided design; custom LSI, semi-custom LSI, standard cell technique

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 ウェハ集積回路装置であって、搭載すべき全体のシステ
ムを分割したブロックをそれぞれ重複して備えるゾーン
がウエノ)上に形成され、該ゾーン内に含まれる重複し
たブロックの人、出力側をそれぞれ共通の人、出力バス
ラインに接続し、該出力バスラインは次段のゾーンの入
力バスラインに接続し、ゾーン内のブロックの選択を各
ゾーン毎に設置したレジスタの出力により行なう。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ウェハ全面に集積回路を形成することにより
、高速化、高信頼化及び低コスト化を図ったウェハ集積
回路に関する。
〔従来の技術〕
従来のウェハ集積回路においては、全システムを幾つか
のサブブロックに分割し、更にこのサブブロック全重複
して形成しておき、その中から良品を選択して結線する
ことによ)全システムを構成していた。
この良品の選択のために、サブブロックの周囲にテスト
用のパッドを設け、グローバの針をこれに当ててチェッ
クを行なっていた。
〔発明が解決しよりとする問題点〕
ところが、このような方法では、グコーバの針をあてる
ためにパッドの大きさが30μ鴨X 30 jIm以上
必袂なことと、1ブロツク当シのパッド数が100ケを
越えることにより、クエへ面積が有効に使えない。また
、異なるブロックのチェック毎に、その都反針先とパッ
ド間の位置合せが必要となシ、チェックのための時間が
増大する。
そのため1本発明は、ウェハ集積回路におiて、このよ
うなテスト用のパッドを不要となし、ウェハ面積の有効
利用を図シ、さらに、テストするグロックの選択を電気
的に行なうことにょシ、テスト時間の短縮を図るもので
るる。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明においては、特に第2図に示すごとく、ウェハ1
に搭載する全体のシステムをブロックに分割しくB+・
・・B%)、このブロックを重複して形成したシー7内
で、各ブロックの入力側を共通の入力バスラインに接続
し、且つ出力も共通のパスラインに接続し、出力パスラ
インは次段のゾーンの入力バスラインに接続し、各ゾー
ンに一組のシフトレジスタを設置してこの出力によりゾ
ー/内のブロックを選択し、各77トレジスタを直列に
接続してウェハ外部から各レジスタにデータをロード出
来るようにする。
〔作用〕
上記によれは、ウェハの各ゾーン内の各ブロックの試験
時に、シフトレジスタのデータに応じてゾーン内のブロ
ックt−1つずつ選択してブロック間の結線を行なって
入力バスと出力バスの関係をチェックすることによりテ
ストを行なう。このようにして良品ブロックを選択後、
その良品のデータを外部記憶装置に記憶しておき、シス
テムの使用時に、記憶されている良品選択データをシフ
トレジスタに入力してグー7のシフトレジスタの値によ
υ良品ブロックを選択し、バス配線を生かして必要なブ
ロック間結線を行なって行く。
〔実施例〕
第2図はウェハ1でのゾーンのレイアウトを表わしてお
シ、ゾーン2.5等は複数の同一回路ブロックから成)
、各ゾーンから良品のブロックを1ケずつ選択して、こ
れらを結線することにょシフステムが構成される。
第6図は各ゾーンの内容を示しておfi、1.〜1d、
4α〜4dはゾーン2,3内の各回路ブロックを示し、
18〜1d及び48〜4bはそれぞれ同一構成の回路ブ
ロックでめる。すなわち、本実施例ではブロックの重複
度は4としている。
第1図は本発明の実施例のシー73,4の部分の拡大平
面図でめる。図において、第5図と同部分には同一番号
で指示して6シ、第1図において、シー75内の回路ブ
ロック18〜1dは入力回路は  −全部並列に結線さ
れ、出力回路も全部並列に結線されておシ、シー74内
においても同様に並列に結線されている。そして、第1
図では並列結線された1a〜1dの入力回路はパスライ
ン7a〜7cに接続し、出力回路はパスライン56〜5
cに接続している。一方ゾー74内の回路ブロック4α
〜4dの並列結線された入力回路はパスライン5a〜5
cに接続し、出力回路はバスライフ 6.〜6cに接続
している。8G〜8#は入力パッドでパスライン76〜
76に接続し、9a〜96は出力パッドでパスライン6
G〜6oに接続している。
9.10はシフトレジスタでオシ、直列に接続しておシ
、シフトレジスタ9の各ビットの出力は、ブロックセレ
クト信号1i11a〜11a を介してゾーン5内の各
ブロック1G〜1dに接続している。またシフトレジス
タ10の各ピットの出力は、ブロックセレクト信号@1
2a〜12aでゾーン4内の各ブロック46〜4dK接
続している。
以上では、ゾーンが3,402ケの場合を示したが、実
際には多数のブロックが同様に結線される。
上記実施例の構成において、まずウェハ集積回路の試験
の手順を示す。
〔試験の手順〕
■ シフトレジスタ9,10にゾーン5.4内のブロッ
クを選択するブロックセレクト信号を与える。
一方この時、他のシフトレジスタ(例えば図示しない前
段のシフトレジスタ8及び後段の図示しないシフトレジ
スタ11)は非選択信号をロードする。
■ シフトレジスタ9からのブロックセレクト信号は1
1a〜11.を介してブロック1cL〜1dに並列に供
給され、この内1つのブロックがパスラインに接続され
る。このブロックの選択は、11a〜11aの3ビツト
の信号を各ブロックでデコードすることにより行なう。
その際、例えば4つのブロック或は、これと異なる構成
で、ブロックセレクト信号を4ビツトとして各ブロック
宛に1ビツトずつ接続するようにして、そのいずれか1
つのブロックが選択されるか、全てのブロックが非選択
になるようにしても良い。
シフトレジスタ10からのブロックセレクト信号も12
α〜12a を介してシー74内のいずれか1つのブロ
ックを選択し、パスラインに接続する。
今、ゾーン3で1aのブロックが、又ゾーン4で4Ls
のブロックが選択されると、1Gは入力回路はパスライ
ン7、〜7Cに接続され、出力回路はパスライン56〜
56に接続され、4dは入力回路はパスライン5G〜5
cK接続され、出力回路は68〜6cに接続される。
■ このとき、前述のように他のゾーンは非選択の状態
にあるから、これらの影響は全くない。入力パッド8G
〜86から信号を入力し、パッド98〜96から出力信
号を得、入カバスフa〜7cと出力バス6a〜6oO関
係をチェックすることによりテストを行りことができる
以上のようなテストを上記■のブロックの選択を頴列組
合せ的に行なうことにより良品ブロックを見出す。
■ 上記■におけるブロックのテストの情報を適当な外
部の記憶装置に格納する。
〔ウェハ集積回路のシステムの使用〕
■ ウェハ外部の記憶装置から、前記で格納されている
各ゾーンの各ブロックのデータを各77トレジスタにロ
ードし、例えば第1図ではシフトレジスタ9及び10の
各ビットの出力の11α、 11&。
11、及び12a、 12L 126により、ゾーン3
の良品ブロック1G及びシー74の良品ブロック4cL
が選択され、それぞれ1aの入力回路が入力バスライン
7a〜76に、その出力回路がパスライン5a〜5Gに
接続され、4Gの入力回路がパスライン55〜5cに、
その出力回路がパスライン6α〜6Gに接続された2段
の集積回路が出来上がる。
以上一実施例を示したが、本発明は種々変更が可能でア
シ、例えば、第2図の回路では、シフトレジスタ全部t
−直列につないでいるが、シフトレジスタを重複構成に
したシ、或いは階層構成にすることもできる。
また、第2図の構成では、シフトレジスタが揮発性でお
るから、システムの使用の都度外部からデータを入れて
やらなければならないが、シフトレジスタ9,10等に
代えてEEFROM等を用い、ブロックの選択データを
固定するようにし、必要に応じてEEFROMのデータ
を外から誓換えるようにして、不揮発性のシステム構成
を得ることもできる。
〔発明の効果〕
以上のことから明らかなように、本発明によれば、ウェ
ハ集積回路において、従来のようにテストのためのパッ
ドをサブブロック(全システムを分割したンの周囲に配
設することヲ要せず、パッド引出しの位置は数ゾーン毎
に適当な場所で行なうことができ、ウニ八面積の有効利
用が可能になる。また、テストも容易に行なうことがで
き、テスト時間の短縮を計ることができる。また、本発
明によれば、ウェハ集積回路に外部からテスト結果に基
づく情報をロードしてやるだけでシステムを構成できる
利点がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例のウェハ集積回路の要部平面図
、 第2図は本発明の実施例のゾーンのレイアウトを示す平
面図、 第3図は第2図の各シー/の内容を示す図。 主ブ費千 !−・−一う二I\

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、ウェハ上に搭載すべき全体のシステムをブロックに
    分割し、該ブロックを重複して備えるゾーンをウェハ上
    に形成し、該ゾーン内に含まれる重複ブロックの入力側
    を共通の入力バスラインに接続し、且つ出力側も共通の
    出力バスラインに接続し、該出力バスラインは次段のゾ
    ーンの入力バスラインに接続し、 さらに各ゾーンに一組のシフトレジスタを設置してその
    出力により各ゾーン内のブロックの1つが選択されるよ
    うになす、とともに、各シフトレジスタにウェハ外部か
    らデータをロードする手段を設けたことを特徴とするウ
    ェハ集積回路装置。 2、前記各シフトレジスタが直列接続されていることを
    特徴とする特許請求の範囲第1項記載の集積回路装置。
JP10782385A 1985-05-20 1985-05-20 ウエハ集積回路装置 Pending JPS61265831A (ja)

Priority Applications (1)

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JP10782385A JPS61265831A (ja) 1985-05-20 1985-05-20 ウエハ集積回路装置

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JPS61265831A true JPS61265831A (ja) 1986-11-25

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JP10782385A Pending JPS61265831A (ja) 1985-05-20 1985-05-20 ウエハ集積回路装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002065550A1 (fr) * 2001-02-16 2002-08-22 Sharp Kabushiki Kaisha Dispositif semi-conducteur

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002065550A1 (fr) * 2001-02-16 2002-08-22 Sharp Kabushiki Kaisha Dispositif semi-conducteur
US7711012B2 (en) 2001-02-16 2010-05-04 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device

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