JPS61222998A - ウイスカ−入り複合材料用原料の製造方法 - Google Patents
ウイスカ−入り複合材料用原料の製造方法Info
- Publication number
- JPS61222998A JPS61222998A JP6586685A JP6586685A JPS61222998A JP S61222998 A JPS61222998 A JP S61222998A JP 6586685 A JP6586685 A JP 6586685A JP 6586685 A JP6586685 A JP 6586685A JP S61222998 A JPS61222998 A JP S61222998A
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- JP
- Japan
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- whiskers
- whisker
- cvd
- fine powder
- gas
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- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明はウィスカー入り複合材料の製造に必要なウィス
カー同士、あるいは微細粉末とウィスカー状材料が均質
に混合されている原料の製造方法に関するものである。
カー同士、あるいは微細粉末とウィスカー状材料が均質
に混合されている原料の製造方法に関するものである。
〈従来の技術〉
２種以上のウィスカーから成る複合材料を造るには、そ
れ等異種ウィスカーを機械的に混合する事により混合体
を作成している。この方法は複合材料の素材がウィスカ
ーと微細粉末との場合も同様である。
れ等異種ウィスカーを機械的に混合する事により混合体
を作成している。この方法は複合材料の素材がウィスカ
ーと微細粉末との場合も同様である。
（発明が解決しようとする問題点）
上記従来技術としての機械的混合方法にあっては次の如
き諸問題があった。
き諸問題があった。
即ち、混合しようとする異種材料の比重差やウィスカー
同士のからみ付き、更には近年製造が可能となった直径
０．１μｍ以下の超微細粒子にあってはそれら超微細粒
子同士が凝集し合う等の原因により、均質混合が困難で
あった。
同士のからみ付き、更には近年製造が可能となった直径
０．１μｍ以下の超微細粒子にあってはそれら超微細粒
子同士が凝集し合う等の原因により、均質混合が困難で
あった。
従って得られる複合材料も部分的に強度が異なる、所謂
強度のバラツキがあるものしか得られず、真の意味でウ
ィスカーを利用しているとは言い難かった。
強度のバラツキがあるものしか得られず、真の意味でウ
ィスカーを利用しているとは言い難かった。
又一般的に微細ウィスカーは酸化等の化学変化を起こし
易いので、その保存や混合を真空中又は不活性ガス中等
でしなければならない等の取扱上の不便さもあった。
易いので、その保存や混合を真空中又は不活性ガス中等
でしなければならない等の取扱上の不便さもあった。
〈問題点を解決する為の手段〉
本発明では上述の諸問題を解決する為にＣＶＤ装置を利
用し、均質な混合体を得る方法を提供せんとするもので
あり、その要旨はウィスカー若しくはその圧縮体を、Ｃ
ＶＤ装置内に装入し、該装入ウィスカー若しくはその圧
縮体中にＣＶＤ用ガスを通過させることによりウィスカ
ー間隙内に異種ウィスカー若しくは微粒子体を生起せし
め、又は装入ウィスカー表面に被膜層を生起せしめるこ
とを特徴とするウィスカー入り複合材料用原料の製造方
法である。
用し、均質な混合体を得る方法を提供せんとするもので
あり、その要旨はウィスカー若しくはその圧縮体を、Ｃ
ＶＤ装置内に装入し、該装入ウィスカー若しくはその圧
縮体中にＣＶＤ用ガスを通過させることによりウィスカ
ー間隙内に異種ウィスカー若しくは微粒子体を生起せし
め、又は装入ウィスカー表面に被膜層を生起せしめるこ
とを特徴とするウィスカー入り複合材料用原料の製造方
法である。
ここで用いるウィスカー若しくはその圧縮体の素材やＣ
ＶＤ用ガスの組成、並びにＣＶＤ装置内で発生させる物
質及びその形状（ウィスカー、微粉末あるいは被膜層）
等を決める為に用いる触媒をどの様なものとするか等に
ついては特に限定される事なく、従来公知の組合わせを
自由に用いる事が出来る。
ＶＤ用ガスの組成、並びにＣＶＤ装置内で発生させる物
質及びその形状（ウィスカー、微粉末あるいは被膜層）
等を決める為に用いる触媒をどの様なものとするか等に
ついては特に限定される事なく、従来公知の組合わせを
自由に用いる事が出来る。
〈実施例並びに作用〉
以下本発明をその実施例に基づき上述する。
１１透上
前処理としてＰｄＣｌ液に浸した後乾燥させたＺｒｈウ
ィスカーにより通気性のある圧縮体（１）を作成し、そ
の圧縮体（１）を図面に示す様な反応槽（２）及びヒー
ター（３）等から成るＣＶＤ装置内へ配置し、圧縮体（
１）を１０５０〜１１００℃に保った状態−で、ＴｉＣ
ｌ４゜ＢＣｊ３． Ｉ２及び人ｒの混合ガスを流した。
ィスカーにより通気性のある圧縮体（１）を作成し、そ
の圧縮体（１）を図面に示す様な反応槽（２）及びヒー
ター（３）等から成るＣＶＤ装置内へ配置し、圧縮体（
１）を１０５０〜１１００℃に保った状態−で、ＴｉＣ
ｌ４゜ＢＣｊ３． Ｉ２及び人ｒの混合ガスを流した。
なお図中（４）は試料ホルダー兼ガス通路溝を示す。
次いでＣＶＤ装置より取出して調べた結果、Ｚｒ０ｚウ
イスカーの間隙内にＴｉＢ２ウィスカーがびっしりと、
かつ均一な状態で詰まった混合体が得られた。
イスカーの間隙内にＴｉＢ２ウィスカーがびっしりと、
かつ均一な状態で詰まった混合体が得られた。
この場合に於ける反応は、
２ＢＣｊ３ ＋ＴｉＣｊ４＋５Ｈｚ−ＴｉＢｚ＋１０Ｈ
Ｃｊであり、ＴｉＣＩ４． ＢＣ１３，Ｉ２及びＡｒガ
スの割合を、体積でそれぞれ１３．１％、１３．１％、
４５．６％及び２８，２％とし、その混合ガスの流量を
２．３ｃｃ／ｓｅｃ、 、ウィスカーの圧縮体に入る前
のガス温度が８７０℃となる様に調整するとＴｉＢ２ウ
ィスカーの成長が早く、短時間に均一に混合されたＺ、
ｒ０２ウィスカーとＴｉＢ２ウィスカーとの混合体が得
られる事を確認した。
Ｃｊであり、ＴｉＣＩ４． ＢＣ１３，Ｉ２及びＡｒガ
スの割合を、体積でそれぞれ１３．１％、１３．１％、
４５．６％及び２８，２％とし、その混合ガスの流量を
２．３ｃｃ／ｓｅｃ、 、ウィスカーの圧縮体に入る前
のガス温度が８７０℃となる様に調整するとＴｉＢ２ウ
ィスカーの成長が早く、短時間に均一に混合されたＺ、
ｒ０２ウィスカーとＴｉＢ２ウィスカーとの混合体が得
られる事を確認した。
なおこの実施例１ではウィスカー発生用触媒としてＰｄ
を用いたが、その他にＣｏ、 Ａｇ、 Ｓｉ、 Ｎｉ、
Ｍｎ。
を用いたが、その他にＣｏ、 Ａｇ、 Ｓｉ、 Ｎｉ、
Ｍｎ。
Ｆｅ、 Ｃｕ、 ＰｔあるいはＣやムライト等も触媒と
して有効である。
して有効である。
１１五１
ＴｉＢ２ウィスカーにより通気性のある圧縮体を作り、
それを実施例１で用いたのと同様の装置内に入れ、Ｔｉ
Ｂｚウィスカー圧縮体を１１５０℃に加熱した状態でＴ
ｉＣｌ４． Ｎ２及びＩ２混合ガスを流入する事により
、 Ｔ ｉ ＣＩ１４＋１ ／ ２Ｎ２ ＋２Ｈ２→ＴｉＮ
＋４ＨＣｊなる反応によりＴｉＢ２ウィスカーの間隙内
にＴｉＮ微粉末がびっしりと、かつ均一な状態に詰まっ
た混合体を得た。
それを実施例１で用いたのと同様の装置内に入れ、Ｔｉ
Ｂｚウィスカー圧縮体を１１５０℃に加熱した状態でＴ
ｉＣｌ４． Ｎ２及びＩ２混合ガスを流入する事により
、 Ｔ ｉ ＣＩ１４＋１ ／ ２Ｎ２ ＋２Ｈ２→ＴｉＮ
＋４ＨＣｊなる反応によりＴｉＢ２ウィスカーの間隙内
にＴｉＮ微粉末がびっしりと、かつ均一な状態に詰まっ
た混合体を得た。
１１五主
ＳｉＣウィスカーにより通気性のある圧縮体を作り、そ
れを実施例１で用いたのと同様の装置内に入れ、この圧
縮体を７００〜１４００℃に加熱した状態で、ＴｉＣｌ
４． Ｎ２及びＩ２の混合ガスを流入する事により、 ＴｉＣｌ４＋１／２Ｎ２＋２Ｈ２→ＴｉＮ＋４ＨＣｊな
る反応によりＳｉＣウィスカー表面に均一な厚さのＴｉ
Ｎコーティング層が生成された状態の混合体を得た。
れを実施例１で用いたのと同様の装置内に入れ、この圧
縮体を７００〜１４００℃に加熱した状態で、ＴｉＣｌ
４． Ｎ２及びＩ２の混合ガスを流入する事により、 ＴｉＣｌ４＋１／２Ｎ２＋２Ｈ２→ＴｉＮ＋４ＨＣｊな
る反応によりＳｉＣウィスカー表面に均一な厚さのＴｉ
Ｎコーティング層が生成された状態の混合体を得た。
〈発明の効果〉
本発明によれば、微細なウィスカー同士あるいは微細粉
末とウィスカー等の均質な混合体を容易に造る事が出来
、その場合の材料は各種類に選定出来、又ＣＶＤ反応に
より生起させる物質の形態も微細粒子、ウィスカーある
いはコーティング層と任意に選ぶ事が出来るので、本発
明方法によって得られる混合体を原料として造られる複
合材料は微細粒子やウィスカーの特性を十分に活かした
物となるという効果がある。
末とウィスカー等の均質な混合体を容易に造る事が出来
、その場合の材料は各種類に選定出来、又ＣＶＤ反応に
より生起させる物質の形態も微細粒子、ウィスカーある
いはコーティング層と任意に選ぶ事が出来るので、本発
明方法によって得られる混合体を原料として造られる複
合材料は微細粒子やウィスカーの特性を十分に活かした
物となるという効果がある。
図面は本発明で用いるＣＶＤ装置の一例を示す説明図。
図中、 （１）：圧粉体
（２）：反応槽
（３）：ヒーター
Claims (1)
- １、ウイスカー若しくはその圧縮体を、気相反応（ＣＶ
Ｄ）装置内に装入し、該装入ウイスカー若しくはその圧
縮体中にＣＶＤ用ガスを通過させることによりウイスカ
ー間隙内に異種ウイスカー若しくは微粒子体を生起せし
め、又は装入ウイスカー表面に被膜層を生起せしめるこ
とを特徴とするウイスカー入り複合材料用原料の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6586685A JPS61222998A (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | ウイスカ−入り複合材料用原料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6586685A JPS61222998A (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | ウイスカ−入り複合材料用原料の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61222998A true JPS61222998A (ja) | 1986-10-03 |
Family
ID=13299343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6586685A Pending JPS61222998A (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | ウイスカ−入り複合材料用原料の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61222998A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62176662A (ja) * | 1986-01-30 | 1987-08-03 | Nikkiso Co Ltd | 金属化合物被覆グラフアイトウイスカ− |
| FR2638735A1 (fr) * | 1988-11-07 | 1990-05-11 | Gen Electric | Composite en ceramique et son procede de fabrication |
-
1985
- 1985-03-28 JP JP6586685A patent/JPS61222998A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62176662A (ja) * | 1986-01-30 | 1987-08-03 | Nikkiso Co Ltd | 金属化合物被覆グラフアイトウイスカ− |
| JPH0556230B2 (ja) * | 1986-01-30 | 1993-08-19 | Nikkiso Co Ltd | |
| FR2638735A1 (fr) * | 1988-11-07 | 1990-05-11 | Gen Electric | Composite en ceramique et son procede de fabrication |
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