JPS61238738A - シクロヘキシルシクロヘキセン誘導体を含有する液晶組成物 - Google Patents

シクロヘキシルシクロヘキセン誘導体を含有する液晶組成物

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JPS61238738A
JPS61238738A JP7923985A JP7923985A JPS61238738A JP S61238738 A JPS61238738 A JP S61238738A JP 7923985 A JP7923985 A JP 7923985A JP 7923985 A JP7923985 A JP 7923985A JP S61238738 A JPS61238738 A JP S61238738A
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solvent
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JP7923985A
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JPH045074B2 (ja
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Yasuyuki Tanaka
靖之 田中
Haruyoshi Takatsu
晴義 高津
Kiyobumi Takeuchi
清文 竹内
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DIC Corp
Original Assignee
Dainippon Ink and Chemicals Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電気光学的表示材料として有用な新規のシクロ
へキシルシクロヘキセン誘導体に関する。
〔従来の技術〕
液晶表示セルの代表的なものにエム・シャット(M−8
chadt)等(APPI、IED PHYSIC8I
JTTER818127〜128 (1971)’:l
によって提案された電界効果型セル(フィールド・エフ
ェクト・モード・セル)又はノー・エイチ・バイルマイ
ヤー(G−HHei1m*1ar)等(PROCEED
ING OF’ TEIEl、E、E、E。56 11
62〜1171 (1968))によって提案された動
的光散型セル(ダイミンク・スキャッタリング・モード
・セル)又はジー・エイチ・バイルマイヤー(G−HH
e i 1me i er )等[:APPI、IED
PHYSIC3LETTERSエユ、91(1968)
:lあるいはディー・エル・ホワイト(DL Whit
e)等(JOURNAL ・OF APPLIED P
HYSIC845、4718(1974) :lによっ
て提案されたダスト・ホスト型セルなどがある。
これらの液晶表示セルに用いられる液晶材料には種々の
特性が要求されるが、特に戸外で使用される液晶表示セ
ルにおいては、低温での高速応答性が要求されている。
応答時間(τ)は液晶材料の粘度(η)と比例関係(τ
■η)がsb、このことから低温で粘度の低い液晶材料
を使用すれば、低温で高速応答の液晶表示セルを作製す
ることができる。
現在、このような目的で用いられている特にすキル基を
表わす。)で表わされる化合物等がある。
は粘度低下効果は特に大きい反面、N−I転移温度を著
しく低下させるという欠点をもっている。
N−I転移温度の低下はさほど大きくないが、粘度低下
効果は十分大きくない。
〔発明が解決しようとする問題点〕
本発明の目的は、粘度低下効果が大きく、且つ。
N−I転移温度の低下の少ない化合物の提供にある。
〔問題点を解決する次めの手段〕
本発明は、一般式 で表わされる化合物を提供することにょ)前記問題点を
解決した。
本発明に係る式(I)の化合物は次の製造方法に従って
製造することができる。下記(If)〜(V)の各式に
おけるR及びR′は夫々、式(I)におけるR及びWと
同じ意味をもつ。
第1段階では、式(If)のトランス−4−n−アルキ
ル−1−ブロムシクロヘキサンに無水エーテルあるいは
無水テトラヒドロフラン中でマグネシウム粉末と反応さ
せ式(III)の化合物の無水エーテルあるいは無水テ
トラヒドロフラン溶液を製造する。
第2段階では、第1段階で製造された式(III)の化
合物の無水エーテルあるいは無水テトラヒドロフラン?
I?u式CIV )の4−n−アル゛キルシクロヘキサ
ノンを反応させた後、塩酸等で分解し式(V)の化合物
を製造する。
第3段階では、第2段階で製造された式(V)の化合物
をトルエン等の溶媒中でp−)ルエンスルホン酸等によ
って脱水し式(1)の化合物を製造する。
斯くして製造される式(1)の化合物の代表的なものの
転移温度を第1表に掲げる。
第   1   表 本発明に係る式(1)の化合物は極弱い正の誘電率異方
性を有するネマチック液晶化合物であり。
従って例えば、負又は弱い正の誘電率異方性を有する他
のネマチック液晶化合物との混合物の状態で動的光散乱
型表示セルの材料として使用することができ、また強い
正の誘電率異方性を有する他のネマチック液晶化合物と
の混合物の状態で電界効果型表示セルの材料として使用
することができる。
このように、式(1)の化合物と混合して使用すること
のできる好ましい代表例としては、例えば4.4′−置
換安息香酸フェニルエステル、4.4’ −置換シクロ
ヘキサンカル?ン酸フェニルエステル、4.4’−置換
シクロヘキサンカル?ン酸ピフェニルエステル、4(4
−置換シクロヘキサンカルがニルオキシ)安息香酸4′
−置換フェニルエステル、4(4−置換シクロヘキシル
)安息香酸4′−置換フェニルエステル、4(4−置換
シクロヘキシル)安息香酸4′−置換シクロヘキシルエ
ステル、4.4′−置換ビフェニル、4.4’−置換フ
ェニルシクロヘキサン、4.4′−置換ターフェニル、
4.4’、−ビフェニルシクロヘキサン%2(4’−置
換フェニル)5−置換ピリミジンなどを挙げることがで
きる。
第2表はネマチック液晶材料として現在汎用されている
母体液晶囚の75重量係と第1表に示した式(1)の化
合物A1又は、煮2の各々の25重量係とから成る各混
合液晶につ枠て測定した0℃と20℃の粘度とN−I転
移温度を掲示し、比較のために母体液晶(4)及び母体
液晶(6)の75重量係と、化合物(、)又は化合物(
b)の各々の25重量係とから成る各混合液晶について
測定した0℃と20℃の粘度とN−I転移温度を掲示し
たものである。
及び、 から成るものであり、イ、ヒ合物(a)及び(b)は夫
々、次式で表わされるものである。
第   2   表 粘度(e、p、)N−I転郡温度 (A)  22.072.2 51.2囚+Al 15
.341.5 41.4■十A217.550.5 4
3.5 (蜀+(a) 17.540.2 26.0(局+(b
) 、16.848.3 43.0第2表から、式(I
)の化合物は母体液晶の粘度を顕著に低下させ、N−I
転移温度の低下は、比較的少ないことが理解できる。末
端アルキル又はアルコキシ基の長さがほぼ同等の(41
)、(a)及び(b)で比較すると、本発明の化合物(
ム1)が0℃で粘度低下効果は(a)と同程度で特に大
きく、N−I転移温度は(b)と同程度で比較的低下が
少ない。このことから本発明の化合物(屋1)は(a)
と(b)のすぐれた特性を兼ね備えていることが明ら′
かである。
〔実施例〕
実施例1 トランス−4−n−7’ロビルー1−ブロムシクロヘキ
サン24.3 JiF (0,119moL)を無水テ
トラヒドロ7ラン96−に溶解させ、これをマグネシウ
ム3.00 Ji’ (0,1239−atm )に攪
拌しながら20〜30℃で滴下した後、さらに室温(2
5℃)で2時間反応させて、トランス−4−n−プロビ
ルシクロヘキシルマグネシウムプロマイドラ生成させた
次に、トランス−4−n−へブチルシクロヘキサン−1
−オン23.31 (0,119mob )を無水テト
ラヒドロフラン23ゴに醇解させ、これを上記反応で生
成した。トランス−4−n−プロピルシクロヘキシルマ
グネシウムブロマイドの無水テトラヒドロフラン溶液中
に、攪拌しながら室温(25℃)で滴下した後、さらに
還流温度で3時間反応させた。
反応混合物を冷希塩酸中に加えた後、反応生成物をエー
テルで抽出し、抽出液を水洗、乾燥後、この液からエー
テルを留去し、下記化合物を含む粗生成物39.7Nを
得た。
O この粗生成物をキシレン200 dK溶解させてp−)
ルエンスルホン酸・1水fll物1.13II(0,0
0595mot) t−加えた後、これらを攪拌り、す
から還流温度で3時間反応させた。
反応混合物を冷却した後1反応生成物をキシレンで抽出
し、抽出液を水洗、乾燥後、この液からキシレンを留去
した。得られた反応生成物−をシリカダルカラムクロマ
トグラフィーによって精製し。
下記化合物15.2 Ji’(0,0500mot)を
得た。
収率   42゜0チ 転移温度 29.0℃(C−+8m) 36.0℃(S!+ −+ N ) 39.4℃(N+I) 実施例2 実施例1と同様にして下記化合物を得た。
収率   37.2係 転移温度 −3℃(C−+N ) 15℃(N  I) 〔発明の効果〕 本発明に係る式(1)の化合物は、粘度低下効果が大き
く、且つ、N−I転移温度の低下の少ない化合物であシ
、この粘度低下効果は従来すぐれた粘度低下効果を有す
る粘度低下剤として知られ程度で特に太きく、しかもN
−I転移温度の低下はN−I転移温度の低下の少ない粘
度低下剤とし化合物と同程度でさほど大きくないという
すぐれた特性を兼ね備えた化合物である。
代理人  弁理士  高 橋 勝 利 手続補正書(自発) Jl/ 昭和60年5月韓日、

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、R及びR′は各々独立的に炭素原子数1〜9の
    直鎖状アルキル基を表わし、シクロヘキサン環はトラン
    ス(エカトリアル−エカトリアル)配置である。〕 で表わされる化合物。
JP7923985A 1985-04-16 1985-04-16 シクロヘキシルシクロヘキセン誘導体を含有する液晶組成物 Granted JPS61238738A (ja)

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US06/850,585 US4698177A (en) 1985-04-16 1986-04-11 Cyclohexylcyclohexene derivatives
EP86302809A EP0198714B1 (en) 1985-04-16 1986-04-15 Liquid cristalline compositions containing cyclohexylcyclohexene derivatives, and their use
DE8686302809T DE3664906D1 (en) 1985-04-16 1986-04-15 Liquid cristalline compositions containing cyclohexylcyclohexene derivatives, and their use

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56133233A (en) * 1980-02-22 1981-10-19 Merck Patent Gmbh Phenylcyclohexene derivatives and liquid crystal dielectric body and electronic optical display element containing same
JPS6016940A (ja) * 1983-06-14 1985-01-28 メルク・パテント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング ビシクロヘキシル化合物

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56133233A (en) * 1980-02-22 1981-10-19 Merck Patent Gmbh Phenylcyclohexene derivatives and liquid crystal dielectric body and electronic optical display element containing same
JPS6016940A (ja) * 1983-06-14 1985-01-28 メルク・パテント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング ビシクロヘキシル化合物

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