CN1291938C - 一种透明导电低辐射玻璃涂层的生产方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种透明导电低辐射玻璃涂层的生产方法，是利用锡的无机化合物为原料，合成一种在浮法玻璃表面生产透明导电低辐射玻璃涂层所需的前驱体溶液，在热的浮法玻璃表面喷涂前驱体溶液形成不同厚度和性能的掺杂氧化锡低辐射涂层。本发明具有原料成本较低、常温化学稳定性好、高温分解效率高、污染少、生产工艺简单、适用于离线或在线生产透明导电低辐射玻璃涂层的特点。

Description

一种透明导电低辐射玻璃涂层的生产方法

一、技术领域

本发明属于在浮法玻璃表面形成透明导电低辐射玻璃涂层技术领域，尤其是涉及一种利用锡氯化物通过选择性化学反应合成锡的前驱体溶液作为涂层原料，在热的浮法玻璃表面沉积透明导电低辐射的掺杂氧化锡涂层的生产方法。

二、背景技术

低辐射玻璃涂层就是在玻璃表面通过物理或化学方法涂敷一层或多层特定的金属、金属氧化物或氮化物或其组合的涂层，在保证可见光透过率尽可能高的前提下，阻止中、远红外热辐射能量的传递，从而达到节能保温效果的一种玻璃功能涂层。因其辐射率低而被称之为低辐射玻璃涂层，涂敷低辐射涂层的玻璃亦称之为低辐射玻璃(Low-E玻璃)。至今，以低辐射玻璃制造的中空、夹层或钢化玻璃制品已广泛应用于国内外的建筑窗户玻璃、汽车风挡玻璃、冰箱冷柜的中空玻璃门、微波炉及烤炉的门玻璃等等领域，欧美发达国家已经通过立法大力推广低辐射玻璃在建筑领域的广泛应用，为这种节能环保的功能涂层玻璃提供了巨大的市场应用空间。

Low-E玻璃的生产工艺主要有浮法在线高温热解沉积法和离线真空磁控溅射法两种，在线高温热解沉积法也称化学气相沉积法(CVD)，是将金属有机化合物在150-250℃之间气化，然后与其他助剂、氧化剂、稳定剂等气体共同输送到600-650℃高温浮法玻璃带表面，不同气体成分之间在高温玻璃表面发生热分解、氧化反应，从而在玻璃表面生成氧化物低辐射涂层。目前已知的在线生产低辐射涂层的氧化物只有掺杂的氧化锡，掺杂材料为锑、氟、铌及其组合；CN1531512公开了一种以二甲基二氯化锡为有机锡化合物，三芳基锑化合物为有机锑化合物，在不同温度下气化之后与气化的含氧化合物(醋酸乙脂)、氧化剂(氧和水)在作为载气的氦气引导下进入多路反应物源聚集室混合，然后输送到1100-1280(593-693℃)的玻璃表面，通过热解、氧化反应沉积锑掺杂的氧化锡涂层，其中热玻璃表面已事先通过化学气相沉积法沉积了一层氧化锡-二氧化硅抑制虹彩复合梯度层；同样地，CN1122115公开了一种氟掺杂的氧化锡涂层，其中以无水氟化氢为氟掺杂源；CN1399616公开了将掺氟的氧化锡与掺锑的氧化锡组合成多层结构涂层，从而使低辐射玻璃具备了太阳能选择性吸收的能力，即得到阳光控制低辐射玻璃(Sun-E玻璃)，其辐射率≤0.15，可见光透过率≥63％，太阳能透过率≤53％。与此相似，US6656523公开了以一丁基三氯化锡(MBTC)为锡源，三氯化锑和三氟乙酸为锑、氟掺杂源，制备一种底层为吸收近红外的锑掺杂氧化锡层，外层为反射中红外(低辐射)的氟掺杂氧化锡层，这种Sun-E玻璃的辐射率≤O.13，可见光透过率≥60％，太阳能获得率≥54％，雾度(混浊度)≤1.2％。

在线Low-E玻璃由于是在高温玻璃表面生长氧化物低辐射涂层，涂层与玻璃基体的结合力高，并具有耐磨、酸碱等优异性能，被称为“硬”镀膜，可以单片使用或热弯、钢化等再加工，但在线生产Low-E玻璃也存在金属有机化合物原料利用率低(大约低于20％)以及原料成本高的问题，大量未分解反应的原料气体给尾气处理增加了很大经济负担和环境问题。美国能源部在2000年授予PPG工业公司和桑地亚国家实验室一项为期三年的合同，以提高原料利用率、降低生产和废气处理成本以及能源消耗。

离线真空磁控溅射法是将普通浮法玻璃经过清洗、干燥送入真空室，在真空室内依次溅射沉积包括作为低辐射膜的银层在内的多层结构膜层。离线Low-E玻璃的低辐射性能和光学性能明显高于在线Low-E玻璃，但由于银与玻璃的结合力较差且容易氧化，使得这种产品必须做成中空玻璃使用，而且不易热弯、钢化，不能长期保存和长途运输，所以被称为“软”镀膜。通过采用氮化硅和氧化钛做介质层和保护层，可以显著提高离线Low-E玻璃的热弯、钢化性能。US2003/0215622公开了一种在低辐射银层上依次溅射2纳米厚的金属保护层(Nb、Ta、Ti、Cr、Ni或其合金)和20纳米厚的氧扩散阻挡层(如氮化硅或碳化硅等)，640℃热处理(热弯或钢化)后可见光透过率变化不超过2％，辐射率变化不超过1％。虽然离线Low-E玻璃在光/热性能上达到很高的水平，辐射率达到0.04，但其耐酸碱性能仍是有待解决的技术难题。

尽管国内在线和离线Low-E玻璃已开始进入市场，但两种生产方法都存在原料成本高、设备投入特别大、技术复杂等问题，导致Low-E玻璃价格太贵，目前只在少数高档公用建筑中使用，如大型写字楼、机场、会议中心、博物馆等，而在民用住宅工程中极少采用。如何降低Low-E玻璃的生产成本不仅关系到这种新型节能玻璃能否尽早进入民用住宅市场，而且关系到国内Low-E玻璃行业未来与国外厂家的激烈市场竞争中能否获得发展。通过扩大生产规模对于降低生产成本的作用有限，研发较低成本的生产方法才是解决Low-E价格问题的根本出路。

离线真空磁控溅射使用的是昂贵的固体靶材和大型真空溅射设备，在线CVD使用的是气态的金属有机化合物，不仅价格高，而且由于利用率低，还需要对未分解的原料及其分解后的副产物进行处理，处理成本很高。传统的四氯化锡溶液喷涂法在高温下瞬间分解反应，难于控制，而且连续产生的大量氯化氢气体很难得到有效处理。理想的生产方法是合成一种较低成本、热分解效率高、分解产物污染少的液相原料，然后利用喷涂工艺生产Low-E玻璃涂层，这样不仅喷涂沉积率高，而且产生的废气易于低成本处理。

三、发明内容

本发明的目的在于改进已有技术的不足而提供一种采用锡无机化合物为原料、成本较低、常温化学稳定性好、高温分解效率高、污染少、生产工艺简单、适用于在线或离线生产的透明导电低辐射玻璃涂层的生产方法。

本发明的目的是这样实现的，一种透明导电低辐射玻璃涂层的生产方法，该方法包括在浮法玻璃表面涂敷二氧化硅中间过渡层，用前驱体溶液在二氧化硅层上喷涂氧化锡低辐射涂层，在低辐射涂层外涂敷二氧化硅外涂层，其特点是前驱体溶液采用以下步骤制成：

a、锡氯化物通过选择性湿法化学反应合成前驱体溶液；

b、将合成的前驱体溶液进行分离与纯化。

选择性化学反应是在醇溶剂中进行的，醇溶剂为含碳量1-6的一元醇、多元醇或其组合。

所述的锡的无机化合物为二氯化锡或四氯化锡，锡无机化合物的浓度在0.01-1摩尔/升。

所述的选择性化学反应是在络合剂参与下完成，该络合剂的分子通式为R′_xM(OR)_y(COOH)，其中M为金属阳离子，R′和R为含碳原子1-6个的烷基。

所述的选择性化学反应是在温度20-100℃下进行的。

所述的选择性化学反应反应时间在1-48小时。

在前驱体溶液合成过程中或在喷涂过程中使用的锑掺杂源为三氯化锑、五氯化锑或锑酸钠，锑掺杂浓度为1-15％Sn。

本发明与已有技术相比具有以下显著特点和积极效果：本发明合成锡前驱体溶液使用的锡氯化物选自锡的氯化物、硝酸盐、硫酸盐等，优选价格低廉的氯化物，即氯化亚锡或四氯化锡，选用的溶剂是含有1-6个碳原子的一元醇、多元醇或其组合，选择醇为溶剂的目的是醇可以与锡的氯化物形成加合物，使氯化物的溶解度范围增大，同时作为前驱体的介质可以在前驱体热分解时提供羟基，有利于形成氧化锡低辐射涂层。

本发明的前驱体溶液是通过锡氯化物的选择性化学反应合成的，在反应过程中加入了一种络合反应物，络合剂的分子通式为R′_xM(OR)_y(COO)，其中M为金属阳离子，R′和R为含碳原子1-6个的烷基，络合剂的作用一是通过选择性化学反应去除溶液中的氯离子；二是提供与锡离子络合的官能团，这种功能团可以是一个或多个，如烷基、羟基、羧基等，其作用是在常温下与锡离子结合形成化学稳定的前驱体，这种前驱体在高温下分解时，分解释放的基团有利于氧化锡涂层的沉积。

本发明中前驱体溶液的制备是以廉价的锡氯化物在醇溶液中与络合剂之间发生选择性化学反应进行的，化学反应在醇溶液中进行，反应生成物经沉淀分离得到前驱体溶液，其中，锡氯化物的浓度为O.01-1摩尔/升，优选0.1-0.8摩尔/升，络合剂的浓度按理想反应的比例配制，反应温度在20-100℃之间；反应在密闭反应器内进行，以避免空气中的水蒸汽和二氧化碳的干扰；反应时间在1-48小时，反应温度越高，完成反应的时间越短，沉淀的氯化物通过离心或自然沉降进行分离。

利用前驱体溶液生产的掺杂氧化锡低辐射玻璃涂层包括浮法玻璃基片、基片上的二氧化硅中间过渡层、掺杂氧化锡低辐射层以及二氧化硅外涂层；中间过渡层的作用除了起到玻璃碱中金属离子的扩散阻挡层之外，还可以补偿玻璃基体与氧化锡之间热膨胀系数不同引起的膜层结合问题，提高掺杂氧化锡层的结合力。此外，由于二氧化硅的折射率低于氧化锡，中间层也具有一定的抑制虹彩的功能。氧化锡掺杂的目的在于提高氧化锡涂层的光/电性能，即提高玻璃涂层的低辐射性能，掺杂材料为锑和氟；锑掺杂源为三氯化锑、五氯化锑或锑酸钠；氟掺杂源为无水氢氟酸、三氟乙酸或三氟乙酸乙脂；二氧化硅外涂层的作用一是与通过选择厚度以改善带有中间层的玻璃涂层光学外观，二是外涂层可以适当提高掺杂氧化锡层的表面光洁度，降低整个玻璃涂层的表面雾度。

本发明透明导电低辐射玻璃涂层的生产方法由二氧化硅中间过渡层、掺杂氧化锡低辐射层以及二氧化硅外涂层三层结构的制备组成，喷涂用的浮法玻璃基片为钠钙硅玻璃，以下针对透明导电的低辐射玻璃涂层生产方法进行评述：

1、在玻璃沉积掺杂氧化锡低辐射功能层之前必须在浮法玻璃表面首先沉积二氧化硅中间过渡层；对于离线生产玻璃涂层，二氧化硅中间层可以利用化学镀膜法形成，即以四乙氧基硅烷TEOS、乙醇或丙酮为溶剂，适量的水为水解反应物，并加入少量的盐酸作为反应催化剂，将此混合溶液搅拌均匀后陈化1-2天，形成稳定的二氧化硅溶胶，溶胶中二氧化硅的浓度为1-15wt％；通过旋涂法或浸涂法在玻璃表面形成二氧化硅涂层，涂层厚度可以通过控制溶胶浓度、涂膜工艺进行调节。

在线生产玻璃涂层时，二氧化硅中间层用CVD法沉积，有机硅化合物选自甲硅烷SiH₄、四乙氧基硅烷TEOS或四甲基硅烷Si(CH₃)₄，优选甲硅烷为硅源，氧化剂选自乙酸乙脂、O₂、N₂O或H₂O，优选O₂为氧化剂，以乙烯为自由基捕获剂，氮气或氦气为载体气体，进行中间层的沉积。

上述在线或离线生成的二氧化硅中间层厚度为10-100纳米，中间层厚度优选30-60纳米。

上述的二氧化硅中间层生产方法同样被用于生产二氧化硅外涂层，外涂层厚度优选60-100纳米。

2、上述中间层涂敷之后应使玻璃基片的温度保持在600-700℃之间，然后进行掺杂氧化锡涂层的涂敷工艺。对于离线生产低辐射玻璃涂层，应将涂敷了二氧化硅涂层的玻璃基片加热升温到所需温度范围；对于在线生产低辐射玻璃涂层，在CVD沉积二氧化硅之后紧接着进行掺杂氧化锡低辐射层的喷涂。

3、对于离线透明导电低辐射玻璃涂层，前驱体溶液在含氧载气的作用下，通过喷枪雾化，在热的玻璃基片上喷涂沉积掺杂氧化锡涂层。

(1)所述前驱体溶液中锑掺杂源优选三氯化锑或五氯化锑，锑掺杂源在前驱体溶液制备过程中作为反应原料的一部分加入到醇溶液中；氟掺杂源优选三氟乙酸，它是在制备出的锡前驱体溶液中按掺杂浓度直接加入。

(2)所述锑的掺杂浓度为1-15mol％Sn，优选2-10mol％Sn。所述氟的掺杂浓度为1-20mol％Sn，优选在5-20mol％Sn。

(3)含氧载气选择干燥的空气，空气压力为0.1-0.3MPa，流量为10-25升/分钟。

(4)喷枪喷嘴的尺寸选择0.1-1毫米，喷嘴与玻璃基片的角度为30-70°，喷嘴与玻璃的垂直距离为5-10厘米，前驱体溶液的喷涂量为0.1-2升/平方米。

(5)为了降低对热玻璃表面的冲击，溶液喷涂可以采用多次喷涂的方式。

(6)将涂敷掺杂氧化锡涂层的玻璃冷却至室温，然后使用配制的硅涂层液进行二氧化硅外涂层涂敷。

4、对于在线生产透明导电低辐射玻璃涂层，前驱体溶液在含氧载气的作用下，通过喷涂装置进行雾化，在热的玻璃基片上喷涂沉积掺杂氧化锡涂层。

(1)所述前驱体溶液中锑掺杂源优选三氯化锑或五氯化锑，锑掺杂源在前驱体溶液制备过程中作为反应原料的一部分加入到醇溶液中；氟掺杂源优选无水氟化氢，它是作为载气的一部分，由含氧载气携带进入反应室，参与氧化锡低辐射层的沉积。

(2)所述锑的掺杂浓度为1-15mol％Sn，优选2-10mol％Sn。所述氟的掺杂浓度为1-20mol％Sn，优选在5-15mol％Sn。

(3)含氧载气选择选择O₂为氧化剂，氮气N₂为主载气，O₂的含量在10-30vol％，载气压力为0.1-0.3MPa，流量为10-25升/分钟。

(4)喷涂装置的性能设计为雾化的溶液液滴尺寸小于5微米，喷嘴与玻璃基片的角度为30-70°，喷嘴与玻璃的垂直距离为5-10厘米，前驱体溶液的喷涂量为0.1-2升/平方米。

(5)为了降低对热玻璃表面的冲击，溶液喷涂可以采用多组喷涂装置沿玻璃移动方向间隔排列的方式多次喷涂。

(6)二氧化硅涂层的生产在掺杂氧化锡沉积完成之后通过CVD法进行沉积。

5、上述掺杂氧化锡低辐射层喷涂过程中也包括对所使用的载气进行预热，预热温度在20-100℃。

6、掺杂氧化锡低辐射层的厚度在200-400纳米。

本发明的透明导电低辐射玻璃的生产方法，利用自主设计和合成的液态前驱体，使用喷涂技术进行生产。其生产方法与现有生产方法相比，有以下不同之处：

1、现有离线Low-E玻璃使用固态的靶材；现有在线Low-E玻璃使用可以气化的金属有机化合物；本发明使用自主设计和合成的前驱体溶液为掺杂氧化锡的原料。

2、现有离线Low-E玻璃是在高真空下通过溅射靶材，在玻璃表面沉积包括银在内的多层膜；现有在线Low-E玻璃是通过在热玻璃带表面进行化学气相沉积形成低辐射涂层；本发明是通过喷涂工艺在热的玻璃表面沉积低辐射涂层。

3、现有的离线Low-E玻璃生产不仅需要高纯的靶材，而且还需要大型真空溅射设备，两者价格相当昂贵。在线Low-E玻璃生产使用的金属有机化合物成本高，尾气处理成本占整个生产成本很大比例。本发明使用锡氯化物为原料合成喷涂用的前驱体溶液，所用原料价格低廉，合成工艺简便，喷涂原料价格只有现有方法的1/4-1/5。

4、现有离线Low-E玻璃由于涉及大型真空系统以及多靶溅射，工艺技术复杂，在线Low-E玻璃镀膜技术也相当复杂，目前以上两种方法的技术和设备全套从国外引进。本发明利用自己设计并合成出的前驱体溶液，采用液相喷涂生产掺杂氧化锡的Low-E涂层，不仅工艺技术简单，而且喷涂设备投入较少，喷涂过程中对周围的气氛要求低。

5、本发明的Low-E玻璃涂层生产方法不仅适合于离线生产，同样适合于在线生产。

与现有Low-E玻璃生产方法相比，利用本发明生产Low-E玻璃涂层具有以下几个方面的突出特点：

1、合成的前驱体溶液在常温下化学稳定性好，在高温下分解效率高。利用差热分析表明，前驱体在250-350℃就可完全热分解成氧化锡或其掺杂氧化物。前驱体溶液的生产成本低，合成条件宽松。

2、前驱体溶液受热分解形成的尾气中只有一些未沉积的氧化物颗粒和少量易溶于水的热分解产物气体，这为废气的处理带来极大的经济和环保效益。

3、喷涂技术相对简单，设备投入将远低于现有的在线和离线的生产设备。

4、掺杂氧化锡涂层的性能，包括厚度以及光/电性能，可以通过喷涂工艺条件及喷涂液量连续调节。

综上所述，本发明使用一种自主设计、合成的前驱体溶液作为原料，通过喷涂工艺生产透明导电低辐射玻璃涂层。与现有Low-E玻璃生产方法相比，这种生产方法具有原料成本较低、常温化学稳定性好、高温分解效率高、污染少的特点，喷涂工艺简便，适合离线生产也适合在线生产Low-E玻璃。在各种建筑节能保温玻璃、汽车玻璃、透明导电防电磁干扰玻璃等领域有十分广阔的应用市场。

四、具体实施方案

下面结合实施例对本发明作进一步详细说明。

四、具体实施方案

下面结合实施例对本发明作进一步详细说明。

实施例1，一种透明导电低辐射玻璃涂层的生产方法，是首先在浮法玻璃表面涂敷二氧化硅中间过渡层，然后用前驱体溶液在二氧化硅层上喷涂氧化锡低辐射涂层，最后在低辐射涂层外涂敷二氧化硅外涂层，前驱体溶液通过以锡氯化物通过选择性湿法化学反应合成，将合成的前驱体溶液进行分离与纯化，选择性化学反应是在醇溶剂中进行的，醇溶剂为含碳量1-6的一元醇、多元醇或两者的混合溶剂，锡氯化物为二氯化锡或四氯化锡，本实施例选择一元醇作为溶剂，锡的无机化合物为二氯化锡，锡无机化合物的浓度在0.01-1摩尔/升，优选0.1-0.8摩尔/升，本实施例选择0.6摩尔/升，选择性化学反应是在一种络合剂参与下完成，该络合剂的分子通式为R′_xM(oR)_y(COO)，其中M为金属阳离子，R′和R为含碳原子1-6个的烷基，选择性化学反应是在温度20-100℃下进行的，本实施例选择50℃，选择性化学反应反应时间在1-48小时，本实施例选择反应时间为25小时，前驱体溶液的分离与纯化采用现有的固液分离方法进行，即沉降法或离心法都可以，本发明浮法玻璃采用为钠-钙-硅玻璃，喷涂透明导电低辐射涂层可以在浮法玻璃生产线上在线喷涂，也可以将生产出的浮法玻璃重新加热，进行离线喷涂，本实施例采用离线喷涂方法，喷涂时玻璃表面温度在600-700℃之间，喷涂时二氧化硅涂层通过液相化学镀膜而成，离线喷涂时氧化锡低辐射涂层是由前驱体溶液在含氧气流带动下喷涂到有二氧化硅过渡层的热玻璃表面形成的，含氧气流优选与玻璃的垂直距离为5-10厘米，前驱体溶液的喷涂量为0.1-2升/平方米，为了降低对热玻璃表面的冲击，溶液喷涂可以采用多次喷涂的方式，将涂敷掺杂氧化锡涂层的玻璃冷却至室温，然后使用配置的硅涂层液进行二氧化硅外涂层涂敷，二氧化锡低辐射涂层为掺杂的二氧化锡层，掺杂材料为锑、氟或其组合，掺杂源材料可以在前驱体溶液合成过程中或在喷涂过程中作为一种混合组分加入，锑掺杂源为三氯化锑、五氯化锑或锑酸钠，锑掺杂浓度为1-15％Sn，氟掺杂源为无水氟化氢或三氟乙酸，氟掺杂浓度为1-20％Sn，二氧化硅中间过渡层以及外涂层的厚度为10-100纳米，二氧化硅中间过渡层以及外涂层的厚度优选分别为30-60纳米及80-100纳米，氧化锡涂层的厚度在100-400纳米之间，本实施例锑掺杂浓度为8％Sn，氟掺杂浓度为12％Sn，二氧化硅中间过渡层以及外涂层的厚度分别为50纳米及90纳米，氧化锡涂层的厚度在280纳米。

实施例2，一种透明导电低辐射玻璃涂层的生产方法，是首先在浮法玻璃表面涂敷二氧化硅中间过渡层，然后用前驱体溶液在二氧化硅层上喷涂氧化锡低辐射涂层，最后在低辐射涂层外涂敷二氧化硅外涂层，前驱体溶液通过以锡氯化物通过选择性湿法化学反应合成，将合成的前驱体溶液进行分离与纯化，选择性化学反应是在醇溶剂中进行的，醇溶剂为含碳量1-6的一元醇、多元醇或两者的混合溶剂，锡氯化物为二氯化锡或四氯化锡，本实施例选择一元醇和多元醇混合物作为溶剂，锡的无机化合物为四氯化锡，锡无机化合物的浓度在0.01-1摩尔/升，优选0.1-0.8摩尔/升，本实施例选择0.5摩尔/升，选作为溶剂，锡的无机化合物为四氯化锡，锡无机化合物的浓度在0.01-1摩尔/升，优选0.1-0.8摩尔/升，本实施例选择0.5摩尔/升，选择性化学反应是在一种络合剂参与下完成，该络合剂的分子通式为R′_xM(OR)_y(COO)，其中M为金属阳离子，R′和R为含碳原子1-6个的烷基，选择性化学反应是在温度20-100℃下进行的，本实施例温度保持在40℃，选择性化学反应反应时间在1-48小时，本实施例反应30小时，前驱体溶液的分离与纯化采用现有的固液分离方法进行，即沉降法或离心法都可以，本发明浮法玻璃采用为钠-钙-硅玻璃，喷涂透明导电低辐射涂层可以在浮法玻璃生产线上在线喷涂，也可以将生产出的浮法玻璃重新加热，进行离线喷涂，本实施例采用在线喷涂，喷涂时玻璃表面温度在600-700℃之间，在线喷涂时二氧化硅涂层通过化学气相沉积形成，喷涂时氧化锡低辐射涂层是由前驱体溶液与含氧气体在脱离喷口时混合，前驱体溶液在含氧载气的作用下，通过喷涂装置进行雾化，在热的玻璃基片上喷涂沉积掺杂氧化锡涂层，前驱体溶液中锑掺杂源优选三氯化锑或五氯化锑，锑掺杂源在前驱体溶液制备过程中作为反应原料的一部分加入到醇溶液中；氟掺杂源优选无水氟化氢，它是作为载气的一部分，由含氧载气携带进入反应室，参与氧化锡低辐射层的沉积；锑的掺杂浓度为1-15mol％Sn，优选2-10mol％Sn；氟的掺杂浓度为1-20mol％Sn，优选在5-15mol％Sn；本实施例锑的掺杂浓度为6mol％Sn；氟的掺杂浓度为15mol％Sn；含氧载气选择选择O₂为氧化剂，氮气N₂为主载气，O₂的含量在10-30vol％，载气压力为0.1-0.3MPa，流量为10-25升/分钟；喷涂装置的性能设为0.1-2升/平方米，为了降低对热玻璃表面的冲击，溶液喷涂可以采用多组喷涂装置沿玻璃移动方向间隔排列的方式多次喷涂，二氧化硅涂层的生产在掺杂氧化锡沉积完成之后通过CVD法进行沉积，掺杂氧化锡低辐射层喷涂过程中也包括对所使用的载气进行预热，预热温度在20-100℃，二氧化硅中间过渡层以及外涂层的厚度为10-100纳米，二氧化硅中间过渡层以及外涂层的厚度优选分别为30-60纳米及80-100纳米，氧化锡涂层的厚度在100-400纳米之间，本实施例二氧化硅中间过渡层以及外涂层的厚度分别为60纳米及90纳米，氧化锡涂层的厚度在380纳米。

上面通过实施例进一步阐述了本发明喷涂方法的特点和显著进步，但本发明不仅局限于以上实施例，可以通过与专为阐述用的实施例不同的方法来实践本发明，只要该方法不超出本发明的范围。

下表为不同喷涂条件下离线生产的低辐射玻璃涂层性能。从表中可以看出玻璃涂层的性能随厚度和掺杂材料而变化，厚度越大，可见光透过率和表面电阻越低。在涂层厚度相似的情况下，氟掺杂有利于提高涂层的可见光透过率，并降低涂层的表面电阻。涂层厚度可以方便地通过喷涂的前驱体溶液使用量进行调节；编号实验5由于没有涂敷二氧化硅中间过渡层，涂层的结合力非常低，而且涂层模糊不清。

编号	SiO2	SnO2:Sb	SnO2:F	Tvis(％)	R(Ω/□)
						1	50	110	0	83	150
2	50	160	0	82	84
						3	50	280	0	79	33
4	50	370	0	76	28
						5	0	370	0	-	-
6	50	0	120	91	93
						7	50	0	210	90	68
8	50	0	300	86	26
						9	50	0	380	84	18

Claims (7)

1、一种透明导电低辐射玻璃涂层的生产方法，该方法包括在浮法玻璃表面涂敷二氧化硅中间过渡层，用前驱体溶液在二氧化硅层上喷涂氧化锡低辐射涂层，在低辐射涂层外涂敷二氧化硅外涂层，其特征是前驱体溶液采用以下步骤制成：

a、锡氯化物通过选择性湿法化学反应合成前驱体溶液；

b、将合成的前驱体溶液进行分离与纯化。

2、根据权利要求1所述的一种透明导电低辐射玻璃涂层的生产方法，其特征是选择性化学反应是在醇溶剂中进行的，醇溶剂为含碳量1-6的一元醇、多元醇或其组合。

3、根据权利要求1所述的一种透明导电低辐射玻璃涂层的生产方法，其特征是所述的锡氯化物为二氯化锡或四氯化锡，锡无机化合物的浓度在0.01-1摩尔/升。

4、根据权利要求1所述的一种透明导电低辐射玻璃涂层的生产方法，其特征是所述的选择性化学反应是在络合剂参与下完成，该络合剂的分子通式为R′_xM(OR)_y(COOH)，其中M为金属阳离子，R′和R为含碳原子1-6个的烷基。

5、根据权利要求1所述的一种透明导电低辐射玻璃涂层的生产方法，其特征是所述的选择性化学反应是在温度20-100℃下进行的。

6、根据权利要求1所述的一种透明导电低辐射玻璃涂层的生产方法，其特征是所述的选择性化学反应反应时间在1-48小时。

7、根据权利要求1所述的一种透明导电低辐射玻璃涂层的生产方法，其特征是在前驱体溶液合成过程中或在喷涂过程中使用的锑掺杂源为三氯化锑、五氯化锑或锑酸钠，锑掺杂浓度为1-15％Sn。