JPS63133323A - 酸化鉄磁性薄膜の製造方法 - Google Patents
酸化鉄磁性薄膜の製造方法Info
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- JPS63133323A JPS63133323A JP28018086A JP28018086A JPS63133323A JP S63133323 A JPS63133323 A JP S63133323A JP 28018086 A JP28018086 A JP 28018086A JP 28018086 A JP28018086 A JP 28018086A JP S63133323 A JPS63133323 A JP S63133323A
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Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高密度の磁気記録を可能とする磁気記録媒体の
製造方法に関するものである。
製造方法に関するものである。
従来の技術
従来、磁気記録媒体としては磁性酸化鉄粉r−Fs20
.の塗膜が中心であり、面記録密度等の磁気記録媒体と
しての特性はかなり向上して来ている。しかし、塗膜は
バインダ樹脂の中に磁性粉が分散しているので磁性材料
としては不連続である。つまり記録密度の点でかなりの
ロスがあるわけである。そこで、高記録密度化をはかる
上でここ数年来、連続磁性薄膜の研究開発がさかんに行
なわれている。磁気記録媒体を連続yi膜にすると、塗
膜と比べて磁束密度を高くすることができ、信号品質(
SN比)も良くすることができるからである。連続磁性
薄膜の中でも酸化鉄(γ−F 6203)磁性薄膜は優
れた磁気特性と環境安全性等の点から高密度磁気記録媒
体として注目されている。
.の塗膜が中心であり、面記録密度等の磁気記録媒体と
しての特性はかなり向上して来ている。しかし、塗膜は
バインダ樹脂の中に磁性粉が分散しているので磁性材料
としては不連続である。つまり記録密度の点でかなりの
ロスがあるわけである。そこで、高記録密度化をはかる
上でここ数年来、連続磁性薄膜の研究開発がさかんに行
なわれている。磁気記録媒体を連続yi膜にすると、塗
膜と比べて磁束密度を高くすることができ、信号品質(
SN比)も良くすることができるからである。連続磁性
薄膜の中でも酸化鉄(γ−F 6203)磁性薄膜は優
れた磁気特性と環境安全性等の点から高密度磁気記録媒
体として注目されている。
スピネル型酸化鉄の製造方法としては、スパッタ法が主
として用いられている。たとえば、TI。
として用いられている。たとえば、TI。
Co、Cuを少量含むFeをターゲットとし、アルゴン
と酸素の混合雰囲気中でスパッタを行ないα−F e
203膜を生成し、これを高温で還元してFe3O4膜
とする。またFe50.膜を300〜330℃で酸化す
ればr−Fe203膜が得られる。また、Fe、O,焼
結体をターゲットとして、スパッタを行ない、Fe3O
4膜を生成する方法もある。これを酸化すればT−Fe
2O3膜が得られる〔たとえば、ジェー、ケー、ハワー
ド“シン フィルムズ フォー マグネティンフレコー
ディング テクノロジー:ニーレビュー”ジャーナル
オブ バキューム サイエンス テクノロジー ニー、
4巻、1号、1月/2月。
と酸素の混合雰囲気中でスパッタを行ないα−F e
203膜を生成し、これを高温で還元してFe3O4膜
とする。またFe50.膜を300〜330℃で酸化す
ればr−Fe203膜が得られる。また、Fe、O,焼
結体をターゲットとして、スパッタを行ない、Fe3O
4膜を生成する方法もある。これを酸化すればT−Fe
2O3膜が得られる〔たとえば、ジェー、ケー、ハワー
ド“シン フィルムズ フォー マグネティンフレコー
ディング テクノロジー:ニーレビュー”ジャーナル
オブ バキューム サイエンス テクノロジー ニー、
4巻、1号、1月/2月。
1986 (J、 K、 Howard″Th1n f
ilms formagnetic recordi
ng technology : Areview
”J、 Vac、 Sci、 Technol、 A、
Fe14. Nal+J an/ F eb、 19
86.)) 。
ilms formagnetic recordi
ng technology : Areview
”J、 Vac、 Sci、 Technol、 A、
Fe14. Nal+J an/ F eb、 19
86.)) 。
発明が解決しようとする問題点
鉄酸化物を合成する場合、α−Fe20sが生成し易い
、スパッタ法によりr F e 20B膜を生成する
際にも、上述したようにα−Fe、O。
、スパッタ法によりr F e 20B膜を生成する
際にも、上述したようにα−Fe、O。
が生成するためこれを還元、そして酸化の工程を経てγ
−Fe2O3の単相膜としなくてはならない。またFe
3O4焼結体をターゲットにした場合は、F e g
O□が生成するがこれもやはり酸化という工程を経て、
r−Fe203膜を生成するのである。結局、スパッタ
法では直接γ−Fe203単相膜を合成することができ
ないのである。
−Fe2O3の単相膜としなくてはならない。またFe
3O4焼結体をターゲットにした場合は、F e g
O□が生成するがこれもやはり酸化という工程を経て、
r−Fe203膜を生成するのである。結局、スパッタ
法では直接γ−Fe203単相膜を合成することができ
ないのである。
本発明は上記問題点に鑑み、酸化鉄磁性薄膜(γ−Fe
120B)を直接合成できる製造方法を提供するもので
ある。
120B)を直接合成できる製造方法を提供するもので
ある。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために本発明は、酸化鉄磁性薄膜
の製造方法に従来のスパッタ法ではなくプラズマの活性
さを利用したプラズマCVD法を用いることにより、γ
−Fe20a連続膜を直接合成するという構成を備えた
ものである。
の製造方法に従来のスパッタ法ではなくプラズマの活性
さを利用したプラズマCVD法を用いることにより、γ
−Fe20a連続膜を直接合成するという構成を備えた
ものである。
作用
本発明は上記した構成によって、γ−F e 203薄
膜を直接合成するため、スパッタ法のように別の結晶構
造をもつ合成膜を酸化または還元することにより結晶構
造を変化させr−Fe208膜を得るといった工程が不
要となるのである。つまり、酸化、還元の際の結晶構造
の変化による膜質等への悪影響がまったくなくなると言
える。
膜を直接合成するため、スパッタ法のように別の結晶構
造をもつ合成膜を酸化または還元することにより結晶構
造を変化させr−Fe208膜を得るといった工程が不
要となるのである。つまり、酸化、還元の際の結晶構造
の変化による膜質等への悪影響がまったくなくなると言
える。
またスパッタに比ベプラズマCVD法が量産化に適して
いることなどから製造コストも大幅に低減することがで
きるのである。
いることなどから製造コストも大幅に低減することがで
きるのである。
実施例
以下本発明の一実施例のプラズマCVD法による酸化鉄
(T−Fe20.)磁性薄膜の製造方法について、図面
を参照しながら説明する。
(T−Fe20.)磁性薄膜の製造方法について、図面
を参照しながら説明する。
図は本発明の一実施例におけるプラズマCVD装置の概
略図を示すものである0図においてlは反応チャンバー
、2,3はそれぞれ高周波電極と高周波電源でプラズマ
を発生させるものである。
略図を示すものである0図においてlは反応チャンバー
、2,3はそれぞれ高周波電極と高周波電源でプラズマ
を発生させるものである。
4は基板加熱ホルダー、5は基板、6はフェロセンの入
ったバブラー、7はキャリアガスボンベ(Ar)、8は
反応ガスボンベ(0□)、9は反応チャンバー内を真空
にひくためのロータリーポンプである。また、10はバ
ブラーを加熱するためのヒーターである。
ったバブラー、7はキャリアガスボンベ(Ar)、8は
反応ガスボンベ(0□)、9は反応チャンバー内を真空
にひくためのロータリーポンプである。また、10はバ
ブラーを加熱するためのヒーターである。
バブラーヒーター10により、フェロセンの入ったバブ
ラーを80℃に加熱し、発生したフェロセンの蒸気をア
ルゴンのキャリアガス(流量10.0mA’/分)とと
もにロータリーポンプ9により減圧された反応チャンバ
ー1内に導入する。基板加熱ホルダー4によりあらかじ
め基板5 (ポリイミド)を300℃に加熱しておき、
反応ガス8の酸素を5 m 127分で反応チャンバー
1内に導入してプラズマを発生(高周波電力4 W/c
d)させ、30分間減圧下(0,1Torr)で反応さ
せ、ポリイミド基板5上に鉄酸化物を折出させた。X線
解析を行なった結果r−Fe203単相膜であることが
わかった。また、VSM (振動試料型磁力計)による
膜の磁気特性を測定した結果保磁力は3700gであっ
た。
ラーを80℃に加熱し、発生したフェロセンの蒸気をア
ルゴンのキャリアガス(流量10.0mA’/分)とと
もにロータリーポンプ9により減圧された反応チャンバ
ー1内に導入する。基板加熱ホルダー4によりあらかじ
め基板5 (ポリイミド)を300℃に加熱しておき、
反応ガス8の酸素を5 m 127分で反応チャンバー
1内に導入してプラズマを発生(高周波電力4 W/c
d)させ、30分間減圧下(0,1Torr)で反応さ
せ、ポリイミド基板5上に鉄酸化物を折出させた。X線
解析を行なった結果r−Fe203単相膜であることが
わかった。また、VSM (振動試料型磁力計)による
膜の磁気特性を測定した結果保磁力は3700gであっ
た。
以下同様にして、バブラ一温度1反応チャンバー内圧力
、基板加熱温度等を変化させた時のX線解析、VSM測
定の結果を第1表に示す。
、基板加熱温度等を変化させた時のX線解析、VSM測
定の結果を第1表に示す。
なお特許請求の範囲において、プラズマを維持する時の
圧力がlXl0”〜1,0Torrと限定したのは、I
X 102Torr以下では反応生成物Cr−Fe2
O2)の製膜速度が遅く実用上問題があるためであり、
I Torr以上ではプラズマが有効に効かないためで
ある。
圧力がlXl0”〜1,0Torrと限定したのは、I
X 102Torr以下では反応生成物Cr−Fe2
O2)の製膜速度が遅く実用上問題があるためであり、
I Torr以上ではプラズマが有効に効かないためで
ある。
発明の効果
以上のように本発明は、フェロセン
((C5H5) 2 F e) (D蒸気ト、キャリア
カスおよび反応ガスとしての酸素の混合ガスを減圧プラ
ズマ中で分解1反応させるために、加熱した対象基板上
に直接酸化鉄(γ Fe20a)の単相膜を生成する
ことができるのである。
カスおよび反応ガスとしての酸素の混合ガスを減圧プラ
ズマ中で分解1反応させるために、加熱した対象基板上
に直接酸化鉄(γ Fe20a)の単相膜を生成する
ことができるのである。
図は本発明の一実施例における酸化鉄磁性薄膜を製造す
るプラズマCVD装置の概略図である。 1・・・・・・反応チャンバー、2・・・・・・高周波
電極、3・・・・・・高周波電源、4・・・・・・基板
加熱ホルダー、5・・・・・・基板、6・・・・・・(
(05H5) 2Fe)バブラー、7・・・・・・Ar
キャリアガスボンベ、8・・・・・・02反応ガスボン
ベ、9・・・・・・ロータリーポンプ、lO・・・・・
・バブラーヒーター。
るプラズマCVD装置の概略図である。 1・・・・・・反応チャンバー、2・・・・・・高周波
電極、3・・・・・・高周波電源、4・・・・・・基板
加熱ホルダー、5・・・・・・基板、6・・・・・・(
(05H5) 2Fe)バブラー、7・・・・・・Ar
キャリアガスボンベ、8・・・・・・02反応ガスボン
ベ、9・・・・・・ロータリーポンプ、lO・・・・・
・バブラーヒーター。
Claims (3)
- (1)フェロセン((C_5H_5)_2Fe)の蒸気
と、キャリアーガスおよび反応ガスを、減圧プラズマ中
で分解させ、加熱した対象基板上に酸化鉄(γ−Fe_
2O_3)を折出させることを特徴とする酸化鉄磁性薄
膜の製造方法。 - (2)反応ガスとして、酸素(O_2)を用いることを
特徴とする特許請求の範囲第(1)項記載の酸化鉄磁性
薄膜の製造方法。 - (3)プラズマを維持する時の圧力が1×10^2〜1
.0Torrであることを特徴とする特許請求の範囲第
(1)項記載の酸化鉄磁性薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28018086A JPS63133323A (ja) | 1986-11-25 | 1986-11-25 | 酸化鉄磁性薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28018086A JPS63133323A (ja) | 1986-11-25 | 1986-11-25 | 酸化鉄磁性薄膜の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63133323A true JPS63133323A (ja) | 1988-06-06 |
Family
ID=17621410
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28018086A Pending JPS63133323A (ja) | 1986-11-25 | 1986-11-25 | 酸化鉄磁性薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63133323A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0378114A (ja) * | 1989-08-21 | 1991-04-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 酸化鉄磁気記録媒体の製造方法 |
-
1986
- 1986-11-25 JP JP28018086A patent/JPS63133323A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0378114A (ja) * | 1989-08-21 | 1991-04-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 酸化鉄磁気記録媒体の製造方法 |
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