JPS61258435A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
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- JPS61258435A JPS61258435A JP10081085A JP10081085A JPS61258435A JP S61258435 A JPS61258435 A JP S61258435A JP 10081085 A JP10081085 A JP 10081085A JP 10081085 A JP10081085 A JP 10081085A JP S61258435 A JPS61258435 A JP S61258435A
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電気絶縁基板に半導体ペレットを取りつける
構造の半導体装置における樹脂封止方法に関する。
構造の半導体装置における樹脂封止方法に関する。
従来、電気絶縁基板を用いた樹脂封止型半導体装置にお
ける樹脂封止は熱硬化性樹脂をポツティングして行なわ
れることが多い。その際使用する封止用樹脂はトランス
フナ−成形用封止樹脂に比べて十分な耐湿性がなく、ま
た、ボンディングに用いる金属細線の断線を招かないよ
うな熱膨張係数をもっていなければならない。
ける樹脂封止は熱硬化性樹脂をポツティングして行なわ
れることが多い。その際使用する封止用樹脂はトランス
フナ−成形用封止樹脂に比べて十分な耐湿性がなく、ま
た、ボンディングに用いる金属細線の断線を招かないよ
うな熱膨張係数をもっていなければならない。
前記樹脂封止型半導体装置において、水分は封止樹脂の
中を通って浸入する他、電気絶縁基板と封止樹脂との間
からも浸入する。したがって、耐湿性を改善するために
は封止用樹脂の耐湿性を改善することは勿論封止用樹脂
の使用方法も改善する必要がある。一般に湿気による半
導体装置の劣化は、半導体チップと封止樹脂との間にで
きた隙間に水のフィルムが生成されて、その水が半導体
チップ上の配線や素子を構成する金属を侵食するからで
あるといわれている。
中を通って浸入する他、電気絶縁基板と封止樹脂との間
からも浸入する。したがって、耐湿性を改善するために
は封止用樹脂の耐湿性を改善することは勿論封止用樹脂
の使用方法も改善する必要がある。一般に湿気による半
導体装置の劣化は、半導体チップと封止樹脂との間にで
きた隙間に水のフィルムが生成されて、その水が半導体
チップ上の配線や素子を構成する金属を侵食するからで
あるといわれている。
封止用樹脂と半導体チップ及び樹脂基板との界面に隙間
ができるのは、それらの材料間の熱膨張係数の相違から
生じる場合の他、封止時の比較的高粘度の樹脂の流れに
よって気体を巻き込んでしまうことも原因のひとつであ
る。巻き込まれた気体は、その大部分が泡となりて抜け
てしまうのであるが、一部はそれらの界面に残留してい
る。封止用樹脂は使用前に真空脱泡処理しておくことが
行なわれているが、この作業では封止用樹脂自体の脱泡
はできても、その後の封止作業における脱泡には寄与す
ることはない。
ができるのは、それらの材料間の熱膨張係数の相違から
生じる場合の他、封止時の比較的高粘度の樹脂の流れに
よって気体を巻き込んでしまうことも原因のひとつであ
る。巻き込まれた気体は、その大部分が泡となりて抜け
てしまうのであるが、一部はそれらの界面に残留してい
る。封止用樹脂は使用前に真空脱泡処理しておくことが
行なわれているが、この作業では封止用樹脂自体の脱泡
はできても、その後の封止作業における脱泡には寄与す
ることはない。
場合によっては、界面に生じる隙間からの水分の浸入は
封止樹脂からの水分の浸入よりも著しいものがあり、前
記樹脂封止聾半導体装置の耐湿性を劣化させていた。本
発明は、上述の欠点を除去し、より耐湿性の良い半導体
装置を提供するものである。
封止樹脂からの水分の浸入よりも著しいものがあり、前
記樹脂封止聾半導体装置の耐湿性を劣化させていた。本
発明は、上述の欠点を除去し、より耐湿性の良い半導体
装置を提供するものである。
本発明の構成は、電気絶縁基板に半導体ペレットを取付
ける構造の半導体装置の製造方法において、少なくとも
半導体ペレット上に封止用樹脂をポツテングした後に脱
泡処理工程を設けたことを特徴とするものである。
ける構造の半導体装置の製造方法において、少なくとも
半導体ペレット上に封止用樹脂をポツテングした後に脱
泡処理工程を設けたことを特徴とするものである。
また、封止用樹脂をポツティングした後に電気絶縁基板
を加熱しながら脱泡処理することを特徴とするものであ
る。
を加熱しながら脱泡処理することを特徴とするものであ
る。
以下に本発明の実施例について詳細に説明する。
第１図は、本発明の実施例を示す７０−チャートである
。
。
電気絶縁基板には、ガラス繊維を含有したエポキシ樹脂
基板等をもちいる。アルミナ等のセラミクス基板であっ
てもよいのは勿論である。半導体チップを熱硬化性樹脂
を塗布した上に搭載し加熱する。マウント面がメタライ
ズされていれば金属ロウ材を用いてマウントしてもよい
。次に、半導体チップのパッドと樹脂基板のＡｕメッキ
された配線ハターンとをワイヤーボンディングする。ワ
イヤーとしては、Ａｕ、ＡＩのいずれでもよく、通常の
ボンディング法が利用できる。次に、樹脂枠を熱硬化性
樹脂を用いて接着し、その内側にできたキャビティに封
止用樹脂を充填せしめる。この樹脂枠はなくてもよいが
後述する真空脱泡時の封止用樹脂の泡の攪はんによって
樹脂が流れ出るのを防止する効果がある。そして樹脂基
板全体をペルジャーに入れて真空脱泡する。脱泡する時
間はあらかじめ実験、評価して定めておく、真空度によ
るが通常数十分から数時間である。この後樹脂基板をペ
ルジャーからとりだし、加熱し封止樹脂を硬化させる。
基板等をもちいる。アルミナ等のセラミクス基板であっ
てもよいのは勿論である。半導体チップを熱硬化性樹脂
を塗布した上に搭載し加熱する。マウント面がメタライ
ズされていれば金属ロウ材を用いてマウントしてもよい
。次に、半導体チップのパッドと樹脂基板のＡｕメッキ
された配線ハターンとをワイヤーボンディングする。ワ
イヤーとしては、Ａｕ、ＡＩのいずれでもよく、通常の
ボンディング法が利用できる。次に、樹脂枠を熱硬化性
樹脂を用いて接着し、その内側にできたキャビティに封
止用樹脂を充填せしめる。この樹脂枠はなくてもよいが
後述する真空脱泡時の封止用樹脂の泡の攪はんによって
樹脂が流れ出るのを防止する効果がある。そして樹脂基
板全体をペルジャーに入れて真空脱泡する。脱泡する時
間はあらかじめ実験、評価して定めておく、真空度によ
るが通常数十分から数時間である。この後樹脂基板をペ
ルジャーからとりだし、加熱し封止樹脂を硬化させる。
または、ペルジャーからとりださず、そのまま樹脂基板
を加熱することでもよい。
を加熱することでもよい。
この加熱によっても樹脂基板の表面に吸着されていた気
体が放出されるので一層両材料間のなじみがよくなる。
体が放出されるので一層両材料間のなじみがよくなる。
この際、封止用樹脂の硬化温度より低い温度で比較的長
時間加熱することが有効である。これは、樹脂基板との
なじみがよくなり、熱ストレスによる界面での剥離を防
止して水のフイ“ルムの生成をふせぐからである。脱泡
と加熱のタイムスケジェールを調整すれば作業時間を大
きく延ばすことはなく、−回の作業量を大きくすれば一
個当たりの工数増加は微々たるものである。第２図にそ
のタイムスケジ為−ルの例を示す。すなわち、ます脱泡
を開始し、数十分後に加熱をはじめる。加熱温度は硬化
温度のおおよそ１／２に維持して更に数十分おこなう。
時間加熱することが有効である。これは、樹脂基板との
なじみがよくなり、熱ストレスによる界面での剥離を防
止して水のフイ“ルムの生成をふせぐからである。脱泡
と加熱のタイムスケジェールを調整すれば作業時間を大
きく延ばすことはなく、−回の作業量を大きくすれば一
個当たりの工数増加は微々たるものである。第２図にそ
のタイムスケジ為−ルの例を示す。すなわち、ます脱泡
を開始し、数十分後に加熱をはじめる。加熱温度は硬化
温度のおおよそ１／２に維持して更に数十分おこなう。
次に、硬化温度まで昇温させるが、このまま数時間加熱
するのではなく数十分後には硬化が概ね完了するのでと
りだしてもよい。そして恒温槽で加熱を続行して所定の
時間加熱すればよい。
するのではなく数十分後には硬化が概ね完了するのでと
りだしてもよい。そして恒温槽で加熱を続行して所定の
時間加熱すればよい。
真空脱泡して硬化した封止樹脂の表面は平滑であり品名
等を捺印する面として優れている。脱泡しない場合、特
に多ピンの半導体装置の場合にはボンディングワイヤー
間の間隙が狭くなり封止用樹脂が流れ込まず気泡として
残留し、封止樹脂の表面に突起をつくるため外観不良と
なるが脱泡処理す几ば係る不良を防ぐことができる。
等を捺印する面として優れている。脱泡しない場合、特
に多ピンの半導体装置の場合にはボンディングワイヤー
間の間隙が狭くなり封止用樹脂が流れ込まず気泡として
残留し、封止樹脂の表面に突起をつくるため外観不良と
なるが脱泡処理す几ば係る不良を防ぐことができる。
〔発明の効果〕
したがって、本発明を採用することによりて得られる効
果は前述のごとく、半導体チップと封止樹脂との間にで
きた隙間に水のフィルムが生成されて、その水が半導体
チップ上の配線や素子を構成する金属を侵食することを
防止するばかりでなく、樹脂基板との密着性を向上させ
て水の浸入経路を断つ効果を有する。まえ、封止樹脂の
表面の突起を防いで外観不良をなくシ、捺印等に優れた
表面を生成する。
果は前述のごとく、半導体チップと封止樹脂との間にで
きた隙間に水のフィルムが生成されて、その水が半導体
チップ上の配線や素子を構成する金属を侵食することを
防止するばかりでなく、樹脂基板との密着性を向上させ
て水の浸入経路を断つ効果を有する。まえ、封止樹脂の
表面の突起を防いで外観不良をなくシ、捺印等に優れた
表面を生成する。
第１図は、本発明の実施例を示すフローチャートである
。第２図は、加熱と脱泡を行なう時のタイムスケジェー
ルである。
。第２図は、加熱と脱泡を行なう時のタイムスケジェー
ルである。
Claims (2)
- （１）電気絶縁基板に半導体ペレットを取付ける構造の
半導体装置の製造方法において、少なくとも半導体ペレ
ット上に封止用樹脂をポッテングした後に該樹脂の脱泡
処理工程を有することを特徴とする樹脂封止型半導体装
置の製造方法。 - （２）封止用樹脂をポッテイングした後に電気絶縁基板
を加熱しながら脱泡処理することを特徴とする特許請求
の範囲第（１）項記載の樹脂封止型半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10081085A JPS61258435A (ja) | 1985-05-13 | 1985-05-13 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10081085A JPS61258435A (ja) | 1985-05-13 | 1985-05-13 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61258435A true JPS61258435A (ja) | 1986-11-15 |
Family
ID=14283718
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10081085A Pending JPS61258435A (ja) | 1985-05-13 | 1985-05-13 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61258435A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0272640A (ja) * | 1988-09-07 | 1990-03-12 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5411696A (en) * | 1977-06-27 | 1979-01-27 | Toshiba Corp | Sealing method of electronic components |
| JPS576241A (en) * | 1980-06-13 | 1982-01-13 | Sanyo Electric Co Ltd | Cooking apparatus of electronic control type |
-
1985
- 1985-05-13 JP JP10081085A patent/JPS61258435A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5411696A (en) * | 1977-06-27 | 1979-01-27 | Toshiba Corp | Sealing method of electronic components |
| JPS576241A (en) * | 1980-06-13 | 1982-01-13 | Sanyo Electric Co Ltd | Cooking apparatus of electronic control type |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0272640A (ja) * | 1988-09-07 | 1990-03-12 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
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