JPS609186A - 半導体発光装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体発光装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JPS609186A JPS609186A JP58117312A JP11731283A JPS609186A JP S609186 A JPS609186 A JP S609186A JP 58117312 A JP58117312 A JP 58117312A JP 11731283 A JP11731283 A JP 11731283A JP S609186 A JPS609186 A JP S609186A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- type
- quantum well
- active
- cladding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/34313—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer having only As as V-compound, e.g. AlGaAs, InGaAs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/34313—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer having only As as V-compound, e.g. AlGaAs, InGaAs
- H01S5/3432—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer having only As as V-compound, e.g. AlGaAs, InGaAs the whole junction comprising only (AI)GaAs
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明は、半導体発光装置、特に多波長レーザおよびそ
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
（３）従来技術と問題点
従来の多波長レーザとしては、プレーナ電極型ＤＨレー
ザ（昭和５４年 秋季 応用物理学会講演予稿集、ｐ１
８４．、ｒ波長多重光通信用１ｎＧａ Ａ ｓ Ｐ ／
Ｉ ｎ Ｐ三波長レーザ」青水他参照）や１３１−ル
−ザ（昭和５６年 春季 応用物理学会講演予稿集 ｐ
２０４． ｒ２波長埋込レーザ」野口他参照）などが
あるが、これらは構造が複雑で再現性に乏しい欠点があ
った。
ザ（昭和５４年 秋季 応用物理学会講演予稿集、ｐ１
８４．、ｒ波長多重光通信用１ｎＧａ Ａ ｓ Ｐ ／
Ｉ ｎ Ｐ三波長レーザ」青水他参照）や１３１−ル
−ザ（昭和５６年 春季 応用物理学会講演予稿集 ｐ
２０４． ｒ２波長埋込レーザ」野口他参照）などが
あるが、これらは構造が複雑で再現性に乏しい欠点があ
った。
（４）発明の目的
本発明の目的は、従来のこのような欠点を解消し、構造
が簡単で再現性の良い多波長レーザを提供することにあ
る。
が簡単で再現性の良い多波長レーザを提供することにあ
る。
（５）発明の構成
上記目的を実現するための本発明は、
（１）基板と、該基板上に空間的に分離された複数の第
１のクラッド層と、各第１のクラッド層上にそれぞれ形
成された複数の多量子井戸構造の活性層と、該活性層上
に形成された第２のクラッド層と、各第２のクラッド層
上にそれぞれ形成されたキャップ層を有し、該複数の多
量子井戸構造の活性層におりる量子井戸のバンドギャッ
プは互いに異なることを特徴とする半導体発光装置およ
び（２）基板上に第１のクラブト層、該第１のクラッド
層上に第１の多量子井戸構造の活性層、該第１の活性層
」二に第２のクラッド層、該第２のクラッド層上にキャ
ップ層を形成した後該基板を選択的に表出し、該表出し
た該基板上に第１のクラッド層、該第１のクラッド層上
に第１の多量子井戸構造とは異なるバンドギャップを有
する第２の多量子井戸構造の活性層、該第２の活性層上
に第２のクラッド層、該第２のクラッド層上にキャップ
層を形成し、該第１および第２の活性層にまたがり、該
キャップ層から該基板に達する溝を形成し、該第１およ
び第２の活性層を分離することを特徴とする半導体発光
装置の製造方法にある。
１のクラッド層と、各第１のクラッド層上にそれぞれ形
成された複数の多量子井戸構造の活性層と、該活性層上
に形成された第２のクラッド層と、各第２のクラッド層
上にそれぞれ形成されたキャップ層を有し、該複数の多
量子井戸構造の活性層におりる量子井戸のバンドギャッ
プは互いに異なることを特徴とする半導体発光装置およ
び（２）基板上に第１のクラブト層、該第１のクラッド
層上に第１の多量子井戸構造の活性層、該第１の活性層
」二に第２のクラッド層、該第２のクラッド層上にキャ
ップ層を形成した後該基板を選択的に表出し、該表出し
た該基板上に第１のクラッド層、該第１のクラッド層上
に第１の多量子井戸構造とは異なるバンドギャップを有
する第２の多量子井戸構造の活性層、該第２の活性層上
に第２のクラッド層、該第２のクラッド層上にキャップ
層を形成し、該第１および第２の活性層にまたがり、該
キャップ層から該基板に達する溝を形成し、該第１およ
び第２の活性層を分離することを特徴とする半導体発光
装置の製造方法にある。
（６）発明・考案の実施例
以下、図面を用い、製造工程順に本発明の一実施例を説
明する。
明する。
まず、第１図に示すようにｎ型ＧａＡｓ基板１゜、７上
にｎ型ＧａＡｓ’（バッファ）層２１．ｎ型ＧａＡ ｌ
ｏ、３Ａ Ｓ （クラッド）層３１．多量子井戸構造の
活性１ｉｉ４１．ｐ型Ｇ ａｏニア Ａ ｌ ｏ、３Ａ
ｓ （クラッド）ＪＰｔ５１．ｎ型ＧＢＡｓ （キャ
ンプ）Ｎ６１を順次エピタキシャル成長させる。次いで
、第２図に示すようにキャンプ層６１表面にＳｉＯλ１
０１をパターニング形成し、これをマスクとして基板１
上の各層をＨｚＳＯμ／Ｈ２０λ／Ｈ工Ｏ系のエッチャ
ントでエソヂング隙去する。
にｎ型ＧａＡｓ’（バッファ）層２１．ｎ型ＧａＡ ｌ
ｏ、３Ａ Ｓ （クラッド）層３１．多量子井戸構造の
活性１ｉｉ４１．ｐ型Ｇ ａｏニア Ａ ｌ ｏ、３Ａ
ｓ （クラッド）ＪＰｔ５１．ｎ型ＧＢＡｓ （キャ
ンプ）Ｎ６１を順次エピタキシャル成長させる。次いで
、第２図に示すようにキャンプ層６１表面にＳｉＯλ１
０１をパターニング形成し、これをマスクとして基板１
上の各層をＨｚＳＯμ／Ｈ２０λ／Ｈ工Ｏ系のエッチャ
ントでエソヂング隙去する。
次いで第３図に示すようにマスク１０１を残したままエ
ツチングにより表出した基板上にｎ型ＧａＡｓ（バッフ
ァ）層２２．ｎ型Ｇａ ｏ、７Ａ ｌ ｏ、Ｉ ＡＳ
（クラッド）層、前記活性層４１とは量子井戸のバンド
ギャップが異なる多量子井戸構造の活性層４２．ｐ型Ｇ
ａ、フＡ １ａ、３Ａ ｓ （クラッド）層５２、お
よびｎ型ＧａＡｓ （キャップ）層６２を順次エピタキ
シャル成長させる。
ツチングにより表出した基板上にｎ型ＧａＡｓ（バッフ
ァ）層２２．ｎ型Ｇａ ｏ、７Ａ ｌ ｏ、Ｉ ＡＳ
（クラッド）層、前記活性層４１とは量子井戸のバンド
ギャップが異なる多量子井戸構造の活性層４２．ｐ型Ｇ
ａ、フＡ １ａ、３Ａ ｓ （クラッド）層５２、お
よびｎ型ＧａＡｓ （キャップ）層６２を順次エピタキ
シャル成長させる。
次いで、第４図に示すように再びＳｉＯマスク１０２を
用いてエツチングを１〒なった後、第５図に示すように
マスク１０２を残してｎ型ＧａＡｓ （バッファ）ＩＷ
２３．ｎ型Ｇａｏ７Ａ １ ｏ３Ａ ｓ （クラッド）
ＪＷ３３．多量子井戸構造の活性層４３゜ｐ型Ｇ ａ
ｏ７Ａ ｌ ｂ、３Ａ ｓ （クラッド）ｌＦｆ５３．
ｎ型ＧａＡｓＪｉ６３をエピタキシャル成長させる。
用いてエツチングを１〒なった後、第５図に示すように
マスク１０２を残してｎ型ＧａＡｓ （バッファ）ＩＷ
２３．ｎ型Ｇａｏ７Ａ １ ｏ３Ａ ｓ （クラッド）
ＪＷ３３．多量子井戸構造の活性層４３゜ｐ型Ｇ ａ
ｏ７Ａ ｌ ｂ、３Ａ ｓ （クラッド）ｌＦｆ５３．
ｎ型ＧａＡｓＪｉ６３をエピタキシャル成長させる。
尚、活性層４３は前記活性［４１，４２とは量子井戸の
バンドギャップが異なるものである。
バンドギャップが異なるものである。
次にマスク１０２をＨＦで除去護、第６図に示すように
ＳｉＯ膜１１をスパッタ法で被着し、次いでフォトリソ
グラフィーを用いてストライプ状の開孔１１′を有する
マスクを形成し、この開孔１１′からＺｎを拡散させ、
拡散前面がＰ型Ｇａ、、７Ａ １６．３ Ａ Ｓ （ク
ラッド）Ｔｉ５１〜５３の途中まで進行させる。
ＳｉＯ膜１１をスパッタ法で被着し、次いでフォトリソ
グラフィーを用いてストライプ状の開孔１１′を有する
マスクを形成し、この開孔１１′からＺｎを拡散させ、
拡散前面がＰ型Ｇａ、、７Ａ １６．３ Ａ Ｓ （ク
ラッド）Ｔｉ５１〜５３の途中まで進行させる。
次いで拡散マスクを除去し第７図に示すようにキャンプ
層６１−６３表面にＰ型電極（Ａｕ／Ｚｎ）１３０およ
び基板１の裏面にｎ型電極（Ａｕ／Ｇｅ／Ｎ ｉ）１５
を蒸着法により形成する。さらにＰ型電極１３０上にＳ
ｉＯマスク膜１４１゜１４２．１４３をキャップ層６１
〜６３や活性層４１〜４３の境界部分が露出するように
バターニング形成し、マスク膜１４１〜１４３を用いて
Ｐ帯電極１３０を１３１，１３２，１３３に分離し、さ
らに１１ユ５ＯＬＬ／Ｈ＞０λ／Ｈ＞０系のエソチンダ
液により溝１５１，１５２を基板１の途中まで形成する
。
層６１−６３表面にＰ型電極（Ａｕ／Ｚｎ）１３０およ
び基板１の裏面にｎ型電極（Ａｕ／Ｇｅ／Ｎ ｉ）１５
を蒸着法により形成する。さらにＰ型電極１３０上にＳ
ｉＯマスク膜１４１゜１４２．１４３をキャップ層６１
〜６３や活性層４１〜４３の境界部分が露出するように
バターニング形成し、マスク膜１４１〜１４３を用いて
Ｐ帯電極１３０を１３１，１３２，１３３に分離し、さ
らに１１ユ５ＯＬＬ／Ｈ＞０λ／Ｈ＞０系のエソチンダ
液により溝１５１，１５２を基板１の途中まで形成する
。
次いでマスク膜１４１〜１４３を除去して第８図に示す
ように３波長のプレーナストライブ型多量子井戸レーザ
が完成する。
ように３波長のプレーナストライブ型多量子井戸レーザ
が完成する。
次に多量子井戸構造の活性層について説明する。
第９図は本発明における活性層の構造を示す。前記活性
層４１〜４３はそれぞれ第９図に示すようにウェル層（
ａ、ｃ、ｅ、ｇ、ｉ）とバリア層（ｂ、ｄ、ｆ、ｈ）と
の積層構造を有しており、その組成は下表の通りである
。
層４１〜４３はそれぞれ第９図に示すようにウェル層（
ａ、ｃ、ｅ、ｇ、ｉ）とバリア層（ｂ、ｄ、ｆ、ｈ）と
の積層構造を有しており、その組成は下表の通りである
。
表
尚、これらの活性層はいずれもノンドープ層であり、各
層の組成のちがいにより、ウェル層は互いに異なるハン
ドギャップを有する。
層の組成のちがいにより、ウェル層は互いに異なるハン
ドギャップを有する。
（７）発明の詳細
な説明しまたように、本発明によれば構造が簡単で再現
性にすぐれた多波長レーザが実現される。
性にすぐれた多波長レーザが実現される。
第１図乃至第８図は、本発明の一実施例を説明するため
の工程順断面図、第９図は活性層の構造を示す図である
。 図において、１は基板、３１〜３３は第１のクラッド層
、４１〜４３は活性層、５１〜５３は第２のクラッド層
、６１〜６３はキャップ層、１４１．１４２は溝、ａ、
ｃ、ｅ、ｇ、ｉはウェル層。 ｂ、ｄ、ｆ、ｈはバリア層である。
の工程順断面図、第９図は活性層の構造を示す図である
。 図において、１は基板、３１〜３３は第１のクラッド層
、４１〜４３は活性層、５１〜５３は第２のクラッド層
、６１〜６３はキャップ層、１４１．１４２は溝、ａ、
ｃ、ｅ、ｇ、ｉはウェル層。 ｂ、ｄ、ｆ、ｈはバリア層である。
Claims (2)
- （１）基板と、該基板上に空間的に分離された複数の第
１のクラッド層と、各第１のクラッド層上にそれぞれ形
成された複数の多量子井戸構造の活性層と、該活性層上
に形成された第２のクラッド層と、各第２のクラッド層
上にそれぞれ形成されたキャンプ層を有し、該複数の多
量子井戸構造の活性層におＬＪる量子井戸のハンドギャ
ップは互いに異なることを特徴とする半導体発光装置。 - （２）基板上に第１のクラッド層、該第１のクラッド層
上に第１の多量子井戸構造の活性層、該第１の活性層上
に第２のクラッド層、該第２のクラッド層上にキャップ
層を形成した後該基板を選択的に表出し、該表出した該
基板上に、第１のクラッド層、該第１のクラッド層上に
第１の多量子井戸構造とは異なるバンドギャップを有す
る第２の多量子井戸構造の活性層、該第２の活性層上に
第２のクラッド層、該第２のクラッド層上にキャップ層
を形成し、該第１および第２の活性層にまたがり、該キ
ャップ層から該基板に達する溝を形成し、該第１および
第２の活性層を分離することを特徴とする半導体発光装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58117312A JPS609186A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58117312A JPS609186A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS609186A true JPS609186A (ja) | 1985-01-18 |
Family
ID=14708630
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58117312A Pending JPS609186A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS609186A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62296587A (ja) * | 1986-06-17 | 1987-12-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザアレイ装置 |
| JP2002185044A (ja) * | 2001-11-27 | 2002-06-28 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体多色発光素子 |
| JP2004328011A (ja) * | 1998-12-22 | 2004-11-18 | Sony Corp | 半導体発光装置の製造方法 |
| JP2014038989A (ja) * | 2012-08-20 | 2014-02-27 | Toshiba Corp | 半導体発光装置および照明装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56164588A (en) * | 1980-05-23 | 1981-12-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor light amplifier |
| JPS57124489A (en) * | 1981-01-27 | 1982-08-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Two wavelength semiconductor light emitting element |
| JPS57152178A (en) * | 1981-03-17 | 1982-09-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor light emitting device with super lattice structure |
| JPS58102590A (ja) * | 1981-12-14 | 1983-06-18 | Fujitsu Ltd | 光半導体装置 |
-
1983
- 1983-06-29 JP JP58117312A patent/JPS609186A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56164588A (en) * | 1980-05-23 | 1981-12-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor light amplifier |
| JPS57124489A (en) * | 1981-01-27 | 1982-08-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Two wavelength semiconductor light emitting element |
| JPS57152178A (en) * | 1981-03-17 | 1982-09-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor light emitting device with super lattice structure |
| JPS58102590A (ja) * | 1981-12-14 | 1983-06-18 | Fujitsu Ltd | 光半導体装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62296587A (ja) * | 1986-06-17 | 1987-12-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザアレイ装置 |
| JP2004328011A (ja) * | 1998-12-22 | 2004-11-18 | Sony Corp | 半導体発光装置の製造方法 |
| JP2002185044A (ja) * | 2001-11-27 | 2002-06-28 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体多色発光素子 |
| JP2014038989A (ja) * | 2012-08-20 | 2014-02-27 | Toshiba Corp | 半導体発光装置および照明装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH06326419A (ja) | モノリシック半導体発光アレイ | |
| WO2016195695A1 (en) | Monolithic wdm vcsels with spatially varying gain peak and fabry perot wavelength | |
| JP3734849B2 (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 | |
| CN115986567A (zh) | 双端面出光激光器及其制备方法 | |
| JPS609186A (ja) | 半導体発光装置およびその製造方法 | |
| JPS61121373A (ja) | 面発光素子及びその製造方法 | |
| JPH07153991A (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法 | |
| JPH027581A (ja) | 半導体発光装置とその製造方法 | |
| JPH02128481A (ja) | 発光デバイスの製造方法 | |
| JPS62117384A (ja) | 埋込みストライプ形半導体レ−ザ−の作成方法及び当該方法により得られるレ−ザ− | |
| JPH11354886A (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| KR100287201B1 (ko) | 레이저다이오드의제조방법 | |
| JPH0738147A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPS5840881A (ja) | 埋め込みヘテロ構造半導体レ−ザ・フオトダイオ−ド光集積化素子の製造方法 | |
| JPH0677531A (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JPH02251181A (ja) | 発光ダイオード装置 | |
| JPH07297497A (ja) | 半導体レ−ザ装置及びその製造方法 | |
| JPH06350132A (ja) | 半導体発光素子アレイ | |
| JPS58142589A (ja) | 埋め込みヘテロ構造半導体レ−ザの製造方法 | |
| KR910005392B1 (ko) | 접합전류 제한 영역을 갖는 이중 헤테로 접합형 발광다이오드의 제조방법 | |
| JPS596588A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| KR0138858B1 (ko) | 저문턱 전류 표면방출 레이저의 제조방법 | |
| JPH06120615A (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| KR100718123B1 (ko) | 레이저 다이오드의 제조방법 | |
| JPS5891689A (ja) | 半導体発光ダイオ−ド |