CN1425620A - 浮法在线生产低辐射膜玻璃的方法 - Google Patents
浮法在线生产低辐射膜玻璃的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1425620A CN1425620A CN 01142650 CN01142650A CN1425620A CN 1425620 A CN1425620 A CN 1425620A CN 01142650 CN01142650 CN 01142650 CN 01142650 A CN01142650 A CN 01142650A CN 1425620 A CN1425620 A CN 1425620A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- glass
- low
- proplastid
- radiation film
- gas mixture
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 13
- 238000007667 floating Methods 0.000 title claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 31
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 26
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical group CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 15
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 13
- UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N trihydridoboron Substances B UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910000085 borane Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- WKFBZNUBXWCCHG-UHFFFAOYSA-N phosphorus trifluoride Chemical group FP(F)F WKFBZNUBXWCCHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 9
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 9
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- -1 trifluoroacetic acid-butyl tindichloride ester Chemical class 0.000 claims description 8
- FAPDDOBMIUGHIN-UHFFFAOYSA-K antimony trichloride Chemical group Cl[Sb](Cl)Cl FAPDDOBMIUGHIN-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 7
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 5
- 235000011089 carbon dioxide Nutrition 0.000 claims description 5
- 239000005329 float glass Substances 0.000 claims description 5
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 5
- SOGAXMICEFXMKE-UHFFFAOYSA-N Butylmethacrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C(C)=C SOGAXMICEFXMKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910021627 Tin(IV) chloride Inorganic materials 0.000 claims description 4
- DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N Trifluoroacetic acid Chemical group OC(=O)C(F)(F)F DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 4
- 229940043265 methyl isobutyl ketone Drugs 0.000 claims description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 4
- BDZBKCUKTQZUTL-UHFFFAOYSA-N triethyl phosphite Chemical compound CCOP(OCC)OCC BDZBKCUKTQZUTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- GETTZEONDQJALK-UHFFFAOYSA-N (trifluoromethyl)benzene Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC=C1 GETTZEONDQJALK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N Acetic anhydride Chemical compound CC(=O)OC(C)=O WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ISKQADXMHQSTHK-UHFFFAOYSA-N [4-(aminomethyl)phenyl]methanamine Chemical compound NCC1=CC=C(CN)C=C1 ISKQADXMHQSTHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VMZCHSVMQLKOOM-UHFFFAOYSA-N [Sn].C(CCC)C(=C(C(=O)O)CCCC)C(=O)O Chemical compound [Sn].C(CCC)C(=C(C(=O)O)CCCC)C(=O)O VMZCHSVMQLKOOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NPAIMXWXWPJRES-UHFFFAOYSA-N butyltin(3+) Chemical compound CCCC[Sn+3] NPAIMXWXWPJRES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 2
- POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N dodecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCC(O)=O POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 2
- 229940033355 lauric acid Drugs 0.000 claims description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 claims description 2
- 238000001149 thermolysis Methods 0.000 claims description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 abstract 2
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 101000635799 Homo sapiens Run domain Beclin-1-interacting and cysteine-rich domain-containing protein Proteins 0.000 abstract 1
- 238000006124 Pilkington process Methods 0.000 abstract 1
- 102100030852 Run domain Beclin-1-interacting and cysteine-rich domain-containing protein Human genes 0.000 abstract 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N antimony(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Sb+3].[Sb+3] GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- DLBIVAXRKUJUQO-UHFFFAOYSA-N [C].[B]=O Chemical compound [C].[B]=O DLBIVAXRKUJUQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001413 alkali metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 2
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005485 electric heating Methods 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000005344 low-emissivity glass Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 235000012736 patent blue V Nutrition 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012916 structural analysis Methods 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
本发明涉及浮法在线生产低辐射膜玻璃的方法，该方法利用化学汽相沉积法，在热的玻璃表面沉积氧化硅、氧化硼掺碳的屏蔽层和氧化锡、氧化锑掺氟、磷的低辐射层的复合膜层。用这种方法制得的膜层较现有技术在相同的温度下沉积速度高，膜层均匀，表面电阻小，导电率高，辐射率低，耐磨性好，抗碱性强，并具有生产稳定、生产效率高，适合制造大规格低辐射玻璃的优点。
Description
技术领域
本发明涉及浮法在线生产低辐射膜玻璃的方法。具体说是利用化学汽相沉积法，在热的玻璃表面沉积氧化硅、氧化硼掺碳的屏蔽层和氧化锡、氧化锑掺氟、磷的低辐射层的复合膜层。
背景技术
人们惯用在玻璃上涂敷低辐射膜，如氧化锡膜来改变玻璃对中远红外线的辐射和反射特性，但直接在玻璃表面镀低辐射膜，由于玻璃内部的碱金属离子容易迁移到玻璃表面，它会劣化膜层的电热性能，使表面电阻增加和物理化学稳定性降低，并使得低辐射层产生白色浑浊体，透明度降低。
在本领域中已经知道许多种方法可以用于涂敷玻璃，这些方法包括真空磁控溅射法、热喷涂法、溶胶凝胶法、化学汽相沉积法等，如申请号为96110665的中国专利，阐述了一种通过化学汽相沉积的方式在移动的630～640℃的平板玻璃或浮法玻璃基体上，利用四氯化锡和水预混合形成单一的汽流，沉积氧化锡膜层的方法。混合是在氟化氢、甲醇、乙醇等低级链烷醇的存在下进行的，可以实现单一汽流的四氯化锡和水只在基体表面的区域内相互反应在玻璃上形成涂层。该方法涉及的反应物质要求在高温下瞬间分解反应，不易控制，工艺复杂。
申请号为94118301的中国专利，提出了在浮法玻璃生产线上利用化学汽相沉积法在线生产阳光控制镀膜玻璃，该方法生产的镀膜玻璃基本不具备低辐射性能。
发明内容
本发明的目的是提供一种浮法在线生产低辐射膜玻璃的方法。
本发明提供的生产低辐射膜玻璃的方法，是利用化学汽相沉积法，采用合适的前质体汽体混合物分阶段在热的玻璃表面沉积氧化硅、氧化硼掺碳的屏蔽层和氧化锡、氧化锑掺氟、磷的低辐射层的复合膜层。该方法包括以下步骤：
1)在浮法玻璃生产线锡槽内用化学汽相沉积法，将由硅烷、硼烷、乙烯、含氧源、惰性气体组成的前质体汽体混合物以高于400/S的速度沉积在温度为620～700℃的浮法玻璃基体表面，在玻璃表面形成涂层厚度为40～90nm、折射率为1.6～1.8屏蔽层涂层；
2)将涂有屏蔽层的玻璃传输到退火窑，在退火窑内温度为550～610℃区域设置单通道进汽结构的反应器，利用该反应器将已被汽化的含锡源、锑源和掺杂剂、稳定剂、催化剂预混合制成的前质体汽体混合物，用空气做载体，通入到移动的已涂有屏蔽层的浮法玻璃带表面，以高于400/S的速度进行热分解，形成厚度为200～400nm、辐射率小于0.15的低辐射膜涂层。
上述镀屏蔽层用的前质体汽体混合物中，通常，硅烷浓度为5～15％，硼烷浓度为1～15％，乙烯浓度为80～100％，含氧源浓度为1～20％，用惰性气体氮气或氩气稀释。
所说的含氧源是二氧化碳、氧化二氮或亚磷酸三乙酯。
一般，镀屏蔽层的前质体汽体混合物的体积比为：硼烷∶硅烷∶乙烯∶含氧源＝0.00050～0.006∶0.5～1.5∶2～12∶2～8。
镀低辐射层的前质体汽体混合物的锡源可选用三氟乙酸-丁基二氯化锡酯、二丁基丁烯二酸锡、二丁基二(十二酸)锡、二乙酸二丁基锡、四氯化锡、三氯一丁基锡。优选三氟乙酸-丁基二氯化锡酯。
镀低辐射层的前质体汽体混合物的锑源可选用三氯化锑、三溴化锑。优选三氯化锑。
本发明中采用掺杂剂可使汽体混合物的沉积速度高于400/S，生产更容易控制。掺杂剂磷源是三氟化磷、亚磷酸三乙酯，优选三氟化磷。氟源是三氟化磷、三氟乙酸、三氟甲苯，优选三氟化磷。
稳定剂可选用乙酸乙酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸丁酯、乙酸酐、甲基异丁基酮、α-甲基丙烯酸。优选乙酸乙酯。由于乙酸乙酯的分解温度较高，它的存在可防止混合后的汽体发生不希望的预反应。
催化剂选用水蒸气、乙醇、甲醇。
镀低辐射层的前质体汽体混合物中各成分的摩尔百分数分别是：锡源1～10mol％、锑源1～5mol％、掺杂剂0.1～3mol％、稳定剂0.5～3mol％、催化剂0.1～2.5mol％，其余为空气。
在本发明中，由于加入了乙烯和含氧源等，形成了含碳的二氧化硅膜层结构，屏蔽层不仅能阻挡碱金属离子的扩散，同时也由于其1.6～1.8合适的折射率，提供了一个衰减颜色层，用以降低玻璃上的低辐射层因红外反射高呈现的辐射反射色，起到了减弱虹彩的作用。
乙烯和含氧源的加入，提高了低辐射膜玻璃的可见光透射比，降低了折射率，同时大大增强了其抗碱性，具体结果见表1。表1
| 编号 | 硼烷∶硅烷∶乙烯∶二氧化碳(体积比) | 透射比(％) | 折射率 | 抗碱性(h) |
| 1 | 0.002∶1∶0∶0 | 20.5 | 3.50 | 1.2 |
| 2 | 0.002∶1∶0.5∶0 | 37.7 | 2.52 | 6.9 |
| 3 | 0.002∶1∶4∶4 | 80.8 | 2.35 | 18.5 |
| 4 | 0.002∶1∶8∶4 | 82.5 | 1.70 | 29.2 |
| 5 | 0.002∶1∶10∶4 | 82.8 | 1.69 | 29.3 |
| 6 | 0.002∶1∶0∶0.5 | 25.0 | 3.05 | 2.4 |
| 7 | 0.002∶1∶8∶2 | 35.6 | 1.72 | 18.8 |
| 8 | 0.002∶1∶8∶6 | 82.6 | 1.71 | 29.5 |
本发明利用化学汽相沉积法镀含氧化硼、碳和磷的氧化硅膜的过程是：吸附、受热分解、氧化。硅烷的热分解过程是沉积热解转换过程，当玻璃基体温度一定，分解产率一定时，沉积速率将直接与吸附反应剂的分子有关。硅烷(SiH4)分子具有Si+-H-的离子形式，能被具有正电位的表面吸附。所以能在玻璃表面产生电位更正的分子有助于SiH4分子的吸附，从而提高沉积速率。硼的掺入有助于玻璃表面电位更正，在相同温度下提高硅烷的沉积速率，以较快速度形成二氧化硅膜层，避免沉积处理区过长。用这种方法制得的含氧化硼的混合膜层具有在相同温度下沉积速度高、折射率适中的特点，这为低辐射层提供了合适的底层即屏蔽层。
在理想情况下，SnO2膜中是不存在可以自由移动的电子，是不导电的绝缘体。但用高温水解反应制得的二氧化锡膜因其结构上偏离了化学计量比，形成一种N型半导体，霍尔系数为负，电子迁移率为10～50cm2/(V.s)。由结构分析表明，高温水解反应制得的SnO2晶体中存在一定数量的SnO和Sn，即晶格中存在氧离子O-2缺位，氧离子缺位附近的锡就会多余出价电子，这些束缚不紧的价电子很容易被激发，成为载流子，表现出一定的电子导电性；同时由于载流子的迁移，对中远红外波长的反射很高，膜的电导性取决于氧离子的缺位状况，也就是载流子的浓度。如果使其偏离化学计量比，并采取掺杂办法使其具有高的载流子浓度，就会提高膜层的导电性，降低辐射率。本着这一原理，本发明向二氧化锡薄膜加入杂质Sb5+、P5+、F-，提供电子作载流子，使导电性增强。
三氟化磷和三氯化锑的加入，明显降低了低辐射膜玻璃的表面电阻和辐射率，改善了反射色调，具体见表2。表2
| 编号 | 三氟化磷mol％ | 三氯化锑mol％ | 表面电阻Ω/□ | 辐射率E | 米制色度 | |
| a* | b* | |||||
| 1 | 0 | 0 | 100 | 0.41 | 2.22 | -9.30 |
| 2 | 0 | 2.5 | 80 | 0.37 | -1.5 | -9.20 |
| 3 | 0.5 | 2.5 | 40 | 0.25 | -1.01 | -7.20 |
| 4 | 1.0 | 2.5 | 18 | 0.15 | -0.80 | -3.86 |
| 5 | 1.0 | 0 | 79 | 0.36 | 1.21 | -8.55 |
| 6 | 1.0 | 0.5 | 60 | 0.30 | 1.02 | -6.01 |
本发明提供的浮法在线生产低辐射膜玻璃的方法由于合理地采用了锑源、掺杂剂、稳定剂和催化剂，它们与锡源的有效结合，使前质体汽体混合物分解速度快，而且生产容易控制。用这种方法制得的膜层较现有技术在相同的温度下沉积速度高，膜层均匀，表面电阻小，导电率高，辐射率低，耐磨性好，抗碱性强。由于低辐射膜层中还含有氧化锑，它与SnO2结合形成的色心在可见光有吸收，共同作用产生互补，控制光线的透射，对太阳辐射有调节作用。本发明方法还具有生产稳定、生产效率高、产品性能优，适合制造大规格低辐射玻璃的优点。
具体实施方式
下面用实例，进一步阐述本发明的方法。
实施例：
在浮法玻璃生产线锡槽内，玻璃带上方设置反应器；用于将硅烷、硼烷、乙烯、二氧化碳的前质体汽体混合物，导向并沿着待涂覆的玻璃表面流动；玻璃带表面温度645℃；玻璃带的拉引速度430米/小时；硅烷浓度10％，硼烷浓度10％；乙烯浓度99％；二氧化碳浓度20％；其中混合汽体的体积比为硼烷∶硅烷∶乙烯∶二氧化碳＝0.002∶1∶8∶4，以氮气作为稀释气体；沉积制得屏蔽层。测定膜层的折射率1.7，可见光透射比82.5％，膜层厚度60nm。
将涂有屏蔽层的玻璃带前进到退火窑前端；在其上方设置单通道进汽结构的反应器；将三氟乙酸-丁基二氯化锡酯、三氯化锑、三氟化磷、乙酸乙酯、水组成的前质体汽体混合物通入600℃热的玻璃带表面，处理时间6秒，用空气做载体。前质体汽体混合物的摩尔百分数是：三氟乙酸-丁基二氯化锡酯2.8mol％；三氯化锑2.52mol％；三氟化磷、乙酸乙酯、水三者共计3.2mol％；其余为空气。
测得两层膜复合后的膜层厚度为290nm，表面电阻18Ω/□，辐射率E＝0.15；膜层的反射颜色为浅兰色(a,＝-0.80，b*＝-3.86)。
Claims (10)
1.浮法在线生产低辐射膜玻璃的方法，其特征在于它包括以下步骤：
1)在浮法玻璃生产线锡槽内用化学汽相沉积法，将由硅烷、硼烷、乙烯、含氧源、惰性气体组成的前质体汽体混合物以高于400/S的速度沉积在温度为620～700℃的浮法玻璃基体表面，在玻璃表面形成涂层厚度为40～90nm、折射率为1.6～1.8的具有屏蔽作用的涂层；
2)将涂有屏蔽层的玻璃传输到退火窑，在退火窑内温度为550～610℃区域设置单通道进汽结构的反应器，利用该反应器将已被汽化的含锡源、锑源和掺杂剂、稳定剂、催化剂预混合制成的前质体汽体混合物，用空气做载体，通入到移动的已涂有屏蔽层的浮法玻璃带表面，以高于400/S的速度进行热分解，形成厚度为200～400nm、辐射率小于0.15的具有低辐射性能的涂层。
2.按权利要求1所述的生产低辐射膜玻璃的方法，其特征是镀屏蔽层用的前质体汽体混合物中硅烷浓度为5～15％，硼烷浓度为1～15％，乙烯浓度为80～100％，含氧源浓度为1～20％。
3.按权利要求1所述的生产低辐射膜玻璃的方法，其特征是所说的含氧源是二氧化碳、氧化二氮或亚磷酸三乙酯，惰性气体为氮气或氩气。
4.按权利要求1所述的生产低辐射膜玻璃的方法，其特征是镀屏蔽层的前质体汽体混合物的体积比为：硼烷∶硅烷∶乙烯∶含氧源＝0.00050～0.006∶0.5～1.5∶2～12∶2～8。
5.按权利要求1所述的生产低辐射膜玻璃的方法，其特征是镀低辐射层的前质体汽体混合物的锡源是三氟乙酸-丁基二氯化锡酯、二丁基丁烯二酸锡、二丁基二(十二酸)锡、二乙酸二丁基锡、四氯化锡、三氯一丁基锡。
6.按权利要求1所述的生产低辐射膜玻璃的方法，其特征是镀低辐射层的前质体汽体混合物的锑源是三氯化锑、三溴化锑。
7.按权利要求1所述的生产低辐射膜玻璃的方法，其特征是镀低辐射层的前质体汽体混合物的掺杂剂磷源是三氟化磷、亚磷酸三乙酯。
8.按权利要求1所述的生产低辐射膜玻璃的方法，其特征是镀低辐射层的前质体汽体混合物的掺杂剂氟源是三氟乙酸、三氟化磷、三氟甲苯。
9.按权利要求1所述的生产低辐射膜玻璃的方法，其特征是镀低辐射层的前质体汽体混合物的稳定剂是乙酸乙酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸丁酯、乙酸酐、甲基异丁基酮、α-甲基丙烯酸，催化剂是水蒸气、乙醇、甲醇。
10.按权利要求1所述的生产低辐射膜玻璃的方法，其特征是镀低辐射层的前质体汽体混合物中各成分的摩尔百分数分别是：锡源1～10mol％、锑源1～5mol％、掺杂剂0.1～3mol％、稳定剂0.5～3mol％、催化剂0.1～2.5mol％，其余为空气。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 01142650 CN1204067C (zh) | 2001-12-12 | 2001-12-12 | 浮法在线生产低辐射膜玻璃的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 01142650 CN1204067C (zh) | 2001-12-12 | 2001-12-12 | 浮法在线生产低辐射膜玻璃的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1425620A true CN1425620A (zh) | 2003-06-25 |
| CN1204067C CN1204067C (zh) | 2005-06-01 |
Family
ID=4676882
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 01142650 Expired - Lifetime CN1204067C (zh) | 2001-12-12 | 2001-12-12 | 浮法在线生产低辐射膜玻璃的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN1204067C (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101077824B (zh) * | 2007-02-14 | 2011-11-30 | 中国建材国际工程有限公司 | 在移动的热玻璃表面沉积氧化锡基薄膜的方法 |
| CN106007397A (zh) * | 2016-05-12 | 2016-10-12 | 东莞泰升玻璃有限公司 | 一种低辐射镀膜玻璃制造工艺 |
| CN108358467A (zh) * | 2018-04-02 | 2018-08-03 | 威海中玻新材料技术研发有限公司 | 一种多彩色低辐射阳光控制镀膜玻璃及其制备方法 |
| CN115093128A (zh) * | 2019-07-12 | 2022-09-23 | Ａｇｃ株式会社 | 带有膜的玻璃基板及其制造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103951283B (zh) * | 2014-05-10 | 2016-04-13 | 蚌埠玻璃工业设计研究院 | 一种生产透明导电膜玻璃的方法 |
-
2001
- 2001-12-12 CN CN 01142650 patent/CN1204067C/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101077824B (zh) * | 2007-02-14 | 2011-11-30 | 中国建材国际工程有限公司 | 在移动的热玻璃表面沉积氧化锡基薄膜的方法 |
| CN106007397A (zh) * | 2016-05-12 | 2016-10-12 | 东莞泰升玻璃有限公司 | 一种低辐射镀膜玻璃制造工艺 |
| CN108358467A (zh) * | 2018-04-02 | 2018-08-03 | 威海中玻新材料技术研发有限公司 | 一种多彩色低辐射阳光控制镀膜玻璃及其制备方法 |
| CN108358467B (zh) * | 2018-04-02 | 2020-06-23 | 威海中玻新材料技术研发有限公司 | 一种多彩色低辐射阳光控制镀膜玻璃及其制备方法 |
| CN115093128A (zh) * | 2019-07-12 | 2022-09-23 | Ａｇｃ株式会社 | 带有膜的玻璃基板及其制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1204067C (zh) | 2005-06-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4847157A (en) | Glass coating method and resulting article | |
| CN101618952B (zh) | 浮法在线生产透明导电膜玻璃的方法 | |
| US10837108B2 (en) | Chemical vapor deposition process for depositing a silica coating on a glass substrate | |
| US8734903B2 (en) | Process for forming a silica coating on a glass substrate | |
| CA1333461C (en) | Method of depositing textured tin oxide | |
| EP2737105B1 (en) | Apcvd of doped titanium oxide and the coated article made thereby | |
| CN101475320A (zh) | 低辐射膜玻璃的浮法在线生产方法 | |
| US4946712A (en) | Glass coating method and resulting article | |
| CN1204067C (zh) | 浮法在线生产低辐射膜玻璃的方法 | |
| CN101475319B (zh) | 浮法在线生产tco薄膜玻璃的方法 | |
| CN1291938C (zh) | 一种透明导电低辐射玻璃涂层的生产方法 | |
| EP2391743B1 (en) | Method of depositing an electrically conductive titanium oxide coating on a substrate | |
| JP2001036117A (ja) | 光電変換装置用基板 | |
| US11542194B2 (en) | Coated glass article, method of making the same, and photovoltaic cell made therewith | |
| CN112321171A (zh) | 一种在线低辐射镀膜玻璃及其制备方法 | |
| CN116669448B (zh) | 钙钛矿太阳能电池用tco导电膜玻璃及其制备工艺 | |
| CN101077824B (zh) | 在移动的热玻璃表面沉积氧化锡基薄膜的方法 | |
| WO2016132131A1 (en) | A chemical vapour deposition process for depositing an iron doped tin oxide coating and a coated glass article formed thereby |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C56 | Change in the name or address of the patentee | ||
| CP03 | Change of name, title or address |
Address after: Zhejiang city of Hangzhou province Xihu District GUCUI Road No. 8 new science and technology building seven floor Patentee after: Hangzhou Bluestar New Material Technical Co., Ltd. Address before: Building 6, building 119, Wensanlu Road, Xihu District, Zhejiang, Hangzhou Patentee before: Lanxing New Material Technology Co., Ltd., Zhejiang Univ. |
|
| C56 | Change in the name or address of the patentee |
Owner name: HANGZHOU LANXING NEW MATERIALS TECHNOLOGY CO., LTD Free format text: FORMER NAME: LANXING NEW MATERIAL TECHNOLOGY CO., LTD., ZHEJIANG UNIV. |
|
| EE01 | Entry into force of recordation of patent licensing contract |
Assignee: Shaanxi LAN-STAR Glass Co., Ltd. Assignor: Hangzhou Bluestar New Material Technical Co., Ltd. Contract fulfillment period: 2006.3.19 to 2014.3.17 Contract record no.: 2009610000182 Denomination of invention: Method for on-line producing low radiation film glass by floating process Granted publication date: 20050601 License type: Exclusive license Record date: 20091221 |
|
| LIC | Patent licence contract for exploitation submitted for record |
Free format text: EXCLUSIVE LICENSE; TIME LIMIT OF IMPLEMENTING CONTACT: 2006.3.19 TO 2014.3.17; CHANGE OF CONTRACT Name of requester: SHAANXI BLUE STAR GLASS CO., LTD. Effective date: 20091221 |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20180621 Address after: 264200 -516-39, chess Hill Road, Cao Miao zi Town, Weihai port economic and Technological Development Zone, Shandong Patentee after: Weihai central Bose material technology R & D Co., Ltd. Address before: 310012 seven, New Asia science and technology building, 8 Gu Cui Road, Xihu District, Hangzhou, Zhejiang. Patentee before: Hangzhou Bluestar New Material Technical Co., Ltd. |
|
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20050601 |
|
| CX01 | Expiry of patent term |