JPH07153991A - 発光ダイオード及びその製造方法 - Google Patents
発光ダイオード及びその製造方法Info
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- JPH07153991A JPH07153991A JP29651393A JP29651393A JPH07153991A JP H07153991 A JPH07153991 A JP H07153991A JP 29651393 A JP29651393 A JP 29651393A JP 29651393 A JP29651393 A JP 29651393A JP H07153991 A JPH07153991 A JP H07153991A
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- emitting diode
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Abstract
(57)【要約】
【目的】発光ダイオードの発光効率を改善すること。
【構成】ｎ型ＧａＡｓ基体１の（１００）面にエピタキ
シャル成長したｎ型ＧａＡｓ層２表面に凹凸を設け、そ
の上にＰ型ＧａＡｓエピタキシャル層３ａを液相エピタ
キシャル法により連続成長させる。屈折率の格子によ
り、内部での光の反射、回折が起こり、外部に出やすく
なる。
シャル成長したｎ型ＧａＡｓ層２表面に凹凸を設け、そ
の上にＰ型ＧａＡｓエピタキシャル層３ａを液相エピタ
キシャル法により連続成長させる。屈折率の格子によ
り、内部での光の反射、回折が起こり、外部に出やすく
なる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は発光ダイオード及びその
製造方法に関する。
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、発光ダイオードはリモートコント
ロール用等の信号用として、あるいはフォトカプラ，フ
ォトインタラプタ用の発光ダイオードとして、民生製品
（例えばＴＶや電話）に使用されており、高発光効率の
発光ダイオードの開発が望まれている。
ロール用等の信号用として、あるいはフォトカプラ，フ
ォトインタラプタ用の発光ダイオードとして、民生製品
（例えばＴＶや電話）に使用されており、高発光効率の
発光ダイオードの開発が望まれている。
【０００３】従来量産化されている発光ダイオードの一
例についてその製造工程に沿って説明すると、図４
（ａ）に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基体１の（１００）
面上に液相エピタキシャル法により、図４（ｂ）に示す
ように、Ｓｉドープのｎ型ＧａＡｓ層２とＳｉドープの
Ｐ型ＧａＡｓ層３をそれぞれエピタキシャル成長させ、
次に、図４（ｃ）に示すように、Ｐ型ＧａＡｓ層３の上
に第１の電極５をパターニング形成し、一方ｎ型ＧａＡ
ｓ基体１の裏面上に第２の電極６を形成する。第２の電
極６は、全面電極又は裏面での光反射による光出力を増
大させるためドット上電極になっている。更に電極形成
後、通常ダイシング法により個片化して図４（ｄ）に示
すように、発光ダイオードが完成する。図５は、完成さ
れた発光ダイオードの平面図である。
例についてその製造工程に沿って説明すると、図４
（ａ）に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基体１の（１００）
面上に液相エピタキシャル法により、図４（ｂ）に示す
ように、Ｓｉドープのｎ型ＧａＡｓ層２とＳｉドープの
Ｐ型ＧａＡｓ層３をそれぞれエピタキシャル成長させ、
次に、図４（ｃ）に示すように、Ｐ型ＧａＡｓ層３の上
に第１の電極５をパターニング形成し、一方ｎ型ＧａＡ
ｓ基体１の裏面上に第２の電極６を形成する。第２の電
極６は、全面電極又は裏面での光反射による光出力を増
大させるためドット上電極になっている。更に電極形成
後、通常ダイシング法により個片化して図４（ｄ）に示
すように、発光ダイオードが完成する。図５は、完成さ
れた発光ダイオードの平面図である。
【０００４】図６（ａ）は他の従来例を示す平面図、図
６（ｂ）は図６（ａ）のＡ−Ａ線断面図であり、この従
来例は特開昭５６−５０５８６号公報に示されている。
基本的な製造方法は上述の場合と同じであるが、表裏電
極形成後の製造方法が異なる。すなわち、この場合はＰ
−Ｎ接合側面７の露光部周辺部に部分エッチングを行
い、凹凸を形成し、Ｐ−Ｎ接合の側面露出長を長くした
後、ダイヤモンドソー又はレーザスクラバーによってス
クライブラインを入れ、ダイシング法により各素子を分
離して発光ダイオードが完成する。この発光ダイオード
は、Ｐ−Ｎ接合側面の露出長を大きくして発光効率を改
善しようとするものである。
６（ｂ）は図６（ａ）のＡ−Ａ線断面図であり、この従
来例は特開昭５６−５０５８６号公報に示されている。
基本的な製造方法は上述の場合と同じであるが、表裏電
極形成後の製造方法が異なる。すなわち、この場合はＰ
−Ｎ接合側面７の露光部周辺部に部分エッチングを行
い、凹凸を形成し、Ｐ−Ｎ接合の側面露出長を長くした
後、ダイヤモンドソー又はレーザスクラバーによってス
クライブラインを入れ、ダイシング法により各素子を分
離して発光ダイオードが完成する。この発光ダイオード
は、Ｐ−Ｎ接合側面の露出長を大きくして発光効率を改
善しようとするものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の発光ダ
イオードではいずれも次に述べるような問題がある。
イオードではいずれも次に述べるような問題がある。
【０００６】発光ダイオードはＰ−Ｎ接合近傍数十μｍ
の部分で発光が起こり、Ｐ−Ｎ接合近傍で発光した光
が、Ｐ型ＧａＡｓ層３の中を通過し、上面あるいは、側
面より放出される。通常Ｐ型ＧａＡｓ層３の不純物濃度
は約１×１０19ｃｍ-3であり、発光中心波長９４０〜９
５０ｎｍに対するＰ型ＧａＡｓ層３の吸収係数が１０-2
であるため、Ｐ−Ｎ接合近傍で発光した光はＰ型ＧａＡ
ｓ層３中で吸収され、結晶外に放出されるまでほぼ半減
してしまう。そして、ＧａＡｓ層の屈折率は約３．６で
あり、光が外部に取り出されるための臨界角は約１７°
である。よって光の大部分は、結晶内部で反射を何回か
繰り返し、ついには前述した吸収係数の大きいＰ型Ｇａ
Ａｓ層３にて吸収され消滅する。又、Ｐ−Ｎ接合面露出
部に凹凸を形成する際、Ｐ型ＧａＡｓ層の表面から深さ
方向に数十μｍ程度エッチングを行なう必要がある。そ
のためエッチング用マスクとしてのレジスト膜を厚くす
るのでレジスト残りが発生し易い等の理由により凹凸の
パターニングが難しく、歩留低下の原因となる。
の部分で発光が起こり、Ｐ−Ｎ接合近傍で発光した光
が、Ｐ型ＧａＡｓ層３の中を通過し、上面あるいは、側
面より放出される。通常Ｐ型ＧａＡｓ層３の不純物濃度
は約１×１０19ｃｍ-3であり、発光中心波長９４０〜９
５０ｎｍに対するＰ型ＧａＡｓ層３の吸収係数が１０-2
であるため、Ｐ−Ｎ接合近傍で発光した光はＰ型ＧａＡ
ｓ層３中で吸収され、結晶外に放出されるまでほぼ半減
してしまう。そして、ＧａＡｓ層の屈折率は約３．６で
あり、光が外部に取り出されるための臨界角は約１７°
である。よって光の大部分は、結晶内部で反射を何回か
繰り返し、ついには前述した吸収係数の大きいＰ型Ｇａ
Ａｓ層３にて吸収され消滅する。又、Ｐ−Ｎ接合面露出
部に凹凸を形成する際、Ｐ型ＧａＡｓ層の表面から深さ
方向に数十μｍ程度エッチングを行なう必要がある。そ
のためエッチング用マスクとしてのレジスト膜を厚くす
るのでレジスト残りが発生し易い等の理由により凹凸の
パターニングが難しく、歩留低下の原因となる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の発光ダイオード
は、表面に凹凸のある第１導電型半導体基板と、前記表
面に接合する第２導電型半導体層と半導体層とを有して
いるというものである。
は、表面に凹凸のある第１導電型半導体基板と、前記表
面に接合する第２導電型半導体層と半導体層とを有して
いるというものである。
【０００８】また、本発明の発光ダイオードの製造方法
は、表面に凹凸のある第１導電型半導体基板を準備し、
第２導電型半導体層をエピタキシャル成長させて凹凸状
のＰ−Ｎ接合面を形成するというものである。この場
合、平坦な表面を有する第１導電型半導体基体の前記表
面に第１導電型半導体層をエピタキシャル成長させた
後、エッチングにより前記第１導電型半導体層の表面に
凹凸を設けて第１導電型半導体基板を形成してもよい
し、あるいは、平坦な表面を有する第１導電型半導体基
体の前記表面にエッチングにより凹凸を設けた後第１導
電型半導体層をエピタキシャル成長させて第１導電型半
導体基板を形成してもよい。
は、表面に凹凸のある第１導電型半導体基板を準備し、
第２導電型半導体層をエピタキシャル成長させて凹凸状
のＰ−Ｎ接合面を形成するというものである。この場
合、平坦な表面を有する第１導電型半導体基体の前記表
面に第１導電型半導体層をエピタキシャル成長させた
後、エッチングにより前記第１導電型半導体層の表面に
凹凸を設けて第１導電型半導体基板を形成してもよい
し、あるいは、平坦な表面を有する第１導電型半導体基
体の前記表面にエッチングにより凹凸を設けた後第１導
電型半導体層をエピタキシャル成長させて第１導電型半
導体基板を形成してもよい。
【０００９】
【実施例】図１（ａ）〜（ｈ）は本発明の第１の実施例
についてその製造工程に沿って説明するための工程順断
面図である。
についてその製造工程に沿って説明するための工程順断
面図である。
【００１０】まず、図１（ａ），（ｂ）に示すように、
ｎ型ＧａＡｓ基体１の（１００）面に厚さ３００μｍ、
ドーパントをＳｉとして不純物濃度１×１０18ｃｍ-3の
ｎ型ＧａＡｓ層２を液相エピタキシャル成長法により形
成する。こうしてｎ型ＧａＡｓ基体１の表面にｎ型Ｇａ
Ａｓ層２を形成したｎ型ＧａＡｓ基板の表面に厚さ２０
０ｎｍの酸化シリコン膜８をＣＶＤ法により全面に堆積
し、フォトレジスト膜９を塗布法により形成し、フォト
リソグラフィー法により、幅および間隔がそれぞれ数μ
ｍ、例えば５μｍのストライプ状にし、酸化シリコン膜
をエッチングする。次に、硫酸系エッチング液（例えば
Ｈ2 ＳＯ4 とＨ2 Ｏ2 とＨ2 Ｏとの混合液）を用い、図
１（ｄ）に示すように、ストライプ状のフォトレジスト
膜９ａおよび酸化シリコン膜８ａをマスクにして異方性
エッチングを行ない深さ数μｍ、例えば５μｍのストラ
イプ状の溝１０を形成する。次に、図１（ｅ）に示すよ
うに、フォトレジスト膜９ａおよび酸化シリコン膜８ａ
を除去し、液相エピタキシャル法により図１（ｆ）に示
すように、ドーパントをＳｉとして不純物濃度５×１０
18ｃｍ-3のｐ型ＧａＡｓ層３ａを形成する。ｐ型ＧａＡ
ｓ層３ａとｎ型ＧａＡｓ層２ａとは凹凸のあるＰ−Ｎ接
合面４ａを有している。次に、図１（ｇ）に示すよう
に、ｐ型ＧａＡｓ層３ａの表面に第１の電極５を、型Ｇ
ａＡｓ基体１の裏面に第２の電極６をそれぞれ形成し、
図１（ｈ）に示すように、個片化してＬＥＤチップを得
る。このＬＥＤチップを図示しないリードにマウント
し、樹脂封止して発光ダイオードが完成する。このよう
な発光ダイオードは通常、第１の電極５のある表面から
だけでなく側面からの光も併せて外部に出力するように
なっている。図２に、第１の実施例の発光ダイオードの
光出力と順方向電極との関係を示す。破線で示した従来
例（図４）より約２０％大きい光出力が得られた。Ｇａ
Ａｓの屈折率は約３．６であるが、ｐ型ＧａＡｓの方が
ｎ型ＧａＡｓより屈折率は大きくなる。また、不純物濃
度によっても屈折率は変わる。従って、Ｐ−Ｎ接合の両
側で０．１〜１％程度の屈折率差があるものと考えら
れ、結晶内における光の屈折や回折が従来例とは異なっ
ているので、少ない反射回数で結晶外部に光が取り出さ
れ、光出力が高くなると推定される。
ｎ型ＧａＡｓ基体１の（１００）面に厚さ３００μｍ、
ドーパントをＳｉとして不純物濃度１×１０18ｃｍ-3の
ｎ型ＧａＡｓ層２を液相エピタキシャル成長法により形
成する。こうしてｎ型ＧａＡｓ基体１の表面にｎ型Ｇａ
Ａｓ層２を形成したｎ型ＧａＡｓ基板の表面に厚さ２０
０ｎｍの酸化シリコン膜８をＣＶＤ法により全面に堆積
し、フォトレジスト膜９を塗布法により形成し、フォト
リソグラフィー法により、幅および間隔がそれぞれ数μ
ｍ、例えば５μｍのストライプ状にし、酸化シリコン膜
をエッチングする。次に、硫酸系エッチング液（例えば
Ｈ2 ＳＯ4 とＨ2 Ｏ2 とＨ2 Ｏとの混合液）を用い、図
１（ｄ）に示すように、ストライプ状のフォトレジスト
膜９ａおよび酸化シリコン膜８ａをマスクにして異方性
エッチングを行ない深さ数μｍ、例えば５μｍのストラ
イプ状の溝１０を形成する。次に、図１（ｅ）に示すよ
うに、フォトレジスト膜９ａおよび酸化シリコン膜８ａ
を除去し、液相エピタキシャル法により図１（ｆ）に示
すように、ドーパントをＳｉとして不純物濃度５×１０
18ｃｍ-3のｐ型ＧａＡｓ層３ａを形成する。ｐ型ＧａＡ
ｓ層３ａとｎ型ＧａＡｓ層２ａとは凹凸のあるＰ−Ｎ接
合面４ａを有している。次に、図１（ｇ）に示すよう
に、ｐ型ＧａＡｓ層３ａの表面に第１の電極５を、型Ｇ
ａＡｓ基体１の裏面に第２の電極６をそれぞれ形成し、
図１（ｈ）に示すように、個片化してＬＥＤチップを得
る。このＬＥＤチップを図示しないリードにマウント
し、樹脂封止して発光ダイオードが完成する。このよう
な発光ダイオードは通常、第１の電極５のある表面から
だけでなく側面からの光も併せて外部に出力するように
なっている。図２に、第１の実施例の発光ダイオードの
光出力と順方向電極との関係を示す。破線で示した従来
例（図４）より約２０％大きい光出力が得られた。Ｇａ
Ａｓの屈折率は約３．６であるが、ｐ型ＧａＡｓの方が
ｎ型ＧａＡｓより屈折率は大きくなる。また、不純物濃
度によっても屈折率は変わる。従って、Ｐ−Ｎ接合の両
側で０．１〜１％程度の屈折率差があるものと考えら
れ、結晶内における光の屈折や回折が従来例とは異なっ
ているので、少ない反射回数で結晶外部に光が取り出さ
れ、光出力が高くなると推定される。
【００１１】また、図６に示した従来例と異なり、数μ
ｍの凹凸を形成すればよいので、製造が容易であり、工
数も少なくて住み、高歩留りで発光効率の高い発光ダイ
オードが実現できる。
ｍの凹凸を形成すればよいので、製造が容易であり、工
数も少なくて住み、高歩留りで発光効率の高い発光ダイ
オードが実現できる。
【００１２】図３（ａ）〜（ｆ）は本発明の第２の実施
例について製造工程に沿って説明するための工程順断面
図である。
例について製造工程に沿って説明するための工程順断面
図である。
【００１３】図３（ａ），（ｂ）に示すように、ｎ型Ｇ
ａＡｓ基体１の（１００）面に酸化シリコン膜８，フォ
トレジスト膜９を被着し、ストライプ状に加工する。次
に、図３（ｃ）に示すように、ストライプ状の酸化シリ
コン膜８ａ，フォトレジスト膜９ａをマスクとして、硫
酸系のエッチング液を用いてストライプ状の溝１０ａを
形成する。次に、図３（ｄ）に示すように、ｎ型ＧａＡ
ｓ層２ｂおよびｐ型ＧａＡｓ層３ｂをそれぞれ液相エピ
タキシャル法により形成し、図３（ｅ）に示すように、
第１の電極５および第２の電極６を形成し、図３（ｆ）
に示すように個片化を行なう。
ａＡｓ基体１の（１００）面に酸化シリコン膜８，フォ
トレジスト膜９を被着し、ストライプ状に加工する。次
に、図３（ｃ）に示すように、ストライプ状の酸化シリ
コン膜８ａ，フォトレジスト膜９ａをマスクとして、硫
酸系のエッチング液を用いてストライプ状の溝１０ａを
形成する。次に、図３（ｄ）に示すように、ｎ型ＧａＡ
ｓ層２ｂおよびｐ型ＧａＡｓ層３ｂをそれぞれ液相エピ
タキシャル法により形成し、図３（ｅ）に示すように、
第１の電極５および第２の電極６を形成し、図３（ｆ）
に示すように個片化を行なう。
【００１４】本実施例は、ｎ型ＧａＡｓ基体の表面に凹
凸を設けたのちｎ型ＧａＡｓ層２ｂを堆積して表面に凹
凸のあるｎ型ＧａＡｓ基板を形成する点が第１の実施例
と製造的な相違がある。第１の実施例では、２つのエピ
タキシャル成長の間にエッチング工程が必要であるが、
本実施例では２つのエピタキシャル成長を連続して行な
うことができるので工程が簡略化されるほか、Ｐ−Ｎ接
合面に自然酸化膜が形成され難くなり品質の均一な発光
ダイオードが得られる利点がある。ホモ接合の場合、構
造上の本質的な相違はない。ＧａＡｓ−ＡｌＧａＡｓヘ
テロ接合構造の発光ダイオードの場合、２ｂがＧａＡｓ
活性層となり、これをＡｌＧａＡｓ層で挟むことになる
が、第１の実施例と異なり、活性層の厚さを均一にでき
ることになるので好都合である。光出力特性は第１の実
施例と同一か若干良好な結果が得られた。
凸を設けたのちｎ型ＧａＡｓ層２ｂを堆積して表面に凹
凸のあるｎ型ＧａＡｓ基板を形成する点が第１の実施例
と製造的な相違がある。第１の実施例では、２つのエピ
タキシャル成長の間にエッチング工程が必要であるが、
本実施例では２つのエピタキシャル成長を連続して行な
うことができるので工程が簡略化されるほか、Ｐ−Ｎ接
合面に自然酸化膜が形成され難くなり品質の均一な発光
ダイオードが得られる利点がある。ホモ接合の場合、構
造上の本質的な相違はない。ＧａＡｓ−ＡｌＧａＡｓヘ
テロ接合構造の発光ダイオードの場合、２ｂがＧａＡｓ
活性層となり、これをＡｌＧａＡｓ層で挟むことになる
が、第１の実施例と異なり、活性層の厚さを均一にでき
ることになるので好都合である。光出力特性は第１の実
施例と同一か若干良好な結果が得られた。
【００１５】以上の説明ではストライプ状の溝を平行に
設けて凹凸のあるＰ−Ｎ接合を実現したか、一定の大き
さ、深さの凹みを一定の密度で形成してもよいことは明
らかである。また、酸化シリコン膜８の形成は行なわず
に、直接フォトレジスト膜をＧａＡｓ表面に形成しても
よい。
設けて凹凸のあるＰ−Ｎ接合を実現したか、一定の大き
さ、深さの凹みを一定の密度で形成してもよいことは明
らかである。また、酸化シリコン膜８の形成は行なわず
に、直接フォトレジスト膜をＧａＡｓ表面に形成しても
よい。
【００１６】また、図６に示した従来例と組合せてＰ−
Ｎ接合側面の露出長を長くすれば一層発光効率の向上を
もたらすことができることも明らかであろう。
Ｎ接合側面の露出長を長くすれば一層発光効率の向上を
もたらすことができることも明らかであろう。
【００１７】
【発明の効果】以上、説明したように、Ｐ−Ｎ接合面を
凹凸状にすることにより、発光効率の改善された発光ダ
イオードを容易に（歩留りよく）実現できる効果があ
る。尚、実施例においてＳｉドープのＧａＡｓ発光ダイ
オードの場合を示したが、これに限らず、ＧａＡｌＡｓ
を含む素子等においても有効であることは言うまでもな
い。
凹凸状にすることにより、発光効率の改善された発光ダ
イオードを容易に（歩留りよく）実現できる効果があ
る。尚、実施例においてＳｉドープのＧａＡｓ発光ダイ
オードの場合を示したが、これに限らず、ＧａＡｌＡｓ
を含む素子等においても有効であることは言うまでもな
い。
【図１】本発明の第１の実施例について製造工程に沿っ
て説明するための（ａ）〜（ｈ）に分図して示す工程順
断面図である。
て説明するための（ａ）〜（ｈ）に分図して示す工程順
断面図である。
【図２】第１の実施例の発光ダイオードの光出力−順方
向電流特性を従来例と比較して示すグラフである。
向電流特性を従来例と比較して示すグラフである。
【図３】第２の実施例について製造工程に沿って説明す
るための（ａ）〜（ｆ）に分図して示す工程順断面図で
ある。
るための（ａ）〜（ｆ）に分図して示す工程順断面図で
ある。
【図４】従来例について製造工程に沿って説明するため
の（ａ）〜（ｄ）に分図して示す工程順断面図である。
の（ａ）〜（ｄ）に分図して示す工程順断面図である。
【図５】従来例を示す平面図である。
【図６】他の従来例を示す平面図（図６（ａ））および
断面図（図６（ｂ））である。
断面図（図６（ｂ））である。
１ ｎ型ＧａＡｓ基体 ２，２ａ，２ｂ ｎ型ＧａＡｓ層 ３，３ａ，３ｂ ｐ型ＧａＡｓ層 ４，４ａ，４ｂ Ｐ−Ｎ接合面 ５ 第１の電極（陽極） ６，６ａ 第２の電極（陰極） ７ Ｐ−Ｎ接合側面 ８，８ａ 酸化シリコン膜 ９，９ａ フォトレジスト膜
Claims (6)
- 【請求項１】 表面に凹凸のある第１導電型半導体基板
と、前記表面に接合する第２導電型半導体層とを有して
いることを特徴とする発光タイオード。 - 【請求項２】 前記第１導電型半導体基板の表面部がｎ
型ＧａＡｓ層であり、前記第２導電型半導体層がｐ型Ｇ
ａＡｓ層である請求項１記載の発光ダイオード。 - 【請求項３】 表面に凹凸のある第１導電型半導体基板
を準備し、第２導電型半導体層をエピタキシャル成長さ
せて凹凸状のＰ−Ｎ接合面を形成することを特徴とする
発光ダイオードの製造方法。 - 【請求項４】 平坦な表面を有する第１導電型半導体基
体の前記表面に第１導電型半導体層をエピタキシャル成
長させた後、エッチングにより前記第１導電型半導体層
の表面に凹凸を設けて第１導電型半導体基板を形成する
請求項３記載の発光ダイオードの製造方法。 - 【請求項５】 平坦な表面を有する第１導電型半導体基
体の前記表面にエッチングにより凹凸を設けた後第１導
電型半導体層をエピタキシャル成長させて第１導電型半
導体基板を形成する請求項３記載の発光ダイオードの製
造方法。 - 【請求項６】 ｎ型ＧａＡｓ基板にｐ型ＧａＡｓ層を成
長させる請求項３記載の発光ダイオードの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29651393A JPH07153991A (ja) | 1993-11-26 | 1993-11-26 | 発光ダイオード及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29651393A JPH07153991A (ja) | 1993-11-26 | 1993-11-26 | 発光ダイオード及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07153991A true JPH07153991A (ja) | 1995-06-16 |
Family
ID=17834519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29651393A Pending JPH07153991A (ja) | 1993-11-26 | 1993-11-26 | 発光ダイオード及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07153991A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001007393A (ja) * | 1999-06-08 | 2001-01-12 | Agilent Technol Inc | エピタキシャル層を有するＡｌＧａＩｎＮベースＬＥＤ |
| KR100599012B1 (ko) * | 2005-06-29 | 2006-07-12 | 서울옵토디바이스주식회사 | 열전도성 기판을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는방법 |
| KR100612875B1 (ko) * | 2004-11-24 | 2006-08-14 | 삼성전자주식회사 | 실리콘 광소자 제조방법 및 이에 의해 제조된 실리콘광소자 및 이를 적용한 화상 입력 및/또는 출력장치 |
| JP2007142483A (ja) * | 1996-03-22 | 2007-06-07 | Philips Lumileds Lightng Co Llc | 発光素子 |
| JP2008072126A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | オプトエレクトロニクス半導体チップ |
| DE102021109960A1 (de) | 2021-04-20 | 2022-10-20 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Strahlungsemittierender halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden halbleiterchips |
Citations (1)
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| JPS5388A (en) * | 1976-06-24 | 1978-01-05 | Hitachi Ltd | Iii-v group chemical compound semiconductor element and its manufacture |
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1993
- 1993-11-26 JP JP29651393A patent/JPH07153991A/ja active Pending
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