JPS61184567A - 電子写真装置 - Google Patents
電子写真装置Info
- Publication number
- JPS61184567A JPS61184567A JP2488485A JP2488485A JPS61184567A JP S61184567 A JPS61184567 A JP S61184567A JP 2488485 A JP2488485 A JP 2488485A JP 2488485 A JP2488485 A JP 2488485A JP S61184567 A JPS61184567 A JP S61184567A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- charging
- photoreceptor
- light source
- charger
- timing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G15/00—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
- G03G15/02—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for laying down a uniform charge, e.g. for sensitising; Corona discharge devices
- G03G15/0266—Arrangements for controlling the amount of charge
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Discharging, Photosensitive Material Shape In Electrophotography (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ、発明の目的
〔産業上の利用分野〕
本発明は、非晶質シリコン系感光体を用いた電子写真装
置に関する。
置に関する。
電子写真装置に用いる感光体としては、従来酸化亜鉛・
硫化カドミウム・ＰＶＫ等の有機半導体、および非晶質
セレン系の感光体などが一般に知られている。一方これ
に対し近年新たな材料として、非晶質シリコン系感光体
（以下ａ−９ｉ感光体）を用いた電子写真装置が開発さ
れている。
硫化カドミウム・ＰＶＫ等の有機半導体、および非晶質
セレン系の感光体などが一般に知られている。一方これ
に対し近年新たな材料として、非晶質シリコン系感光体
（以下ａ−９ｉ感光体）を用いた電子写真装置が開発さ
れている。
ａ−Ｓｉ感光体は、従来の感光体に比べて高硬度・無公
害、また長波長感度が高い、熱に強いなど多くの利点を
有し、特に高硬度による高耐久性の感光体として今後需
要を高めてゆくことが期待される。
害、また長波長感度が高い、熱に強いなど多くの利点を
有し、特に高硬度による高耐久性の感光体として今後需
要を高めてゆくことが期待される。
しかしながら、高硬度により耐摩耗性に優れているとは
言え、過剰帯電や突発的な放電により感光体に強電界が
印加された場合には、ピンホールなどの欠陥を生じるこ
とがあり、感光体の寿命を大きく損なう原因となる。
ａ−３ｉ感光体の高耐久性を実現するためには、この点
に関しても、従来ノ感光体以上の性能を要求される。
言え、過剰帯電や突発的な放電により感光体に強電界が
印加された場合には、ピンホールなどの欠陥を生じるこ
とがあり、感光体の寿命を大きく損なう原因となる。
ａ−３ｉ感光体の高耐久性を実現するためには、この点
に関しても、従来ノ感光体以上の性能を要求される。
本発明者等の研究によれば、ａ−９ｉ感光体は、膜厚が
主に５ｐｍ〜８ＱＢｍと薄膜状態で使用されることが多
く、また比誘電率が１０以上と一般の感光体に比べて高
い（セレン系で６〜７、それ以外は一般に５以下）ため
、コロナ帯電時に従来の感光体使用時よりも強電界を印
加して使用する傾向があること、それに対してａ−Ｓ
ｉ感光体の静電耐圧自体は他の感光体に比べて低い（２
０ｇｍ厚の場合で１０００Ｖ＃ｉ後） こと、などが
判明しており強電界下で使用しなければならないにもか
かわらず、過剰帯電を行った場合には容易にピンホール
などの欠陥を生じてしまうことが確認された。
主に５ｐｍ〜８ＱＢｍと薄膜状態で使用されることが多
く、また比誘電率が１０以上と一般の感光体に比べて高
い（セレン系で６〜７、それ以外は一般に５以下）ため
、コロナ帯電時に従来の感光体使用時よりも強電界を印
加して使用する傾向があること、それに対してａ−Ｓ
ｉ感光体の静電耐圧自体は他の感光体に比べて低い（２
０ｇｍ厚の場合で１０００Ｖ＃ｉ後） こと、などが
判明しており強電界下で使用しなければならないにもか
かわらず、過剰帯電を行った場合には容易にピンホール
などの欠陥を生じてしまうことが確認された。
特に、上述した様な過剰帯電の生じ易い場合について、
実際の電子写真装置での例を挙げて説明する。
実際の電子写真装置での例を挙げて説明する。
第１図は非晶質シリコンに少量の水素、窒素等をドープ
した光導電層を導電ドラム上に形成したａ−５ｉ感光体
を用いた本発明が適用できる電子写真装置の一例で、１
はａ−Ｓｉ感光ドラムで図中の矢印方向に回転しており
、２はイオン流を感光体に印加して感光化帯電する１次
帯電器（本実施例では正極性）、３は画像露光光、４は
感光体にトナーを供給して潜像を現像する現像器、５は
イオン流を転写材・感光体に与える転写帯電器、９は転
写材、６はクリーナ装置でこれにより転写後の感光ドラ
ム１上の残留トナーを清掃し、次いで前露光光源７及び
本体アースに接続されたグリッドを付加したＡＣイオン
流を感光体に与える前除電器８により感光ドラムｌを除
電して再使用をくり返すものである。尚、除電器８は光
源７が設けられておれば必ずしも必要ではないが、本明
細書では感光体を除電する為にイオン流を与えるものも
帯電器と呼ぶことにする。
した光導電層を導電ドラム上に形成したａ−５ｉ感光体
を用いた本発明が適用できる電子写真装置の一例で、１
はａ−Ｓｉ感光ドラムで図中の矢印方向に回転しており
、２はイオン流を感光体に印加して感光化帯電する１次
帯電器（本実施例では正極性）、３は画像露光光、４は
感光体にトナーを供給して潜像を現像する現像器、５は
イオン流を転写材・感光体に与える転写帯電器、９は転
写材、６はクリーナ装置でこれにより転写後の感光ドラ
ム１上の残留トナーを清掃し、次いで前露光光源７及び
本体アースに接続されたグリッドを付加したＡＣイオン
流を感光体に与える前除電器８により感光ドラムｌを除
電して再使用をくり返すものである。尚、除電器８は光
源７が設けられておれば必ずしも必要ではないが、本明
細書では感光体を除電する為にイオン流を与えるものも
帯電器と呼ぶことにする。
上記の様な構成の電子写真装置において、従来は一般に
第５図のチャートに示すタイミングで複写行程の前行程
が行われる。すなわち感光ドラム１の回転に同期して各
帯電器、及び前露光がＯＮする。
第５図のチャートに示すタイミングで複写行程の前行程
が行われる。すなわち感光ドラム１の回転に同期して各
帯電器、及び前露光がＯＮする。
上述の様な前行程において、各帯電器が作動開始され所
定時間を経過した後の定常状態においては、過剰帯電や
放電が生じることは殆どない。
定時間を経過した後の定常状態においては、過剰帯電や
放電が生じることは殆どない。
ところが、各帯電器が作動開始される際の高圧電源のオ
ーバーシュートが存在する場合や、また停止状態におい
てドラム上に電位履歴が存在している場合、各帯電器作
動開始時から定常状態へ移行するまでの間において、過
剰帯電となる可能性が従来の感光体に比較してきわめて
高い。
ーバーシュートが存在する場合や、また停止状態におい
てドラム上に電位履歴が存在している場合、各帯電器作
動開始時から定常状態へ移行するまでの間において、過
剰帯電となる可能性が従来の感光体に比較してきわめて
高い。
第４図は帯電器２の略直後に配置した表面電位センサ１
１で測定した感光ドラム１の表面電位の変化を示すもの
で、曲線ｄ−ｆは従来の上記第５図のシーケンスにおけ
る場合で１点線ｄはコピー直前に感光体１上に略◆３０
０Ｖの電位履歴がある場合、１点鎖線ｅは履歴がＯｖで
帯電器２の高圧トランスが＋！５〜２０％程度のオーバ
ーシュートを有する場合、実線ｆは履歴がＯｖでオーバ
ーシュートも殆どない場合である。
１で測定した感光ドラム１の表面電位の変化を示すもの
で、曲線ｄ−ｆは従来の上記第５図のシーケンスにおけ
る場合で１点線ｄはコピー直前に感光体１上に略◆３０
０Ｖの電位履歴がある場合、１点鎖線ｅは履歴がＯｖで
帯電器２の高圧トランスが＋！５〜２０％程度のオーバ
ーシュートを有する場合、実線ｆは履歴がＯｖでオーバ
ーシュートも殆どない場合である。
上記の曲線ｄ、ｅは感光体１上に履歴が存在していたり
、高圧トランスのオーバーシュートが大きかったりした
場合、感光体１の放電破壊限界を容易に越えたり、また
越える危険のあることを表わしている。
、高圧トランスのオーバーシュートが大きかったりした
場合、感光体１の放電破壊限界を容易に越えたり、また
越える危険のあることを表わしている。
なお曲ｖｊｆでは、ドラム回転、帯電器作動開始後、し
ばらくの間定常状態よりも電位レベルが上方にシフトす
るが、これは前露光７を受けずに帯電を受けた領域に相
当し、このことから前露光７を受けた部分では、暗抵抗
の減少や暗減衰の増大が生じ、このためにレベル差が生
じるものと推測される。
ばらくの間定常状態よりも電位レベルが上方にシフトす
るが、これは前露光７を受けずに帯電を受けた領域に相
当し、このことから前露光７を受けた部分では、暗抵抗
の減少や暗減衰の増大が生じ、このためにレベル差が生
じるものと推測される。
尚、第３図で１次帯電器２の直後の電位を測定したのは
１通常１次帯電器２に印加する電圧が最も高く、この１
次帯電器２の電界によって感光体の放電破壊が一番生じ
易いから、ここの電位を代表的に測定したもので、他の
帯電器についても印加電圧を高くすれば当然前記の問題
が生ずる。
１通常１次帯電器２に印加する電圧が最も高く、この１
次帯電器２の電界によって感光体の放電破壊が一番生じ
易いから、ここの電位を代表的に測定したもので、他の
帯電器についても印加電圧を高くすれば当然前記の問題
が生ずる。
本発明はａ−Ｓｉ感光体を電子写真装置に用いた場合の
この様な特有の事情に鑑みなされたもので、ａ−Ｓｉ感
光体に対して過剰な電界が印加されることを防止し、こ
れによってａ−Ｓｉ感光体の特長である高耐久性能を十
分に発揮させることを目的としている。
この様な特有の事情に鑑みなされたもので、ａ−Ｓｉ感
光体に対して過剰な電界が印加されることを防止し、こ
れによってａ−Ｓｉ感光体の特長である高耐久性能を十
分に発揮させることを目的としている。
口、発明の構成
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、単数又は複数の帯電器と、電荷の除去のため
の露光光源を有し、感光体として非晶賀シリコン系感光
体を用いた電子写真装置において、該感光体が前記露光
光源により前露光を受けた面が前記帯電器の放電領域を
通過した後に帯電印加を開始するタイミングにおいて動
作させることを特徴とする電子写真装置である。
の露光光源を有し、感光体として非晶賀シリコン系感光
体を用いた電子写真装置において、該感光体が前記露光
光源により前露光を受けた面が前記帯電器の放電領域を
通過した後に帯電印加を開始するタイミングにおいて動
作させることを特徴とする電子写真装置である。
ａ−Ｓｉ感光体において、前露光と各帯電器の帯電印加
とのタイミングを上記のように設定することによって、
前露光照射により感光体の暗抵抗が下って過剰帯電しに
〈〈なり、感光体が放電破壊限界を越える過剰帯電とな
ることがない。
とのタイミングを上記のように設定することによって、
前露光照射により感光体の暗抵抗が下って過剰帯電しに
〈〈なり、感光体が放電破壊限界を越える過剰帯電とな
ることがない。
次に本発明の詳細を実施例について説明する。
本発明は、ａ−５ｉ感光体に帯電を行う際に、あらかじ
め光照射を行った後に帯電印加を開始するようにシーケ
ンス制御を行うものである。
め光照射を行った後に帯電印加を開始するようにシーケ
ンス制御を行うものである。
第２図は前述した第１図の電子写真装置を用いた本発明
のタイミングチャートを示すもので、公知のタイマ等を
利用した不図示制御回路により第１図における前露光光
源７の放射光が照射された感光ドラム１の表面が帯電領
域を通過した以後に各帯電器２・５あるいは除電器８の
作動を開始する。
のタイミングチャートを示すもので、公知のタイマ等を
利用した不図示制御回路により第１図における前露光光
源７の放射光が照射された感光ドラム１の表面が帯電領
域を通過した以後に各帯電器２・５あるいは除電器８の
作動を開始する。
第２図において、ｔ、 参ｔ２ａｔ３は各帯電器を印加
するタイミングを示すもので、第３図において距離ａ会
す彎ｃを移動する時間をそれぞれＬａφｔｂａｔｃとす
るとき １、≧ｔａ、ｔ２≧ｔｂ、ｔ３≧ｔｃ なる関係を満足するものである。なお距離ａ・ｂ・Ｃは
いずれも各帯電器の帯電による帯電作用を受ける”領域
の感光体回転方向の最下流部を示すもので、帯電器開口
部の略後端（下流側）と前露光照射部１０の距離に相当
する。
するタイミングを示すもので、第３図において距離ａ会
す彎ｃを移動する時間をそれぞれＬａφｔｂａｔｃとす
るとき １、≧ｔａ、ｔ２≧ｔｂ、ｔ３≧ｔｃ なる関係を満足するものである。なお距離ａ・ｂ・Ｃは
いずれも各帯電器の帯電による帯電作用を受ける”領域
の感光体回転方向の最下流部を示すもので、帯電器開口
部の略後端（下流側）と前露光照射部１０の距離に相当
する。
本発明によるシーケンスにおいて、オーバーシュートが
＋１０％以下の高圧トランスを用い、コピー直前に略＋
３００Ｖの電位履歴がある場合について測定を行ったと
ころ、第４図２点鎖線ｇのように、初期帯電電位は低く
、かつすみやかに定常状態に収束した０以上のことから
明らかな様に本発明を用いることで、帯電器印加を含む
前行程においてａ−Ｓ ｉ感光ドラムが放電破壊限界を
越える危険が防止出来る。
＋１０％以下の高圧トランスを用い、コピー直前に略＋
３００Ｖの電位履歴がある場合について測定を行ったと
ころ、第４図２点鎖線ｇのように、初期帯電電位は低く
、かつすみやかに定常状態に収束した０以上のことから
明らかな様に本発明を用いることで、帯電器印加を含む
前行程においてａ−Ｓ ｉ感光ドラムが放電破壊限界を
越える危険が防止出来る。
以上の実施例において、帯電印加前にあらかじ゛め感光
体を露光する手段として前露光光源７をそのまま用いた
が、この際にその前露光光源７の輝度を前行程時と複写
行程時、またはその他の任意のタイミングで変更するこ
とはもちろん自由である。前露光強度に関しては検討結
果によれば、感光ドラム１を略Ｏｖに除電出来る程度で
あれば十分である。それよりも強い露光でも弱い露光で
も放電破壊防止に関しては効果があるが、しかし強露光
とすれば、第４図の定常状態での電位がさらに低下する
。また、略Ｏ■に除電出来ない程度の弱露光だと、電位
の立上がり傾向の生じる場合がある。いずれにせよ放電
破壊防止の為の前露光の露光量の適正値は０．５〜１０
０１ｕｘ ａ ｓｅｃ程度と思われる。更にまた、帯電
印加前にあらかじめ感光体を露光する手段として、図示
の前露光光源７以外に或いはこれと併用して画像露光光
源３や、非画像部にトナーの付着を防止する為に、１次
帯電器２と現像器との間で感光体を露光する図示してい
ない非画像部露光光源その他・任意の光源を単独或いは
併用して用いても何ら差支えないのはもちろんである。
体を露光する手段として前露光光源７をそのまま用いた
が、この際にその前露光光源７の輝度を前行程時と複写
行程時、またはその他の任意のタイミングで変更するこ
とはもちろん自由である。前露光強度に関しては検討結
果によれば、感光ドラム１を略Ｏｖに除電出来る程度で
あれば十分である。それよりも強い露光でも弱い露光で
も放電破壊防止に関しては効果があるが、しかし強露光
とすれば、第４図の定常状態での電位がさらに低下する
。また、略Ｏ■に除電出来ない程度の弱露光だと、電位
の立上がり傾向の生じる場合がある。いずれにせよ放電
破壊防止の為の前露光の露光量の適正値は０．５〜１０
０１ｕｘ ａ ｓｅｃ程度と思われる。更にまた、帯電
印加前にあらかじめ感光体を露光する手段として、図示
の前露光光源７以外に或いはこれと併用して画像露光光
源３や、非画像部にトナーの付着を防止する為に、１次
帯電器２と現像器との間で感光体を露光する図示してい
ない非画像部露光光源その他・任意の光源を単独或いは
併用して用いても何ら差支えないのはもちろんである。
ハ１発明の詳細
な説明した様に、感光体表面に露光を行った後に帯電を
開始することで、ａ−３ｉ感光体への放電破壊限界を越
える過剰な電界印加によりピンホールなどの欠陥を生じ
ることが防止出来た。これによって、ａ−Ｓｉ感光体の
本来有するきわめて高い耐摩耗性が十分に発揮出来、耐
久性能を飛躍的に向上させることが出来る。
開始することで、ａ−３ｉ感光体への放電破壊限界を越
える過剰な電界印加によりピンホールなどの欠陥を生じ
ることが防止出来た。これによって、ａ−Ｓｉ感光体の
本来有するきわめて高い耐摩耗性が十分に発揮出来、耐
久性能を飛躍的に向上させることが出来る。
第１図・第３図はａ−５ｉ感光体を用いた電子写真装置
の実施例、第２図は本発明におけるコピ一時のタイミン
グチャート、第４図は本発明の詳細な説明する為のグラ
フ、第５図は従来におけるコピ一時のタイミングチャー
ト。 ｌ・・・ａ−Ｓｉ感光ドラム、２・・・帯電器、３・・
・画像露光光、４・・・現像器、５・・・転写帯電器、
６・・・クリー±、７・・・前露光ランプ、８・・・前
除電器、９・・・転写材、１０・・・前露光照射部、１
１・・・電位センサ。 第゛５図 第′″″２図 第４図 ｓ
の実施例、第２図は本発明におけるコピ一時のタイミン
グチャート、第４図は本発明の詳細な説明する為のグラ
フ、第５図は従来におけるコピ一時のタイミングチャー
ト。 ｌ・・・ａ−Ｓｉ感光ドラム、２・・・帯電器、３・・
・画像露光光、４・・・現像器、５・・・転写帯電器、
６・・・クリー±、７・・・前露光ランプ、８・・・前
除電器、９・・・転写材、１０・・・前露光照射部、１
１・・・電位センサ。 第゛５図 第′″″２図 第４図 ｓ
Claims (1)
- （１）単数又は複数の帯電器と、電荷の除去のための露
光光源を有し、感光体として非晶質シリコン系感光体を
用いた電子写真装置において、該感光体が前記露光光源
により前露光を受けた面が前記帯電器の放電領域を通過
した後に帯電印加を開始するタイミングにおいて動作さ
せることを特徴とする電子写真装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2488485A JPS61184567A (ja) | 1985-02-12 | 1985-02-12 | 電子写真装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2488485A JPS61184567A (ja) | 1985-02-12 | 1985-02-12 | 電子写真装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61184567A true JPS61184567A (ja) | 1986-08-18 |
Family
ID=12150609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2488485A Pending JPS61184567A (ja) | 1985-02-12 | 1985-02-12 | 電子写真装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61184567A (ja) |
-
1985
- 1985-02-12 JP JP2488485A patent/JPS61184567A/ja active Pending
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