JPS612595A - 光学情報記録部材 - Google Patents
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- JPS612595A JPS612595A JP59123004A JP12300484A JPS612595A JP S612595 A JPS612595 A JP S612595A JP 59123004 A JP59123004 A JP 59123004A JP 12300484 A JP12300484 A JP 12300484A JP S612595 A JPS612595 A JP S612595A
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- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
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- G11B2007/24318—Non-metallic elements
- G11B2007/2432—Oxygen
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はレーザ光線を用いて情報信号を高密度かつ高速
に記録再生し、かつ情報の書き換えが可能な光学情報記
録部材に関するものである。
に記録再生し、かつ情報の書き換えが可能な光学情報記
録部材に関するものである。
従来例の構成とその問題点
レーザ光線を利用して高密度な情報の記録再生を行なう
技術は既に公知で１）現在、文書ファイルシステム、静
止画ファイルシステム等への応用がさかんに行なわれて
いる。また書き換え可能なタイプの記録システムについ
ても研究開発の事例が報告されつつある。
技術は既に公知で１）現在、文書ファイルシステム、静
止画ファイルシステム等への応用がさかんに行なわれて
いる。また書き換え可能なタイプの記録システムについ
ても研究開発の事例が報告されつつある。
レーザ光線を用いて記録薄膜の光学的性質、例えば屈折
率、消衰係数等を可逆的に増減させることで、情報を繰
り返し記録消去する記録媒体については例えば特公昭４
７−２６８９７に見られるＴｅ８１Ｇｅ１６Ｓｂ２Ｓ２
のよう忙酸素以外のカルコゲン元素をベースとするアモ
ルファス薄膜が知られていたが湿気に対して弱いという
問題があり実用化には至っていなかった。この耐湿性を
改良したものにＴｅと０をベースとする酸化物系の薄膜
がある。これらは比較的強くて短いパルス光を照射して
照射部を昇温状態から急冷してその光学定数を減少させ
、比較的弱くて長いパルス光を照射して光学定数を増大
させるととて記録消去を行なうというもので、記録時に
は一般に光学定数を減少させる方向、消去時には増大す
る方向を利用しようというものである０ 従来記録材料として用いられてきたＴｅ ＴｅＯ２系薄
膜は例えばアモルファス状態のＴｅＯ２マトリックス中
にＴｅの小粒子（〜２０人）が散在した状態、あるいは
ＴｅとＴｅＯ２とが例えばＸ線回析ではピークが検出さ
れない程度のアモルフてスに近い状態で混ざシ合ったも
のと考えられるが、いずれにせよ光の照射によってその
構造を大きく変化し情報信号の記録に寄与するのはＴｅ
粒子である。
率、消衰係数等を可逆的に増減させることで、情報を繰
り返し記録消去する記録媒体については例えば特公昭４
７−２６８９７に見られるＴｅ８１Ｇｅ１６Ｓｂ２Ｓ２
のよう忙酸素以外のカルコゲン元素をベースとするアモ
ルファス薄膜が知られていたが湿気に対して弱いという
問題があり実用化には至っていなかった。この耐湿性を
改良したものにＴｅと０をベースとする酸化物系の薄膜
がある。これらは比較的強くて短いパルス光を照射して
照射部を昇温状態から急冷してその光学定数を減少させ
、比較的弱くて長いパルス光を照射して光学定数を増大
させるととて記録消去を行なうというもので、記録時に
は一般に光学定数を減少させる方向、消去時には増大す
る方向を利用しようというものである０ 従来記録材料として用いられてきたＴｅ ＴｅＯ２系薄
膜は例えばアモルファス状態のＴｅＯ２マトリックス中
にＴｅの小粒子（〜２０人）が散在した状態、あるいは
ＴｅとＴｅＯ２とが例えばＸ線回析ではピークが検出さ
れない程度のアモルフてスに近い状態で混ざシ合ったも
のと考えられるが、いずれにせよ光の照射によってその
構造を大きく変化し情報信号の記録に寄与するのはＴｅ
粒子である。
従って、このＴｅ粒子に適当な物質を化合させることで
Ｔｅの可逆的構造変化に必要な熱的条件を制御し、例え
ばレーザ光線等での記録消去に要する照射パワー、照射
時間をある程度操作することは可能である。
Ｔｅの可逆的構造変化に必要な熱的条件を制御し、例え
ばレーザ光線等での記録消去に要する照射パワー、照射
時間をある程度操作することは可能である。
例えば特開昭６ｓ−２８５３０には、Ｓｓ、Ｓによって
Ｔｅ−ＴｅＯ２系薄膜の構造変化の可逆性を高める方法
、特願昭５８−５８１６８には、金属。
Ｔｅ−ＴｅＯ２系薄膜の構造変化の可逆性を高める方法
、特願昭５８−５８１６８には、金属。
半金属の中でも特にＳｎ、 Ｇｅ、 Ｉｎ、 Ｓｂ、
Ｂｉ等の元素の添加によって、やはりＴｅ −ＴｅＯ２
系薄膜の構造可逆性を高め、同時に膜の安定性、製造時
の再現性をも高める方法についての提案がある。その後
の詳しい研究によって、この中で例えばＧｅを添加する
とＴｅ粒子径の増大、秩序の回復に要するエネルギーが
急激に増加し微量でもその記録信号ビットの熱的安定性
を制御することができること、（１９８３，第３０回応
用物理゛学関係連合講演会予稿集Ｐ８７〜）、またＳｎ
はその半金属的性質によって記録時にはレーザ光線の照
射による溶融状態から固化する際、Ｔｅと結合してその
粒径成長を抑制する効果とともに逆に消去時には結晶性
回復の核として働くという効果を合わせもちその添加濃
度を選ぶことで記録感度、消去感度を制御することので
きること等が明らかになり、ＧｅとＳｎとを同時に添加
した記録薄膜を用いて光ディスクが試作された（１９８
・３− ＪＡＰＡＮＤＩＳＰＬＡＹ 予稿集Ｐ４６
〜）。このディスクは実時間で同時に記録、消去するこ
とが可能であり、かつ記録信号ビットも安定という優れ
た特性を有していたが、感度面、特に消去感度が十分で
はガく、例えば現在の半導体レーザでは能力限界の上限
であり、蔓なる感度向上が必要となっていた。
Ｂｉ等の元素の添加によって、やはりＴｅ −ＴｅＯ２
系薄膜の構造可逆性を高め、同時に膜の安定性、製造時
の再現性をも高める方法についての提案がある。その後
の詳しい研究によって、この中で例えばＧｅを添加する
とＴｅ粒子径の増大、秩序の回復に要するエネルギーが
急激に増加し微量でもその記録信号ビットの熱的安定性
を制御することができること、（１９８３，第３０回応
用物理゛学関係連合講演会予稿集Ｐ８７〜）、またＳｎ
はその半金属的性質によって記録時にはレーザ光線の照
射による溶融状態から固化する際、Ｔｅと結合してその
粒径成長を抑制する効果とともに逆に消去時には結晶性
回復の核として働くという効果を合わせもちその添加濃
度を選ぶことで記録感度、消去感度を制御することので
きること等が明らかになり、ＧｅとＳｎとを同時に添加
した記録薄膜を用いて光ディスクが試作された（１９８
・３− ＪＡＰＡＮＤＩＳＰＬＡＹ 予稿集Ｐ４６
〜）。このディスクは実時間で同時に記録、消去するこ
とが可能であり、かつ記録信号ビットも安定という優れ
た特性を有していたが、感度面、特に消去感度が十分で
はガく、例えば現在の半導体レーザでは能力限界の上限
であり、蔓なる感度向上が必要となっていた。
発明の目的
本発明は従来のＴｅ−Ｔｅｏ□酸化物系薄膜を改良し低
パワーで記録、消去が可能な高感度光学情報記録媒体を
提供することを目的とするものである０ 発明の構成 本発明は、前記目的を達成するため［Ｔｅ成分が比較的
多いＴｅ−Ｔｅａ２系酸化物をベースに、少なくともＳ
ｎ、 Ｇｅ、 Ａｕを同時に添加して成る薄膜を用いる
ものであり、前記添加物の各組成比を適当に選ぶことで
記録薄膜の安定性を損なうことなく記録消去感度の向上
を実現するものである。
パワーで記録、消去が可能な高感度光学情報記録媒体を
提供することを目的とするものである０ 発明の構成 本発明は、前記目的を達成するため［Ｔｅ成分が比較的
多いＴｅ−Ｔｅａ２系酸化物をベースに、少なくともＳ
ｎ、 Ｇｅ、 Ａｕを同時に添加して成る薄膜を用いる
ものであり、前記添加物の各組成比を適当に選ぶことで
記録薄膜の安定性を損なうことなく記録消去感度の向上
を実現するものである。
実施例の説明
以下、図面を参照しつつ本発明を詳述する。第１図は、
本発明の光学情報記録部材の断面図である。本発明にお
いては、基板１の上に記録薄膜２を蒸着あるいはスパッ
タリング等の方法で形成する。基材は通常の光ディスク
に用いるものであればよ＜、ＰＭＭＡ、塩化ビニール、
ポリカニボネイト等の透明な樹脂、あるいはガラス板等
を適用することができる。
本発明の光学情報記録部材の断面図である。本発明にお
いては、基板１の上に記録薄膜２を蒸着あるいはスパッ
タリング等の方法で形成する。基材は通常の光ディスク
に用いるものであればよ＜、ＰＭＭＡ、塩化ビニール、
ポリカニボネイト等の透明な樹脂、あるいはガラス板等
を適用することができる。
記録薄膜としては、Ｔｅ −０−Ｓｎ −Ｇｅの４元に
更にＡｕを添加した６元系薄膜を用いる。前述のように
、Ｔｅ −０−５ｎ−Ｇｅの４元系薄膜を用いて形成し
た記録薄膜は、実時間で同時に記録消去することが可能
であるが感度的に十分ではない。
更にＡｕを添加した６元系薄膜を用いる。前述のように
、Ｔｅ −０−５ｎ−Ｇｅの４元系薄膜を用いて形成し
た記録薄膜は、実時間で同時に記録消去することが可能
であるが感度的に十分ではない。
ところが、この系に更１ｃ” Ａｕを加えて形成したＴ
ｅ −０−Ｓｎ −Ｇｅ −Ａｕの６元系薄膜において
は、感度、特に消去感度が飛躍的に向上し、従来の系よ
りも低パワーで記録消去できることがわかったＯＴｅ
−〇 −Ｓｎ −Ｇｅの４元系における感度限界は、前
述したようにＳｎに２つの働きを兼ねさせているという
点に発する。つまりＳｎの添加濃度を変化させることに
よって、例えばＳｎの添加濃度を増加した場合には２つ
の働きのうちの結晶性の回復の核としての効果が大きく
なる反面、系全体の融点が上昇して溶融しにくくなシ記
録が行ないにくくなる。逆に減少した場合には融点は低
下して溶融しやすくなる反面、消去時の結晶核が減少し
消去しにくくなる。もちろん極端に減少した場合にはＴ
ｅの粒径成長の抑制効果が失なわれ可逆性が無くなって
しまう。つまり、記録感度、消去感度はその両方が同時
Ｋ Ｓｎの濃度に依存するため、実際の系においてはそ
のどちらをも満足する濃度を選択することになりそこに
組成的な感度限界が生じるものである。
ｅ −０−Ｓｎ −Ｇｅ −Ａｕの６元系薄膜において
は、感度、特に消去感度が飛躍的に向上し、従来の系よ
りも低パワーで記録消去できることがわかったＯＴｅ
−〇 −Ｓｎ −Ｇｅの４元系における感度限界は、前
述したようにＳｎに２つの働きを兼ねさせているという
点に発する。つまりＳｎの添加濃度を変化させることに
よって、例えばＳｎの添加濃度を増加した場合には２つ
の働きのうちの結晶性の回復の核としての効果が大きく
なる反面、系全体の融点が上昇して溶融しにくくなシ記
録が行ないにくくなる。逆に減少した場合には融点は低
下して溶融しやすくなる反面、消去時の結晶核が減少し
消去しにくくなる。もちろん極端に減少した場合にはＴ
ｅの粒径成長の抑制効果が失なわれ可逆性が無くなって
しまう。つまり、記録感度、消去感度はその両方が同時
Ｋ Ｓｎの濃度に依存するため、実際の系においてはそ
のどちらをも満足する濃度を選択することになりそこに
組成的な感度限界が生じるものである。
そこで、本発明においてはＳｎの役割を主として、記録
時における’ｒｅの粒径成長の抑制効果あるいは光吸収
係数の増大という点に限定し、消去時における核生成の
役割をＡｕに担わせることＫよって材料設計の自由度を
拡大し、更なる感度向上を計る。Ｔｅ Ｔ ｅ Ｏ２
系薄膜Ｋ Ａｕを添加する効果については既に特願昭５
９−６１４６３において明らかにした。つまり、Ａｕは
Ｔ ｅ Ｔ ｅＯ２薄膜中でＡｕ−Ｔｅという伺らか
の化合物を形成し、その物質が結晶化しやすいことから
、消去時に結晶核として働き消去感度を高めるというこ
とに加えて、Ａｕの性質として酸化を受けにくいため少
量の添加でも十分効果があり系全体の他の特性におよぼ
す影響は少ない。また、Ａｕを添加した系においては融
点の低下が見られ袖の添加物質と組み合わせることで記
録特性の向上が計れるものと考えられる。本発明におい
てはＴｅ Ｔｅａ２系材料に前述のように熱的安定性
制御要素としてＧｅ 。
時における’ｒｅの粒径成長の抑制効果あるいは光吸収
係数の増大という点に限定し、消去時における核生成の
役割をＡｕに担わせることＫよって材料設計の自由度を
拡大し、更なる感度向上を計る。Ｔｅ Ｔ ｅ Ｏ２
系薄膜Ｋ Ａｕを添加する効果については既に特願昭５
９−６１４６３において明らかにした。つまり、Ａｕは
Ｔ ｅ Ｔ ｅＯ２薄膜中でＡｕ−Ｔｅという伺らか
の化合物を形成し、その物質が結晶化しやすいことから
、消去時に結晶核として働き消去感度を高めるというこ
とに加えて、Ａｕの性質として酸化を受けにくいため少
量の添加でも十分効果があり系全体の他の特性におよぼ
す影響は少ない。また、Ａｕを添加した系においては融
点の低下が見られ袖の添加物質と組み合わせることで記
録特性の向上が計れるものと考えられる。本発明におい
てはＴｅ Ｔｅａ２系材料に前述のように熱的安定性
制御要素としてＧｅ 。
記録特性制御要素としてＳｎ 、消去時性制御要素とし
てＡｕを適用し、各要素の構成比を変えて最適組成の抽
出を行なった。
てＡｕを適用し、各要素の構成比を変えて最適組成の抽
出を行なった。
以下、具体例をもって本発明を更に詳しく説明する。ま
ず、本発明のＴｅ −０−Ｇｅ −Ｓｎ −Ａｕ系記録
材料の製法について説明する。
ず、本発明のＴｅ −０−Ｇｅ −Ｓｎ −Ａｕ系記録
材料の製法について説明する。
第２図は本発明の記録部材の製造に用いた４元の蒸着装
置のペルジャー内の様子を示したものである。図中、１
４〜１７はそれぞれＴｅ −Ｔｅ Ｏ２゜Ｇｅ、 Ｓｎ
、 Ａｕに対応したソースで６．て１ｏ〜１３はシャッ
ター、６〜９は膜厚モニター装置のヘッドを示す。真空
系１８を１０−５Ｔｅｒ ｒ程度の真空に引いた後、真
空系内に備えた４台の電子ビーム用ガン（図示省略）を
用い、４つのソースを各々別々に電子線ビームで加熱し
蒸着レートをモニターして電源にフィトバックしながら
、外部モーター３に接続されたシャフト４に支持された
回転板６上にＴ ｏ −０−Ｇｅ −８ｎ −Ａｕ の
６元薄膜を合成する。このとき、Ｔｅ Ｔ ｅ Ｏ２
ソースには、例えば特願昭５８−１１６３１７に記載の
焼結体ペレットを使用することができ、６元を４つのソ
ースで精度よく制御することが可能である。膜組成はＡ
ＥＳ 、ＸＰＳ 、ＸＭＡ、ＳＩＭＳ等の方法を用いて
決定することができる。
置のペルジャー内の様子を示したものである。図中、１
４〜１７はそれぞれＴｅ −Ｔｅ Ｏ２゜Ｇｅ、 Ｓｎ
、 Ａｕに対応したソースで６．て１ｏ〜１３はシャッ
ター、６〜９は膜厚モニター装置のヘッドを示す。真空
系１８を１０−５Ｔｅｒ ｒ程度の真空に引いた後、真
空系内に備えた４台の電子ビーム用ガン（図示省略）を
用い、４つのソースを各々別々に電子線ビームで加熱し
蒸着レートをモニターして電源にフィトバックしながら
、外部モーター３に接続されたシャフト４に支持された
回転板６上にＴ ｏ −０−Ｇｅ −８ｎ −Ａｕ の
６元薄膜を合成する。このとき、Ｔｅ Ｔ ｅ Ｏ２
ソースには、例えば特願昭５８−１１６３１７に記載の
焼結体ペレットを使用することができ、６元を４つのソ
ースで精度よく制御することが可能である。膜組成はＡ
ＥＳ 、ＸＰＳ 、ＸＭＡ、ＳＩＭＳ等の方法を用いて
決定することができる。
蒸着方法としてはもちろん６つのソースを用いることも
可能であるし、また特願昭５８−２３３００９に記載の
混合物ペレットを使用してソースの数を減らすことも可
能である。更に、スパッタリングによって形成すること
も可能である。
可能であるし、また特願昭５８−２３３００９に記載の
混合物ペレットを使用してソースの数を減らすことも可
能である。更に、スパッタリングによって形成すること
も可能である。
次に上述の方法で形成した記録薄膜についてその特性を
評価する方法について説明する。
評価する方法について説明する。
実施例２ 評価方法
本発明の記録部材は繰り返し可逆的変化を利用するもの
であるから光学定数が増大する方向の特性（光学濃度が
増加するので黒化と呼ぶ）すなわち消去特性と、減少す
る方向の特性（光学濃度が減少す゛るので白化と呼ぶ）
すなわち記録特性とを同時に評価する必要がある。
であるから光学定数が増大する方向の特性（光学濃度が
増加するので黒化と呼ぶ）すなわち消去特性と、減少す
る方向の特性（光学濃度が減少す゛るので白化と呼ぶ）
すなわち記録特性とを同時に評価する必要がある。
第３図は、本発明の記録部材の評価系を簡単に示したも
のである。半導体レーザ１９を発した光は第１のレンズ
２０で平行光とされた後、第２のレンズ系２１で円いビ
ームに整形され、ビームスプリッタ−２２，λ／４板２
板金３して第３のレンズ２４で（半値中で約０．９μｍ
の円スポット１２）収束され、記録媒体２５上如照射さ
れる。反射光は入射光と反対の経路をたどりビームスプ
リッタ−２２で曲げられ第４のレンズ２７で収束され光
検出器２８に入シ記録状態の確認がおこなわれる。
のである。半導体レーザ１９を発した光は第１のレンズ
２０で平行光とされた後、第２のレンズ系２１で円いビ
ームに整形され、ビームスプリッタ−２２，λ／４板２
板金３して第３のレンズ２４で（半値中で約０．９μｍ
の円スポット１２）収束され、記録媒体２５上如照射さ
れる。反射光は入射光と反対の経路をたどりビームスプ
リッタ−２２で曲げられ第４のレンズ２７で収束され光
検出器２８に入シ記録状態の確認がおこなわれる。
本発明においては、半導体レーザーを変調し、黒化特性
の評価には照射パワーを比較的小さく例えば１ｍＷ／μ
扉程度のパワー密度に固定し照射時間を変えて黒化開始
の照射時間を測定する、または照射時間を例えば１μ気
程度に固定し照射光パワーを変えて黒化開始の照射光パ
ワーを測定する等の方法を適用する。同様に白化特性の
評価には記録部材をあらかじめ黒化しておき照射光パワ
ーを比較的高く例えば７ ｍ Ｗ ／μ扉に固定して白
化に必要な最短照射時間を測定する、あるいは照対時間
を例えば５０ｎＳｆＣ程度に固定し照射光パワーを変え
て白化開始の照射光パワーを測定する等の方法を適用す
る。
の評価には照射パワーを比較的小さく例えば１ｍＷ／μ
扉程度のパワー密度に固定し照射時間を変えて黒化開始
の照射時間を測定する、または照射時間を例えば１μ気
程度に固定し照射光パワーを変えて黒化開始の照射光パ
ワーを測定する等の方法を適用する。同様に白化特性の
評価には記録部材をあらかじめ黒化しておき照射光パワ
ーを比較的高く例えば７ ｍ Ｗ ／μ扉に固定して白
化に必要な最短照射時間を測定する、あるいは照対時間
を例えば５０ｎＳｆＣ程度に固定し照射光パワーを変え
て白化開始の照射光パワーを測定する等の方法を適用す
る。
次に、前述の方法で形成した様々な組成の記録部材につ
いて上記の方法により評価をおこなった結果について説
明する。
いて上記の方法により評価をおこなった結果について説
明する。
実施例１
評価材料組成として、Ｔｅ −Ｇｅ −Ｓｎの原子数の
比が７５：１０：１５となるように組成制御を行ない、
同時にこのＴ ｅ ７５ Ｇｅ１ｏ Ｓ ｎ １６と、
Ａｕ、Ｏとの３つの系としてＡｕおよび０の組成制御を
行なって様々な組成の記録部材を得た。
比が７５：１０：１５となるように組成制御を行ない、
同時にこのＴ ｅ ７５ Ｇｅ１ｏ Ｓ ｎ １６と、
Ａｕ、Ｏとの３つの系としてＡｕおよび０の組成制御を
行なって様々な組成の記録部材を得た。
第４図ａは上記組成の中で（ＴｅＯ，７５ＧｅＯ，１”
”０．１５ ） ８００２０つまｌ） 、 ＴｅｅｏＧ
ｌｌａ ５ｎ１２０２０に対してＡｕの添加量を変え１
ｍＷ／μＲのパワーで照射したときの黒化開始に要する
照射時間の変化を示したものである。この図よりＡｕを
添加することによって黒化開始の照射時間は大巾に短縮
化されるが、添加量が２％程度から既に十分な効果が得
られることがわかる。ｂは例えば１ｍＷ／μ扉のパワー
で５μ東照射して黒化した部分に例えば照射時間を５０
ｎ ＳｅＣとして照射パワーを変化して照射したとき
の白化開始に要ｊる照射パワーの変化を示している。こ
れから、Ａｕを添加することで白化開始に必要な照射光
パワーは増大するが１６％程度までは実用上問題が無い
こと、２０％では非常に白化しにくいことがわかる。こ
の２つの図からＴｅ −０−８ｎ −Ｇｅ−Ａｕ系にお
いて基本的特性が確保でき、かつＡｕの添加量としては
２〜１５％の範囲に選ぶことで記録特性をそこなうこと
な〈従来の数倍の速度で消去することが可能であること
がわかった。この時照射パワー密度を高めると、各カー
ブは左方向ヘシフトすることが確かめられた。
”０．１５ ） ８００２０つまｌ） 、 ＴｅｅｏＧ
ｌｌａ ５ｎ１２０２０に対してＡｕの添加量を変え１
ｍＷ／μＲのパワーで照射したときの黒化開始に要する
照射時間の変化を示したものである。この図よりＡｕを
添加することによって黒化開始の照射時間は大巾に短縮
化されるが、添加量が２％程度から既に十分な効果が得
られることがわかる。ｂは例えば１ｍＷ／μ扉のパワー
で５μ東照射して黒化した部分に例えば照射時間を５０
ｎ ＳｅＣとして照射パワーを変化して照射したとき
の白化開始に要ｊる照射パワーの変化を示している。こ
れから、Ａｕを添加することで白化開始に必要な照射光
パワーは増大するが１６％程度までは実用上問題が無い
こと、２０％では非常に白化しにくいことがわかる。こ
の２つの図からＴｅ −０−８ｎ −Ｇｅ−Ａｕ系にお
いて基本的特性が確保でき、かつＡｕの添加量としては
２〜１５％の範囲に選ぶことで記録特性をそこなうこと
な〈従来の数倍の速度で消去することが可能であること
がわかった。この時照射パワー密度を高めると、各カー
ブは左方向ヘシフトすることが確かめられた。
ついでＴｅ −Ｇｅ−８ｎ の構成比を変えた系につ
いて同様の実験を行なった結果について説明する。
いて同様の実験を行なった結果について説明する。
実施例２
評価材料組成としてＴｅ −Ｇｅ −Ｓｎ、 Ａｕ、
Ｏの構成比を−ｒｏ ： １０ ： ２０となるように
組成制御を行ない、この中でＴｅ −Ｇｅ −Ｓｎの３
成分の組成比を変化させて様々な組成の記録部材を得た
。
Ｏの構成比を−ｒｏ ： １０ ： ２０となるように
組成制御を行ない、この中でＴｅ −Ｇｅ −Ｓｎの３
成分の組成比を変化させて様々な組成の記録部材を得た
。
第６図ａは、上記組成物の中でＴｅ−８ｎ−Ｇｅの３成
分系に占めるＳｎの組成比を２０％とし、Ｇ。
分系に占めるＳｎの組成比を２０％とし、Ｇ。
の組成比を変化した時の黒化開始温度を例えば特開昭５
９−７０２２９記載の方法で調べた結果を示す。この図
からＧｅの添加濃度が増加すると黒化開始温度が上昇し
白化状態の熱的な安定性が高まることがわかる。これら
の記録膜について６０°Ｃのクリーンオーブン中に放置
してその透過率変化を調べたところ、変化開始温度が１
００°Ｃ以下のものでは約２４Ｈで透過率の減少が確認
されたが、それ以上のものでは、約１ケ月後にもせいぜ
い絶対量の１％程度の変化しか見られずＧｅ濃度が３係
以上あれば熱的安定性は十分であると考えられる。更に
Ｇｅ濃度を増すと膜はより高温の条件にも耐えるように
なるが膜の透過率の大巾な増大（吸収の減少）を伴って
今度は逆に黒化感度が低下する傾向になる。Ｇｅ添加濃
度が３％〜１５チの範囲では十分な消去感度が得られた
。
９−７０２２９記載の方法で調べた結果を示す。この図
からＧｅの添加濃度が増加すると黒化開始温度が上昇し
白化状態の熱的な安定性が高まることがわかる。これら
の記録膜について６０°Ｃのクリーンオーブン中に放置
してその透過率変化を調べたところ、変化開始温度が１
００°Ｃ以下のものでは約２４Ｈで透過率の減少が確認
されたが、それ以上のものでは、約１ケ月後にもせいぜ
い絶対量の１％程度の変化しか見られずＧｅ濃度が３係
以上あれば熱的安定性は十分であると考えられる。更に
Ｇｅ濃度を増すと膜はより高温の条件にも耐えるように
なるが膜の透過率の大巾な増大（吸収の減少）を伴って
今度は逆に黒化感度が低下する傾向になる。Ｇｅ添加濃
度が３％〜１５チの範囲では十分な消去感度が得られた
。
第６図すはＴｅ −８ｎ−Ｇｅの３成分系に占めるＧｅ
の組成比を１０俤としＳｎの組成比を変化した時の記録
感度の変化を示している（照射パルス巾は約５０ｎＳｅ
Ｃである）。この図からＳｎ’の添加濃度が６％程度で
はやや感度が悪く反射率変化量も小３０％程度になると
やや感度の低下とともに反射率変化量が減少することが
わかる。このとき、消去速度はやはりＡｕの効果で従来
に数倍することがわかった。Ｓｎ濃度を更に増加すると
やがて主成分のＴｅの割合が減少し可逆性そのものが失
なわれてしまう。
の組成比を１０俤としＳｎの組成比を変化した時の記録
感度の変化を示している（照射パルス巾は約５０ｎＳｅ
Ｃである）。この図からＳｎ’の添加濃度が６％程度で
はやや感度が悪く反射率変化量も小３０％程度になると
やや感度の低下とともに反射率変化量が減少することが
わかる。このとき、消去速度はやはりＡｕの効果で従来
に数倍することがわかった。Ｓｎ濃度を更に増加すると
やがて主成分のＴｅの割合が減少し可逆性そのものが失
なわれてしまう。
以上のようにして各構成要素の適当な濃度がわかった。
次に本発明の薄膜についてその湿度に対する耐久性を比
較した結果を示す。
較した結果を示す。
実施例３
従来よりＴｅ−ＴａＯ２系をベースとする酸化物系薄膜
においては膜中の酸素濃度によって耐湿性が変化するこ
とが知られている。そこで、代表的組成としてＴｅ 、
、ＯＧ’９ ｓ Ｓ ｎ１ｓ Ａｕ １ｏという組成を
ヘースとしその酸素濃度が０〜５０％の範囲で変化する
ように組成制御をおこなった。
においては膜中の酸素濃度によって耐湿性が変化するこ
とが知られている。そこで、代表的組成としてＴｅ 、
、ＯＧ’９ ｓ Ｓ ｎ１ｓ Ａｕ １ｏという組成を
ヘースとしその酸素濃度が０〜５０％の範囲で変化する
ように組成制御をおこなった。
第６図は、上記薄膜を４０’Ｃ，９０ＲＨ％の恒温恒湿
槽中に約１ケ月間放置したときの透過率変化の様子を調
べた結果を示す。この図から全体の系に占める酸素の組
成比が１０％以上であれば初期の段階で透過率の減少が
見られるものの、あとはほとんど変化が無いこと、３０
％以上であれば初期の状態から全く変化が見られないこ
とがわかる。酸素は、膜の中においてＴｅと結合してＴ
ｅＯ２を形成するか、あるいはＧｅ、 Ｓｎと結合して
ＧｅＯ２゜ＳｎＯ２等を形成するか、あるいはそれらが
複合した酸化物を形成していることも考えられるが、い
ずれもＴｅを中心とする’ｒｅ系合金を分断する形で混
在しあうことでその耐湿性を高める働きをするものと考
えられる。ただし、０成分をあまり増加すると、系の熱
伝達率が低下し光照射による熱が蓄積されやすくなり、
この結果くり返し時において膜が破れやすくなる。０成
分が４０％以下であればこの点は問題が無いことがわか
った。
槽中に約１ケ月間放置したときの透過率変化の様子を調
べた結果を示す。この図から全体の系に占める酸素の組
成比が１０％以上であれば初期の段階で透過率の減少が
見られるものの、あとはほとんど変化が無いこと、３０
％以上であれば初期の状態から全く変化が見られないこ
とがわかる。酸素は、膜の中においてＴｅと結合してＴ
ｅＯ２を形成するか、あるいはＧｅ、 Ｓｎと結合して
ＧｅＯ２゜ＳｎＯ２等を形成するか、あるいはそれらが
複合した酸化物を形成していることも考えられるが、い
ずれもＴｅを中心とする’ｒｅ系合金を分断する形で混
在しあうことでその耐湿性を高める働きをするものと考
えられる。ただし、０成分をあまり増加すると、系の熱
伝達率が低下し光照射による熱が蓄積されやすくなり、
この結果くり返し時において膜が破れやすくなる。０成
分が４０％以下であればこの点は問題が無いことがわか
った。
以上の評価結果をまとめる−と、Ｔｅ−０−Ｇｅ−８ｎ
−Ａｕ５元系薄膜は、Ｔｅ −Ｇｅ −Ｓｎ−の３成分
の構成割合が、第８図中のＦ〜にで囲まれた領域に属し
、かつＴｅＧｅＳｎとＡｕ、Ｏの構成割合が第７図中の
Ａ〜Ｅで囲まれた領域において、例えばＴｅ６０ｏ２ｏ
Ｇｅ６Ｓｎ１ｏＡｕ６で代表される記録消去特性、及び
安定性に優れた記録特性を有することがわかった。各点
の座標を次表に示す。
−Ａｕ５元系薄膜は、Ｔｅ −Ｇｅ −Ｓｎ−の３成分
の構成割合が、第８図中のＦ〜にで囲まれた領域に属し
、かつＴｅＧｅＳｎとＡｕ、Ｏの構成割合が第７図中の
Ａ〜Ｅで囲まれた領域において、例えばＴｅ６０ｏ２ｏ
Ｇｅ６Ｓｎ１ｏＡｕ６で代表される記録消去特性、及び
安定性に優れた記録特性を有することがわかった。各点
の座標を次表に示す。
発明の効果
本発明によれば、Ｔｅ −０−Ｇｅ −Ｓｎ −Ａｕの
５元系酸化物薄膜を用いて、Ｔｅを可逆的変化の主成分
とし、各構成要素による効果、すなわち（１） Ｇｅ
による熱的安定性向上 （→ Ｓｎによる記録感度の向上 （３） Ａｕによる消去速度の向上 （４）０による耐湿性の向上 の複数の効果を合わせもつ優れた特性の、光学情報記録
部材を得ることができる。
５元系酸化物薄膜を用いて、Ｔｅを可逆的変化の主成分
とし、各構成要素による効果、すなわち（１） Ｇｅ
による熱的安定性向上 （→ Ｓｎによる記録感度の向上 （３） Ａｕによる消去速度の向上 （４）０による耐湿性の向上 の複数の効果を合わせもつ優れた特性の、光学情報記録
部材を得ることができる。
第１図は本発明の光学情報記録部材の一実施例における
断面図、第２図は本発明の光学情報記録媒体を製造する
蒸着装置の一例の構成を示す一部切欠いた斜視図、第３
図は本発明の光学情報記録部材の記録消去特性を測定す
る装置の光学系を示す断面図、第４図は本発明の光学情
報記録部材の一実施例におけるＡｕの濃度による記録消
去特性の変化を示すグラフ、第５図ａ、ｂは各々本発明
の光学情報記録部材の自濃度と黒化開始温度及びＳｎの
濃度と白化開始パワー特性を示すグラフ、第６図は本発
明の一実施例におけるＯの濃度と耐湿特性の関係を示す
グラフ、第７図及び第８図は本発明の光学情報記録部材
に用いる光学情報記録膜の組成領域を表わす三角ダイア
グラムである。 １・・・・・・基材、２・・・・・記録薄膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図 第４図 四、 射 Ｂそト間 （）ｔｔｉｃノ （ｂ） ！！射パワー（＃Ｗ／メπす ５図 Ｇｅ シ渭１＆Ｃ％フ （メ１ １ρ 射ハ０ワー （ｗｗ／メ朗す 第６図 ＃ 置 峙 閏 Ｃｄａｙノ 第７図 １ρρ ７ｅ−Ｇｔ−５角
断面図、第２図は本発明の光学情報記録媒体を製造する
蒸着装置の一例の構成を示す一部切欠いた斜視図、第３
図は本発明の光学情報記録部材の記録消去特性を測定す
る装置の光学系を示す断面図、第４図は本発明の光学情
報記録部材の一実施例におけるＡｕの濃度による記録消
去特性の変化を示すグラフ、第５図ａ、ｂは各々本発明
の光学情報記録部材の自濃度と黒化開始温度及びＳｎの
濃度と白化開始パワー特性を示すグラフ、第６図は本発
明の一実施例におけるＯの濃度と耐湿特性の関係を示す
グラフ、第７図及び第８図は本発明の光学情報記録部材
に用いる光学情報記録膜の組成領域を表わす三角ダイア
グラムである。 １・・・・・・基材、２・・・・・記録薄膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図 第４図 四、 射 Ｂそト間 （）ｔｔｉｃノ （ｂ） ！！射パワー（＃Ｗ／メπす ５図 Ｇｅ シ渭１＆Ｃ％フ （メ１ １ρ 射ハ０ワー （ｗｗ／メ朗す 第６図 ＃ 置 峙 閏 Ｃｄａｙノ 第７図 １ρρ ７ｅ−Ｇｔ−５角
Claims (1)
- 少なくともＴｅ、Ｏ、Ｓｎ、Ｇｅ及びＡｕから成る薄膜
で、膜中のＴｅ−Ｓｎ−Ｇｅの原子数の和とＡｕ、Ｏの
原子数との割合が第７図中におけるＡ〜Ｅで囲まれた斜
線の領域に有り、かつＴｅ、Ｓｎ、Ｇｅの原子数の割合
が第８図中におけるＦ〜Ｋで囲まれた領域に存在する薄
膜を備えた光学情報記録部材。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59123004A JPS612595A (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | 光学情報記録部材 |
| CA000483786A CA1245762A (en) | 1984-06-15 | 1985-06-12 | Reversible optical information recording medium |
| US06/743,801 US4656079A (en) | 1984-06-15 | 1985-06-12 | Reversible optical information recording medium |
| DE8585107452T DE3574193D1 (en) | 1984-06-15 | 1985-06-14 | Reversible optical information recording medium |
| EP19850107452 EP0169367B1 (en) | 1984-06-15 | 1985-06-14 | Reversible optical information recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59123004A JPS612595A (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | 光学情報記録部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS612595A true JPS612595A (ja) | 1986-01-08 |
| JPH0530194B2 JPH0530194B2 (ja) | 1993-05-07 |
Family
ID=14849873
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59123004A Granted JPS612595A (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | 光学情報記録部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS612595A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62152786A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-07 | Hitachi Ltd | 相変化記録媒体 |
| JPS6330289A (ja) * | 1986-07-25 | 1988-02-08 | Hitachi Ltd | 光記録媒体 |
-
1984
- 1984-06-15 JP JP59123004A patent/JPS612595A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62152786A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-07 | Hitachi Ltd | 相変化記録媒体 |
| JPS6330289A (ja) * | 1986-07-25 | 1988-02-08 | Hitachi Ltd | 光記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0530194B2 (ja) | 1993-05-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |