JPS61248301A - 導体組成物 - Google Patents

導体組成物

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JPS61248301A
JPS61248301A JP8949685A JP8949685A JPS61248301A JP S61248301 A JPS61248301 A JP S61248301A JP 8949685 A JP8949685 A JP 8949685A JP 8949685 A JP8949685 A JP 8949685A JP S61248301 A JPS61248301 A JP S61248301A
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JP
Japan
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film
added
conductor
particle size
powder
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Application number
JP8949685A
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English (en)
Inventor
銭屋 義行
瀬古 靖
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TANAKA MASSEY KK
Original Assignee
TANAKA MASSEY KK
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (M集土の利用分野) 本発明は、絶縁基板上に印刷焼成した後、エツチングに
よって微細な電気回路パターンを形成する為のAu導体
組成物の改良に係るもので、詳しくは膜厚が薄くても極
めて緻密で平滑なAuの導電性膜を印刷焼成することの
できるペースト状のAu導体組成物に関する。
(従来技術とその問題点) 近年、主としてサーマルヘッドの分野においては、解像
度を上げる為に高密度化が進み、発熱体としての抵抗体
も10〜16ドツト/mmのものが要求されているが、
このような高密度化を可能にする為には、発熱体を載せ
る電極として、従来から使用されてきたAu導体にも2
0〜40μの極細線(ファインライン)の解像度が要求
される。
このような極細線(ファインライン)の形成には印刷法
は不可能で、通常均一なAuペーストを、必要なパター
ンを形成し得るだけの広さに印刷しホトレジストをかけ
た後、必要なパターンを焼付け、現像し、然る後不要な
Au膜をエツチングで取り除(方法が用いられる。
斯かるエツチング法の場合、ホトレジストの厚さにも依
るが、導体の膜の表面は平滑で、凝集体に基づく突起物
や発泡があってはならない。また抵抗のばらつきをでき
るだけ抑える為に、しかもパターン精度の関係もあって
、Auの膜はできるだけ薄<、微密であることが必要で
ある。従来、4〜8ドツト/mmのサーマルヘッドにお
いては、Au導体の膜厚は3〜5μで十分であったが、
前述の理由から10〜16ドツト/mm以上のものにつ
いては、2〜3μの膜厚で、しかも表面が平滑で緻密な
膜を形成できるAu導体が必要である。
Auペーストで導体膜を形成する場合、より緻密な膜を
得る為に、例えば3μの膜を形成する場合においても、
1回の印刷で膜を形成せず、2〜3回にわけて印刷焼成
をくり返して膜を形成する方が、より緻密な膜が得られ
る。
しかし、3μ以下の膜厚にする場合、フリットの量や質
によっても多少異なるが、平均粒径が1μ以上のAu粉
を使用した場合、ピンホールが多く、すけの多い膜が形
成される。Au膜のピンホールは、前述の極細線(ファ
インライン)を形成する場合、5μ程度のものがあると
、局部的に発熱体を載せる電極が細くなり、使用中に溶
断するという致命的な欠陥が生じる場合がある。
一方、Au粉の平均粒径を細かく、例えば0.5μ以下
にした場合には、膜は緻密になるが、焼結が進み過ぎる
為、Au膜が発泡するという現象が生じ、前述の必要な
特性、即ち平滑な表面が得られなくなる。
(発明の目的) 本発明は、前述の問題点を解決すべくなされたものであ
り、Au粉の平均粒径が1μ以下でも発泡が無く、表面
が平滑で緻密なAu膜を形成でき、また膜厚を3μ以下
にしてもピンホール、突起、発泡の無い緻密で表面平滑
なAu膜を形成できる導体組成物を提供することを目的
とするものであ−る。
(問題点を解決するための手段) 前述の問題点を解決するための本発明の導体組成物は、
平均粒径0.1〜1.0μのAu粉にAuに対する重量
比でガラスフリット1〜8%と、有機ビヒクル10〜4
5%が添加され、さらにAuに対する重量比で0.01
〜0.6%のRhを含むRh化合物が添加されて成るも
のである。
(実施例) 本発明の導体組成物の実施例を従来例と共に説明する。
先ず従来例1〜8について説明すると、平均粒径0.1
μ、0.3μ、0.5μ、0.8μ、1.0μ、1.2
μ、1.5μ、2.0μの各Au粉に、Auに対する重
量比で、夫々平均粒径0.5〜1μの軟化点620℃の
PbO−8203−ZnO系ガラスフリット2%とター
ピネオールにエチルセルロースを溶解した有機ビヒクル
÷%を添加したものを、混線分散して、8種類のペース
ト状のAu導体組成物を作った。この8種類のAu導体
組成物を、96%A+2o3のセラミック絶縁基板上に
印刷し、コンヘア類にて930°Cで焼成した。
次に実施例1〜5及び比較例1〜3について説明すると
、従来例1〜8の成分組成に、さらにRhレジネート(
Rh4.7%含有)を用いてR)lをAuに対する重量
比で0.02〜0.3%添加したものを、混線分散して
、8種類のペースト状のAu導体組成物を作った。この
8種類のペースト状のAu導体組成物の最適なAuに対
するRh添加量(wt%)を調べた処、Au粉の平均粒
径とピンホールの無いAu膜厚及びRh添加量との間に
は、図に示すような関係が認められた。ここでピンホー
ルの無いAu膜厚とは、スクリーン印刷し、各々バック
ライト光が零になる脱字を測定したもので、3回に分け
て印刷焼成したものである。
この図のグラフで明らかなようにAu粒の粒径が小さけ
れば小さい程、焼成プロセスでの焼結速度が早いので、
Auの焼結の進み過ぎを防ぐ為には、Rhの添加量を増
やす必要があることが判った。
Au粉の粒径の大きいもの、例えば1.5μ、2.0μ
以上のAu粉については、焼結が十分に進まない為、む
しろRhの添加量を抑える方が、他の特性例えばワイヤ
ーボンディング性の関係で好ましい。
こうして最適な量のRhが添加された実施例1〜5と比
較例1〜3の8種類のペースト状のAu導体組成物は、
96%AIZO3のセラミック絶縁基板上に印刷し、コ
ンベア炉にて930℃で焼成した。
然して従来例1〜8、実施例1〜5、比較例1〜3のA
u導体組成物及びそれらを印刷焼成して得たAu導電性
膜について、検査、試験、測定した処、下記の表に示す
ような結果を得た。
尚、スクリーンは、エマルジョン厚6μで、総厚60μ
の#400メソシュのステンレス鋼メソシュを使用し、
ピンホールの測定は、20mmx20mmのバッドで膜
厚が3μになるように調整しバンクライト光による試験
を行った。
また、導体抵抗値の測定の為に、400μラインのパタ
ーンを用い、各々25μの厚さに換算して計算した。(
以下余白) 上記の表で明らかなように実施例1〜5は、従来例1〜
8及び比較例1〜3に比し、発泡しにくさ、ピンホール
のできにくさ、導体抵抗、ワイヤーボンディング性等を
総合的に判定して、優れた性能を有することが判る。こ
れはひとえにRhの添加により、焼成プロセスで生成さ
れるRh2O3がAu粒子の表面に生成され、Auの粒
子成長を抑制する結果、Auの焼結が抑制されるからに
他ならない。
尚、サーマルヘッドにおいて、発熱体の下には通常蓄熱
層としてガラス絶縁層を敷くことが行われており、この
ガラス絶縁層上ではアルミナ基板上よりもAuの焼結が
進み、ピンホールが大きくなる傾向がある為、焼結抑制
剤例えばA1□Ch、Ti0z、ZrO□等の微粉末が
添加されるが、この焼結抑制剤はアルミナ基板上でペー
スト状のAu導体組成物を印刷焼成した際にはある程度
効果があるものの、グレーズ上では効果が少ない。然る
に本発明のようにRhを少量でも添加すると、アルミナ
基板、グレーズいずれの上面でペースト状のAu導体組
成物を印刷焼成してもAuの焼結が抑制される。
(発明の効果) 以上の説明で判るように本発明の導体組成物は、平均粒
径0.1〜1μのAu粉に、Auに対する重量比でガラ
スフリット1〜8%と、有機ビヒクル10〜45%を添
加した上、さらにRh化合物を用いてRhをAuに対す
る重量比で0.01〜0.6%と少量添加するだけで、
3μ以下の膜厚で、ピンホール、突起、発泡の無い緻密
で表面平滑なAu膜を形成できるという優れた効果があ
り、従来のAu導体組成物にとって代わることのできる
画期的なものと言える。
尚、Rhは、通常Rhレジネートとして添加するのが最
も有効であるが、有機溶剤に可溶な錯体であれば使用で
きるものである。
また、印刷焼成時、密着力を上げる為に、Auに対する
重量比で0.1〜0.6%のCuzOを添加するように
しても良い。
【図面の簡単な説明】 図は、Au粉の粒径とピンホールの無いAu膜厚及びR
h添加量との関係を示すグラフである。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  平均粒径0.1〜1.0μのAu粉に、Auに対する
    重量比でガラスフリット1〜8%と、有機ビヒクル10
    〜45%が添加され、さらにAuに対する重量比で0.
    01〜0.6%のRhを含むRh化合物が添加されて成
    る導体組成物。
JP8949685A 1985-04-25 1985-04-25 導体組成物 Pending JPS61248301A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002293629A (ja) * 2001-04-03 2002-10-09 Fujitsu Ltd 導電性セラミックス材料、電極部品、静電偏向器及び荷電粒子ビーム露光装置
JP2008235641A (ja) * 2007-03-22 2008-10-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd セラミック多層基板の製造方法

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