JPS6373542A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は、樹脂封止型半導体装置に関し、特に樹脂封止
部の構造に関する。
部の構造に関する。
［従来の技術、１
従来、絶縁物基板に設けられたペレ・・／ト載置部に半
導体ペレットを固定してなる樹脂封止半導体装置におい
ては、樹脂封止は熱硬化樹脂のボッティングにより行な
われることが多い。その際使用する封止用樹脂は、トラ
ンスファー成形用封止樹脂に比べて十分な耐湿性がない
と言われており、また、ボンディングに用いる金属細線
の断線を招くような熱膨張係数をもっている場合が多い
。この封止樹脂の熱膨張係数については、フィラーを調
整して半導体ペレ・ソトのそれに近い値にすることによ
り対処されている。
導体ペレットを固定してなる樹脂封止半導体装置におい
ては、樹脂封止は熱硬化樹脂のボッティングにより行な
われることが多い。その際使用する封止用樹脂は、トラ
ンスファー成形用封止樹脂に比べて十分な耐湿性がない
と言われており、また、ボンディングに用いる金属細線
の断線を招くような熱膨張係数をもっている場合が多い
。この封止樹脂の熱膨張係数については、フィラーを調
整して半導体ペレ・ソトのそれに近い値にすることによ
り対処されている。
絶縁物基板上にはＣｕ等からなる金属層が形成されてお
り、場所によってはその上に樹脂膜を設けている。これ
は電気的絶縁と半田付は時の金属配線層の保護のなめで
ある。この樹脂膜を形成する樹脂としては、エポキシ樹
脂が一般的に用いられている。樹脂封止は多くの場合、
その樹脂膜の上にかかるように封止樹脂をボッティング
する。
り、場所によってはその上に樹脂膜を設けている。これ
は電気的絶縁と半田付は時の金属配線層の保護のなめで
ある。この樹脂膜を形成する樹脂としては、エポキシ樹
脂が一般的に用いられている。樹脂封止は多くの場合、
その樹脂膜の上にかかるように封止樹脂をボッティング
する。
このようにして製造された樹脂封止型半導体装置におい
ては、水分は封止樹脂の中を通って浸入する他、絶縁物
基板と封止樹脂との間からも浸入する。このため、耐湿
性は絶縁物基板又は樹脂膜と封止樹脂との密着性に強く
影響を受けることになる。
ては、水分は封止樹脂の中を通って浸入する他、絶縁物
基板と封止樹脂との間からも浸入する。このため、耐湿
性は絶縁物基板又は樹脂膜と封止樹脂との密着性に強く
影響を受けることになる。
従って樹脂封止型半導体装置の耐湿性を改善するために
は、封止用樹脂の耐湿性を改善することは勿論、絶縁物
基板と封止樹脂との界面の横這も改善する必要がある。
は、封止用樹脂の耐湿性を改善することは勿論、絶縁物
基板と封止樹脂との界面の横這も改善する必要がある。
一般に湿気による半導体装置の劣化は、半導体ベレット
と封止樹脂との間にできた隙間に水のフィルムが生成さ
れて、その水が半導体ベレット上の配線や素子を構成す
る金属を侵食するからであるといわれている。
と封止樹脂との間にできた隙間に水のフィルムが生成さ
れて、その水が半導体ベレット上の配線や素子を構成す
る金属を侵食するからであるといわれている。
封止用樹脂と半導体ペレットとの界面にそれらの材料間
の熱処理係数の相違から隙間ができたとしても、封止用
樹脂と絶縁物基板との界面がしっかり固着していれば半
導体装置としての耐湿性は向上する。しかるに、金属配
線層上の樹脂膜は耐熱性が要求され、更に、絶縁物基板
の表面に形成されている金属配線による凹凸があるなど
のため、金属配線層とその上の樹脂膜との密着性を向上
させると耐湿性は劣ったものとなってしまうことが多い
。これは耐熱性及び密着性と耐湿性とは必ずしも両立し
ないからである。特に、金属配線層と樹脂膜との密着性
が悪くなる。それらの界面が封止樹脂によって十分固着
されず微小な隙間を生じると生じた隙間は樹脂封止の封
止距離を実質的に短くしてしまうため、場合によっては
、金属配線層と樹脂膜との界面に生じる隙間からの水分
の浸入は封止樹脂からの水分の侵入よりも著しいものが
あり、樹脂封止型半導体装置の耐湿性を劣化させるとい
う問題点があった。
の熱処理係数の相違から隙間ができたとしても、封止用
樹脂と絶縁物基板との界面がしっかり固着していれば半
導体装置としての耐湿性は向上する。しかるに、金属配
線層上の樹脂膜は耐熱性が要求され、更に、絶縁物基板
の表面に形成されている金属配線による凹凸があるなど
のため、金属配線層とその上の樹脂膜との密着性を向上
させると耐湿性は劣ったものとなってしまうことが多い
。これは耐熱性及び密着性と耐湿性とは必ずしも両立し
ないからである。特に、金属配線層と樹脂膜との密着性
が悪くなる。それらの界面が封止樹脂によって十分固着
されず微小な隙間を生じると生じた隙間は樹脂封止の封
止距離を実質的に短くしてしまうため、場合によっては
、金属配線層と樹脂膜との界面に生じる隙間からの水分
の浸入は封止樹脂からの水分の侵入よりも著しいものが
あり、樹脂封止型半導体装置の耐湿性を劣化させるとい
う問題点があった。
本発明の目的は、上述の欠点を除去し、耐湿性の良い樹
脂封止型半導体装置を提供することにある。
脂封止型半導体装置を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段］
本発明の樹脂封止型半導体装置は、絶縁物基板に設けら
れたベレット載置部に半導体ペレットを取付けたのち樹
脂封止してなる樹脂封止型半導体装置であって、前記絶
縁物基板上に前記半導体ペレットを囲むように金属層を
設け、更にこの表面に酸化物被膜を設けたものである。
れたベレット載置部に半導体ペレットを取付けたのち樹
脂封止してなる樹脂封止型半導体装置であって、前記絶
縁物基板上に前記半導体ペレットを囲むように金属層を
設け、更にこの表面に酸化物被膜を設けたものである。
以下に本発明の実施例につν）−て詳細に説明する。
第１図（ａ）、（ｂ）は、本発明の一実施例の平面図及
びＡ−Ａ ′線断面図である。
びＡ−Ａ ′線断面図である。
第１図（ａ）、（ｂ）において、絶縁物基板１には、ガ
ラス繊維を３有したエポキシ樹脂基板を用いる。エポキ
シ樹脂以外の樹脂、例えばフェノール樹脂、ポリイミド
樹脂等であってもよい、ガラス繊維は前記絶縁性の繊維
状のものであればよい、この絶縁物基板１のベレット載
置部２に熱硬化性樹脂を塗布し、このＦに半導体ペレッ
ト９を搭載して半導体ペレットを固定する。次に、半導
体ベレット９上のポンディングパッド１０と絶縁物基板
１のＡｕメッキされた金属配線３の先端部とをワイヤー
ボンディングする。ワイヤーとしては 、Ａ１１．ＡＩ
のいずれでもよく、通常のボンディング法が利用できる
７次に、対重用樹脂流れどめの枠４（第１図（１））に
破線にて図示する）を接着用樹脂を用いて接着し、その
内側にできたキャビティに封止用樹脂を充填せしめる。
ラス繊維を３有したエポキシ樹脂基板を用いる。エポキ
シ樹脂以外の樹脂、例えばフェノール樹脂、ポリイミド
樹脂等であってもよい、ガラス繊維は前記絶縁性の繊維
状のものであればよい、この絶縁物基板１のベレット載
置部２に熱硬化性樹脂を塗布し、このＦに半導体ペレッ
ト９を搭載して半導体ペレットを固定する。次に、半導
体ベレット９上のポンディングパッド１０と絶縁物基板
１のＡｕメッキされた金属配線３の先端部とをワイヤー
ボンディングする。ワイヤーとしては 、Ａ１１．ＡＩ
のいずれでもよく、通常のボンディング法が利用できる
７次に、対重用樹脂流れどめの枠４（第１図（１））に
破線にて図示する）を接着用樹脂を用いて接着し、その
内側にできたキャビティに封止用樹脂を充填せしめる。
枠４は樹脂のほかにアルミナ等のセラミクス、Ｃｕ、ア
ルミニウムの表面を酸化膜等の絶縁膜で覆ったもので作
られていてもよい。この枠４は充填したじ（脂が流れ出
るのを防止すると同時に樹脂封止の封止距離を確保する
機能を有する。したがって、枠４の絶縁物基板１との接
着は十分接着用樹脂を充填して行なうとよい。この枠４
はなくてもボ・ソティングは可能である。いずれにして
もＣｕからなる金属配線３上の封止樹脂８が流れる部分
にはＣＵの酸化膜６が形成されており、その先にはボン
ディングのためのＮｉ−Ａｕめっき層７を形成した部分
がある。Ｎ ｉ −Ａ １１めっきを施した部分は封止
樹脂との密着性が悪く水分はこの金属配線３を伝わって
半導体ベレ・・Ｉト９に到達する。しかし、Ｃｕの酸化
膜６のある部分の密着がよいので金属配線３を伝わって
入る水分量は減少し、耐湿性は向上することになる。ま
た、Ｃｕの酸化膜６をＩＹるにはＮｌとＡ １１のめつ
き時にはマスキン′グしておいて後で酸化処理する。こ
の金属配線３は電気的に機能しないいわゆるダミーパタ
ーンであってもよい。金属配線３の形状を工夫すれば枠
４の位置合わせのマークとしても利用することができる
。
ルミニウムの表面を酸化膜等の絶縁膜で覆ったもので作
られていてもよい。この枠４は充填したじ（脂が流れ出
るのを防止すると同時に樹脂封止の封止距離を確保する
機能を有する。したがって、枠４の絶縁物基板１との接
着は十分接着用樹脂を充填して行なうとよい。この枠４
はなくてもボ・ソティングは可能である。いずれにして
もＣｕからなる金属配線３上の封止樹脂８が流れる部分
にはＣＵの酸化膜６が形成されており、その先にはボン
ディングのためのＮｉ−Ａｕめっき層７を形成した部分
がある。Ｎ ｉ −Ａ １１めっきを施した部分は封止
樹脂との密着性が悪く水分はこの金属配線３を伝わって
半導体ベレ・・Ｉト９に到達する。しかし、Ｃｕの酸化
膜６のある部分の密着がよいので金属配線３を伝わって
入る水分量は減少し、耐湿性は向上することになる。ま
た、Ｃｕの酸化膜６をＩＹるにはＮｌとＡ １１のめつ
き時にはマスキン′グしておいて後で酸化処理する。こ
の金属配線３は電気的に機能しないいわゆるダミーパタ
ーンであってもよい。金属配線３の形状を工夫すれば枠
４の位置合わせのマークとしても利用することができる
。
第１図（ａ＞、（ｂ）に示すように樹脂膜５に対して枠
４の取りつけ位置を設定すれば、さらに接着用樹脂の密
着性が改善されるので一層強固な固着状態を得ることが
できる。充填された封止樹脂８は加熱し硬化させる。
４の取りつけ位置を設定すれば、さらに接着用樹脂の密
着性が改善されるので一層強固な固着状態を得ることが
できる。充填された封止樹脂８は加熱し硬化させる。
以上説明したように本発明は、半導体ペレットを載置す
る絶縁物基板上に、半導体ペレットを囲むように金属層
を設け、かつ、この金属層の表面に酸化物被膜を設ける
ことにより樹脂封止型半導体装置の耐湿性を向上させる
効果がある。
る絶縁物基板上に、半導体ペレットを囲むように金属層
を設け、かつ、この金属層の表面に酸化物被膜を設ける
ことにより樹脂封止型半導体装置の耐湿性を向上させる
効果がある。
第１図（ａ＞、（ｂ）は、本発明の一実施例の平面図及
びＡ−Ａ’線断面図である。 １・・・絶縁物基板、２・・・ペレット載置部、３・・
・金属配線、４・・・枠、５・・・樹脂膜、６・・・酸
化膜、７・・・Ｎｉ−Ａｕめっき層、８・・・封止樹脂
、９・・・半導体チップ、１０・・・ポンディングパッ
ド。
びＡ−Ａ’線断面図である。 １・・・絶縁物基板、２・・・ペレット載置部、３・・
・金属配線、４・・・枠、５・・・樹脂膜、６・・・酸
化膜、７・・・Ｎｉ−Ａｕめっき層、８・・・封止樹脂
、９・・・半導体チップ、１０・・・ポンディングパッ
ド。
Claims (1)
- 絶縁物基板に設けられたペレット載置部に半導体ペレッ
トを取付けたのち樹脂封止してなる樹脂封止型半導体装
置において、前記絶縁物基板上に前記半導体ペレットを
囲むように金属層を設け、該金属層の表面に酸化物被膜
を設けたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61218384A JPS6373542A (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61218384A JPS6373542A (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6373542A true JPS6373542A (ja) | 1988-04-04 |
Family
ID=16719057
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61218384A Pending JPS6373542A (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6373542A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08288426A (ja) * | 1995-04-20 | 1996-11-01 | Nec Corp | 半導体装置 |
-
1986
- 1986-09-16 JP JP61218384A patent/JPS6373542A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08288426A (ja) * | 1995-04-20 | 1996-11-01 | Nec Corp | 半導体装置 |
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