JPS61194181A - 基体上に薄層を形成する方法 - Google Patents
基体上に薄層を形成する方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、基体、特に、ガラス上に放射せる金属化合物
粉体の熱分解によって、場合によっては有色の、輻射性
が低く、導電性で透明な金属酸化物薄層を上記基体上に
形成することに関する。
粉体の熱分解によって、場合によっては有色の、輻射性
が低く、導電性で透明な金属酸化物薄層を上記基体上に
形成することに関する。
金属化合物粉体は、基体上に品質の良い被膜を形成でき
るよう、規則的に分散させ得なければならず、被覆対象
の基体がガラスである場合は６５σＣまたは７００”Ｃ
以下の温度において十分な効率で分解しなければならず
、（いわゆるゞフロート′浴の出口におけるガラスリボ
ンのように、基体が粉体分配手段に対して急速に移動さ
れる場合は特に）短時間で可成りの厚さの酸化物層を生
ずるよう十分な割合の金属を含んでいなければならない
。
るよう、規則的に分散させ得なければならず、被覆対象
の基体がガラスである場合は６５σＣまたは７００”Ｃ
以下の温度において十分な効率で分解しなければならず
、（いわゆるゞフロート′浴の出口におけるガラスリボ
ンのように、基体が粉体分配手段に対して急速に移動さ
れる場合は特に）短時間で可成りの厚さの酸化物層を生
ずるよう十分な割合の金属を含んでいなければならない
。
ガラス基体上に酸化ジブチルスズ粉体（ＤＢＴＯ）（例
えば、仏特許公報第２．３！ｒＯ，９９７号および第２
．３９／、９６６号参照）または二フッ化ジブチルスズ
粉体（ＤＢＴＦ） （例えば、欧洲特許００３９２！；
６および仏特許公報第２．！；ｌＩ２，６．３を号参照
）分散して酸化スズ被膜をガラス基体上に形成すること
は、すでに公知である。
えば、仏特許公報第２．３！ｒＯ，９９７号および第２
．３９／、９６６号参照）または二フッ化ジブチルスズ
粉体（ＤＢＴＦ） （例えば、欧洲特許００３９２！；
６および仏特許公報第２．！；ｌＩ２，６．３を号参照
）分散して酸化スズ被膜をガラス基体上に形成すること
は、すでに公知である。
上記粉体は、ある程度満足できる層を生ずるが、所望の
電気的性質を得るのに必要な厚さの場合、層が反射によ
り着色される。さて、この色は、好ましい色ではないか
、周囲の構造物のスタイルに適合しない。更に、層厚が
僅かに変化しただけで色が不規則となる。
電気的性質を得るのに必要な厚さの場合、層が反射によ
り着色される。さて、この色は、好ましい色ではないか
、周囲の構造物のスタイルに適合しない。更に、層厚が
僅かに変化しただけで色が不規則となる。
色の完全な一様性を得るには、ある種の条件を厳密に順
守しなければならず、特に、粉体の品質を所定の如く一
定に保持しなければならず、分配装置を極めて正確に調
節しなければならない。
守しなければならず、特に、粉体の品質を所定の如く一
定に保持しなければならず、分配装置を極めて正確に調
節しなければならない。
色自体および色の完全な一様性を得るため順守する必要
のある操作条件は、上記の酸化スズ基の層の問題である
。
のある操作条件は、上記の酸化スズ基の層の問題である
。
更に、ガラス上に薄層な形成するため、粉体ではなくし
て溶液としてのインジウム化合物（特に、アセチルアセ
トン酸インジウム）が使用されている。しかしながら、
粉体の形の上記化合物は、熱分解速度が不十分である。
て溶液としてのインジウム化合物（特に、アセチルアセ
トン酸インジウム）が使用されている。しかしながら、
粉体の形の上記化合物は、熱分解速度が不十分である。
従って、上記化合物は、Ｎフロート浴”の出口を高速で
流れるガラスリボンに使用するのには不適である。
流れるガラスリボンに使用するのには不適である。
本発明の目的は、熱分解後に透明で導電性の薄い被覆層
を形成するため、高温の基体（例えば、気フロート浴“
の出口を流れるガラスリボン）上に分散させ得る、少く
ともｌっの金属化合物をベースとする粉体を供給するこ
とにある。更に、上記金属化合物の熱分解は、基体の高
速の移動に対応できるよう十分な効率で行い得なければ
ならない。一方、公知の有色の酸化スズ層の欠点を避け
るため、中性色に対応する層厚において、満足できる電
気的、光学的性質が得られなければならない。
を形成するため、高温の基体（例えば、気フロート浴“
の出口を流れるガラスリボン）上に分散させ得る、少く
ともｌっの金属化合物をベースとする粉体を供給するこ
とにある。更に、上記金属化合物の熱分解は、基体の高
速の移動に対応できるよう十分な効率で行い得なければ
ならない。一方、公知の有色の酸化スズ層の欠点を避け
るため、中性色に対応する層厚において、満足できる電
気的、光学的性質が得られなければならない。
このため、本発明に係る粉体は、ギ酸インジウムを含む
ことを特徴とする。
ことを特徴とする。
本発明は、更に、ギ酸インジウムの調製法に関する。こ
の方法は、酸をインジニウムに作用させ、次いで、かく
して得られたインジウム塩にフッ点近傍の温度でアンモ
ニアを作用させて水酸化インジウムを沈澱させ、沈澱物
を水洗、乾燥し、沈澱物をギ酸と反応させることから成
る。
の方法は、酸をインジニウムに作用させ、次いで、かく
して得られたインジウム塩にフッ点近傍の温度でアンモ
ニアを作用させて水酸化インジウムを沈澱させ、沈澱物
を水洗、乾燥し、沈澱物をギ酸と反応させることから成
る。
酸としてＨ（Ｊを使用した場合、調製法は下式で表わし
得る。
得る。
Ｉｎ＋Ｊ ＨＧＩ →Ｉｎ０Ｊ ３ ＋Ｊ ／２ Ｈ２
ＩｎＯＡ！３＋ＪＮＨ４０Ｈ→Ｉｎ（ＯＨ）３＋ＪＮＨ
４Ｃｉ／Ｉｎ（ＯＨ）３＋ＪＨｃ：ＯＯＨ→Ｉｎ０ｔＣ
ＯＯ）３＋ＪＨ２０塩酸の代わりに硝酸または別の酸を
使用することもできる。
ＩｎＯＡ！３＋ＪＮＨ４０Ｈ→Ｉｎ（ＯＨ）３＋ＪＮＨ
４Ｃｉ／Ｉｎ（ＯＨ）３＋ＪＨｃ：ＯＯＨ→Ｉｎ０ｔＣ
ＯＯ）３＋ＪＨ２０塩酸の代わりに硝酸または別の酸を
使用することもできる。
ギ酸インジウムは、唯一の金属化合物粉体であるが、ギ
酸インジウムと同程度の分解温度を有する１つまたは複
数の別の化合物と組合せるのが有利である。
酸インジウムと同程度の分解温度を有する１つまたは複
数の別の化合物と組合せるのが有利である。
導電性の高い層を得るため、スズ化合物、特に、最大３
０重景％のＤＢＴＯおよびまたはＤＢＴＦをギ酸インジ
ウムと組合せることができる。
０重景％のＤＢＴＯおよびまたはＤＢＴＦをギ酸インジ
ウムと組合せることができる。
上記化合物は、酸化インジウムのカチオンドーピングを
行う。事実、インジウム原子をスズ原子で替えれば、層
に自由電子が導入される。従って、このドーピングによ
って、層のキャリヤ密度および導電性が大きくなる。
行う。事実、インジウム原子をスズ原子で替えれば、層
に自由電子が導入される。従って、このドーピングによ
って、層のキャリヤ密度および導電性が大きくなる。
ギ酸インジウム粉体または粉体混合物は、ノズル（例え
ば、７９ざ３年７月を日出願の特許出願潟１３−／１０
６９に記載の分配装置の先駆をなす仏特許出願第２．！
；１１２，６３６号および第２．！；１１２，６３７号
に記載のノズル）によって基体、特に、ガラスリボン上
に放射できる。
ば、７９ざ３年７月を日出願の特許出願潟１３−／１０
６９に記載の分配装置の先駆をなす仏特許出願第２．！
；１１２，６３６号および第２．！；１１２，６３７号
に記載のノズル）によって基体、特に、ガラスリボン上
に放射できる。
ドーピングは、ガス状化合物（例えば、５ｎＣＡ’４）
またはガス状有機スズ化合物（例えば、Ｂ１１５ｎＣ１
３）によって行うこともできる。この場合、ドープ剤は
、粉体な懸濁させたガスおよびまたは粉体の加速および
または均一化に役立つガスと混合する。
またはガス状有機スズ化合物（例えば、Ｂ１１５ｎＣ１
３）によって行うこともできる。この場合、ドープ剤は
、粉体な懸濁させたガスおよびまたは粉体の加速および
または均一化に役立つガスと混合する。
ドープ剤は、更に、仏特許出願第２．５≠２，６３６’
号に記載のコントロールチャンバにノズルによって吸引
でき、およびまたは、特殊なダクトを介して放射ノズル
の出口に送ることができる。
号に記載のコントロールチャンバにノズルによって吸引
でき、およびまたは、特殊なダクトを介して放射ノズル
の出口に送ることができる。
基体上に金属酸化物層を形成した後、還元雰囲気または
中性雰囲気中で上記基体を処理するのが有利である。
中性雰囲気中で上記基体を処理するのが有利である。
本発明の実施例では、基体が耐え得る３００°Ｃ以上の
温度において還元雰囲気下または中性雰囲気下で処理を
行う′。
温度において還元雰囲気下または中性雰囲気下で処理を
行う′。
還元雰囲気は、１ フロート浴“と同一の組成の雰囲気
、即ち、窒素９０％と水素７０％とから構成できる。
、即ち、窒素９０％と水素７０％とから構成できる。
上記処理によって、層内の酸素空格子点の濃度が増加し
、従って、層の導電性および赤外反射能の増大に好まし
いアニオンドーピングが行われる。
、従って、層の導電性および赤外反射能の増大に好まし
いアニオンドーピングが行われる。
処理の期間および温度にもとづき、キャリヤ密度を可成
り、例えば、ｌ・１０２０キヤリヤ／ｃ ｍｌから２０
・１０２０キヤリヤ／ｃ ｍｌに変更でき、キャリヤの
易動度を可成り例えば、１０ｃｍ−Ｊ−１・Ｓ−４から
！；Ｏｃｍ・Ｖ−１・３−１に変更できる。
り、例えば、ｌ・１０２０キヤリヤ／ｃ ｍｌから２０
・１０２０キヤリヤ／ｃ ｍｌに変更でき、キャリヤの
易動度を可成り例えば、１０ｃｍ−Ｊ−１・Ｓ−４から
！；Ｏｃｍ・Ｖ−１・３−１に変更できる。
上記処理は、酸化層の生成直後に、ガラス製造ラインに
おいて、例えば、ガラスの熱を利用するため徐冷炉にお
いて行うことができる。
おいて、例えば、ガラスの熱を利用するため徐冷炉にお
いて行うことができる。
更に、ガラスの製造ラインとは別個の設備（附属の焼成
炉、強化ライン、プレスライン）において後で処理を行
うこともできる。
炉、強化ライン、プレスライン）において後で処理を行
うこともできる。
この場合、被覆ずみの基体を少くとも３００°Ｃの、し
かも、基体の耐える温度に加熱し、還元雰囲気または中
性雰囲気下で上記高温に保持しくこの保持時間は、温度
が高ければ高いほど且つ雰囲気の還元性が強ければ強い
ほど、短く、数秒〜数時間の範囲である）、次いで、還
元雰囲気または中性雰囲気下で、少くとも酸性雰囲気と
接触しても層の性質が変化しない温度まで基体を冷却す
る。
かも、基体の耐える温度に加熱し、還元雰囲気または中
性雰囲気下で上記高温に保持しくこの保持時間は、温度
が高ければ高いほど且つ雰囲気の還元性が強ければ強い
ほど、短く、数秒〜数時間の範囲である）、次いで、還
元雰囲気または中性雰囲気下で、少くとも酸性雰囲気と
接触しても層の性質が変化しない温度まで基体を冷却す
る。
還元雰囲気または中性雰囲気下の冷却は、３００°Ｃ以
下の温度まで行うのが有利である。同時に強化処理を行
う場合は、処理に必要な還元ガスまたは中性ガスを強化
ガスプローノズルに供給する。
下の温度まで行うのが有利である。同時に強化処理を行
う場合は、処理に必要な還元ガスまたは中性ガスを強化
ガスプローノズルに供給する。
要約して、層の処理効率は、下記因子とともに増大する
。
。
一処理雰囲気の還元性、例えば、混合物Ｎ２＋Ｘ％Ｈ２
（ここで、”〉Ｏｓ特に、ｘ−１０またはｘ−（７）の
水素％ 一温度、！００〜ｔＳＯ℃ 一時間、数秒〜数時間 かくして、輻射能が好ましく、中性色で、刺激の少ない
層が得られる。
（ここで、”〉Ｏｓ特に、ｘ−１０またはｘ−（７）の
水素％ 一温度、！００〜ｔＳＯ℃ 一時間、数秒〜数時間 かくして、輻射能が好ましく、中性色で、刺激の少ない
層が得られる。
本発明の説明のため、以下に２，３の実施例を記述する
。
。
実施例Ｉ
非酸化性雰囲気下の熱処理の前後において下記の特性を
有する。反射および透過に関して中性色の層を作製した
。
有する。反射および透過に関して中性色の層を作製した
。
処理前 処理後
厚さくｎｍ） ｑｏ ｑ。
ＩＲの平均反射係数 ０．．３３ ０
．７０輻射能 ０．１．．７
０ＪＯエネルギの透過係数（％）７１．よ ７６．
０光の透過係数（％） ７グ、７
７９．０面積抵抗（Ω） ２０３ ３
！；この種の層を得るため、ＤＢＴＯ１１重量％と混合
したギ酸インジウム基粉体を使用し、／ｆｍ／ｍｉｎ。
．７０輻射能 ０．１．．７
０ＪＯエネルギの透過係数（％）７１．よ ７６．
０光の透過係数（％） ７グ、７
７９．０面積抵抗（Ω） ２０３ ３
！；この種の層を得るため、ＤＢＴＯ１１重量％と混合
したギ酸インジウム基粉体を使用し、／ｆｍ／ｍｉｎ。
で流れる表面温度６００℃のガラスリボン上に分散させ
た。粉体の熱分解後、被覆ずみガラス基体を窒素雰囲気
下で６ｏｏ℃において２ｍ１ｎ、熱処理し、次いで、非
酸化性雰囲気下で、３００℃まで漸次的に冷却した。
た。粉体の熱分解後、被覆ずみガラス基体を窒素雰囲気
下で６ｏｏ℃において２ｍ１ｎ、熱処理し、次いで、非
酸化性雰囲気下で、３００℃まで漸次的に冷却した。
実施例■
ガラス基体へ分散させた粉体量を除いて実施例Ｉと同一
の条件で、適切な雰囲気下の熱処理の前後において下記
の性質を有し、反射では青色を呈し、透過では中性色の
層を作製した。
の条件で、適切な雰囲気下の熱処理の前後において下記
の性質を有し、反射では青色を呈し、透過では中性色の
層を作製した。
処理前 処理後
厚さくｎｍ） ｔｑｏ ／
９０ＩＲの平均反射係数 ０．３Ｊ
０．１７輻射能 ０．ｌＩ７
（７，／Ｊエネルギの透過係数（％） ７
７ ７コ光の透過係数偵） ｌｒ／
、３ ｒ３．０面積抵抗（Ω）
２ｓ ｔ、ｓ実施例■ ガラス基体へ分散させた粉体量を除いて実施例Ｉ、Ｉ［
と同一の条件で、非酸化性雰囲気下の熱処理の前後にお
いて下記の性質を有し、反射では紫紅色を！シ、透過で
は淡緑色を呈する層を作製した。
９０ＩＲの平均反射係数 ０．３Ｊ
０．１７輻射能 ０．ｌＩ７
（７，／Ｊエネルギの透過係数（％） ７
７ ７コ光の透過係数偵） ｌｒ／
、３ ｒ３．０面積抵抗（Ω）
２ｓ ｔ、ｓ実施例■ ガラス基体へ分散させた粉体量を除いて実施例Ｉ、Ｉ［
と同一の条件で、非酸化性雰囲気下の熱処理の前後にお
いて下記の性質を有し、反射では紫紅色を！シ、透過で
は淡緑色を呈する層を作製した。
処理前 処理後
厚さくｎｍ） ３ｏｏ ３
ｏ。
ｏ。
ＩＲの平均反射係数 ０．７Ａ ０．１９輻
射能 ０．２１１Ｏ，１１エネル
ギの透過係数 ７ｇ、ｔｒ ｔ６．。
射能 ０．２１１Ｏ，１１エネル
ギの透過係数 ７ｇ、ｔｒ ｔ６．。
光の透過係数 ｒｓ、ｒ ｒ２面積抵抗
（Ω） ２５ コｊＤＢＴＯまたはＤＢ
ＴＦを添加したギ酸インジウムから作製した層は、２×
１０−４Ωの電気抵抗を有する。
（Ω） ２５ コｊＤＢＴＯまたはＤＢ
ＴＦを添加したギ酸インジウムから作製した層は、２×
１０−４Ωの電気抵抗を有する。
上記の電気的、光学的特性は、層の熱処理に依存する。
未処理の層について得られた数値と最も強く処理した層
について得られた数値との間の数値の特性が得られるよ
う上記熱処理を調整することもできる。
について得られた数値との間の数値の特性が得られるよ
う上記熱処理を調整することもできる。
かくして、赤外線反射ガラスまたは導電性ガラスを製造
できる（表示、光起電力）。
できる（表示、光起電力）。
後者の場合、酸化インジウム層のエツチングは、酸化ス
ズの場合よりもはるかに容易である。
ズの場合よりもはるかに容易である。
更に、例えば、導電性の異なるゾーンを作成するため、
被覆ずみガラスの各ゾーンに異なる処理を行うことがで
きる。これは、加熱容量の異なるゾーンを有する薄層を
被覆した加熱用ガラスの製造に使用される。
被覆ずみガラスの各ゾーンに異なる処理を行うことがで
きる。これは、加熱容量の異なるゾーンを有する薄層を
被覆した加熱用ガラスの製造に使用される。
本発明は、更に、各種の絶縁性基体、特に、ガラス製品
（例えば、びん、小びん、光学素子、照明ランプ、ガラ
ス繊維）、シリカ製品、耐火材料、アルミナなどの被覆
処理に適用できる。
（例えば、びん、小びん、光学素子、照明ランプ、ガラ
ス繊維）、シリカ製品、耐火材料、アルミナなどの被覆
処理に適用できる。
別個の対象に粉体または粉体混合物を放射するのに使用
する装置は、一般に、上述のノズルとは異なる。この場
合、例えば、公知のガンを使用する。
する装置は、一般に、上述のノズルとは異なる。この場
合、例えば、公知のガンを使用する。
上述の説明は、もっばら、ギ醗インジウム基の粉体化合
物およびその使用に関する。
物およびその使用に関する。
しかしながら、上記粉体は、固体および粉体以外の形で
変換させて使用することもできる。
変換させて使用することもできる。
特に、粉体は、メチルアルコールに溶解できる。
この場合、ギ酸インジウム基化合物の溶液を基体上に分
散し、熱分解させて、特性改質のため熱処理を行い得る
金属酸化物層を形成できる。
散し、熱分解させて、特性改質のため熱処理を行い得る
金属酸化物層を形成できる。
Claims (14)
- （１）基体、特に、ガラス上に透明で導電性の薄層を形
成するための金属化合物ベースの粉体において、ギ酸イ
ンジウム粉を含むことを特徴とする粉体。 - （２）ギ酸インジウムと同程度の分解温度を有する１つ
または複数の別の化合物とギ酸インジウムを組合せたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の粉体。 - （３）上記別の化合物が、３０重量％以下の酸化ジブチ
ルスズ（ＤＢＴＯ）粉または二フッ化ジブチルスズ（Ｄ
ＢＴＦ）粉から成ることを特徴とする特許請求の範囲第
２項記載の粉体。 - （４）上記別の化合物が、ガス状スズ化合物（例えば、
ＳｎＣｌ＿４）またはガス状有機スズ化合物（例えば、
ＢｕＳｎＣｌ＿３）から成ることを特徴とする特許請求
の範囲第２項記載の粉体。 - （５）ギ酸インジウムの調製法において、インジウムに
酸を作用させ、次いで、かくして得られたインジウム塩
にフッ点近傍の温度でアンモニアを作用させて水酸化イ
ンジウムを沈澱させ、沈澱物を洗浄、乾燥し、ギ酸と反
応させることを特徴とする方法。 - （６）基体、特に、ガラスリボン上に透明で導電性の金
属酸化物薄層を形成する方法において、キャリヤガス中
に懸濁させた特許請求の範囲第１〜４項の１つに記載の
粉体を上記基体上に放射し、基体と接触させて粉体を熱
分解させ、金属酸化物薄層を形成することを特徴とする
方法。 - （７）基体、特に、ガラスリボン上に透明で導電性の金
属酸化物薄層を形成する方法において、特許請求の範囲
第１〜４項の１つに記載の粉体をメチルアルコールのタ
イプの溶剤に溶解し、かくして得られた溶液を高温の基
体上に分散させ、熱分解させて金属酸化物薄層を形成す
ることを特徴とする方法。 - （８）得られた薄層に対して、還元雰囲気または中性雰
囲気下で少くとも３００℃の温度において熱処理を行う
ことを特徴とする特許請求の範囲第６項または第７項記
載の方法。 - （９）熱処理が、数秒〜数時間の範囲の時間にわたって
高温に保持し、次いで、酸化雰囲気と接触しても層の性
質が変化しないような温度まで還元雰囲気または中性雰
囲気下で冷却することから成ることを特徴とする特許請
求の範囲第８項記載の方法。 - （１０）還元性雰囲気または中性雰囲気下の冷却は、３
００℃以下の温度まで行うことを特徴とする特許請求の
範囲第９項記載の方法。 - （１１）層処理の還元性雰囲気または中性雰囲気が、Ｎ
＿２＋ｘ％Ｈ＿２（ここで、ｘは＞０、特に１０である
）から成ることを特徴とする特許請求の範囲第８〜１０
項の１つに記載の方法。 - （１２）熱処理は、層の形成直後にガラスの製造ライン
において行うことを特徴とする特許請求の範囲第８〜１
１項の１つに記載の方法。 - （１３）熱処理は、ガラスの製造ラインとは別個の設備
（特に、附属の焼成炉、強化ライン、プレスライン）に
おいて行うことを特徴とする特許請求の範囲第８〜１１
項の１つに記載の方法。 - （１４）熱処理中の層の最高温度は、基体の性質に依存
し、基体がガラスの場合、約６５０℃であることを特徴
とする特許請求の範囲第１〜１３項の１つに記載の方法
。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8500854 | 1985-01-22 | ||
| FR8500854A FR2576324B1 (fr) | 1985-01-22 | 1985-01-22 | Poudre a base de formiate d'indium pour la formation d'une couche mince sur un substrat, notamment en verre, son procede de preparation et procede de formation d'une couche a partir d'une telle poudre |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61194181A true JPS61194181A (ja) | 1986-08-28 |
| JPH0723236B2 JPH0723236B2 (ja) | 1995-03-15 |
Family
ID=9315482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61011607A Expired - Lifetime JPH0723236B2 (ja) | 1985-01-22 | 1986-01-22 | 基体上に薄層を形成する方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0723236B2 (ja) |
| CA (1) | CA1286315C (ja) |
| FR (1) | FR2576324B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01212787A (ja) * | 1988-01-08 | 1989-08-25 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 弱酸の金属塩、特にギ酸インジウムの合成 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5152418A (ja) * | 1974-08-31 | 1976-05-10 | Philips Nv | Dannetsugarasuban |
| JPS56126210A (en) * | 1980-03-10 | 1981-10-03 | Hitachi Ltd | Method of forming transparent conductive film |
| JPS5820754A (ja) * | 1981-07-28 | 1983-02-07 | Nippon Soda Co Ltd | 導電性被膜の成膜法 |
| JPS59116138A (ja) * | 1982-11-03 | 1984-07-04 | ドネリ−・ミラ−ズ・インコ−ポレイテツド | 湾曲、導電性被覆したガラス部材を製造する方法およびその製品 |
-
1985
- 1985-01-22 FR FR8500854A patent/FR2576324B1/fr not_active Expired
-
1986
- 1986-01-21 CA CA000499977A patent/CA1286315C/fr not_active Expired - Fee Related
- 1986-01-22 JP JP61011607A patent/JPH0723236B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5152418A (ja) * | 1974-08-31 | 1976-05-10 | Philips Nv | Dannetsugarasuban |
| JPS56126210A (en) * | 1980-03-10 | 1981-10-03 | Hitachi Ltd | Method of forming transparent conductive film |
| JPS5820754A (ja) * | 1981-07-28 | 1983-02-07 | Nippon Soda Co Ltd | 導電性被膜の成膜法 |
| JPS59116138A (ja) * | 1982-11-03 | 1984-07-04 | ドネリ−・ミラ−ズ・インコ−ポレイテツド | 湾曲、導電性被覆したガラス部材を製造する方法およびその製品 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01212787A (ja) * | 1988-01-08 | 1989-08-25 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 弱酸の金属塩、特にギ酸インジウムの合成 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0723236B2 (ja) | 1995-03-15 |
| FR2576324A1 (fr) | 1986-07-25 |
| CA1286315C (fr) | 1991-07-16 |
| FR2576324B1 (fr) | 1989-10-27 |
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