KR900002542B1 - 후막도체 조성물 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

후막도체 조성물
본 발명의 후막도체 조성물에 관한 것이며, 특히 그들이 사용되는 기질에 대해 양호한 납땜성과 접착성을 갖고 있는 후막도체 조성물에 관한 것이다.
후막도체를 하이브리드 미소 전자부품에 사용하는 것은 전자기술분야에 잘 알려져 있다. 이런 물질은 보통 귀금속, 귀금속합금, 또는 그 혼합물의 미세하게 분할된 입자와 소량의 무기결합제의 분산액으로 구성되어 있으며, 이들 모두는 유기매질중에 분산되어 페이스트상 생성물을 형성한다. 이런 페이스트는 스크린팅에 의해 Al2O3같은 불활성 기질중에 적용되어 패턴층을 형성한다. 이어 패턴 후막 도체층을 연소시켜, 유기매질을 휘발시키고 무기 결합체를 소결시키는데 이때 무기 결합체는 일반적으로 유리 또는 유리형성 물질이다. 연소된 층이 반드시 지녀야 하는 전기전도성 외에도 이들은 이들이 프린트되는 기질에 견고히 접착되며 층이 납땜을 수용할 수 있어야 하는 것이 필수적이다. 물론 납땜성은 이것이 사용되는 전자시스템의 다른 성분들, 예컨데 저항기 및 축전기 회로망, 저항기, 트림 전위차계, 칩저항기, 칩축전기, 칩 캐리어등과 전도성 패턴이 연결되어야 하기 때문에 필수적이다.
비록 후막도체의 접착성 및 납땜성 문제에 광범위한 연구가 계속되어 왔으나 이런 도체 시스템에 대한 엄격한 기술적 요구의 증가는 좀더 개선이 이루어질 것을 요구하고 있다.
본 발명은 일차적으로 하기(C)중에 분산되어 있는(A)와 (B)의 혼합물로 구성된 프린트가 가능한 후막도체 조성물에 관한 것이다 : (A)귀금속, 귀금속 합금 또는 그 혼합물의 미세하게 분할된 입자 60-99중량%. (B) (1)0-20 pph(parts per hundre ; 유리 100부 당 부수)의 PbO가 그 안에 용해되어 있는 구조식 Bi4Si3-xGeO12(여기서 X=0-3)의 유리 100부, (2)유리 및 Pbo를 기준으로 0-100pph의 Bi2O3, 및 (3)유리 및 Pbo를 기준으로 4-100pph의 ZnO의 미세하게 분할된 입자들로 본질적으로 구성된 무기 결합체 40-1중량%.
(C)유기매질 두 번째로 본 발명은 유기매질의 휘발 및 유리의 소결이 일어나도록 연소시킨, 상기한 후막도체 조성물의 패턴층이 그 위에 프린트되어 있는 세라믹 기질에 관한 것이다. 세 번째로 본 발명은 구조식 Bi4Si3-XGe1O12(여기서 X는 0.1-2.9임)인 신규한 유리 조성물에 관한 것이다.
종래기술에 대해 살펴보면 미합중국특허 제 4,225,291호(Needes)에는 PbO, Bi2O3또는 그 혼합물 10-85중량%, CdO, SiO2, R2O3또는 그 혼합물 1-20중량% 및 Na2O, K2O, Al2O3, CaO, TiO2, Li2O, Zno 또는 그 혼합물 0-10중량%로 구성된 창연납 유리프릿류가 기술되어 있다. 실지 공지된 피릿은 12.5%의 B2O3외에 Al2O3, CdO 및 Na2O와 같은 다른 산화물도 함유한다. 유리프릿은 공기중에서 연소되는 알루미늄 함유 금속도체용 결합제로서 사용된다.
미합중국특허 제 4,235,644 호(Needes)에는 임의로 PbO, SiO2및 Bi2O3를 함유할 수도 있는 적어도 60중량%의 B2O3를 함유하는 창연납 유리프릿류가 기술되어 있다. 바람직한 조성물은 3-30%의 PbO, 1-10%의 SiO2및 1-10%의 B2O3를 함유하는 것으로 기술되어 있다. 실지 공지된 프릿은 3.5-10%의 B2O3외에 Al2O3, CdO, Na2O, TiO2, TiO, ZrO2및 ZnO와 같은 다른 산화물도 함유한다.
[A. 전도상]
귀금속, 그들의 합금 또는 그 혼합물 어느 것이나 본 발명의 조성물에 있어서의 전도상으로 사용될 수 있다. 따라서 Ag, Pt 및 Pd 같은 귀금속은 물론 Pt/Au, Pd/Ag, Pd/Au 및 Ag/Pt/Pd 같은 그들의 합금도 사용될 수 있다.
귀금속입자 및 본 발명의 조성물의 다른 고체들은 입자크기 0.5-10㎛, 표면적 1-12㎡/g인 것이 바람직하다. 비록 이들 범위가 바람직하나 이들 한계는 사용시 조성물의 효능에 좁은 범위로 임계적인 것은 아니다.
전체 고체에 대한 조성물중의 귀금속의 양은 유기매질을 제외한 조성물의 60-99중량%범위이다. 그러나 대부분의 조성물은 75-98중량%의 귀금속 및 보충성분인 25-2중량%의 무기 결합제를 함유한다.
[B. 무기 결합제]
상기 언급한 바와같이, 본 발명의 조성물의 무기결합제상은 주성분으로 구조식 Bi4Si3-xGe1O12(X=0-3)인 유리 및 그안에 용해된 0-100pph (유리기준)의 PbO를 함유한다. 유리중 게르마늄의 양은 X값이 0.1-2.9인 것이 바람직하며, 0.5-1.5인 것이 더 바람직하다. 유리는 붕소를 함유치 않는다.
ZnO 및 임의 성분인 과량의 Bi2O3와는 달리 유리조성물에 PbO가 사용된 경우 이것은 납땜성 문제를 피하기 위해선 유리내 용해되어 있어야만 한다. 이것은 단지 또다른 고체 성분으로서 효과적으로 첨가될 수 없다.
유리에 있어서의 PbO의 사용은 유리가 약간의 게르마늄을 함유하고 있는한 임의적이다. 그러나 충분한 접착성을 얻기 위해선 유리에 게르마늄이 함유되어 있지 않는 경우, 즉, X=O인 경우에 이것은 필수적인 것이 된다. 그런, PbO는 전체 조성물중의 유리를 기준으로 1-20pph 사용하는 것이 바람직하며 2-10pph 사용하는 것이 더욱 바람직하다.
무기 결합제의 유리성분은 목적하는 성분들을 목적하는 비율로 혼합물을 가열하여 용융물을 형성하는 통상적인 유리 제조법에 의해 제조된다. 이 분야에 잘 알려져 있는 바와같이, 가열은 피크온도에서, 용융물이 완전히 액체로 되고 균질하게 되는 시간 동안 수행한다.
본 발명에서는, 산화물 성분들을 이 분야에 잘 알려진 방법으로 혼합해준 후 1350℃의 키아나이트(KyaniteR)도가니내에서 10-30분간 요용시킨다. 이어 균질한 용융유리를 냉수에 부어 무정형 유리구조물을 급냉시킨다. 이어 거친 유리를 효과적으로 크기를 감소시키기 위해 적당량의 물 및 세라믹 매질과 함께 세라믹 자아 밀(jar mill)내에 넣는다. 일반적으로 20-70시간의 밀링시간이면 충분한 크기감소를 얻을 수 있는 것으로 나타났다.
밀링된 프릿 슬러리를 밀로부터 꺼낸 후 과량의 물을 경사로 제거하고 프릿분말을 150℃에서 오븐 건조한다. 이어 건조된 분말을 큰 입자를 제거하여 위해 325메쉬 스텐레스강 스크린을 통해 선별해준다.
유리는 그안에 용해된 PbO를 함유할 수 있는 것 외에도, 무기 성분으로 ZnO를 함유해야 하며 임의로 또 다른 Bi2O3를 함유할 수 있다. 그러나 이들 두성분들은 PbO와는 달리 유리내에 용해되어 있지 않아도 된다. 이와는 대조적으로 그들은 별도의 고체입자로 첨가해 주어야 한다. 따라서 무기 결합체는 (1) PbO가 사용되는 경우 PbO가 용해된 유리입자(2) ZnO 입자 및 (3)임의로 Bi2O3입자의 혼합물로 본질적으로 구성되어 있다. 충분한 접착성을 얻기 위해선 무기 결합체중에 적어도 4pph의 ZnO가 사용되어야 하며 적어도 10pph가 바람직한 것으로 밝혀졌다. 그러나 약 100pph이상이 사용되는 경우 납땜성이 나빠지며, 비저항이 증가하는 경향이 있다.
Bi2O3의 첨가가 필수적인 것은 아니나, 납땜성을 더 향상시키기 위해선 적어도 10pph의 Bi2O3를 사용하는 것이 바람직하다. 그러나 만약 약 100pph 이상이 사용되는 경우 조성물은 접착성을 상실하는 경향이 있다.
상기한 바와 같이 본 발명의 무기결합제는 전체고체의 1중량% 정도의 적은 양부터 40중량% 만큼의 많은 양으로 함유될 수 있다. 그러나, 무기 결합제양은 전체 고체의 2-25중량%, 특히 5-15중량%인 경우가 많다.
[C. 유기매질]
본 발명에 따른 조성물의 또 다른 중요한 성분은 유기 매질이다. 유기매질의 주목적 이들이 세라믹 또는 다른 기질에 쉽게 적용될 수 있는 형태로 되도록 조성물의 미세하게 분할된 고체 분산액의 비이클 역할을 하는 것이다. 따라서 유기매질은 우선 고체가 충분한 안전성을 갖고 분산될 수 있는 것이여야 한다. 두 번째로 유기매질의 유체성은 이들이 분산액에 양호한 적용성을 줄 수 있는 것이어야 한다.
대부분의 후막 조성물은 스크린 프링팅에 의해 기질에 적용된다. 따라서 조성물은 그들이 스크린을 쉽게 통과할 수 있도록 적당한 점도를 갖고 있어야 한다. 또한, 이들이 스크리닝된 후 속히 경화되어 우수한 분해능을 나타낼 수 있도록 이들은 틱소트로피(thixotropy)성 이어야 한다. 유체성이 가장 중요한 성질이긴하나 유기매질은 고체 및 기질에 적당한 습윤성을 부여하고 양호한 건조속도 및 거친 취급에 견디기에 충분한 건조필름 강도와 양호한 연소성이 부여되도록 처방되는 것이 바람직하다. 연소된 조성물의 만족스런 외관도 또한 중요하다.
이런 여러 가지 기준으로 볼 때 광범위한 액체가 유기매질로 사용될 수 있다. 대부분의 후막조성물용 유기매질은 자주 틱소트로피제(thixotropic agent) 및 습윤제도 함유하고 있는 용매중의 수지용액인 것이 보통이다. 용매는 일반적으로 130-350℃ 범위내에서 비등하다.
지금까지 이런 목적에 가장 자주 사용된 용매는 에틸셀룰로오즈이다. 그러나, 에틸 하이드록시에틸 셀룰로오즈, 나무로진, 에틸 세롤로오즈와 페놀수지의 혼합물같은 수지류, 저급알콜의 폴리메타크릴레이트, 에틸렌글리콜 모노아세테이트의 모노부틸에테르 또한 사용될 수 있다.
적당한 용매에는 케로센, 미네탈 스피릿(mineral spirts : 광물 증류물), 디부틸프탈레이트, 부틸카비톨, 부틸카비톨아세테이트, 헥실렌글리콜 및 고비점알콜 및 알콜에 스테르가 포함된다. 바라는 점도, 휘발성 및 유전체 테이프와의 양립성이 얻어지도록 이들 용매와 다른 용매를 여러 가지로 조합하여 사용할 수 있다. 수용성 용매계도 또한 사용될 수 있다.
보통 사용되는 틱소트로피제중에는 수소첨가 피마자유 및 그 유도체 및 에틸 셀룰로오즈가 있다. 물론 용매/수지 성질이 어떤 현탁액에서는 본래 전단 감점성과 잘 협력하여 그 단독으로 본 발명에 적합할 수 있기 때문에 틱소트로피제를 첨가해 주는 것이 꼭 필요한 것은 아니다. 적당한 습윤제에는 인산염 에스테르 및 콩 테시틴이 포함된다.
페이스트 분산액중 고체에 대한 유기매질의 비는 상당히 다양할 수 있으며, 분산액이 적용되는 방식 및 사용된 유기매질의 종류에 따라 달라진다. 보통 우수한 피복력을 얻으려면 분산액은 40-90중량%의 고체와 60-10%의 유기매질을 함유한다.
페이스트는 통상적으로 3-롤 밑에서 제조된다. 페이스트의 점도는 저, 중 및 고 전단속도하에서 브룩휠드점도계로 실온에서 측정시 일반적으로 2-50 Pa.S이다. 사용되는 유기매질(비히클)의 양 및 유형은 주로 최종의 바라는 조성물 점도 및 프린트 두께에 의해 결정된다.
대부분의 경우에, 유기매질은 미소회로 도체의 가능성에 중요한 역할을 하지 않는다. 그러나 본 발명의 조성물의 경우엔 도체 성능을 결정하는 데 유기매질이 상당한 역할을 할 수 있는 것으로 나타났다. 따라서, 유기매질을 잘못 선택하면 그 결과 높은 비저항 및 연소된 도체필름의 불량한 경화 접착성이 얻어질 수 있다. 이런 잠재적인 문제를 피하기 위하여서는 유기 비히클은 탁월한 분산성을 제공해야하며, 연소주기중 저온(400-450℃)에서 깨끗하게 연소되어야 한다.
이런 기준으로 볼 때, 본 발명의 바람직한 비히클시스템은 β-테르피네올 디부틸카비톨 및 디부틸프탈레이트 용매의 혼합물중에 용해된 에틸 셀롤로오즈 중합체를 구성된다. 틱소트로피제는 일반적으로 스크린프린팅시 향상된 라인 분해능이 얻어지도록 하기 위해 첨가된다.
[D. 조성물 제조 및 적용]
본 발명의 조성물은 무기산화물, 유리분말, 은, 팔라듐, 백금, 및 금과 같은 귀금속분말, 및 산화물, 유리 및 금속분말을 분산시키기 위해 사용되는 유기 비히클로 구성된 페이스트이다. 생성된 물질은 전자공업에 통상 사용되는 기술에 의해 쉽게 스크린 프린트될 수 있어야 한다. 우선 각종 분말과 유기 비히클을 호바트R(HobartR) 믹서와 같은 통상적인 혼합장치를 사용하여 혼합해준 후 이어 3-롤밀상에서 충분히 분산시킨다. 생성된 페이스트는 롤밀 조작중 생길 수 있는 금속편을 제거하여 위해 325-400매쉬 스텐레스강 스크린을 통해 스크리닝 해주는 경우가 많다.
[E. 시험법]
경화 접착성 시험 : 열경화후의 접착성을 하기와 같이 측정한다. 부품을 알시메그R614[AlsimagR614, 3 M Company (Minneapolis, Minnesota)]의 상품명으로 알루미늄 마그네슘 실리콘 옥사이드로 되어 있음] 같은 96% 알루미나 기질상에 프린트한다. 사용되는 스크린은 보통 직경 40.64-53.34미크론 (1.6-2.1밀 ; 0.0016-0.0021인치)인 스텐레스강 메쉬를 갖고 있는 200메쉬 스크린이다. 스크린 프레임에 평행으로 배열되게끔 메수와이어를 설치한다. 패턴은 메쉬에 적용되는 유제상에 광영상화된 패턴에 의해 결정되고 화학적으로 현상되어 스텐슬을 형성하며, 이 스텐슬을 통해 후막 페이스트가 기질에 적용된다. 접착력시험에 사용되는 패턴은 각각 2032 미크론2(80밀2; 0.82 인치2)의 크기를 가진 9개 패드를 갖고 있으며, 이들 패드는 1"×1" 기질상에 3×3그리드의 패드를 형성하도록 배열되어 있다. 사진 감광유제는 일반적으로 스크린 기저상 와이어 메쉬 아래로 12.7-25.4미크론 (0.5-1.0밀 ; 0.0005-0.001 인치) 뻗어 있어 좀더 두꺼운 프린트가 얻어지게 해주며 기질 표면에 있는 패턴을 덮어 보다 나은 분해능이 얻어지도록 해준다. 스크린 프린터는 스크린과 프린트되는 기질 사이에 635미크론(25밀 ; 0.025 인치)의 틈이 생기도록 설치된다.
스텐슬을 통해 페이스트가 빠져 나가도록 만드는 고무 로울러는 경질고무 또는 듀로메타경도 50-90의 바이톤R(VitonR)의 플루오로탄성 중합체 같은 합성물질로 되어 있다(VitonR은 E.I dupont de Nemours and Company, Inc., Wilmington, Delaware의 등록상표이다). 고무 로울러 길이 인치당 보통 1파운드의 압력을 로울러에 가한다. 고무 로울러는 보통 3-10인치/초의 속도로 패턴을 통과하여 잉크를 짜낸다.
프린트된 부품을 80-150℃에서 5-15분간 건조한다. 이어 이들을 850℃의 최고온도에서 10분 실온에서 최대 850℃로 온도가 상승되는 상승기 20분 및 온도가 850℃에서 주위온도로 떨어지는 감소기 30분의 사이클을 갖는 벨트로(belt furnace)내에서 5회 연소시킨다.
5회 연소시킨후 부품들은 하기와 같이 부착된 와이어를 갖는다. 와이어는 이들이 세 개의 패드 중앙아래로 내려올 수 있도록 기질에 끼워져 있다. 이어 와이어/연소된 부품을 알파 611납땜융제내 침지시켰다. 이어 부품을 납땜욕상에서 예열시킨후 10초간 담그고 냉각되게 한다. 남은 납땜융제를 CH2CL2/메탄올 혼합물을 사용하여 납땜된 와이어 부품으로부터 세척해낸다. 부품을 150℃의 오븐에 48시간 동안둔후 꺼내 냉각한다.
경화된 부품을 와이어를 기질로부터 분리시키는데 필요한 힘을 측정하기 위해 장치해 놓는다. 필요한 힘을 기록한다. 분리형태도 기록한다. 즉, 땜납으로부터 와이어를 당겼을 때 기질로부터 빠져 나오는지 여부를 관찰한다. 15뉴우튼 이상은 양호한 접착력을 나타내며 20뉴우톤 이상이면 접착력이 탁월함을 나타낸다. 12-14뉴우툰이 한계점이며 12뉴우툰 이하면 허용될 수 없다.
납땜성시험 : 상기한 바와 같이 제제화된 페이스트를 사용하여 2.2×2.2㎝(7/8인치×7/8인치)패턴을 96%알루미나 기질(AlsimgR614)상에 프린트하고 건조한후, 경화 접착성 시험을 위해 상기한 바와같이 연소시킨다. 프린트되고 연쇠된 기질을 땜납융제(알파 611)에 침전시켜 기질을 피복한다. 이어 융제가 피복된 기질을 220℃로 가열된 62/36/2의 Sn/Pb/Ag 땜납이 함유되어 있는 땜납폿트상에서 잠시(약 2초)가열해준다. 가열후 기질을 땜납에 5초간 담근다음 꺼내 메탄올과 연화메틸렌 용액으로 세정한다. 이어 하기 판정기준에 따라 육안으로 검사하여 기질의 납땜성을 평가한다.
탁월(E) 전체가 피복됨 납땜부위 100%
매우양호(V) 패턴내 몇 개의 핀호울이 나타남. 납땜부위 98-99%
패드상에 한두군데 납땜되지 않은 부위가납땜부위 96-97%
양호 (G) 있으며 패턴내 몇 개의 핀호울이 나타남.
보통(F) 패드상에 여러개의 납땜되지 않은 부위가 있음.
납땜부위 92-95%
불량(P) 10%이상이 납땜되지 않았음. 납땜부위 90%
하기 실시예에서 몇 개의 상이한 유리조성물을 시험한다. 표 1 에는 Bi2O3, SiO2, PbO 타입의 유리가 기재되어 있으며, 표 2 에는 Bi2O3, SiO2, GeO2타입의 유리가, 표 3 에는 Bi2O3, SiO2, GeO2PbO 타입의 유리가 기재되어 있다.
[표 1]
Bi2O3, SiO2, PbO 유리의 조성
Figure kpo00001
[표 2]
Bi2O3, SiO2, GeO2유리의 조성
Figure kpo00002
[표 3]
Bi2O3, SiO2, GeO2,PbO 유리의 조성
Figure kpo00003
[실시예 1-4]
표 1에 기재된 유리들을 4개의 도체페이스트 조성물내에 혼입한 후 상기한 방법에 따라 스크린프린트한다. 표 4 에 주어진 데이타로부터, 일산화납을 2.6-5.1중량% 함유한 유리가 우수한 접착력(25-27 뉴우톤)을 나타내며 산화납을 함유치 않거나 다량(5.1중량% 이상) 함유한 유리가 낮은 접착력(21 뉴오톤)을 나타냄을 알 수 있다.
[표 4]
Figure kpo00004
[실시예 5-10]
일산화납 첨가효과를 입증하기 위해(이것을 유리 매트릭스내에 혼입시키는 대신)일련의 6개의 조성물을 대조용 우리(표 1)와 첨가량의 PbO를 사용하여 만든다. 표 5에는 첨가된 산화납이 경화 접착성에 아무런 향상도 나타내지 못했으며 납땜성의 현저한 열화를 야기한 것으로 나타나 있다. 따라서 유리와 별개로 결정성 물질 상태로 산화납을 첨가해준 결과는 바람직하지 못하다.
[표 5]
Figure kpo00005
[실시예 11-18]
높은 경화 접착성, 양호한 납땜성 및 낮은 비저항이 얻어지도록 하기위해 유리, ZnO 및 Bi2O3양을 달리한 일련의 도체 조성물들을 더 제조한다. 표 6 및 7의 데이타에서 보면 ZnO양의 정도가 비저항값을 조절해주는 것으로 나타났으며 즉, ZnO 양이 낮을수록 더 낮은 비저항 값이 얻어지는 것으로 나타났다. 산화창연에 대한 창연염유리의 비가 경화 접착성 및 납땜성을 조절해주는 것으로 나타나있다. 최상의 성질들의 조합은 표 7의 실시예 17 즉, 유리 A 7%(표 1), ZnO 1%, Bi2O34%를 함유하는 조성물에서 얻어진다.
[표 6]
Figure kpo00006
[표 7]
Figure kpo00007
[실시예 19-26]
Bi2O3, SiO2GeO2유리도 역시 미소회로 도체조성물에 아주 유용한 것으로 나타났다. 이런 유리 몇몇은 상기 언급된 방식으로 첨가된 Bi2O3,와 ZnO와 함께 사용되어 왔다. 표 8에는 이들 유리를 사용한 조성물 및 그들의 성질이 기재되어 있다. 표 8 실시예 21은 표 2의 유리 C를 사용한 것으로 가장 높은 경화 접착력을 나타낸다. 성능변화가 있을 수 있는지를 알아보기 위해 상이한 양의 은을 사용하여 시험을 반복한 결과 본질적으로 동일한 접착력이 얻어진다.
표 2 의 유리 E를 함유하는 표 8의 실시예 23은 탁월한 납땜성을 나타내나 경화 접착력은 낮다(13 뉴우톤). 반복실험 결과 상당히 더 높은 접착력(23 뉴우톤)이 얻어진다. 이것은 본 조성물이 표 8실시예 21보다 원료물질변화에 더 민감함을 나타내준다.
[표 8]
Figure kpo00008
*상이한 양의 은을 사용한 반복실험
Figure kpo00009
[실시예 27-32]
하기 표 9에 Bi2O3, SiO2, GeO2PbO 시스템(표 3 참조)에 각종 유리를 사용한 도체 조성물이 기술되어 있다. 표 9의 실시예 27-29는 실시예 30-32보다 상당히 높은 경화 접착력을 나타낸다. 이는 결합제 비가 7 : 1: 4(유리 : ZnO : Bi2O3의 중량비)이면 비가 3 : 1: 3일 때 보다 더 신뢰할 수 있는 접착력을 나타냄을 입증해준다. 표 9의 실시예 27-29는 또한 납땜성의 감소경향을 보여주며 이는 유리중의 GeO2함량이 더 높거나 PbO/Bi2O3비가 더 높기 때문일 수 있다. 이 실험조건하에서 표 9의 실시예 27은 나머지보다 나은 성능을 나타낸다.
[표 9]
Figure kpo00010

Claims (4)

  1. (a). 귀금속, 귀금속합금 또는 그 혼합물의 미세하게 분할된 입자 60-99중량% ; 및 (b) (1) 0-100pph[parts per hundred(유리 100부당 부수)]의 PbO가 그안에 용해되어 있는 구조식 Bi4Si3-xGeO12(여기서, X=0-3)의 유리. (2) 0-100pph(유리기준)의 Bi2O3, 및 (3) 4-100pph(유리기준)의 ZnO의 미세하게 분할된 입자들로 본질적으로 구성된 무기 결합제 40-1중량%의 혼합물이 (C), 유기매질내에 분산되어 함유된 프린트가 가능한 후막도체 조성물.
  2. 구조식 Bi4Si3-xGeO12(여기서, X=0-3)의 조성을 갖고 있으며, 0-100pph(유리기준)의 PbO가 그안에 용해되어 있는 유리.
  3. 제 2 항에 있어서, x가 0.2-2이며 10-50pph(유리기준)의 PbO가 그안에 용해되어 있는 유리.
  4. (A) 구조식 Bi4Si3-xGeO12(여기서, X=0-3)의 조성을 갖고있으며 0-100pph(유리기준)의 PbO가 그안에 용해되어 있는 유리. (b)0-100pph(유리기준)의 Bi2O3, 및 (c) 4-100pph(유리기준)의 ZnO의 미세하게 분할된 임자들의 혼합물로 본질적으로 구성되어 있는 무기 결합제 조성물.
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6124101A (ja) * 1984-07-13 1986-02-01 住友金属鉱山株式会社 厚膜導電ペ−スト
DE3512158A1 (de) * 1985-04-03 1986-10-23 W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau Elektrisches bauelement sowie verfahren zum herstellen eines solchen bauelementes
US4636332A (en) * 1985-11-01 1987-01-13 E. I. Du Pont De Nemours And Company Thick film conductor composition
GB8717920D0 (en) * 1987-07-29 1987-09-03 Era Patents Ltd Thick film ink
US4881974A (en) * 1987-11-05 1989-11-21 Johnson Matthey, Inc. Silver-glass paste
JP2001297857A (ja) * 1999-11-24 2001-10-26 Ibiden Co Ltd 半導体製造・検査装置用セラミックヒータ
US6530776B1 (en) 2001-10-09 2003-03-11 Husky Injection Molding Systems, Ltd. Method and apparatus of connection to an electrical film device
US7611645B2 (en) 2005-04-25 2009-11-03 E. I. Du Pont De Nemours And Company Thick film conductor compositions and the use thereof in LTCC circuits and devices
US7326367B2 (en) 2005-04-25 2008-02-05 E.I. Du Pont De Nemours And Company Thick film conductor paste compositions for LTCC tape in microwave applications
JP4524318B2 (ja) 2008-05-27 2010-08-18 原田工業株式会社 車載用ノイズフィルタ
JP5114325B2 (ja) 2008-07-08 2013-01-09 原田工業株式会社 車両用ルーフマウントアンテナ装置
USD726696S1 (en) 2012-09-12 2015-04-14 Harada Industry Co., Ltd. Vehicle antenna

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4029605A (en) * 1975-12-08 1977-06-14 Hercules Incorporated Metallizing compositions
US4255291A (en) * 1979-06-21 1981-03-10 E. I. Du Pont De Nemours And Company Air-fireable conductor composition
US4463030A (en) * 1979-07-30 1984-07-31 Graham Magnetics Incorporated Process for forming novel silver powder composition
US4414143A (en) * 1981-05-06 1983-11-08 E. I. Du Pont De Nemours & Co. Conductor compositions
US4416932A (en) * 1981-08-03 1983-11-22 E. I. Du Pont De Nemours And Company Thick film conductor compositions
US4446059A (en) * 1982-04-15 1984-05-01 E. I. Du Pont De Nemours & Co. Conductor compositions
US4466830A (en) * 1982-11-19 1984-08-21 E. I. Du Pont De Nemours And Company Thick film gold metallization composition

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