SE514055C2 - Glasningspanel med solfiltrerande egenskaper och förfarande för framställning av densamma - Google Patents

Description

15 20 25 30 514 055 .Z genom fordonets rörelse. Huvudändamâlet vid fordonspaneler är sålunda att uppvisa en låg TE faktor.

Egenskapema hos det belagda substratet som beskrivs nedan är baserade på stan- darddefinitioner från the Intemational Commission on lllumination - Commission Intemationale de l'Eclairage (”CIE”).

Standardljuskällorna som citeras nedan utgörs av CIE ljuskälla C och ljuskälla A.

Ljuskälla C representerar medeldagsljus med en fárgtemperatur av 6700g°K. Ljus- källa A representerar strålningen från en Plancksk radiator vid en temperatur av ca 2856°K.

”Ljustransmittansen” (TL) är det ljusflöde som passerar genom ett substrat i procent av det infallande ljusflödet.

”Ljusreflektansen” (RL) avser det ljusflöde som reflekteras från ett substrat i pro- cent av det infallande ljusflödet.

”Selektiviteten” hos ett belagt substrat för användning som glasningspanel för bygg- nad är förhållandet ljustransmittans till solfaktom (TL/F S).

”Renheten” (p) hos substratets färg avser excitationsrenheten mätt med ljuskälla C.

Den specificeras enligt en linjär skala på vilken en definierad vit ljuskälla har renhe- ten noll och den rena färgen uppvisar en renhet av 100%. Renheten hos det belagda substratet mäts från sidan som är motsatt den belagda sidan.

Termen ”brytningsindex” (n) definieras i CIE International Lighting Vocabulary, 1987, sid. 138.

Den ”dominanta våglängden” (AD) är våglängdstoppen i området transmitterad eller reflekterad av det belagda substratet. 10 15 20 25 30 514 055 3 ”Emissiviteten” (s) är förhållandet mellan avgiven energi fiån en given yta vid en given temperatur till den angivna från en perfekt strålare (svart kropp med emissivi- tet av 1,0) vid samma temperatur.

Ett antal olika tekniker är kända för att fonna beläggningar på glassubstrat, inklusive pyrolys. Pyrolys har vanligen den fördelen att åstadkomma hårda beläggningar, vil- ket undanröjer behovet av ett skyddande skikt. Beläggningarna som formas genom pyrolys uppvisar varaktiga nötnings- och korrosionsmotståndskrafiiga egenskaper.

Det antas att detta beror på speciellt det faktum att förfarandet innefattar avsättning av ett beläggningsmaterial på ett substrat som är hett. Pyrolys är också allmänt billi- gare än alternativa beläggningsförfaranden såsom sputtering, speciellt i termer av fabriksinvesteringar. Avsättningen av beläggningar medelst andra förfaranden, t ex genom sputtering, ger produkter med mycket annorlunda egenskaper, framförallt en lägre motståndskraft mot nötning och i bland ett annorlunda brytningsindex.

En stor mängd beläggningsmaterial har föreslagits för glasningspaneler och för olika önskade egenskaper hos glasmaterialet. Tennoxid, SnOg, har kommit till stor an- vändning, ofia i kombination med andra material såsom andra metalloxider.

I det brittiska patentet GB l 455 148 beskrivs ett förfarande för pyrolytisk formning av en beläggning bestående av en eller flera oxider på ett substrat, primärt genom att spreja föreningarna av en metall eller kisel, för att därigenom modifiera ljustrans- missionen och eller ljusreflektionen hos substratet eller för att ge antistatiska eller elektriskt ledande egenskaper. Exempel på specificerade oxider innefattar ZrO2, SnO2, Sb2O3, TiOg, Co3O4, Cr2O3, SiOg och blandningar av dessa. Tennoxid (SnOz) anses vara fördelaktigt eftersom dess hårdhet och dess förmåga att uppvisa antistatiska eller elektriskt ledande egenskaper. GB patent 2 078 213 avser en se- kventiell sprejmetod för att pyrolytiskt forma en beläggning på ett vitröst rmderlag och avhandlar speciellt tennoxid eller indiumoxid som de huvudsakliga belägg- ningsbeståndsdelarna. När metallbeläggningsprekursorn utgörs av tennklorid dopas 10 15 20 25 30 514 055 LI denna med fördel med en prekursor vald bland ammoniumbifluorid och antimon- klorid för att öka beläggningens elektriska ledningsförmåga Det är också känt att då en beläggningav tennoxid fonnas genom pyrolys av SnC14, förbättrar närvaron av ett dopningsbmedel, såsom anfimonkloiid SbCl5, direkt blan- i ' dat med tennkloriden SnC14, absorptionen och reflektionen av viss solstrålning i området nära mfiar' ött.

Det är ett ändamål för föreliggande uppfinning att tillhandahålla pyrolytiskt formade glasningspaneler vilka uppvisar solfiltrerande egenskaper.

Vi har upptäckt att detta och andra användbara ändamål kan uppnås genom att an- vända kemisk ångavsättning (CVD) för att påföra en pyrolytisk beläggning innefat- tande tenn och antimonoxider i ett specifikt relativt förhållande.

Sålunda, enligt en forsta aspekt på föreliggande uppfinning, avses en glasningspanel innefattande ett vitröst substrat uppbärande ett beläggningsslcilct av tenn/antimon- oxid innehållande tenn och antimoni ett Sb/Sn molfórhållande av från 0,01 till 0,5, varvid nämnda skikt formas pyrolytiskt genom kemisk förångningsavsätming, vari- genom det så belagda Substratet uppvisar en solfaktor FS av mindre än 70%.

Substratet föreligger ñreträdesvis i form av band av vitröst material, såsom glas el- ler något annat genomsynligt stelt material. Med tanke på den andel av infallande solstrålning som absorberas av glasningspanelen, speciellt i omgivningar där pane- len exponeras för stark eller långvarig solstrålning, föreligger en uppvärmningsef- fekt på glasningspanelen vilken kan kräva att glassubstratet därefter utsätts för ett härdande förfarande. Emellertid tillåter hållbarheten hos beläggningen att glasnings- panalen monteras med den belagda ytan ytterst, därigenom reducerande uppvärm- ningsefiekten. 10 15 20 25 30 514 055 5 Företrädesvis utgörs substratet av ett klart glas, även om uppfinníngen också täcker användningen av färgade glas som substrat.

Sb/Sn molförhållandet i beläggningsskiktet är företrädesvis åtminstone 0,03, mest föredraget åtminstone 0,05. Detta hjälper till att säkerställa en hög absorptionsnivå. Å andra sidan är nämnda förhållande företrädesvis mindre än 0,21 med tanke på att uppnå en hög ljustransmittansnivå (TL). Mest föredraget är förhållandet lägre än 0,15 eftersom ovanför denna nivå uppvisar beläggningsskiktet en onödigt hög ab- sorptionsnivå kopplat med en dålig selektivitet.

Belagda substrat enligt uppfinningen erbjuder fördelen av en ljusreflektans (RL) mindre än 1 1%. Denna låg reflektionsnivå hos en glasningspanel avsedd för bygg- nader favoriseras av arkitekter. Det förhindrar att panelema skapar ett bländande sken i närheten av byggnaden.

Det kan vara användbart att förhindra interaktion mellan substratets glas och tenn/ antimonoxidbeläggningsskiktet. T ex har det visat sig att vid den pyrolytiska form- ningen av en tennoxidbeläggning fiån tennklorid på ett substzat av sodaglas, uppvi- sar natriumklorid en tendens att inkorporeras i beläggningen som ett resultat av re- aktion av glaset med beläggningsprekursormaterialet eller dess reaktionsprodukter och detta leder till ljusdifliision i beläggningen.

Således placeras företrädesvis ett mellanliggande ljusdiffusionsreducerande belägg- ningsskikt mellan substmtet och tenn/antimonoxidbeläggningsskiktet. Det ljusdiiïu- sionsreducerande skiktet kan formas pyrolytiskt i ett ej helt oxiderat tillstånd genom att sätta substratet i kontakt med en mellanbeläggningsprekursor i en kammare för beläggning med en mellanbeläggning i närvaro av syre i ej tillräcklig mängd för full oxidation av mellanbeläggningsmaterialet på substratet. Uttrycket ”icke helt oxiderat material” används här för att utpeka en sann suboxid, d v s en oxid med lägre va- lenstal av ett multivalent element (t ex V02 eller TiO) och även för att beteckna ett oxidmaterial vilket innehåller syrehål i strukturen: ett exempel på det senare mate- 10 15 20 25 30 514 055 ' G rialet är SiOx där x är mindre än 2, vilken generellt kan uppvisa den allmänna strukturen hos SiO2 men har en andel hål vilka skulle vara fyllda med syre i dioxi- den.

Vi föredrar att det ljusdiflhsionsreducerande beläggningsskiktet innefattar en kise- loxid med en geometrisk tjocklek av ca 100 nm. Närvaron av en kiseloxid med en mellanbeläggning på sodaglaset har den speciella fördelen att förhindra migration av natriumjoner från glaset medelst difiusion eller på annat sätt in i tenn/antimonoxid- beläggningsskiktet under bildandet av det övre skiktet eller under en därpå följande högtemperaturbehandling.

Altemativt kan mellanbeläggningen bestå av en ”antireflektiof-mellanbeläggning såsom t ex ett oxiderat aluminium/vanadinskikt som beskrivs i GB patent 2 248 243.

Glasningspanelema enligt uppfinningen uppvisar solfaktorer på mindre än 70%, fö- reträdesvis mindre än 60% och i vissa fall föredrages mindre än 50%. Preferensen för en solfaktor av mindre än 60% uppstår när paneler enligt uppfiningen placeras med den belagda sidan mot exteriören, d v s med beläggningen mot energikällan.

Generellt leder denna placering till en förbättrad solfaktor jämfört med placeringen av panelen med den belagda sidan på bortsidan räknat fiån energikällan. Behovet av en solfaktor på mindre än 50% uppstår vid byggnader i delar av världen med höga nivåer av solenergi. För fordonssoltak kan en ännu lägre solfaktor vara önskvärd.

Användningen av färgat glas är ett sätt att tillhandahålla en lägre solfaktor och an- vänds ofta vid både byggnadsglas och fordonsglas. Vid jämförelse av effekten hos beläggningsskikten är det därför nödvändigt att ta med i beräkningen eventuella skillnader mellan typema av glas på vilken resp. beläggning avsätts. Sålunda gav ett exempel på en beläggning enligt uppfinningen på ett klart glas en solfaktor av 63%, medan en ekvivalent beläggning på ett grönfärgat glas gav en solfaktor av 44,5%. 10 15 20 25 30 514 055 17* Det är också önskvärt att glasningspanelen skall transmittera en rimlig proportion av synligt ljus för att tillåta naturlig belysning i byggnadens eller fordonets inre och för att tillhandahåll att personerna inne i byggnaden eller bilen kan se ut. Sålunda är det önskvärt att öka beläggningens selektivitet, d v s öka förhållandet transmittans till solfaktor. I själva verket är det önskvärt att selektiviten är så hög som möjlig.

I allmänhet föredras att ljustransmittansen (TL) hos panelen enligt uppfinningen uppvisar ett värde mellan 40 och 65%. Inte desto mindre kan en panel som uppvisar en ljustransmittans under 40% användas som en uppåt riktad glasningspanel, t ex som soltak i ett fordon.

Företrädesvis uppvisar tenn/antimonoxidbelåggningen en tjocklek av från 100 till 500 nm. Tjocka skikt av tenn/antimonoxid, speciellt skikt vilka uppvisar ett lågt Sb/Sn-molförhållande, kan ge en glasningspanel med den fördelaktiga kombinatio- nen av låg solfaktor (FS) och låg emissivitet. Ett annat sätt att erhålla denna kombi- nation är att avsätta på tenn/antimonoxidskiktet enligt uppfinningen ett skikt med låg emissivitet bestående av dopad tennoxid, t ex tennoxid dopad med fluor. Emellertid är detta ofördelaktigt i den meningen att det nödvändiggör avsättning av ett tillsats- skikt vilket tar tid och är dyrt.

I princip skulle ett annat sätt att tillhandahålla en kombination av låg solfaktor och låg emissivitet utgöras av att forma ett tenn/antimonoxidskikt innehållande ett dop- ningsmedel såsom fluor. I t ex GB patent 2 200 139 visas ett förfarande för att for- ma en pyrolytisk tennoxidbeläggning genom att spreja en lösning som i tillsats till tennprekursom innehåller föreningar vilka kommer att resultera i att beläggningen innehåller fluor och åtminstone en av antimon, arsenik, vanadin, kobolt, zink, kad- mium, molybden, tellur och mangan.

Sålunda skulle man t ex kunna forma en beläggning av reaktanter innehållande tenn, antimon och fluor i förhållandena Sb/ Sn = 0,028, F/Sn = 0,04. Emellertid har vi upptäckt att närvaron av fluor kan ha den synbarliga nackdelen att hindra inneslu- 10 15 20 25 30 514 055 å tandet av antimon i beläggningen snarare än att effektivt reducera emissiviteten.

T ex gav reaktanter innehållande antimon och tenn i förhållandet Sb/Sn = 0,028 en beläggning med ett Sb/Sn-förhållande av ca 0,057, medan samma reaktanter plus en fluorinnehållande reaktant i en mängd 'sådan att F/Sn = 0,04 gav en beläggning med ett Sb/Sn-förhållande av ca 0,038. ' Uppfinningen tillhandahåller sålunda fördelen av att antingen ge en solfaktor (FS) under 60%, en emissivitet av mindre än 0,4 (företrädesvis mindre än 0,3) och en ljustransmittans (TL) av mer än 60%. Sålunda uppfyller den belagda produkten två viktiga fimktioner. Under vintem kvarhåller den värme i byggnaden p g a sin låga emissivitet. På sommaren motstår den passage av solvärme in i byggnaden och undviker därigenom överhettning i byggnaden, tack vare dess låga solfaktor. Detta uppnås speciellt för beläggningar med ett Sb/Sn-forhållande mellan 0,01 och 0,12, företrädesvis 0,03-0,07 och en tjocklek mellan 100 och 500 nm, t ex mellan 250 och 450 nm.

Företrädesvis är tenn/antimonoxidbeläggníngsskiktet ett exponerat beläggningsskikt och glasningspanelen innefattar endast ett sådant tenn/antimonoxidbeläggningsskikt.

Emellertid är det möjligt att tillhandahålla en eller flera ytterligare beläggníngsskikt, antingen genom pyrolys eller medelst andra beläggningsmetoder, för att uppnå en speciellt önskad optisk kvalitet. Det bör emellertid noteras att tenn/antimonoxid- skiktet då det appliceras genom pyrolys har tillräcklig mekanisk hållbarhet och ke- miskt motstånd för att på lämpligt sätt ftmgera som det exponerade skiktet.

Paneler enligt uppfinningen kan installeras i enkla eller flerglasningsenheter. Medan den belagda ytan på panelen kan utgöra insidan av den yttre glasningspanelen så att den belagda ytan inte exponeras för väderförhållanden, vilket annars skulle snabbare reducera dess livslängd genom nedsmutsning, fysisk skada och/eller oxidering, uppvisar beläggningar producerade genom pyrolys generellt ett större mekaniskt motstånd än beläggningar producerade medelst andra metoder och de kan därför ex- 10 l5 20 25 30 51-4 055 _ a _ poneras för atmosfären. Panelerna enligt uppfinningen kan med fördel användas i laminerade glasstrukturer, t ex där den belagda ytan är den inre ytan av det yttre laminatet.

Enligt en andra aspekt på uppfinningen, fillhandahålles ett förfarande för formning av en glaspanel innefattande den kemiska ångavsätmingen (CVD) av ett tenn/anti- monoxidskikt ur en reaktionsblandning på ett vitröst substrat, varvid nämnda reak- tionsblandning innefattar en tennkälla och en antimonkälla, och varvid Sb/Sn- moltörhållandet i nämnda blandning är från 0,01 till 0,5, varvid det så belagda sub- stratet uppvisar en solfaktor FS av mindre än 70%.

Då det är önskvärt att framställa pyrolytiskt belagt plant glas är det bäst att göra så när glaset nyligen formats. Att göra så har ekonomiska fördelar eftersom det inte är nödvändigt att återupphetta glaset för att den pyrolytiska reaktionen skall kunna ske och det är också av nytta för beläggningens kvalitet eftersom det säkerställer att gla- sets yta är urspnmgligt tillstånd. Således är det föredraget att nämnda mellanbe- läggningsprekrrrsonnaterial bringas i kontakt med en yttre yta av ett hett glassubstrat bestående av ett nyformat plant glas.

Sålunda kan glasningspanelerna enligt uppfinningen framställas såsom nedan be- skrivs. Varje pyrolytiskt beläggningssätt kan utföras vid en temperatur av åtminsto- ne 400°C, idealt från 550 fill 750°C. Beläggningama kan formas på en glasslciva som förflyttas i en tunnelugn eller på en glasremsa under bildning, medan den fort- farande är het. Beläggningar kan formas inne i kylkanalen som är placerad efter an- ordningen for formning av glasband eller inne i flyttanken på glasbandets övre yta då den senare flyter på ett bad av smält tenn.

Beläggningsslcikt påfórs på substratet medelst CVD-teknik. Detta är en speciellt an- vändbar metod eftersom den tillhandahåller möjligheten av beläggningar med vanlig tjocklek och komposition, där sådan järnnhet hos beläggningen är speciellt betydel- sefull när produkten skall täcka en stor yta. CVD erbjuder många fördelar framför 10 15 20 25 30 514 055 #0 pyrolysmetoder med användning av sprejade vätskor som det reagerande materialet.

Med dylika sprejmetoder är det svårt både att styra fórångningsförfarandet och att erhålla en god enhetlighet hos beläggningstjockleken. Därutöver är pyrolys av spre- jade vätskor väsentligen begränsade tiIl framställning av oxidbeläggningar, såsom Sn02 och TiOg. Det är också svårt att fiamställa flerskílctade beläggningar med an- vändning av sprejade vätskor eftersom varje beläggningsavsättning alstrar en signi- fikant nedkylning av substratet. Vidare är CVD mera ekonomisk i termer av råma- terial, och leder till minskat avfall.

Produkten med CVD-beläggningar är fysiskt annorlunda än de med beläggningar erhållna genom sprejning. Det bör noteras att en beläggning genomförd medelst sprej kvarhåller spår av de sprejade droppama och sprutpistolens väg vilket inte är fallet med CVD.

För att forma varje beläggning, bringas substratet i kontakt i en beläggningskammare med ett gasformigt medium innefattande reaktionsblandningen i gasformig fas. Be- läggningskammaren matas med reaktionsgasema genom ett eller flera munstycken vars längd är åtminstone lika med bredden på det som skall beläggas.

F örfaranden och anordningar för att forma dylika beläggningar har beskrivits t ex i franska patentet 2 348 166 (BFG Glassgroup) eller i iranska patentansökningen nr. 2 648 453 A1 (Glaverbel). Dessa förfaranden och anordningar leder till forman- det av speciellt starka beläggningar med ñrdelaktiga optiska egenskaper.

För att forma beläggningarna bestående av tenn/antimonoxid, används två successi- va munstycken. Reaktionsblandningen innefattande en källa för tenn och för anti- mon inmatas i det första munstycket. När denna blandning innefattar klorider vilka är vätskefonniga vid omgivningens temperatur förångas den i en ström av vattenfri bärargas vid en förhöjd temperatur. För att producera oxidema, bringas kloridema i kontakt med vattenånga som leds till det andra munstycket. Ångan är överhettad och injiceras också i en bärargas. 10 15 20 25 30 514 055 ' .Tl Med fördel används kväve som den väsentligen inerta gasbäraren. Kväve är tillräck- ligt inert för de ändamål som föreligger och det är relativt billigt jämfört med ädel- gaserna.

Mellanbeläggningar av kiseloxid Si02 eller SiOX kan avsättas från silan SiH4 och syre i enlighet med beskiivningeni de brittiska patentansökningarna GB 2 234 264 och GB 2 247 691.

Om ett glassubstrat, som uppbär en icke helt oxiderad beläggning, exponeras för en oxiderande atmosfär under en tillräckligt lång tidsperiod kan det förväntas att be- läggningen har en tendens att helt oxideras så att dess önskade egenskaper förloras.

Därför beläggs en dylik mellanheläggning med tenn/antimonoxidbeläggningen me- dan det fortfarande är i ett icke helt oxiderat tillstånd och medan substratet fortfa- rande är varmt för att därigenom kvarhålla en dylik mellanbeläggning i dess icke helt oxiderade tillstånd. Den tid under vilken nyligen mellanbelagt glassubstrat kan exponeras för en oxiderande atmosfär såsom luft och vidare innan mellanbelägg- ningen förses med en övre beläggning utan att skada egenskaperna hos mellanbe- läggningen, kommer att bero på temperaturen hos glaset under sådan exponering och på typen av mellanbeläggning.

Företrädesvis är kammaren för nämnda mellanbeläggning omgiven av reducerande atmosfär. Användande av detta känneteken hjälper till att förhindra omgivningens syre från att komma in i mellanbeläggningskammaren och följaktligen tillåts en bätt- re kontroll av de oxiderande villkor i mellanbeläggningskammaren.

Det syre som krävs för mellanbeläggningens reaktioner kan tillföras i form av rent syre, men detta ökar onödigt kostnaderna och det föredras följaktligen att tillföra luft till mellanbeläggningskammaren för att där införa syre. 10 15 20 25 30 514 055 _ .få Det noteras att Sb/Sn-moltörhållandet som är önskvärt i reaktionsblandningen mot- svarar inte alltid det förhållande som är önskvärt för tenn/antimonbelâggningskiktet.

Företrâdesvis väljs tennkällan bland SnCl4, monobutyltriklorotenn (”MBTC”) och blandningar därav. Antimonkällan kan väljas bland SbCl5, SbCl3, organiska anti- - montöreningar och blandningar därav. Exempel på lämpliga källmaterial utgörs av Sb(OCH2CH3)3, Cl1,7Sb(OCH2CH3)1,3, C12SbOCHClCH3, c12sbocH2cHcH3 c1 och c12sbocH2c(cH3)2c1.

Uppfinningen kommer nu att beskrivas mer detaljerat med referens till följande icke-begränsande exempel.

I exemplen bestämdes Sb/Sn-moltörhållandet i beläggningsskikten medelst röntge- nanalysteknik i vilken antalet röntgenimpulser från resp. grundämne jämfördes. Även om denna teknik inte är helt så precis som om en kalibrering skett medelst kemisk dosering, betyder likheten mellan antimon och tenn att de reagerar på lik- nande sätt med avseende på röntgenstrålar. Förhållandet av det mätta antalet obser- verade impulser för resp. element ger sålunda en nära approximation till deras mol- förhållande.

Färgat snarare än klart glas användes som indikeras i vissa av exemplen. Egenska- pema hos de resp. typema av färgat glas visas i Tabell 1 nedan. I samtliga fall mät- tes egenskaperna på glasprov, vilka uppvisade en tjocklek av 4 mm, varvid detta är tjockleken på alla glas använda i alla exemplen utom Exempel 1-7 (för vilka tjock- leken visas i Tabell 2). F örkortningama i denna och de andra följande tabellema (TL, TE etc) har ovan angivna betydelser.

Med avseende på beräkningarna av solfaktorn bör det noteras att för ljustransmittans (TL) under 60% är eiïekten av låg emissivitet inte negligerbar och bör tagas med i beräkningen: då emissiviteten reduceras så sker på samma sätt med solfaktom. 10 15 514 055 I? Tabell 1 1,1) vifl u-ansmission (mn) 505,4/508,5 504,9/508,4 470,1/493,9 493,2/502,7 478,9/502,7 [Ljuskä11a: C/A] Renhet (%) 2,9/3,4 2,1/2,5 1,5/0,8 5,6/5, 1 2,6/ 1,8 TL (%) 72,66/71,12 78,44/77,20 55,65/55,56 36,80/35,76 22,41/22,30 [Ljuskällaz C/A] TE (%) (CIE) 44,0 52,3 56,9 25,9 31,11 FS (%) belagd sida 56,8 62,9 66,3 43,4 47,3 (CIE) TL/FS 1,28 1,25 0,84 0,85 0,47 [Ljuskällaz C] Exempel 1 Klart natriumfloatglas som förflyttas framåt med en hastighet av 7 m/min längs en floatkammare iörseddes med en mellanbeläggning på en beläggningsstation placerad vid ett läge längs floatkammaren där glaset hade en temperatur av ca 700°C. Tillför- selledningen matades med kvävgas, silan introduceras i denna med ett paflialnyck av 0,25% och syre introduceras med ett partialtryck av 0,5% (förhållande 0,5). En beläggning av kiseloxid SiOg med en tjocklek av 100 nm erhölls.

Det med mellanbeläggning belagda substratet uppvisade en tjocklek av 6 mm och belades därefier omedelbart medelst CVD-pyrolys med användning av en belägg- ningsanordning innefattande två på varandra följande munstycken. En reaktions- blandning innefattande en blandning av SnCl4 som tennkälla och SbC15 som anti- monkälla användes. Sb/Sn-moiörhållandet i blandningen var ca 0,2. Reaktions- blandningen fiirångades i en ström av vattenfri kvävgas vid ca 600°C och matades in 10 15 20 25 30 514 055 HI vid det första munstycket. Förångning åstadkoms genom atomisering av dessa rea- gens i bärargasen. Överhettad vattenånga leddes till det andra munstycket. Vat- tenångan upphettades till ca 600°C och injicerade också i en bärargas, vilken utgjor- des av luft upphettad till ca 600°C. Flíideshastigheten hos gasen (bärargas plus rea- gens) i varje munstycke var 1 m3/cm vidd av substrat per timme vid driftstemperatu- ICII.

Beläggningsfcirfarandet fortsatte tills den geometriska tjockleken av tenn/antimon- oxidbeläggningen som lades på mellanbelagda substratet var 185 nm.

Exempel 2-7 I Exempel 2-7, följdes förfarandet enligt Exempel 1 men med variationer av sådana paramenar som reaktionsblandningen, närvaron eller frånvaron av mellanbelägg- ningsoxid, förhållandet Sb/Sn i beläggningen och i reaktionsblandningen och tjock- leken av glassubstratet. T ex, jämfört med Exempel 1, påfórdes i Exempel 2 ingen mellanbeläggning och tenn/antimonoxidbeläggningsskiktet uppvisade en tjocklek av 210 nm. Reaktionsblandningarna anges nedan: Exempel 2 och 3: samma som i Exempel 1 (men med en lägre koncentration av re- aktionsblandningen i bärargasen i Exempel 3); Exempel 4: MBTC och Cl 1,7Sb(OCH2CH3)1,3; Exempel 5: MBTC och Cl2SbOCH2CHCH3Cl; Exempel 6: MBTC och Cl2SbOCH2C(CH3)2Cl; Exempel 7: MBTC och SbCl3 Variationema i drifisparametranra för Exempel 1-7 och de erhållna resultaten ges i medföljande Tabell 2. 10 15 20 25 30 514 055 15 Glasningspanelerna enligt Exempel 3-7 uppvisade en trevlig blå färg vid genomlys- ning: den dominerande våglängden i tmnsmissionen inom det synliga våglängdsom- rådet låg inom området 470-490 nm.

Exempel 6 gav en glasningspanel med kombinationen en låg solfaktor FS och låg emissivitet.

I en variant av Exempel 6 ersattes mellanbeläggningen av SiOg av en anfireflekte- rande mellanbeläggning av kiseloxid SiOx enligt förfarande i brittiska patentet GB 2 247 691. I en ytterligare variant ersattes mellanbeläggningen av SiOg mellan- beläggning av ett oxiderat aluminiinn/vanadinskikt enligt brittiska patentet 2 248 243. I dessa varianter uppvisade glasningspanelema ingen pm-purton vid re- flektion fiån den icke belagda sidan.

Exempel 8 Färgat floatglas ”grön A” som förflyttas med en hastighet av 7 m/min längs en float- kammare belades med en mellanbeläggning vid en beläggningsstation placerad på ett läge längs floatkammaren där glasets temperatur var ca 700°C. Matningsledning- en matades med kvävgas, silan infördes med ett partialtryck av 0,2% och syre infor- " des med ett parfialtryck av 0,5% (förhållande 0,55). En beläggning av kiseloxid SiOx med x approximativt lika med 1,8 erhölls med ett brytningsindex av ca 1,7.

Beläggningens tjocklek var 40 nm.

Det med mellanskikt belagda substratet, uppvisade en tjocklek av 4 mm och belades därefler medelst CVD-pyrolys. En reaktionsblandning innefattande en blandning av MBTC som tennkälla och Cl1,7Sb(0CH2CH3)1,3 som antimonkälla användes.

Sb/Sn-molfcirhållandet i blandningen var ca 0,195 (massfiírhållande 0,2). Reak- tionsblandningen törångades i en ström av vattenfri lufl vid ca 200°C, inmatades vid munstycket. Förångning åstadkoms genom atomisering av dessa i reaktionen ingå- 10 15 20 25 30 514 055 IQ ende ämnen i bärargasen. Överhettad vattenånga infördes därefter, upphettades till ca 200°C.

Beläggningsförfarandet fortsatte tills den geometriska tjockleken av tenn/antimon- oxidbeläggningen som lades på mellanbeläggningen uppgick till 120 nm.

Exempel 9-14 I Exempel 9- 14 följdes förfarandet enligt Exempel 8 men med variationer som visas i medföljande Tabell 2 av sådan parameter såsom mellanbeläggningens tjocklek, förhållandet Sb/Sn i beläggningen och i reaktionsblandningen, tjockleken av tenn/ antimonoxidbeläggningsskiktet och glasets färg. Resultaten av Exempel 8- 14 visas i Tabell 3.

Glasningspanelema enligt Exempel 9- 14 uppvisade en trevlig blå färg i genomlys- ning, den dominerande våglängden i transmissionen i det synliga spek1rat ligger in- om omrâdet 470-490 nm (ljuskâlla C).

I olika varianter av Exempel 9 i vilken glaset grönt A ersattes av mellangrått glas, blev den resulterande ljustransmittansen (TL) 20%, ljusreflektansen (RL) 10% och energitransmissionen (TE) 15%.

Exempel 15-30 Förfarandet enligt Exempel l följdes för ytterligare Exempel 15-30 med variationer i blandningen av ingående reagerande medel, färg och tjocklek av glassubstratet, tj ockleken av mellanbeläggningen och förhållandet Sb/Sn i reaktionsblandningen och i beläggningen. I Exempel 15-22 var den ingående reaktionsblandningen MBTC och Cl1,7Sb(OCH2CH3)1,3 utan trifluoroättiksyra medan i Exempel 23-30 utger- des reaktionsblandningen av MBTC och Cl1,7Sb(OCH2CH3)1,3 med trifluorättík- syra. Förhållandet F/Sn i reaktionsblandningen för dessa exempel var 0,04. 5 'l 4 Û 5 5 l ? Variationerna av drifisparametrar och de erhållna resultaten visas i medföljande Ta- bell 4 fór Exempel 15-22 och i medföljande Tabell 5 för Exempel 23-30. Kiseloxi- den SiOx använd i Exempel 15-30 har' ett värde på x approximativt lika med 1,8. 514 055 m n m m . . . ...........................o 2.... ä... S... ....... ..... A ..... A ..... A .ušamšm 5.2. .ëwfiun so.. ...m o.. ...Q ...R å. ...ß m... s... ëšou... .š .å såå... ...ä å... ...in .....9. .än ma? ...Em nå.. nå. ëä... E.. a... ...Eßäz .š o.. n... ...w ß... m... m... m.. ...m Q.. Éwmëwâ.. ...Suäewæm nä.. ...mä ........ ...Mä ........ ...W 3% es.. Émmšmä.. ...s n.. ä... ..... ä... 2.... ä... ä... S... 95.. ...m 3.. a... ...ä ...ä ä. QR ä... E... ...se e... m.. h... w.. ..... ...ä ä.. ...ü ...m E... ...se Q.. .E ...Q 3... ...w .... n QS ....... ...Q š.. ..._ w.. ä. w... w... ....w.m... ...a S... ä.. ......._....... ...ušm=owåu. ..~... ... ... ..~... å... ..~... 8... å... ...aumms ...as ...â.._....æ..æ..æ ä... å... m. ... S... 3... ....... ä... .s.................. . ....â..........-.æ...m 2 .K R .K .. .. ..... 9.... .......8... .....w......ww...2.â...2 No... Noa Noa No... ä... 5.... Noa .......&.....ww......ä....2 .... a... m... ..~. w..... ...N n.. 2.... .................«.,............â......ë N :anna_ m :aaah Såwwwow . En. < SS... SÉSš m .sö Sö < SS... < SS... å. eos...

SSS ._._.S SSS SSS S._.S nä ...S ...Éæšm ...SES .Suwfiun å..

E. S.. S.._..._.S. Såå ~...S.S ...Sås ...så ...Såå s... SSESS... S... e... sååå...

Så. SSS.. š SSS- ...n 23%- ..SSS.._.SSS. ...SSS.S.S..S- SRS... S- S.SSS.S.~..S- ..Ss_.S.SS._ SSSSÉ SS.. så SSESSS. S... S... 2. .k S.S.~.S S.. :Så ...ÉSS .....S.._ SSR... ~.._.._.._ .å Såmšmâ.. S... sååå... ä.. ._.SS._ S..S._.S..SS S.S..._.~.._S._ QSSESSS S.:.._.S.._S._ S.åS._.~...S._ SSSSRSSS ...ä ...Smmëmâu S... o.. ._ .S .à SSšSS.. SS.. QS SS.S.S...S SSSÉS SS.S.SS.S Qå.. EES m.. SS SS SN SS :_ :_ 3 .EQ .SSS SSSSS. Sw... S...

- S .S S S. S.. 8 .S ä... S... E 4 S S S S S S .o ...SSSSE E... SSSSSS. S... ä R. F.. S å . å å å E: Så G2 ...SSSSSS ä... Sås... ...ä ä F.. SS :SSS Sa ä.. S ä.. S SåS 32 Ü ...SëmSSm .å d.

S.. S.. S.. S.. S.. ..S SQS Så SSSÉE uošmaoflšu.

S.S S.S S.S S.S S.S S.....S S.S SSSSSS... Så... SSâ..S...S..SS.SS SS.S SS.S SS.S SS.S SS.S S. .S S..S SSSSSÉSÉ. . SSš..SS.S..Sw.SS S._ S._ S._ S._ S._ S.. S._ Se.. S028... äSSäÉSSSâ=S2 Soæ Soæ Noa Noa Noa Søæ Soæ Sw..........ä........_â..._2 SS SSS SS SS SSS SS. SN. .es .ÉSSQSSSSSÉSSÉSS 514 055 10 ..w.w ..w.w m ww... .âwš < wwö av. .âwå m ..w.ö < wwö av. wë saw... ..w.w www www www ww.w ww.w ..w.w ww.w .wwzwwšm ..w...w wwwfiø.. :..w w... ...w ...w w.m w.w. w.m. ww. mi s... wwšwuw. .š .å .wåewæw .as ..w...w w.wmm- www..- www... www..- www.. www.. www.. www.. ..w...www ä.. så wwšwww. w... m... _... m... ...w . w.w w.m w.w ..w m.w .å wwäëwâ.. w... .wâwwwå mä.. ...www wwwm www.. www.. w.wwm wwwm w...wm .šw wwëšmš.. .š a.. ww.. www ww.. ..._ ww.w ww.. ww.. m. .. wÉw ww.. w... ww.. ä... m... ww.. ww.w mw.. ...äs ..w.. www www ...wm .....w www å.. www .EQ .än wwsww. .å w. m.ww ...Q m...w wa.. w.m. www w.ww w.wm En.. .å mm w.w w... m.. w.. w.m we w.. w.w .....w wwswww. .å .E w... ws w.w w.w we ...w w.w w.w ..w...w ..w...å ...ä .E ..mm w.mw www w... w.ww www ...mm www .u sæwâ... e... d. w.. w.. w.. w.. mw.w mw.w mw.w mw.w .å ...åäö :ošwcoêuw www.w www.w www.w www.w www.w www.w www.w www.w wwwwwww. ...as wwâ..w...w...=w.ww wmw.w wmw.w wmw.w wmw.w wmw.w wmw.w wmw.w wmw.w wwwwewwæw.. . wwšwfiwæeæww .å ww .å ww .å ww .å ww .å ww .å ww .å ww .å wm .es ..w...www äwwiâwæwwâ=w2 .....w .....w .....w woæ .....w woæ .....w wo... ...wwmwfiâwwswâwwë www www www www www www www i www ..w.w wwæwwwwæwwwawâweww < w :essä 514 055 í-l-I ....a ...... m ....ö ......... < ....ö ...... ......... m. ....o < ....ö av. ...... ......... .a... .a... .a... .a... .a... .a... .a... .a... ......nam ......... .ëwåun E... .... a.. ... ... .... ... ..... ... s... .................> .å.2.=........ ...å ä... ...:... ...... ...... ...... aa... ...... ...... ..... . ......... ä.. ...... ................. .š o.. ... ... ... ... ... ...a .a .a ...... ...uæøæâß .š .uâuåå ...... ma... ...... å.. ...... ...... ...... ... .. ...å åæëaâ.. .š o.. ..a.. ...... ..a.. ... .. ...o ..a.. ä.. .... ......H .... .Z ....a ... E.. ...... ä.. ..... E... ...... ä.. ..a.. S. ...... n... ...... ...S ....B ...... ......... .å ...

S.. ...... ...a aa.. ...... E.. ....a ...... ä... .å m.

... ... ... S. a.. ... .... ... ...... ......så .å ä. ... aa ... ... .... a.. ... ...... ...... ......... .å d. ..... ...a m.. a... ...a ...S m.. a..... .o ......... .å ...H a.. a.. a.. a.. a... a.... a... a.... .å ......än =øš.=o.fl¶o.. .a..... .a..... .a..... .a..... .a..... .a..... .a..... .a..... 023.... ......... ......................... 5.... ......Q ......... ......... ...... ...... ...... ...... fiæfiâafi... . .................=..... å ... .å ... .å ... .å ... .å ... å ... å ... å ... E... ......av .......=.......2.â..@2 å.. å.. å.. å.. å.. å.. å.. å.. .........=...........â....2 ..... ... .. ... ..... ...a ...a ...a ...a ...å ........8.............s..â>a.ä m :aaah

Claims (18)

10 15 20 25 30 5 1 4 0 5 51 :ZL i Patentkrav

1. Glasningspanel innefattande ett vitröst substrat uppbärande en tenn/antimonoxid- beläggning innehållande tenn och antimon i ett Sb/Sn-molfiårhållande från 0,01 till 0,5, kännetecknad av att nämnda beläggningsskikt har formats pyrolyfiskt genom kemisk ångavsätming (CVD-teknik), varvid det så belagda substratet uppvisar en solfalctor (FS) av mindre än 70%.

2. Glasningspanel enligt krav 1, kännetecknad av att Sb/Sn-molfórhållandet är åtminstone 0,03.

3. ' 3. Glasningspanel enligt krav 2, kännetecknad av att Sb/Sn-molfiirhållandet är åtminstone 0,05.

4. Glasningspanel enligt något av fiâregående krav, kännetecknad av att Sb/Sn-molfórhållandet är mindre än 0,21.

5. Glasningspanel enligt krav 1 eller 4, kännetecknad av att Sb/Sn-molfiírhållandet är mellan 0,01 och 0,12. '

6. Glasningspanel enligt krav 5, kännetecknad av att Sb/Snmolförhållandet är mellan 0,03 och 0,07.

7. Glasningspanel enligt något av föregående krav 1, kännetecknad av att ett mellanliggande diffusionsreducerande beläggningsslcikt placeras mellan substratet och tenn/antimonoxidbeläggningssldktet.

8. Glasningspanel enligt krav 7, kännetecknad av att nämnda diffusionsreducerande beläggningsskilct innefattar kiseloxid.

9. Glasningspanel enligt något av föregående krav, kännetecknad av att solfaktorn är mindre än 60%. ~10 15 20 25 514 oss 15

10. Glasningspanel enligt krav 9, kännetecknad av att solfaktom är mindre än 50%.

11. ll. Glasningspanel enligt något av föregående krav, kännetecknad av att ljustransmittansen (TL) 'är mellan 40 och 65%.

12. Glasningspanel enligt något av föregående krav, kännetecknad av att nämnda tenn/antimonoxidbeläggning uppvisar en tjocklek av fiån 100 till 500 nm.

13. Glasningspanel enligt krav 12, kännetecknar! av att tenn/antimonoxid- - beläggningen uppvisar en tjocklek av fiån 250 till 450 nm.

14. Glasningspanel enligt något av föregående krav, kännetecknad av att temi/antimonoxidbeläggningsslciktet utgör ett exponerat beläggningssldlrt.

15. Glasningspanel enligt något av föregående krav, kännetecknad av att panelen innefattar enbart nämnda tenn/antimonoxidbeläggningsskikt.

16. Förfarande för formning av en glasningspanel innefattande kemisk ångavsätming (CVD) av ett tenn/antimonoxidslcikt från en reaktionsblandning på ett vitröst substrat, kännetecknat av att reaktionsblandningen innefattar en tennkälla och en antimonkälla, att molfiârhållandet antimon till tenn i nämnda blandning är från 0,01 till 0,5, varvid det så belagda substratet uppvisar en solfalctor (F S) av mindre än 70%.

17. Förfarande enligt krav 16, kännetecknat av att nämnda tennkâlla är vald bland SnCl4, monobutyltriklorotenn och blandningar därav. _

18. Förfarande enligt krav 16 eller 17, kännetecknat av att anfimonkällan är vald bland antimonklorider, organiska antimonföreningar och blandningar därav.