JPS61228656A - 層間絶縁膜の形成方法 - Google Patents
層間絶縁膜の形成方法Info
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- JPS61228656A JPS61228656A JP7151385A JP7151385A JPS61228656A JP S61228656 A JPS61228656 A JP S61228656A JP 7151385 A JP7151385 A JP 7151385A JP 7151385 A JP7151385 A JP 7151385A JP S61228656 A JPS61228656 A JP S61228656A
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- Japan
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- insulating film
- interlayer insulating
- viscosity material
- forming
- metal wiring
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- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置における層間絶縁膜の形成方法
に関するものである。
に関するものである。
第２図（ａ）、 （ｂ）は従来の眉間絶縁膜の形成方法
を説明するための工程断面図である。これらの図におい
て、１はシリコン等の半導体基板、２は前記半導体基板
１上に形成されたアルミ等の第１層の金属配線で、所望
のパターンに形成されている。
を説明するための工程断面図である。これらの図におい
て、１はシリコン等の半導体基板、２は前記半導体基板
１上に形成されたアルミ等の第１層の金属配線で、所望
のパターンに形成されている。
３は前記半導体基板１全面忙形成された眉間絶縁膜で、
多層配ｌｓｔ構成する場合に必要となるもので、シリコ
ン酸化膜またはシリコン窒化膜等の絶縁膜で形成される
。
多層配ｌｓｔ構成する場合に必要となるもので、シリコ
ン酸化膜またはシリコン窒化膜等の絶縁膜で形成される
。
上記第２図（ａ） Ｋ示すように、半導体基板１上にバ
グー二／グされた金属配［２が形成されている場合、金
属配線２の膜厚に段差が生じる。このため、段差を有す
る金属配線２上に層間絶縁膜として、シリコン酸化膜や
シリコン窒化膜等の眉間絶縁膜３ＹＣＶＤ法または蒸着
等により形成した場合、９２図（ｂ） Ｋ示すよう忙、
金属配線２上に形成された眉間絶縁膜３は金属配線２の
段差に応じて凹凸状となり、前記段差は緩和されること
なく、時にはより大きな段差が生じる。
グー二／グされた金属配［２が形成されている場合、金
属配線２の膜厚に段差が生じる。このため、段差を有す
る金属配線２上に層間絶縁膜として、シリコン酸化膜や
シリコン窒化膜等の眉間絶縁膜３ＹＣＶＤ法または蒸着
等により形成した場合、９２図（ｂ） Ｋ示すよう忙、
金属配線２上に形成された眉間絶縁膜３は金属配線２の
段差に応じて凹凸状となり、前記段差は緩和されること
なく、時にはより大きな段差が生じる。
上記従来法による眉間絶縁膜３の形成方法は、前記層間
絶縁膜３上に大きな段差が生じるため。
絶縁膜３上に大きな段差が生じるため。
次の工程のパターンにおいてレジストを塗布する場合、
前記段差を十分塩めるためのレジスト膜厚を必要とした
。このような厚いレジスト膜厚は解像度が悪く、微細パ
ターンが得られないという問題点があった。
前記段差を十分塩めるためのレジスト膜厚を必要とした
。このような厚いレジスト膜厚は解像度が悪く、微細パ
ターンが得られないという問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためＫなさ
れたもので、眉間絶縁膜の段差をなくし、・平坦化する
ことを目的とする。
れたもので、眉間絶縁膜の段差をなくし、・平坦化する
ことを目的とする。
この発明に係る層間絶縁膜の形成方法は、半導体基板上
に形成された段差のある金属配線上に層間絶縁膜を形成
して前記段差を埋め、この層間絶縁膜上に粘性物質を形
成して前記層間絶縁膜の凹部を埋めた後、前記粘性物質
を層間絶縁膜が所要厚みになるまで除去し、さらに前記
凹部ＫＩＡつた粘性物質をマスクとして眉間絶縁膜を所
要厚みになるまでエッチング除去して平坦化し、その後
金面忙新ｙ：に層間絶縁膜を形成するようＫしたもので
ある。
に形成された段差のある金属配線上に層間絶縁膜を形成
して前記段差を埋め、この層間絶縁膜上に粘性物質を形
成して前記層間絶縁膜の凹部を埋めた後、前記粘性物質
を層間絶縁膜が所要厚みになるまで除去し、さらに前記
凹部ＫＩＡつた粘性物質をマスクとして眉間絶縁膜を所
要厚みになるまでエッチング除去して平坦化し、その後
金面忙新ｙ：に層間絶縁膜を形成するようＫしたもので
ある。
この発明においては、ｌ／シスト等の粘性物質をマスク
として眉間絶縁膜がエツチング除去されるので、金属配
線のパターニングによって生ずる段差により凹部内には
眉間絶縁膜が金属配線とはｙ同一面となって残るので、
粘性物質を除去した後は金属配線が平坦化され、この上
Ｋ１Ｆｒたに形成する眉間絶縁膜は平坦化されたものと
なる。
として眉間絶縁膜がエツチング除去されるので、金属配
線のパターニングによって生ずる段差により凹部内には
眉間絶縁膜が金属配線とはｙ同一面となって残るので、
粘性物質を除去した後は金属配線が平坦化され、この上
Ｋ１Ｆｒたに形成する眉間絶縁膜は平坦化されたものと
なる。
（実施例〕
＠１図（ａ）〜（ｆ）はこの発明の一実施例の層間絶縁
膜の形成工程を示す断面図である。まず、第１図（ａ）
のようＫ、シリコン等の半導体基板１上にＡｔ等の金属
配Ｎ２がパターニングされて形成された後、全面にシリ
コン酸化膜またはシリコン窒化膜等の絶縁膜からなる眉
間絶縁膜３′９ｔプラズマＣｖＤ法等で形成する。この
時の眉間絶縁膜３表面忙は、金属配線２のパターン、す
なわち金属配線２の凹部に応じた凹部３ａが形成される
。その後第１図（ｂ）のようＫ、層間絶縁膜３上全ＩＮ
ＶＣレジスト等の粘性物質４を塗布して前記凹部３＆を
埋めた後、第１図（ｃ）Ｋ示すように、ドライエツチン
グにより粘性物質４を層間絶縁膜３表面まで除去する。
膜の形成工程を示す断面図である。まず、第１図（ａ）
のようＫ、シリコン等の半導体基板１上にＡｔ等の金属
配Ｎ２がパターニングされて形成された後、全面にシリ
コン酸化膜またはシリコン窒化膜等の絶縁膜からなる眉
間絶縁膜３′９ｔプラズマＣｖＤ法等で形成する。この
時の眉間絶縁膜３表面忙は、金属配線２のパターン、す
なわち金属配線２の凹部に応じた凹部３ａが形成される
。その後第１図（ｂ）のようＫ、層間絶縁膜３上全ＩＮ
ＶＣレジスト等の粘性物質４を塗布して前記凹部３＆を
埋めた後、第１図（ｃ）Ｋ示すように、ドライエツチン
グにより粘性物質４を層間絶縁膜３表面まで除去する。
例えば粘性物質４として膜厚１μｍのＣＭＳレジストヲ
用いた場合を考える。この場合、圧力１０Ｐａ、 ’
［力６００Ｗの０２プラズマによるＲＩＥ（反応性イオ
ンエツチング）では、０ＭＳレジストのエツチングレー
トが２００ ｎｍ／ｍｉｎ であるため、約５分間で眉
間絶縁膜３表面が露出し、一方、凹部３ａＫは０ＭＳレ
ジストが残存する０次にこの凹部３ａＫ残った粘性物質
４ｔマスクとして第１図（ｄ）のよう忙、眉間絶縁膜３
をプラズマまたはワエットケミカル法忙より除去する。
用いた場合を考える。この場合、圧力１０Ｐａ、 ’
［力６００Ｗの０２プラズマによるＲＩＥ（反応性イオ
ンエツチング）では、０ＭＳレジストのエツチングレー
トが２００ ｎｍ／ｍｉｎ であるため、約５分間で眉
間絶縁膜３表面が露出し、一方、凹部３ａＫは０ＭＳレ
ジストが残存する０次にこの凹部３ａＫ残った粘性物質
４ｔマスクとして第１図（ｄ）のよう忙、眉間絶縁膜３
をプラズマまたはワエットケミカル法忙より除去する。
プラズマエツチングする場合は（ＣＦ、＋Ｈ，）等ノ混
合ガスを使えばよい。次に第１図（ｅ）のよう忙、凹部
３ａ内に残つに層間絶縁膜３上の粘性物質４を除去した
後、第１図（ｆ）のようＫ、全面に＠たな層間絶縁膜３
をプラズマＣＶＤ法等で前記と同様に形成す、る。
合ガスを使えばよい。次に第１図（ｅ）のよう忙、凹部
３ａ内に残つに層間絶縁膜３上の粘性物質４を除去した
後、第１図（ｆ）のようＫ、全面に＠たな層間絶縁膜３
をプラズマＣＶＤ法等で前記と同様に形成す、る。
このようＫこの発明の工程においては、金属配置１２に
どのような凹部３ａ？形成してパターニングしてもその
上に形成される眉間絶縁膜３は平坦化されたものとなる
。
どのような凹部３ａ？形成してパターニングしてもその
上に形成される眉間絶縁膜３は平坦化されたものとなる
。
この発明は以上説明したとおり、半導体基板１上パター
ニングされた金属配線上に層間絶縁膜を形成し、この層
間絶縁膜３上成された凹部を粘性物質で埋めた後、この
粘性物質をマスクとし二層間絶縁膜を所要厚み忙なるま
でエツチング除去して表面を平坦化した後、全面Ｋ ％
ｊＣＫ層間絶縁膜を形成するよう忙したので、凹部の
ない平坦化されに層間絶縁膜が形成でき、後工程でのパ
ターニングの際のレジストが厚くならずＫすみ、したが
って微細パターンが得られるという利点がある。
ニングされた金属配線上に層間絶縁膜を形成し、この層
間絶縁膜３上成された凹部を粘性物質で埋めた後、この
粘性物質をマスクとし二層間絶縁膜を所要厚み忙なるま
でエツチング除去して表面を平坦化した後、全面Ｋ ％
ｊＣＫ層間絶縁膜を形成するよう忙したので、凹部の
ない平坦化されに層間絶縁膜が形成でき、後工程でのパ
ターニングの際のレジストが厚くならずＫすみ、したが
って微細パターンが得られるという利点がある。
第１■（ａ）〜（ｆ）はこの発明の一実施例を示す層間
絶縁膜の形成工程を示す断面図、第２図（ａ）。 （ｂ）は従来の眉間絶縁膜の形成方法を示す断面図であ
る。 図において、１は半導体基板、２は金属配線。 ３は層間絶縁膜、４は粘性物質である。 なお、各図中の同一符号は同一または和尚部分を示す。 代理人 大君 増雄 （外２名ン第１図 第２図 手続補正書（自発）
絶縁膜の形成工程を示す断面図、第２図（ａ）。 （ｂ）は従来の眉間絶縁膜の形成方法を示す断面図であ
る。 図において、１は半導体基板、２は金属配線。 ３は層間絶縁膜、４は粘性物質である。 なお、各図中の同一符号は同一または和尚部分を示す。 代理人 大君 増雄 （外２名ン第１図 第２図 手続補正書（自発）
Claims (2)
- （１）半導体基板上にパターニングされた金属配線上に
層間絶縁膜を形成する工程、前記層間絶縁膜上に粘性物
質を塗布する工程、前記粘性物質をドライエッチングし
、前記層間絶縁膜に形成された凹部にのみ前記粘性物質
を残す工程、前記凹部に残つた粘性物質をマスクとして
前記層間絶縁膜を所要厚みになるまでエッチング除去し
て表面を平坦化する工程、前記マスクとした粘性物質を
除去した後、前記層間絶縁膜と同様な層間絶縁膜を全面
に形成する工程とを含むことを特徴とする層間絶縁膜の
形成方法。 - （２）層間絶縁膜の厚さは、半導体基板上の凹部の深さ
と同程度にすることを特徴とする特許請求の範囲第（１
）項記載の層間絶縁膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7151385A JPS61228656A (ja) | 1985-04-02 | 1985-04-02 | 層間絶縁膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7151385A JPS61228656A (ja) | 1985-04-02 | 1985-04-02 | 層間絶縁膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61228656A true JPS61228656A (ja) | 1986-10-11 |
Family
ID=13462862
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7151385A Pending JPS61228656A (ja) | 1985-04-02 | 1985-04-02 | 層間絶縁膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61228656A (ja) |
-
1985
- 1985-04-02 JP JP7151385A patent/JPS61228656A/ja active Pending
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