JPS61182279A - 赤外発光素子 - Google Patents
赤外発光素子Info
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- JPS61182279A JPS61182279A JP60022850A JP2285085A JPS61182279A JP S61182279 A JPS61182279 A JP S61182279A JP 60022850 A JP60022850 A JP 60022850A JP 2285085 A JP2285085 A JP 2285085A JP S61182279 A JPS61182279 A JP S61182279A
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- Japan
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- gaas
- xalxas
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＧ ａ Ａ ｓ並びにＧ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓ
を用いた高出力の赤外発光素子に関する。
を用いた高出力の赤外発光素子に関する。
現在赤外発光ダイオードは単体の赤外ＬＥＤランプある
いはホトアイソレータ用発光素子等として広く光応用機
器に用いられており定電圧及び定電η℃のいずれにおい
ても高出力の素子の開発並びに改良が期待されている。
いはホトアイソレータ用発光素子等として広く光応用機
器に用いられており定電圧及び定電η℃のいずれにおい
ても高出力の素子の開発並びに改良が期待されている。
これに対して従来より使用されている赤外発光ダイオー
ドは第３図にその模式的な断面図を示すようにｎ型Ｇ
ａ Ａ ｓ基板７上に８ｉ添加ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ層８
と８１添加ＰｍＧａＡｓ層９が形成され、この上に例え
ばＡｕＺ口／Ａｕ等よｐなるＰ側電極１０が、またｎ
ｉｊｌ ＧＢｋＢ基版７の下面に例えばＡ ｕ Ｇｅ
／Ａ ｕ等より成るｎ側電極１１が形成されている。
ドは第３図にその模式的な断面図を示すようにｎ型Ｇ
ａ Ａ ｓ基板７上に８ｉ添加ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ層８
と８１添加ＰｍＧａＡｓ層９が形成され、この上に例え
ばＡｕＺ口／Ａｕ等よｐなるＰ側電極１０が、またｎ
ｉｊｌ ＧＢｋＢ基版７の下面に例えばＡ ｕ Ｇｅ
／Ａ ｕ等より成るｎ側電極１１が形成されている。
周知の通りＳｉはＧ Ｂ Ａ Ｂ中においては両性不純
物として働くため１回の液相成長過程にょ９ｎ型及びｐ
型のＧａＡｓ層が形成される。即ち高温においてはＧａ
サイトの方へはいるＳｉの量が多いためｎ型に、低温に
おいては反対にＡ５サイトの方へはいるＳｌの量が多く
ｐ型となる。この場合の特徴として、上述したように一
回の液相成長過程において両導電型のエピタキシャル層
が形成されるためにｐ−ｎ接合部の結晶性は良好である
が、一方ではｎ＃ｊ！及びｐ型エピタキシャル層の８１
不純物濃度を独立に制御することが困離であｐ、−般に
光を取り出す側となるｐ型エピタキシャル層のＳｉ不純
物濃度は表面に近づくにつれて高濃度となる。
物として働くため１回の液相成長過程にょ９ｎ型及びｐ
型のＧａＡｓ層が形成される。即ち高温においてはＧａ
サイトの方へはいるＳｉの量が多いためｎ型に、低温に
おいては反対にＡ５サイトの方へはいるＳｌの量が多く
ｐ型となる。この場合の特徴として、上述したように一
回の液相成長過程において両導電型のエピタキシャル層
が形成されるためにｐ−ｎ接合部の結晶性は良好である
が、一方ではｎ＃ｊ！及びｐ型エピタキシャル層の８１
不純物濃度を独立に制御することが困離であｐ、−般に
光を取り出す側となるｐ型エピタキシャル層のＳｉ不純
物濃度は表面に近づくにつれて高濃度となる。
上述した構造とは別に最近になって以下に記述される如
くの高効率赤外発光ダイオードが提案され、実用化され
始めている。
くの高効率赤外発光ダイオードが提案され、実用化され
始めている。
第４図にその断面図を示す。ｎ型Ｇ Ｂ Ａ Ｂ基板１
２上に８ｉ添加のｎｍ及びｐＭ Ｇ ａ ＞ −ｘＡＩ
ＸＡ ８層、１３．１４が形成された後、ｎ ｍ Ｇ
ａＡｓ基板１２を研摩又はエツチングにより除去したも
のである。この後、ｎ型Ｇａ Ｉ−Ｘ ＡＡＩ ｘＡｓ
Ａｓ層上３上えばＡ（ＩＧｅ／Ａｕ等よりなるｎ側電極
１５がまた１） １２１ Ｇａ １−ｘＡｌ ｘＡｓＡ
ｓ層上４上えばＡ ｕＺ ｎ ／Ａ ｕ等よりなるｐ０
１１１電極１６を形成し、王として口型Ｇａ１−ｘＡｌ
ｘＡｓ層１３側より光’ｔ−取り出ｔ。
２上に８ｉ添加のｎｍ及びｐＭ Ｇ ａ ＞ −ｘＡＩ
ＸＡ ８層、１３．１４が形成された後、ｎ ｍ Ｇ
ａＡｓ基板１２を研摩又はエツチングにより除去したも
のである。この後、ｎ型Ｇａ Ｉ−Ｘ ＡＡＩ ｘＡｓ
Ａｓ層上３上えばＡ（ＩＧｅ／Ａｕ等よりなるｎ側電極
１５がまた１） １２１ Ｇａ １−ｘＡｌ ｘＡｓＡ
ｓ層上４上えばＡ ｕＺ ｎ ／Ａ ｕ等よりなるｐ０
１１１電極１６を形成し、王として口型Ｇａ１−ｘＡｌ
ｘＡｓ層１３側より光’ｔ−取り出ｔ。
ＡｌＡｓ混晶比Ｘの深さ方向分布の一例を第４図と位置
関係を対応させて第５図に示す。同、Ｘの値は要求され
るデバイスの発光中心波長により決定される。
関係を対応させて第５図に示す。同、Ｘの値は要求され
るデバイスの発光中心波長により決定される。
この構造の特畝は前述したＳｉ添加Ｇ Ｂ Ａ Ｓと同
様に、−回の液相成長過程でｐ −ｎ接合が形成される
ための結晶性が良好であることは当然であるが＋’ ｐ
−ｎ接合近傍より上方（ｎ型Ｇ ａ ｌ−ｘ ＡＪＩ
ｉ ＸＡｓ層側）へ進む光はｎ Ｗ Ｇａ ｌ−ｘＡＩ
ｌ ｘＡｓＡｌＢ１２制帯幅がそのＡ ｌＡ ｓ混晶比
Ｘにより、発光波長に対して充分大さく、結果として吸
収が極めて小さいことである。この点において、従来の
Ｓｉ添加Ｇ Ｂ Ａ ５に比し、発光出力の点では優れ
ていると言える。
様に、−回の液相成長過程でｐ −ｎ接合が形成される
ための結晶性が良好であることは当然であるが＋’ ｐ
−ｎ接合近傍より上方（ｎ型Ｇ ａ ｌ−ｘ ＡＪＩ
ｉ ＸＡｓ層側）へ進む光はｎ Ｗ Ｇａ ｌ−ｘＡＩ
ｌ ｘＡｓＡｌＢ１２制帯幅がそのＡ ｌＡ ｓ混晶比
Ｘにより、発光波長に対して充分大さく、結果として吸
収が極めて小さいことである。この点において、従来の
Ｓｉ添加Ｇ Ｂ Ａ ５に比し、発光出力の点では優れ
ていると言える。
前述した赤外発光素子は以下に説明されるような欠点が
存在する。即ちＳｌ添加Ｇ ａ Ａ ｓにおいては既に
述べたようにＳｉ不純物濃度が大きいことにより発光波
長における結晶の内部での吸収係数が無視できない。一
方、結晶と外部との屈折率の差により、ｐ −ｎ接合近
傍で発した光の多くは結晶内部で全反射し、実効的な光
学長は長くなるため上述の吸収係数と合せ、結果として
外部へ取り出せる光出力は減少する。このような事情は
通常一般に実施されている吸収係数の大きいｐ ｇ Ｇ
ａＡｓ層（例えば８ｉ不不純物産り１０ ” ９ｃｍ−
３で吸収係数１００ｃｍ−’以上）側より光を取り出す
際に著しいがｎサイドアップの場仕もそれほど発光出力
は改善されないことが実験的に確認されている。
存在する。即ちＳｌ添加Ｇ ａ Ａ ｓにおいては既に
述べたようにＳｉ不純物濃度が大きいことにより発光波
長における結晶の内部での吸収係数が無視できない。一
方、結晶と外部との屈折率の差により、ｐ −ｎ接合近
傍で発した光の多くは結晶内部で全反射し、実効的な光
学長は長くなるため上述の吸収係数と合せ、結果として
外部へ取り出せる光出力は減少する。このような事情は
通常一般に実施されている吸収係数の大きいｐ ｇ Ｇ
ａＡｓ層（例えば８ｉ不不純物産り１０ ” ９ｃｍ−
３で吸収係数１００ｃｍ−’以上）側より光を取り出す
際に著しいがｎサイドアップの場仕もそれほど発光出力
は改善されないことが実験的に確認されている。
また８ｉ添加Ｇ ａ １− ｘＡＪｌｉ ｘｋ５ の
場合は前述の通り、ｐ−ｎ接合近傍より上方、′即ちｎ
型Ｇａ１−ＸＡ Ｉ Ｘ Ａ ３層１３へ向った光に対
しては、既に述べたようにこの層における光吸収係数は
発光波長に対して無視できる程小さく、また屈折率の点
でもＧ Ｂ Ａ Ｂよシ改善されるため光出力は改善さ
れる。
場合は前述の通り、ｐ−ｎ接合近傍より上方、′即ちｎ
型Ｇａ１−ＸＡ Ｉ Ｘ Ａ ３層１３へ向った光に対
しては、既に述べたようにこの層における光吸収係数は
発光波長に対して無視できる程小さく、また屈折率の点
でもＧ Ｂ Ａ Ｂよシ改善されるため光出力は改善さ
れる。
しかしながらｐ −ｎ接合近傍よシ下方、即ちｐ型Ｇａ
１−ｘＡｌｘＡｓ 層１４へ向った光に対しては第５
図のＡ Ｉ Ａ ｓ混晶比分布より容易に理解されるよ
うに、発光波長に対して禁制帝中が小さくなり光は大部
分吸収される。従ってこの点でこの構造はさらに改善の
余地があると言える。さらに第４図の構造においてはｐ
−ｎ接合がＧ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓ により形成されて
いるため順方向立上り電圧（ＶＦ）がＧ ａ Ａ ｓに
比し、犬となる。このことは例えばリモコン用素子等の
定電圧駆動回路で夏用される場合においては素子に流れ
る１Ｍ、流値が小さくなり極めて不利となる。
１−ｘＡｌｘＡｓ 層１４へ向った光に対しては第５
図のＡ Ｉ Ａ ｓ混晶比分布より容易に理解されるよ
うに、発光波長に対して禁制帝中が小さくなり光は大部
分吸収される。従ってこの点でこの構造はさらに改善の
余地があると言える。さらに第４図の構造においてはｐ
−ｎ接合がＧ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓ により形成されて
いるため順方向立上り電圧（ＶＦ）がＧ ａ Ａ ｓに
比し、犬となる。このことは例えばリモコン用素子等の
定電圧駆動回路で夏用される場合においては素子に流れ
る１Ｍ、流値が小さくなり極めて不利となる。
本発明は前述した従来の素子構造の欠点に鑑みなされた
もので、順方向電圧等の特性をＧ ａＡ ５発光素子と
同等としたまま、発光出力の点で優れた素子構造を提供
することを目的とする。
もので、順方向電圧等の特性をＧ ａＡ ５発光素子と
同等としたまま、発光出力の点で優れた素子構造を提供
することを目的とする。
本発明はｎｍＧａ１−ＸＡＩＸＡＳ（０＜Ｘ≦１）層、
８ｉ添加の口型及びｐ型ＧａＡｓ／＊をこの順に配置成
長し、王としてｎ ｍ Ｇａ ｓ −ｘＡｌｘＡｓ
層より光を取り出すことにより高出力化を実現するもの
である。
８ｉ添加の口型及びｐ型ＧａＡｓ／＊をこの順に配置成
長し、王としてｎ ｍ Ｇａ ｓ −ｘＡｌｘＡｓ
層より光を取り出すことにより高出力化を実現するもの
である。
第１図は本実施例において製作された高出力赤外発光ダ
イオードのウェハー断面図である。
イオードのウェハー断面図である。
口型（１００）ＧａＡｓ基板１（点線）上に通常の液相
エピタキシャル成長法を用いてｎａｉ！Ｇａｔ−ｘＡｌ
ｘＡｓ層２を形成する。この時の仕込み量はＧａ１ｇ当
りＡ１１．３ｍｙ、ＧａＡｓ多結晶１２０ｍｙ、８１３
ｍｇ であり９２０℃から８９０℃まで成長を行なった
。次に連続して”１ｉＧａＡｓ層３及びｐ型ＧＢＡ５４
を形成する。この時の仕込量はＧａｌ＃当りＧａＡｓ多
結晶１２０ｍｙ、８１３ｍ＆であり。
エピタキシャル成長法を用いてｎａｉ！Ｇａｔ−ｘＡｌ
ｘＡｓ層２を形成する。この時の仕込み量はＧａ１ｇ当
りＡ１１．３ｍｙ、ＧａＡｓ多結晶１２０ｍｙ、８１３
ｍｇ であり９２０℃から８９０℃まで成長を行なった
。次に連続して”１ｉＧａＡｓ層３及びｐ型ＧＢＡ５４
を形成する。この時の仕込量はＧａｌ＃当りＧａＡｓ多
結晶１２０ｍｙ、８１３ｍ＆であり。
８９０℃から７３０℃まで成長を行なった。このときの
ｎ型Ｇａ １−ｘｋｌ ｘＡｓＡｓＯ２Ｉ Ａ ｓ混晶
比分布を第２図に示す。
ｎ型Ｇａ １−ｘｋｌ ｘＡｓＡｓＯ２Ｉ Ａ ｓ混晶
比分布を第２図に示す。
結晶成長終了後、ｎｍ！ＧａＡｓ基板１をラッピングに
より除去し、硫酸系のエッチャントにより歪層を除いた
後、ｎ側電極５としてＡｕ Ｇｅ／Ａｕ、 Ｉ）側電極
６としてＡｕＺｎ／Ａｕを蒸着にょ９形成する。
より除去し、硫酸系のエッチャントにより歪層を除いた
後、ｎ側電極５としてＡｕ Ｇｅ／Ａｕ、 Ｉ）側電極
６としてＡｕＺｎ／Ａｕを蒸着にょ９形成する。
この時、裏面での光反射を利用可能とするためｐ側層面
を極６はドツト状とする。ベレット化を行なった後所定
のスラムにｎ側電極５を上にして組み立てる。
を極６はドツト状とする。ベレット化を行なった後所定
のスラムにｎ側電極５を上にして組み立てる。
比較のため従来の８ｉ添加ＧａＡｓ発光ダイオードウェ
ハース（第３図）及び８１添加ＧａＡｌＡ３発光ダイオ
ードウェハース（第４．５図）の試作をベレットサイズ
、電極形状等を同一として（ただしＳｉ添加Ｇ ａ Ａ
Ｉ Ａ ｓ 発光ダイオードウェハースのｐ側電極は
全面）行なった。この場合パラメータ値（成長温度層厚
＃ ＡＩＡ６混晶比、ｓ１不純物濃度については最適化
されている。三種類の構造のエポキシ樹脂モールド後の
Ｉ Ｐ ＝ ５０ ｍ Ａでの特性結果を第１表にまと
めて示す。
ハース（第３図）及び８１添加ＧａＡｌＡ３発光ダイオ
ードウェハース（第４．５図）の試作をベレットサイズ
、電極形状等を同一として（ただしＳｉ添加Ｇ ａ Ａ
Ｉ Ａ ｓ 発光ダイオードウェハースのｐ側電極は
全面）行なった。この場合パラメータ値（成長温度層厚
＃ ＡＩＡ６混晶比、ｓ１不純物濃度については最適化
されている。三種類の構造のエポキシ樹脂モールド後の
Ｉ Ｐ ＝ ５０ ｍ Ａでの特性結果を第１表にまと
めて示す。
発光出力に関して言えば本発明による構造においては従
来構造に比し約１．３〜１．７倍となる。また順方向電
圧（Ｖｒ）についてはＳｉ添加Ｇ Ｂ Ａ Ｂと原理的
に同等であり発光中心波長についても本質的には変化は
ない。ただ、Ｓｔ添加ＧＢ Ａ Ｂと発光波長を比較し
た場合、中心波長が若干短波側へ見かけ上シフトする。
来構造に比し約１．３〜１．７倍となる。また順方向電
圧（Ｖｒ）についてはＳｉ添加Ｇ Ｂ Ａ Ｂと原理的
に同等であり発光中心波長についても本質的には変化は
ない。ただ、Ｓｔ添加ＧＢ Ａ Ｂと発光波長を比較し
た場合、中心波長が若干短波側へ見かけ上シフトする。
これは本発明の構造の場合、短波長成分の結晶内部吸収
が８ｉ添加Ｇ Ｂ Ａ Ｂの場合よりも小さくできるた
め相対的に短波長側のスペクトルが持ち上あった結果で
ある。
が８ｉ添加Ｇ Ｂ Ａ Ｂの場合よりも小さくできるた
め相対的に短波長側のスペクトルが持ち上あった結果で
ある。
〔第１表〕
〔発明の効果〕
以上実施例を用いて具体的に説明したように、本発明に
よる素子構造、即ちｎ型Ｇ ａ １− Ｘ ＡＪＩ Ｘ
ＡＳ（０くＸ≦１）成長層と８ｉ添加口型及びｐ型Ｇ
ａ Ａ ｓ成長層をこの順に配置し、主としてｎｆｉＧ
ａ １− ＸＡＩＸＡＳ 層より光を取シ出すことに
より。
よる素子構造、即ちｎ型Ｇ ａ １− Ｘ ＡＪＩ Ｘ
ＡＳ（０くＸ≦１）成長層と８ｉ添加口型及びｐ型Ｇ
ａ Ａ ｓ成長層をこの順に配置し、主としてｎｆｉＧ
ａ １− ＸＡＩＸＡＳ 層より光を取シ出すことに
より。
光出力が改善できる。即ち、ｐ−ｎ接合近傍において発
生した光に対してこの光の中心波長に比し充分な大きな
禁制帯巾を有するｎ型Ｇａ ｌ−ｘＪＪｘＡｓ層はほと
んど吸収体として作用しない。のみならずＧ ａ Ａ
ｓと比較して小さい屈折率を有するＧａ １−ｘＡム、
Ａ ６ を光の取り出し側に使用することは屈折率マ
ツチレグの点でも有利であシ、光の取り出し効率が向上
する。言うまでもなくｐ−ｎ接合はＧ Ｂ Ａ ｓによ
り形成されているため発光出力以外の特性（順方向電圧
２発光波長、応答速度等）は８ｉ添加ＱＢ Ａ Ｂと同
一である。
生した光に対してこの光の中心波長に比し充分な大きな
禁制帯巾を有するｎ型Ｇａ ｌ−ｘＪＪｘＡｓ層はほと
んど吸収体として作用しない。のみならずＧ ａ Ａ
ｓと比較して小さい屈折率を有するＧａ １−ｘＡム、
Ａ ６ を光の取り出し側に使用することは屈折率マ
ツチレグの点でも有利であシ、光の取り出し効率が向上
する。言うまでもなくｐ−ｎ接合はＧ Ｂ Ａ ｓによ
り形成されているため発光出力以外の特性（順方向電圧
２発光波長、応答速度等）は８ｉ添加ＱＢ Ａ Ｂと同
一である。
第１図は本発明の実施例で用いられた赤外発光ダイオー
ドウェハースの断面図、第２図は第１図の素子のＡ Ｉ
Ａ ｓ混晶比Ｘの深さ方向分布、第３図はＳｉ徐加Ｇ
２１ＡＢ発光ダイオードウェハースの断面図、第４図は
８ｉ添加（）ａ、−ＸノｋＡ！ｘＡｓ発光ダイオードウ
ェハースの動面図、第５図は第４図の素子のＡｌＡｓ混
晶Ｘ０深さ方向分布を示す。 １・・・・・・ｎ型ＧＢ Ａ Ｓ基板（除去）、２・・
曲・Ｓｉ添加” Ｍ Ｇａ ｌ−ＸＡＡ！Ａｓエピタキ
シャル層、３・旧・・Ｓｉ添加ｎ１ＱａＡｓ工ピタキシ
ヤル層、４・・・・・・Ｓｉ添加ｐ型Ｇ ａＡ Ｓエピ
タキシャル層、５・・・・・・口側電極、６・・・・・
・ｎ側ドツト電極、７・・・・・・ｎ型ＧａＡｓ基板、
８・・・・・・Ｓ１添加ｎ型Ｇ ａＡ Ｂエピタキシャ
ル層、９・・・・・・Ｓｉ添加ｐ型Ｇ ａＡＳエピタキ
シャル層、１０・・・・・・ｐ側電極、１１・・・・・
・ｎ側ドツト電極、１２・・・・・・口型Ｇ、Ａ、基板
（除去）、１３・・・・・・Ｓｉ添加ｎ型Ｇａ ｌ−ｘ
ＡＡ’ ｘＡｓ エピタキシャル層。 １４・＝−８ｉ添加ｐ ｉＪ ＯＢ ｓ −ＸＡＩＸＡ
Ｓ エピタキシャル層、１５・・・・・・ｎｍＩＩＬ
極、１６・・・・・・ｐ側電極。 代理人 弁理士 内 原 晋・−１＼・ ・′ 一１〇− 耳３ 邑 華２ 円 第４Ｉ！１ 茅ｓＩ！Ｉ
ドウェハースの断面図、第２図は第１図の素子のＡ Ｉ
Ａ ｓ混晶比Ｘの深さ方向分布、第３図はＳｉ徐加Ｇ
２１ＡＢ発光ダイオードウェハースの断面図、第４図は
８ｉ添加（）ａ、−ＸノｋＡ！ｘＡｓ発光ダイオードウ
ェハースの動面図、第５図は第４図の素子のＡｌＡｓ混
晶Ｘ０深さ方向分布を示す。 １・・・・・・ｎ型ＧＢ Ａ Ｓ基板（除去）、２・・
曲・Ｓｉ添加” Ｍ Ｇａ ｌ−ＸＡＡ！Ａｓエピタキ
シャル層、３・旧・・Ｓｉ添加ｎ１ＱａＡｓ工ピタキシ
ヤル層、４・・・・・・Ｓｉ添加ｐ型Ｇ ａＡ Ｓエピ
タキシャル層、５・・・・・・口側電極、６・・・・・
・ｎ側ドツト電極、７・・・・・・ｎ型ＧａＡｓ基板、
８・・・・・・Ｓ１添加ｎ型Ｇ ａＡ Ｂエピタキシャ
ル層、９・・・・・・Ｓｉ添加ｐ型Ｇ ａＡＳエピタキ
シャル層、１０・・・・・・ｐ側電極、１１・・・・・
・ｎ側ドツト電極、１２・・・・・・口型Ｇ、Ａ、基板
（除去）、１３・・・・・・Ｓｉ添加ｎ型Ｇａ ｌ−ｘ
ＡＡ’ ｘＡｓ エピタキシャル層。 １４・＝−８ｉ添加ｐ ｉＪ ＯＢ ｓ −ＸＡＩＸＡ
Ｓ エピタキシャル層、１５・・・・・・ｎｍＩＩＬ
極、１６・・・・・・ｐ側電極。 代理人 弁理士 内 原 晋・−１＼・ ・′ 一１〇− 耳３ 邑 華２ 円 第４Ｉ！１ 茅ｓＩ！Ｉ
Claims (1)
- ｎ型Ｇａ＿１＿−＿ｘＡｌ＿ｘＡｓ（０＜Ｘ≦１）成
長層及びＳｉ添加のｎ型並びにＰ型ＧａＡｓ成長層がこ
の順序に配置形成され、かつ少なくとも一部の光が前記
ｎ型Ｇａ＿１＿−＿ｘＡｌ＿ｘＡｓ成長層の表面より取
り出されることを特徴とする赤外発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60022850A JPS61182279A (ja) | 1985-02-08 | 1985-02-08 | 赤外発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60022850A JPS61182279A (ja) | 1985-02-08 | 1985-02-08 | 赤外発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61182279A true JPS61182279A (ja) | 1986-08-14 |
Family
ID=12094190
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60022850A Pending JPS61182279A (ja) | 1985-02-08 | 1985-02-08 | 赤外発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61182279A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03234069A (ja) * | 1990-02-09 | 1991-10-18 | Showa Denko Kk | ＧａＡｌＡｓ発光ダイオード及びその製造方法 |
-
1985
- 1985-02-08 JP JP60022850A patent/JPS61182279A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03234069A (ja) * | 1990-02-09 | 1991-10-18 | Showa Denko Kk | ＧａＡｌＡｓ発光ダイオード及びその製造方法 |
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