JPS61237221A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS61237221A JPS61237221A JP7764185A JP7764185A JPS61237221A JP S61237221 A JPS61237221 A JP S61237221A JP 7764185 A JP7764185 A JP 7764185A JP 7764185 A JP7764185 A JP 7764185A JP S61237221 A JPS61237221 A JP S61237221A
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- JP
- Japan
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- phosphate
- layer
- thin film
- magnetic recording
- ferrite
- Prior art date
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- Lubricants (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、情報産業分野等で利用される高記録密度の磁
気記録媒体に関する。
気記録媒体に関する。
従来の技術
従来のr F e 20 a + Co含有層−Fe
203゜Cr O2等の強磁性粉末を有機バインダー中
に分散して非磁性支持体に塗布したいわゆる塗布型磁気
記録媒体に代って、メッキ法、スパッタリング法。
203゜Cr O2等の強磁性粉末を有機バインダー中
に分散して非磁性支持体に塗布したいわゆる塗布型磁気
記録媒体に代って、メッキ法、スパッタリング法。
真空蒸着法、イオンブレーティング法等の方法によって
強磁性金属薄膜を非磁性支持体上に設けた磁気記録媒体
は、高密度記録用磁気記録媒体として研究されている。
強磁性金属薄膜を非磁性支持体上に設けた磁気記録媒体
は、高密度記録用磁気記録媒体として研究されている。
しかしながら上述した方法で作られた強磁性金属薄膜を
用いた磁気記録媒体は、その耐摩耗性および走行性に問
題がある。
用いた磁気記録媒体は、その耐摩耗性および走行性に問
題がある。
そもそも磁気記録媒体は磁気信号の記録、再生の過程に
おいて、磁気ヘッドとの高速相対運動のた磁気ヘッドと
の接触による摩耗や破損が生起してはならない。
おいて、磁気ヘッドとの高速相対運動のた磁気ヘッドと
の接触による摩耗や破損が生起してはならない。
しかしながら上述した如き方法で作られた強磁性金属薄
膜は磁気記録、再生の過程の苛酷な条件に耐えることが
できず、磁気ヘッド等の摩擦によって走行が不安定にな
ったり、長時間走行させた場合には摩耗したり、破損し
たシ、摩耗粉の発生によって著しく出力が低下すること
があった0そのため、強磁性金属薄膜の上に滑剤層を設
けることが提案されている。例えば、フッ素系界面活性
剤の蒸着膜を形成することが提案されている(特開昭5
9−213031号公報)。
膜は磁気記録、再生の過程の苛酷な条件に耐えることが
できず、磁気ヘッド等の摩擦によって走行が不安定にな
ったり、長時間走行させた場合には摩耗したり、破損し
たシ、摩耗粉の発生によって著しく出力が低下すること
があった0そのため、強磁性金属薄膜の上に滑剤層を設
けることが提案されている。例えば、フッ素系界面活性
剤の蒸着膜を形成することが提案されている(特開昭5
9−213031号公報)。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、この場合潤滑性の点では、若干改善が見
られるが、走行安定性および耐摩耗性については未だ充
分であると言えない。これは、フッ素系界面活性剤と磁
性金属薄膜との結合が弱いために、走行中に摺動する磁
気ヘッド等により、フッ素系界面活性剤が削落させられ
るためである。
られるが、走行安定性および耐摩耗性については未だ充
分であると言えない。これは、フッ素系界面活性剤と磁
性金属薄膜との結合が弱いために、走行中に摺動する磁
気ヘッド等により、フッ素系界面活性剤が削落させられ
るためである。
本発明はかかる点に鑑みてなされたもので、潤滑性、走
行性、耐摩耗性のすぐれた磁気記録媒体を提供すること
を目的としている。
行性、耐摩耗性のすぐれた磁気記録媒体を提供すること
を目的としている。
問題点を解決するための手段
非磁性基板上に設けた強磁性金属薄膜上に、フェライト
含有層を形成し、そのフェライト含有層表面に、−80
3H,−SO3H、−SO3Me(Meは7A/カリ金
からなる群より選ばれた少なくとも1種の活性基を有す
る炭化水素化合物含有層もしくは炭化弗素化合物含有層
を設ける0 作 用 前記化合物はフェライト含有層に強く化学吸着する。そ
のため、磁気ヘッド等との摩擦によって、前記化合物含
有層が削り落されることがないので、潤滑性、走行性、
耐摩耗性のすぐれた磁気記録媒体が得られる。前記化合
物がフェライトに強く結合するのは、フェライト中の金
属イオンと配位結合を形成するためと推定される。
含有層を形成し、そのフェライト含有層表面に、−80
3H,−SO3H、−SO3Me(Meは7A/カリ金
からなる群より選ばれた少なくとも1種の活性基を有す
る炭化水素化合物含有層もしくは炭化弗素化合物含有層
を設ける0 作 用 前記化合物はフェライト含有層に強く化学吸着する。そ
のため、磁気ヘッド等との摩擦によって、前記化合物含
有層が削り落されることがないので、潤滑性、走行性、
耐摩耗性のすぐれた磁気記録媒体が得られる。前記化合
物がフェライトに強く結合するのは、フェライト中の金
属イオンと配位結合を形成するためと推定される。
実施例
図は、本発明の磁気記録媒体の断面図である。
図において、1は非磁性基板、2は強磁性金属薄膜、3
はフェライト含有層、4は炭化水素化合物含有層もしく
は炭化弗素化合物含有層である。
はフェライト含有層、4は炭化水素化合物含有層もしく
は炭化弗素化合物含有層である。
本発明による磁気記録媒体に使用しうる非磁性基板1と
しては、ポリ塩化ビニル、酢酸セルロース、ホIJエチ
レンテレフタレート、ポリエチレン。
しては、ポリ塩化ビニル、酢酸セルロース、ホIJエチ
レンテレフタレート、ポリエチレン。
ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリイミド。
ポリアミド等の高分子材料、非磁性金属材料、ガラス、
磁器等のセラミック材料等周知の材料からなるフィルム
、板等がある。
磁器等のセラミック材料等周知の材料からなるフィルム
、板等がある。
また、本発明の磁気記録媒体に使用しうる強磁性金属薄
膜2を形成する強磁性材料としては、周知の任意の材料
を使用でき、例えば鉄、コバルト。
膜2を形成する強磁性材料としては、周知の任意の材料
を使用でき、例えば鉄、コバルト。
ニッケルの1種以上の合金またはこれらと、他の金属例
えばマンガン、クロム、チタン、リン、イツトリウム、
サマリウム、ビスマス等とtm合せた合金があシ、また
上記金属の酸化物等がある。
えばマンガン、クロム、チタン、リン、イツトリウム、
サマリウム、ビスマス等とtm合せた合金があシ、また
上記金属の酸化物等がある。
非磁性基板1上に強磁性金属薄膜2を形成させるに当っ
ては真空蒸着法、スパッタリング法、イオンブレーティ
ング法、メッキ法等任意の周知の方法で形成させること
ができる。
ては真空蒸着法、スパッタリング法、イオンブレーティ
ング法、メッキ法等任意の周知の方法で形成させること
ができる。
本発明においては、上述した如き強磁性金属薄膜2の上
にフェライト含有層3を設けることが要点である0 本発明で使用しうるフェライトは、一般式MO・Fe2
O2(M:2価の金属)なる組成を持つもので、Mとし
ては、たとえばMn 、Fe 、Co 。
にフェライト含有層3を設けることが要点である0 本発明で使用しうるフェライトは、一般式MO・Fe2
O2(M:2価の金属)なる組成を持つもので、Mとし
ては、たとえばMn 、Fe 、Co 。
Ni”、Cu”、Zn2+ などがあげられる。またM
は単体の金属でなく、Fs とZn 等、複合に
なっていてもよい0 強磁性金属薄膜2上に、フェライト含有層3を形成させ
るに当っては、スパッタリング法で形成させることがで
きる。
は単体の金属でなく、Fs とZn 等、複合に
なっていてもよい0 強磁性金属薄膜2上に、フェライト含有層3を形成させ
るに当っては、スパッタリング法で形成させることがで
きる。
本発明により強磁性金属薄膜2上に、フェライト含有層
3を形成する場合、その膜厚は60〜400人が好適で
ある。
3を形成する場合、その膜厚は60〜400人が好適で
ある。
一般に上記膜厚が600人よシ大となると、信号の再生
時にスペーシングロスにより出力が低下するので好まし
くなく、また60人より小さくなると、ピンホールが生
じやすくなって、活性基を有する炭化水素化合物もしく
は炭化弗素化合物との複合効果が期待できない。
時にスペーシングロスにより出力が低下するので好まし
くなく、また60人より小さくなると、ピンホールが生
じやすくなって、活性基を有する炭化水素化合物もしく
は炭化弗素化合物との複合効果が期待できない。
本発明によれば、上述した如きフェライト含有層3の上
に、 S Os H+ S OsM e (M eは
アルカリからなる群よシ選ばれた少なくとも1種の活性
基を有する炭化水素化合物含有層もしくは炭化弗素化合
物含有層4を設ける。
に、 S Os H+ S OsM e (M eは
アルカリからなる群よシ選ばれた少なくとも1種の活性
基を有する炭化水素化合物含有層もしくは炭化弗素化合
物含有層4を設ける。
本発明で使用しうる炭化水素化合物の炭化水素鎖の炭素
数は12〜26.炭化弗素化合物の炭化弗素鎖の炭素数
は6〜18が望ましい。炭化水素鎖の場合、炭素数11
以下、炭化弗素鎖の場合、炭素数5以下の化合物では、
充分な潤滑性、耐久性が得られない。また、炭素数27
以上の炭化水素鎖あるいは、炭素数19以上の炭化弗素
鎖を持つ化合物では、それ以上の潤滑性の向上は見られ
ず、耐久性が低下してしまう。
数は12〜26.炭化弗素化合物の炭化弗素鎖の炭素数
は6〜18が望ましい。炭化水素鎖の場合、炭素数11
以下、炭化弗素鎖の場合、炭素数5以下の化合物では、
充分な潤滑性、耐久性が得られない。また、炭素数27
以上の炭化水素鎖あるいは、炭素数19以上の炭化弗素
鎖を持つ化合物では、それ以上の潤滑性の向上は見られ
ず、耐久性が低下してしまう。
本発明で使用しうる炭化水素化合物としては、ラウリル
スルホン酸、ミリスチルスルホン酸、パルミチルスルホ
ン酸、ステアリルスルホン酸、エイコシルスルホン酸、
トコシルスルホン酸、テトラコシルスルホン酸、ヘキサ
コシルスルホン酸。
スルホン酸、ミリスチルスルホン酸、パルミチルスルホ
ン酸、ステアリルスルホン酸、エイコシルスルホン酸、
トコシルスルホン酸、テトラコシルスルホン酸、ヘキサ
コシルスルホン酸。
オレイルスルホン酸、リノーリルスルホン酸、リルニル
スルホン酸、エルカスルホン酸及ヒソレらのアルカリ金
属塩、ラクリルアミン、ミリスチルアミン、バルミチル
アミン、ステアリルアミン。
スルホン酸、エルカスルホン酸及ヒソレらのアルカリ金
属塩、ラクリルアミン、ミリスチルアミン、バルミチル
アミン、ステアリルアミン。
エイコシルアミン、トコジルアミン、テトラコシルアミ
ン、ヘキサコシルアミン、オレイルアミン。
ン、ヘキサコシルアミン、オレイルアミン。
リノーリルアミン、リルニルアミン、エルカアミン、リ
ン酸ラウリル、リン酸ミリスチル、リン酸パルミチル、
リン酸ステアリル、リン酸エイコシル、リン酸トコシル
、リン酸テトラコシル、リン酸ヘキサーコシル、リン酸
オレイル、リン酸すノーリル、リン酸すルニル、リン酸
エルカシル。
ン酸ラウリル、リン酸ミリスチル、リン酸パルミチル、
リン酸ステアリル、リン酸エイコシル、リン酸トコシル
、リン酸テトラコシル、リン酸ヘキサーコシル、リン酸
オレイル、リン酸すノーリル、リン酸すルニル、リン酸
エルカシル。
リン酸ジラウリル、リン酸シミリスチル、リン酸シバル
ミチル、リン酸ジステアリル、リン酸ジエイコシル、リ
ン酸ジドコシル、リン酸ジテトラコシル、リン酸ジヘキ
サコシル、リン酸ジオレイル。
ミチル、リン酸ジステアリル、リン酸ジエイコシル、リ
ン酸ジドコシル、リン酸ジテトラコシル、リン酸ジヘキ
サコシル、リン酸ジオレイル。
リン酸ジリノーリル、リン酸シリルニル、リン酸ジエル
カシル、ラウリルアミド、ミリスチルアミド、パルミチ
ルアミド、ステアリルアミド、エイコシルアミド、トコ
シルアミド、テトラコシルアミド、ヘキサコシルアミド
、オレイルアミド。
カシル、ラウリルアミド、ミリスチルアミド、パルミチ
ルアミド、ステアリルアミド、エイコシルアミド、トコ
シルアミド、テトラコシルアミド、ヘキサコシルアミド
、オレイルアミド。
リノーリルアミド、リルニルアミド、エルカアミドなど
がある。
がある。
本発明で使用しうる炭化弗素化合物としては、パーフル
オロカプロニルスルホン酸、)く−フルオロカプリルス
ルホン酸、バーフルオロカプリニルスルホン酸、パーフ
ルオロラウリルスルホン酸。
オロカプロニルスルホン酸、)く−フルオロカプリルス
ルホン酸、バーフルオロカプリニルスルホン酸、パーフ
ルオロラウリルスルホン酸。
パーフルオロミリスチルスルホン酸、ノ(−フルオロパ
ルミチルスルホン酸、パーフルオロステアリルスルホン
酸及びそのアルカリ金属塩、)く−フルオロカプロニル
アミン、パーフルオロカプリルアミン、パーフルオロカ
プリニルアミン、パーフルオロラウリルアミン、パーフ
ルオロミリスチルアミン、パーフルオロパルミチルアミ
ン、パーフルオロステアリルアミン、リン酸パーフルオ
ロカプロニル、リン酸ハーフルオロカフリル、リン酸バ
ーフルオロカプリニル、リン酸パーフルオロラウリル、
リン酸バーフルオロミリスチル、リン酸パーフルオロパ
ルミチル、リン酸パーフルオロステアリル、リン酸パー
フルオロシカプロニル、リン酸バーフルオロシカグリル
、リン酸パーフルオロシカプリニル、リン酸パーフルオ
ロジラウリル。
ルミチルスルホン酸、パーフルオロステアリルスルホン
酸及びそのアルカリ金属塩、)く−フルオロカプロニル
アミン、パーフルオロカプリルアミン、パーフルオロカ
プリニルアミン、パーフルオロラウリルアミン、パーフ
ルオロミリスチルアミン、パーフルオロパルミチルアミ
ン、パーフルオロステアリルアミン、リン酸パーフルオ
ロカプロニル、リン酸ハーフルオロカフリル、リン酸バ
ーフルオロカプリニル、リン酸パーフルオロラウリル、
リン酸バーフルオロミリスチル、リン酸パーフルオロパ
ルミチル、リン酸パーフルオロステアリル、リン酸パー
フルオロシカプロニル、リン酸バーフルオロシカグリル
、リン酸パーフルオロシカプリニル、リン酸パーフルオ
ロジラウリル。
リン酸パーフルオロシミリスチル、リン酸バーフルオロ
シバルミチル、リン酸パーフルオロジステアリル、パー
フルオロカプロンアミド、パーフルオロカプリルアミド
、パーフルオロカプリンアミド、パーフルオロラウリル
アミド、パーフルオロミリスチルアミド、パーフルオロ
パルミチルアミド、パーフルオロステアリルアミド等が
ある0?工ライト含有層3上に、前記炭化水素化合物含
有層もしくは炭化弗素含有層4を形成させるに当っては
、真空蒸着法、コーティング法、ラングミュア・プロジ
ェット法等により形成させることができる。
シバルミチル、リン酸パーフルオロジステアリル、パー
フルオロカプロンアミド、パーフルオロカプリルアミド
、パーフルオロカプリンアミド、パーフルオロラウリル
アミド、パーフルオロミリスチルアミド、パーフルオロ
パルミチルアミド、パーフルオロステアリルアミド等が
ある0?工ライト含有層3上に、前記炭化水素化合物含
有層もしくは炭化弗素含有層4を形成させるに当っては
、真空蒸着法、コーティング法、ラングミュア・プロジ
ェット法等により形成させることができる。
本発明によりフェライト含有層3上に、炭化水素化合物
含有層もしくは炭化弗素化合物含有層4を形成する場合
、その膜厚は50〜450人が好適であり、1oO〜a
oO人が滑性の点で好ましい。ただし、フェライト含有
層と合わせた厚さをSOOλ以下にする必要がある。S
OO人より大となると、信号の再生時にスペーシングロ
スにより出力が低下するので好ましくない。また、炭化
水素化合物含有層もしくは炭化弗素化合物含有層4の膜
厚がε〇八よシ小さくなると潤滑性が著しく低下するの
で好ましくない。
含有層もしくは炭化弗素化合物含有層4を形成する場合
、その膜厚は50〜450人が好適であり、1oO〜a
oO人が滑性の点で好ましい。ただし、フェライト含有
層と合わせた厚さをSOOλ以下にする必要がある。S
OO人より大となると、信号の再生時にスペーシングロ
スにより出力が低下するので好ましくない。また、炭化
水素化合物含有層もしくは炭化弗素化合物含有層4の膜
厚がε〇八よシ小さくなると潤滑性が著しく低下するの
で好ましくない。
以下に具体的な例を挙げて本発明を説明する。
実施例1〜12
厚さ20Amのポリイミドフィルム基板上に、真空蒸着
法によりコバルト(901−クロム(101r )から
なる膜厚1600人の強磁性金属薄膜を作った。この強
磁性金属薄膜を形成した基板から直径75−の大きさの
片を切りとり、上記強磁性金属薄膜の上に、スパッタ法
によシ、膜厚100人のZnフェライト薄膜を設けた。
法によりコバルト(901−クロム(101r )から
なる膜厚1600人の強磁性金属薄膜を作った。この強
磁性金属薄膜を形成した基板から直径75−の大きさの
片を切りとり、上記強磁性金属薄膜の上に、スパッタ法
によシ、膜厚100人のZnフェライト薄膜を設けた。
次にスピナーを用いて、下記の化合物の1ooppmイ
ソプロパツール(IPA)溶液を前記Znフェライト層
の上にコーティングした。2ccの溶液をsoorpm
の回転で塗工し、引き続いて、回転数を1100Orp
に上げて、溶媒を乾燥させた。
ソプロパツール(IPA)溶液を前記Znフェライト層
の上にコーティングした。2ccの溶液をsoorpm
の回転で塗工し、引き続いて、回転数を1100Orp
に上げて、溶媒を乾燥させた。
実施例1 ラウリルスルホン酸
比較例2 へキサコシルスルホン酸実施例3
ラウリルスルホン酸Na実施例4 ヘキサコシル
スルホン酸N a実施例6 ラウリルアミン 実施例6 へキサコシルアミン 実施例7 リン酸ラウリル 実施例8 リン酸へキサコシル 実施例9 リン酸ジラウリル 実施例1o リン酸ジヘキサコシル実施例11
ラウリルアミド 実施例12 ヘキサコシルアミド 実施例13〜24 前記実施例において、Znフェライトの代わりにM n
Z nフェライトの薄膜を設けた。次にスピナーを用
いて下記の化合物の1100PPダイフロン溶液を前記
Znフェライト層の上にコーティングした。コーティン
グ条件は、実施例1〜12と同じにした。
ラウリルスルホン酸Na実施例4 ヘキサコシル
スルホン酸N a実施例6 ラウリルアミン 実施例6 へキサコシルアミン 実施例7 リン酸ラウリル 実施例8 リン酸へキサコシル 実施例9 リン酸ジラウリル 実施例1o リン酸ジヘキサコシル実施例11
ラウリルアミド 実施例12 ヘキサコシルアミド 実施例13〜24 前記実施例において、Znフェライトの代わりにM n
Z nフェライトの薄膜を設けた。次にスピナーを用
いて下記の化合物の1100PPダイフロン溶液を前記
Znフェライト層の上にコーティングした。コーティン
グ条件は、実施例1〜12と同じにした。
実施例13 パーフルオロカプロニルスルホy酸実
施例14 パーフルオロステアリルスルホン酸実
施例16 パーフルオロカプロニルスルホン酸に実
施例16 パーフルオロステアリルスルホン酸に実
施例17 パーフルオロカプロニルアミン実施例1
8 パーフルオロステアリルアミン実施例19
リン酸バーフルオロカプロニル実施例2o
リン酸ノ(−フルオロステアリル実施例21 リ
ン酸)(−フルオロシカプロニル実M例22
リン酸パーフルオロジステアリル実施例23 パ
ーフルオロカプロンアミド実施例24 )く−
フルレオロステア1ノルアミド比較例1〜6 前記実施例において、強磁性金属薄膜の上に直接下記の
化合物の100ppm溶液をスピンコーティングした。
施例14 パーフルオロステアリルスルホン酸実
施例16 パーフルオロカプロニルスルホン酸に実
施例16 パーフルオロステアリルスルホン酸に実
施例17 パーフルオロカプロニルアミン実施例1
8 パーフルオロステアリルアミン実施例19
リン酸バーフルオロカプロニル実施例2o
リン酸ノ(−フルオロステアリル実施例21 リ
ン酸)(−フルオロシカプロニル実M例22
リン酸パーフルオロジステアリル実施例23 パ
ーフルオロカプロンアミド実施例24 )く−
フルレオロステア1ノルアミド比較例1〜6 前記実施例において、強磁性金属薄膜の上に直接下記の
化合物の100ppm溶液をスピンコーティングした。
コーティング条件は実施例と同じにした。
比較例1 ラウリルスルホン酸
比較例2 ラウリルスルホン酸Na比較例3
ラウリルアミン 比較例4 リン酸パーフルオロカプロニル比較
例5 リン酸パーフルオロシカプロニル比較例
6 パーフルオロカプロンアミド比較例1〜3に
は、IPAを溶媒として用いた。
ラウリルアミン 比較例4 リン酸パーフルオロカプロニル比較
例5 リン酸パーフルオロシカプロニル比較例
6 パーフルオロカプロンアミド比較例1〜3に
は、IPAを溶媒として用いた。
なお比較例4〜6は、蒸着法で形成した。
実施例1〜24,比較例1〜6で作成した試料を真空乾
燥後炭化水素化合物含有層及び炭化水素化合物含有層を
エリプソメーターで測定したところ膜厚は1oO〜12
0人であった。
燥後炭化水素化合物含有層及び炭化水素化合物含有層を
エリプソメーターで測定したところ膜厚は1oO〜12
0人であった。
これらの試料の動摩擦係数を動摩擦係数針(DFPM形
,協和科学製)で測定した。用いたヘッドは直径smm
の鋼球で、ヘッド荷重20g。
,協和科学製)で測定した。用いたヘッドは直径smm
の鋼球で、ヘッド荷重20g。
ヘッドの走行速度1 、0mm / sで測定した。そ
の結果を表に示す。表には、有機物層なしの試料も合わ
せてのせである。(比較例7〜9) 表のデータから本発明による実施例1〜24の磁気記録
媒体は、初期動摩擦係数は勿論、2o。
の結果を表に示す。表には、有機物層なしの試料も合わ
せてのせである。(比較例7〜9) 表のデータから本発明による実施例1〜24の磁気記録
媒体は、初期動摩擦係数は勿論、2o。
回往復後においても動摩擦係数が低く、潤滑性および耐
摩耗性において、比較例よりすぐれていることがわかる
。
摩耗性において、比較例よりすぐれていることがわかる
。
またこれらの磁気記録媒体を市販のフロッピーディスク
と同等の機能を有する試験機で走行させたところ、実施
例1〜24の磁気記録媒体は何れも100時間後も走行
が安定していた。それに対し、保護層なしく比較例7)
の媒体及び炭化水素化合物もしくは炭化弗素化合物含有
層のみを設けた媒体(比較例1〜6)は走行が不安定に
なり、強磁性金属薄膜面に摩耗傷が見られた。
と同等の機能を有する試験機で走行させたところ、実施
例1〜24の磁気記録媒体は何れも100時間後も走行
が安定していた。それに対し、保護層なしく比較例7)
の媒体及び炭化水素化合物もしくは炭化弗素化合物含有
層のみを設けた媒体(比較例1〜6)は走行が不安定に
なり、強磁性金属薄膜面に摩耗傷が見られた。
なお以上の実施例では磁気ディスクについて示したが、
本発明の磁気記録媒体は、磁気テープ。
本発明の磁気記録媒体は、磁気テープ。
磁気カード等にも適用できることは明らかである〇純性
にすぐれそれを長期間維持することができる。
にすぐれそれを長期間維持することができる。
図は本発明の一実施例における磁気記録媒体の断面図で
ある。 1・・・・・・非磁性基板、2・・・・・・強磁性金属
薄膜、3・・・・・・フェライト含有層、4・・・・・
・炭化水素化合物層もしくは、炭化弗素化合物層。
ある。 1・・・・・・非磁性基板、2・・・・・・強磁性金属
薄膜、3・・・・・・フェライト含有層、4・・・・・
・炭化水素化合物層もしくは、炭化弗素化合物層。
Claims (4)
- (1)非磁性基板上に設けた強磁性金属薄膜上に、フェ
ライト含有層を形成し、そのフェライト含有層表面に−
SO_3H、−SO_3Me(Meはアルカリ金属)、
−NH_2、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数
式、化学式、表等があります▼及び ▲数式、化学式、表等があります▼からなる群より選ば
れた少なくとも 1種の活性基を有する、炭化水素化合物含有層もしくは
炭化弗素化合物含有層を形成した磁気記録媒体。 - (2)フェライト含有層の厚さが60〜400Åである
特許請求の範囲第1項記載の磁気記録媒体。 - (3)炭化水素化合物の炭化水素鎖の炭素数が12〜2
6である特許請求の範囲第1項記載の磁気記録媒体。 - (4)炭化弗素化合物の炭化弗素鎖の炭素数が6〜18
である特許請求の範囲第1項記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7764185A JPS61237221A (ja) | 1985-04-12 | 1985-04-12 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7764185A JPS61237221A (ja) | 1985-04-12 | 1985-04-12 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61237221A true JPS61237221A (ja) | 1986-10-22 |
Family
ID=13639518
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7764185A Pending JPS61237221A (ja) | 1985-04-12 | 1985-04-12 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61237221A (ja) |
-
1985
- 1985-04-12 JP JP7764185A patent/JPS61237221A/ja active Pending
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