JPS61260031A - トランハライド化合物 - Google Patents
トランハライド化合物Info
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- JPS61260031A JPS61260031A JP60101619A JP10161985A JPS61260031A JP S61260031 A JPS61260031 A JP S61260031A JP 60101619 A JP60101619 A JP 60101619A JP 10161985 A JP10161985 A JP 10161985A JP S61260031 A JPS61260031 A JP S61260031A
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Landscapes
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- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は一気光学的表示材料として有用なトランハライ
ド化合物に胸する。
ド化合物に胸する。
液晶表示セルの代表的なものにエム・シャット(M、S
@hadt )等(APPLIED PHYSIC8L
ETTER818゜127〜128(1971)E′に
よって提案された電界効果塵セル(フィールド・エフェ
クト・モード・セル)又ハシ−・エイチ・バイルマイヤ
ー(G@HH@i1m*ier )等(PROCEED
ING OF’ THE IJ、EJ。
@hadt )等(APPLIED PHYSIC8L
ETTER818゜127〜128(1971)E′に
よって提案された電界効果塵セル(フィールド・エフェ
クト・モード・セル)又ハシ−・エイチ・バイルマイヤ
ー(G@HH@i1m*ier )等(PROCEED
ING OF’ THE IJ、EJ。
グ・モード・セル)又はジー・エイ′テ・バイルマイヤ
ー(G*HH@j1m@i@r )等(APPLIED
PHYSIC8LETTER813、91(1968
) ]あるいは]ティーΦエルーホワイトDLWhit
・)等(JOURNAL 0FAPPLIED PHY
SIC8長、4718(1974))によりて提案され
たダスト・ホスト型セルなどがある。
ー(G*HH@j1m@i@r )等(APPLIED
PHYSIC8LETTER813、91(1968
) ]あるいは]ティーΦエルーホワイトDLWhit
・)等(JOURNAL 0FAPPLIED PHY
SIC8長、4718(1974))によりて提案され
たダスト・ホスト型セルなどがある。
を有する液晶表示セルは低電圧駆動が可能となる。 ξ
′は%に重要な要求特性である。低いしきい値電圧応答
時間(τ)は液晶材料の粘度(η)と比例関係 ・□
(τoeり)にあることから、粘度の低い液晶材料
:□を使用すれば高速応答の液晶表示セルを作製する
′ことができる。現在、このような目的で用いられて
いる優れた粘度低下剤には で表わされる化合物等がある。
′は%に重要な要求特性である。低いしきい値電圧応答
時間(τ)は液晶材料の粘度(η)と比例関係 ・□
(τoeり)にあることから、粘度の低い液晶材料
:□を使用すれば高速応答の液晶表示セルを作製する
′ことができる。現在、このような目的で用いられて
いる優れた粘度低下剤には で表わされる化合物等がある。
しかし、上記の化合物(a)は粘度を低下するとともに
しきい値電圧を上昇させるという欠点をもっていた。
しきい値電圧を上昇させるという欠点をもっていた。
本発明の目的は粘度低下効果が大きく、且つ。
しきい値電圧を効果的に低下せしめる化合物の提供にあ
る。
る。
本発明は、
で表わされる化合物を提供することによ)前記問題点を
解決した。
解決した。
本発明に係る式(1)の化合物は次の製造方法に従って
製造することができる。下記Ql)〜(イ)の各式にお
けるR 、 X、及びX2は夫々、式(I)におけるR
lX、及びX2と同じ意味をもつ。
製造することができる。下記Ql)〜(イ)の各式にお
けるR 、 X、及びX2は夫々、式(I)におけるR
lX、及びX2と同じ意味をもつ。
X、が水素原子の場合、
弐ω)のp−ヨードアルキルベンゼン全N。N−ジメチ
ルホルムアミドの如き溶媒中でビス(トリフェニルフォ
スフイン)ノ譬ラジウムω)クロライドの如き触媒を用
いて弐〇の化合物と反応させて式(1)の化合物t−製
造する。
ルホルムアミドの如き溶媒中でビス(トリフェニルフォ
スフイン)ノ譬ラジウムω)クロライドの如き触媒を用
いて弐〇の化合物と反応させて式(1)の化合物t−製
造する。
X、がハロゲン原子の場合、
弐ωの化合物をX、が水素原子の場合と同様にして式(
至)の化合物と反応させて式(1)の化合物を製造する
。
至)の化合物と反応させて式(1)の化合物を製造する
。
斯くして製造される式(1)の化合物の代表的なものの
融点を第1表に掲げる。
融点を第1表に掲げる。
第 1 表
JK RX、 X2 融点(C)i n−
C4H,−HF 57 2 n−C3H1,−HF 65 3 n−C4H,−F F 49 4 n−05H,、−F F 53本発明に係
る式(夏)の化合物はネマチック相を示さないが、例え
ば、負の誘電率異方性を有する他のネマチック液晶化合
物との混合物の状態で動的光散乱型表示セルの材料とし
て使用することができ、また正又は負の誘電率異方性を
有する他のネマチック液晶化合物との混合物の状態で電
界効果型表示セルの材料として使用することができる。
C4H,−HF 57 2 n−C3H1,−HF 65 3 n−C4H,−F F 49 4 n−05H,、−F F 53本発明に係
る式(夏)の化合物はネマチック相を示さないが、例え
ば、負の誘電率異方性を有する他のネマチック液晶化合
物との混合物の状態で動的光散乱型表示セルの材料とし
て使用することができ、また正又は負の誘電率異方性を
有する他のネマチック液晶化合物との混合物の状態で電
界効果型表示セルの材料として使用することができる。
このように、式(1)の化合物と混合して使用すること
のできる好ましい代表例としては、例えば4゜4′−置
換安息香酸フェニルエステル、4.4′−置換シクロヘ
キサンカル?ン酸フェニルエステル、4.4’−置換シ
クロヘキサンカル?ン酸ピフェニルエステル、4(4−
[換シクロヘキサンカル?ニルオキシ)安息香酸4′−
置換フェニルエステル、4(4−置換シクロヘキシル)
安息香酸4′−置換フェニルエステル、 4 (4−R
換V/ o ヘキシtv )安息香a4−RW/4シク
ロヘキシルエステル、 4.4′−ピフェニ/I/、4
.4−7エニルシクロヘキサン、4.4゛−置換ターフ
ェニル、 4.4′−ビフェニルシクロへキサン、2(
4’−置換フェニ#)5−ffll1%l:’リミジン
などを挙げることができる。
のできる好ましい代表例としては、例えば4゜4′−置
換安息香酸フェニルエステル、4.4′−置換シクロヘ
キサンカル?ン酸フェニルエステル、4.4’−置換シ
クロヘキサンカル?ン酸ピフェニルエステル、4(4−
[換シクロヘキサンカル?ニルオキシ)安息香酸4′−
置換フェニルエステル、4(4−置換シクロヘキシル)
安息香酸4′−置換フェニルエステル、 4 (4−R
換V/ o ヘキシtv )安息香a4−RW/4シク
ロヘキシルエステル、 4.4′−ピフェニ/I/、4
.4−7エニルシクロヘキサン、4.4゛−置換ターフ
ェニル、 4.4′−ビフェニルシクロへキサン、2(
4’−置換フェニ#)5−ffll1%l:’リミジン
などを挙げることができる。
第2表は時分割駆動特性の優れたネマチック液晶材料と
して現在汎用されている母体液晶(4)の90重量%と
第1表に示した式(1)の化合物AI。
して現在汎用されている母体液晶(4)の90重量%と
第1表に示した式(1)の化合物AI。
ム2.墓3及びム4の各々の10重量%とから成る各混
合液晶について測定された粘度としきい値電圧(Vth
) t−掲示し、比較のために母体液晶(4)及び、
母体液晶(A)90重量%と化合物(a) 10重量係
とから成る混合液晶について測定された粘度とVthを
掲示したものである。尚、母体液晶(4)は、及び、 から成るものであシ、化合物(&)は、次式で表わされ
るものである。
合液晶について測定された粘度としきい値電圧(Vth
) t−掲示し、比較のために母体液晶(4)及び、
母体液晶(A)90重量%と化合物(a) 10重量係
とから成る混合液晶について測定された粘度とVthを
掲示したものである。尚、母体液晶(4)は、及び、 から成るものであシ、化合物(&)は、次式で表わされ
るものである。
第 2 表 ・
(A) 22.0 1
.51(A)+A1 20.2
1.37(4)十屋2 20.2
1.36(A)+A3 20.9
1.36(4)十厘4 20.9
1.35+Al + (a) 20
.2 1.53第2表から式(1)の化合
物は母体液晶(A)の粘度を。
.51(A)+A1 20.2
1.37(4)十屋2 20.2
1.36(A)+A3 20.9
1.36(4)十厘4 20.9
1.35+Al + (a) 20
.2 1.53第2表から式(1)の化合
物は母体液晶(A)の粘度を。
低下させ、且つ、しきい値電圧(Vth)を顕著に低下
せしめることが理解できる。
せしめることが理解できる。
この優位性は従来粘度低下剤として使用されている化合
物(1)のデータと比較すると明確である。
物(1)のデータと比較すると明確である。
実施例1
4−ヨードブチルベンゼン7、5 !/ (0,029
moL)をN、N−ジメチルホルムアミド6o1nlに
俗jWL、ビス(トリフェニルホスフィン)ノぐラジウ
ム(n)クロライド241ng(0,000034mo
A )、ヨウ化第−銅 □6011Ig(0,000
31moL)及びジエチルアミ/1.4 ′1 (
0,18moL )を加゛え攪拌下で4−フルオロフェ
ニルアセチレン3.51 (0,029moA )を加
え室温で1時間反応させた。反応終了後9チ塩酸50
′mgを加え、トルエンで抽出、水洗、乾燥しトル
エンを減圧留去後、メタノールで再結晶精製し、下記化
合物4.31 (0,017mot)を得た。
moL)をN、N−ジメチルホルムアミド6o1nlに
俗jWL、ビス(トリフェニルホスフィン)ノぐラジウ
ム(n)クロライド241ng(0,000034mo
A )、ヨウ化第−銅 □6011Ig(0,000
31moL)及びジエチルアミ/1.4 ′1 (
0,18moL )を加゛え攪拌下で4−フルオロフェ
ニルアセチレン3.51 (0,029moA )を加
え室温で1時間反応させた。反応終了後9チ塩酸50
′mgを加え、トルエンで抽出、水洗、乾燥しトル
エンを減圧留去後、メタノールで再結晶精製し、下記化
合物4.31 (0,017mot)を得た。
収率 59チ
転移温度 57℃(C→! )
(但し、Cは結晶相、Iは等方性液体を表わす。)
実施例2
実施例1と同様にして下記化合物を得た。
収率 61%
転移温度 65℃(C→工)
実施例3
3.4−ジフルオロヨードベンゼン8.9(0,034
mot)をN、N−ジメチルホルムアミド701117
に溶解シ、ビス(トリフェニルホスフィン)ノやラジウ
ム(II)クロライド24 m9 (0,000034
mob)、ヨウ化第1銅60ダ(0,00031mot
)及びジエチルアミン1.41 (0,18mo!、
)を加え、攪拌下で4−n−プチルフzニルアセチレン
5.41 (0,034mot)を加え、室温で1時間
反応させた。反応終了後9俤塩酸501!Ltを加え、
トルエンで抽出、水洗、乾燥し、トルエンを減圧留去後
、エタノールで再結晶精製し、下記化合物61 (0,
022mot)を得た。
mot)をN、N−ジメチルホルムアミド701117
に溶解シ、ビス(トリフェニルホスフィン)ノやラジウ
ム(II)クロライド24 m9 (0,000034
mob)、ヨウ化第1銅60ダ(0,00031mot
)及びジエチルアミン1.41 (0,18mo!、
)を加え、攪拌下で4−n−プチルフzニルアセチレン
5.41 (0,034mot)を加え、室温で1時間
反応させた。反応終了後9俤塩酸501!Ltを加え、
トルエンで抽出、水洗、乾燥し、トルエンを減圧留去後
、エタノールで再結晶精製し、下記化合物61 (0,
022mot)を得た。
収率 65僑
転移温度 49℃(CHI)
実施例4
実施例3と同様にして下記化合物を得た0収率 6
2チ 転移温度 53℃(CHI) 〔発明の効果〕 本発明に係る式(1)の化合物は、粘度低下効果が大き
く、且つ、しきい値電圧を効果的に低下せしめる化合物
であシ、この粘度低下効果は、従来すぐれた粘度低下剤
として知られている化合物と同程度で特に大きく、しか
も、従来の粘度低下剤と異なシ、しきい値電圧を低下さ
せるという優れた特性を兼ね備えた化合物である。
2チ 転移温度 53℃(CHI) 〔発明の効果〕 本発明に係る式(1)の化合物は、粘度低下効果が大き
く、且つ、しきい値電圧を効果的に低下せしめる化合物
であシ、この粘度低下効果は、従来すぐれた粘度低下剤
として知られている化合物と同程度で特に大きく、しか
も、従来の粘度低下剤と異なシ、しきい値電圧を低下さ
せるという優れた特性を兼ね備えた化合物である。
本発明の化合物を使用した低いしきい値電圧の液晶材料
をよシ高いしきい値電圧を有する従来の液晶材料の場合
と同じ電圧で駆動した場合、電圧をかけた時点(on時
)の応答速度は必然的に速くなる。
をよシ高いしきい値電圧を有する従来の液晶材料の場合
と同じ電圧で駆動した場合、電圧をかけた時点(on時
)の応答速度は必然的に速くなる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、Rは炭素原子数1〜9の直鎖状アルキル基を表
わし、X_1は水素原子あるいはハロゲン原子を表わし
、X_2はハロゲン原子を表わす。] で表わされる化合物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60101619A JPS61260031A (ja) | 1985-05-15 | 1985-05-15 | トランハライド化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60101619A JPS61260031A (ja) | 1985-05-15 | 1985-05-15 | トランハライド化合物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61260031A true JPS61260031A (ja) | 1986-11-18 |
JPH0247971B2 JPH0247971B2 (ja) | 1990-10-23 |
Family
ID=14305416
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60101619A Granted JPS61260031A (ja) | 1985-05-15 | 1985-05-15 | トランハライド化合物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61260031A (ja) |
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JPH0247971B2 (ja) | 1990-10-23 |
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