JPS61178990A - セフアロスポラン酸誘導体もしくはその薬理学的に許容しうる塩 - Google Patents
セフアロスポラン酸誘導体もしくはその薬理学的に許容しうる塩Info
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- JPS61178990A JPS61178990A JP21906784A JP21906784A JPS61178990A JP S61178990 A JPS61178990 A JP S61178990A JP 21906784 A JP21906784 A JP 21906784A JP 21906784 A JP21906784 A JP 21906784A JP S61178990 A JPS61178990 A JP S61178990A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は抗菌作用を有し、医薬として有用な新規なセ
ファロスポラン酸誘導体もしくはその薬理学的に許容し
得る塩に関するものである。
ファロスポラン酸誘導体もしくはその薬理学的に許容し
得る塩に関するものである。
この発明のセファロスポラン酸誘導体は下記一般式（１
）で示される。
）で示される。
〔式中 Ｒ１はアミノまたは保護されたアミノ、Ｒ２は
カルボキシ低級アルキルまたは保護されたカルボキシ低
級アルキル ＲＡはカルボキシまたは保護されたカルボ
キシ、Ｒ４は水素またはチアジアゾリルチオメチルをそ
れぞれ意味する〕この発明のセファロスポラン酸誘導体
（１）において、それぞれの分子の構成式に式−Ｃ−で
示され０Ｒ” る部分構造を有する場合には、その部分構造に由来する
幾何異性体であるシン異性体、アンチ異性体およびそれ
らの異性体の混合体を包含する。
カルボキシ低級アルキルまたは保護されたカルボキシ低
級アルキル ＲＡはカルボキシまたは保護されたカルボ
キシ、Ｒ４は水素またはチアジアゾリルチオメチルをそ
れぞれ意味する〕この発明のセファロスポラン酸誘導体
（１）において、それぞれの分子の構成式に式−Ｃ−で
示され０Ｒ” る部分構造を有する場合には、その部分構造に由来する
幾何異性体であるシン異性体、アンチ異性体およびそれ
らの異性体の混合体を包含する。
ここでシン異性体とは式
（式中、Ｒ１およびＲ２は前記と同じ意味）で示される
基を有する異性体を意味し、アンチ異性体とは式 （式中、Ｒ１およびＲ２は前記と同じ意味）で示される
基を有する異性体を意味する。
基を有する異性体を意味し、アンチ異性体とは式 （式中、Ｒ１およびＲ２は前記と同じ意味）で示される
基を有する異性体を意味する。
この発明の化合物（１）における薬理学的に許容しうる
塩としては、例えば、ナトリウム塩、カリウム塩等のア
ルカリ金属塩、カルシウム塩、マグネシウム塩等のアル
カリ土類金属塩、アンモニウム塩等の無機塩基との塩、
トリメチルアミン塩、トリエチルアミン塩、ピリジン塩
、ピコリン塩、ジシクロヘキシルアミン塩、Ｎ、Ｎ’−
ベンジルエチレンジアミン塩、Ｎ−メチルグルカミン塩
、ジェタノールアミン塩、トリエタノールアミン塩、ト
リス（ヒドロキシメチルアミノ）メタン塩等の有機アミ
ンとの塩、蟻酸塩、酢酸塩、マレイン酸塩、酒石酸塩、
メタンスルホン酸塩、ベンゼンスルホン酸塩、トルエン
スルホン酸塩等の有機カルボン酸もしくはスルホン酸と
の塩、塩酸塩、臭化水素酸塩、硫酸塩、シん酸塩等の無
機酸との塩、アルギニン塩、アスパラギン酸塩、グルタ
ミン酸塩等の塩基性もしくは酸性アミノ酸等との塩等が
挙げられる。
塩としては、例えば、ナトリウム塩、カリウム塩等のア
ルカリ金属塩、カルシウム塩、マグネシウム塩等のアル
カリ土類金属塩、アンモニウム塩等の無機塩基との塩、
トリメチルアミン塩、トリエチルアミン塩、ピリジン塩
、ピコリン塩、ジシクロヘキシルアミン塩、Ｎ、Ｎ’−
ベンジルエチレンジアミン塩、Ｎ−メチルグルカミン塩
、ジェタノールアミン塩、トリエタノールアミン塩、ト
リス（ヒドロキシメチルアミノ）メタン塩等の有機アミ
ンとの塩、蟻酸塩、酢酸塩、マレイン酸塩、酒石酸塩、
メタンスルホン酸塩、ベンゼンスルホン酸塩、トルエン
スルホン酸塩等の有機カルボン酸もしくはスルホン酸と
の塩、塩酸塩、臭化水素酸塩、硫酸塩、シん酸塩等の無
機酸との塩、アルギニン塩、アスパラギン酸塩、グルタ
ミン酸塩等の塩基性もしくは酸性アミノ酸等との塩等が
挙げられる。
次に上記一般式の定義について説明する。
なお、この明細書では、別に定めのない限シ“低級”な
る語は、炭素数１〜６を意味するものとする。
る語は、炭素数１〜６を意味するものとする。
Ｒ１で示される保護されたアミン基の保護基としてはア
シル基、ベンジル、トリチル、ジフェニルメチル等のア
ル（低級）アルキル、２−ニトロ７ｘニルｆオ等（Ｄ置
換フェニルチオ、４−ニトロベンジリデン等の置換アラ
ルキリデン、１−メトキシカルボニル−２−プロピリデ
ン等の置換アルキリテン、２−エトキシカルボニルシク
ロへキシリチン等の置換（低級）シクロアルキリデン等
のアシル基以外の、通常アミン基の保護基として使用さ
れる基が挙げられる。ここでアシル基としてはカルボン
酸、スルホン酸またはカルバミン酸から誘導されるアシ
ル基であシ、さらに詳細には置換もしくは非置換カルバ
モイル基、脂肪族アシル、芳香環もしくは複素環を含む
アシルを含有する。
シル基、ベンジル、トリチル、ジフェニルメチル等のア
ル（低級）アルキル、２−ニトロ７ｘニルｆオ等（Ｄ置
換フェニルチオ、４−ニトロベンジリデン等の置換アラ
ルキリデン、１−メトキシカルボニル−２−プロピリデ
ン等の置換アルキリテン、２−エトキシカルボニルシク
ロへキシリチン等の置換（低級）シクロアルキリデン等
のアシル基以外の、通常アミン基の保護基として使用さ
れる基が挙げられる。ここでアシル基としてはカルボン
酸、スルホン酸またはカルバミン酸から誘導されるアシ
ル基であシ、さらに詳細には置換もしくは非置換カルバ
モイル基、脂肪族アシル、芳香環もしくは複素環を含む
アシルを含有する。
このように定義されたアシル基の具体例は次のとおシで
ある。
ある。
脂肪族アシルとしては例えば、ホルミル、アセチル、プ
ロピオニル、ブチリル、インブチリル、インバレリル、
オキサリル、サクシニル、ピバロイル等の低級アルカノ
イル基、シクロペンタンカルボニル、シクロヘキサンカ
ルボニル等の低級シクロアルカンカルボニル基、メトキ
シカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボ
ニル、イソプロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル
、第３級ブトキシカルボニル、ベンチルオキシカルポニ
＃、第３級ペンチルオキシカルボニル、ヘキシルオキシ
カルボニル等の低級アルコキシカルボニルＭ、１−シク
ロプロピルエトキシカルボニル等の低級シクロアルキル
（低級）アルコキシカルボニル基、メトキシアセチル、
エトキシアセチル、メトキシカルボニル等の低級アルコ
キシアルカノイル基、およびメシル、エタンスルホニル
、プロパンスルホニル、ブタンスルホニル基の低級アル
カンスルホニル基等が挙げられる。
ロピオニル、ブチリル、インブチリル、インバレリル、
オキサリル、サクシニル、ピバロイル等の低級アルカノ
イル基、シクロペンタンカルボニル、シクロヘキサンカ
ルボニル等の低級シクロアルカンカルボニル基、メトキ
シカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボ
ニル、イソプロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル
、第３級ブトキシカルボニル、ベンチルオキシカルポニ
＃、第３級ペンチルオキシカルボニル、ヘキシルオキシ
カルボニル等の低級アルコキシカルボニルＭ、１−シク
ロプロピルエトキシカルボニル等の低級シクロアルキル
（低級）アルコキシカルボニル基、メトキシアセチル、
エトキシアセチル、メトキシカルボニル等の低級アルコ
キシアルカノイル基、およびメシル、エタンスルホニル
、プロパンスルホニル、ブタンスルホニル基の低級アル
カンスルホニル基等が挙げられる。
芳香環を含むアシルとしては例えば、フェニルアセチル
、フェニルグロビオニル等のアル（低級アルカノイル基
、ベンジルオキシカルボニル、フェネチルオキシカルボ
ニル等のアル（低級）アルコキシカルボニル基、ベンゼ
ンスルホニル、トシル等のアレーンスルホニル基、ベン
ゾイル、トルオイル、ナフトイル、フタロイル、インダ
ンカルボニル等のアロイル基等が挙げられる。
、フェニルグロビオニル等のアル（低級アルカノイル基
、ベンジルオキシカルボニル、フェネチルオキシカルボ
ニル等のアル（低級）アルコキシカルボニル基、ベンゼ
ンスルホニル、トシル等のアレーンスルホニル基、ベン
ゾイル、トルオイル、ナフトイル、フタロイル、インダ
ンカルボニル等のアロイル基等が挙げられる。
複素環を含むアシルとしては例えば、チェニルアセチル
、フリルアセチル、ピロリルアセチル、チアジアゾリル
アセチル、テトラゾリルアセチル、ピペラジニルアセチ
ル等の複素環置換（低級）アルカノイル基、８−キノリ
ルオキシカルボニル等の複素環オキシカルボニル基、テ
ノイル、フロイル、ニコチノイル、イソニコチノイル、
ビロールカルボニル、ピロリジンカルボニル、テトラヒ
ドロビランカルボニル等の複素環カルボニル基、２−ピ
リジルメトキシカルボニル等の複素環置換（低級）アル
コキシカルボニル基等が挙げられる。
、フリルアセチル、ピロリルアセチル、チアジアゾリル
アセチル、テトラゾリルアセチル、ピペラジニルアセチ
ル等の複素環置換（低級）アルカノイル基、８−キノリ
ルオキシカルボニル等の複素環オキシカルボニル基、テ
ノイル、フロイル、ニコチノイル、イソニコチノイル、
ビロールカルボニル、ピロリジンカルボニル、テトラヒ
ドロビランカルボニル等の複素環カルボニル基、２−ピ
リジルメトキシカルボニル等の複素環置換（低級）アル
コキシカルボニル基等が挙げられる。
置換もしくは非置換カルバモイル基としては例エバカル
バモイル基、メチルカルバモイル、エチルカルバモイル
等の低級アルキルカルバモイル基、フェニルカルバモイ
ル等のアリールカルバモイル基、ベンジルカルバモイル
、トリチルカルバモイル等のアル（低級）アルキルカル
バモイル基、ホルミルカルバモイル、アセチルカルバモ
イル等の低級アルカノイルカルバモイル基、クロロアセ
チルカルバモイル、トリクロロアセチルカルバモイル等
のモノもしくはジもしくはトリハロ（低級）アルカノイ
ルカルバモイル基等が挙げられる。
バモイル基、メチルカルバモイル、エチルカルバモイル
等の低級アルキルカルバモイル基、フェニルカルバモイ
ル等のアリールカルバモイル基、ベンジルカルバモイル
、トリチルカルバモイル等のアル（低級）アルキルカル
バモイル基、ホルミルカルバモイル、アセチルカルバモ
イル等の低級アルカノイルカルバモイル基、クロロアセ
チルカルバモイル、トリクロロアセチルカルバモイル等
のモノもしくはジもしくはトリハロ（低級）アルカノイ
ルカルバモイル基等が挙げられる。
上記のアシル基は任意の位置に１ないし３個の適当な置
換基を有していてもよく、そのような置換基としては例
えばクロル、ブロム、ヨード、フルオル等のハロゲン原
子、ヒドロキシ基、シアン基、ニトロ基、低級アルコキ
シ基、低級アルキル基、低級アルケニル基、クロロアセ
チル、ジクロロアセチル、トリクロロアセチル等のモノ
もしくはジもしくはトリハロ（低級）アルカノイルのよ
りなアシル基、フェニル、トリル等のアリール基等が挙
げられる。
換基を有していてもよく、そのような置換基としては例
えばクロル、ブロム、ヨード、フルオル等のハロゲン原
子、ヒドロキシ基、シアン基、ニトロ基、低級アルコキ
シ基、低級アルキル基、低級アルケニル基、クロロアセ
チル、ジクロロアセチル、トリクロロアセチル等のモノ
もしくはジもしくはトリハロ（低級）アルカノイルのよ
りなアシル基、フェニル、トリル等のアリール基等が挙
げられる。
ここでアミン保護基の好ましい例としてはアシル基が挙
げられ、さらに好ましくは低級アルカノイル基、モノも
しくはジもしくはトリハロ（低級）アルカノイル基およ
び低級アルコキシカルボニル基が挙げられる。
げられ、さらに好ましくは低級アルカノイル基、モノも
しくはジもしくはトリハロ（低級）アルカノイル基およ
び低級アルコキシカルボニル基が挙げられる。
低級アルキル基とは直鎖もしくは分岐鎖状の飽和脂肪族
炭化水素残基であり、その具体例としては例えば、メチ
ル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブ
チル、第３級ブチル、ペンチル、ネオペンチル、ｘａ級
ベンチμ、ヘキシル等が挙げられ、さらに好ましくは炭
素数１〜４個のアルキル基が挙げられる。
炭化水素残基であり、その具体例としては例えば、メチ
ル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブ
チル、第３級ブチル、ペンチル、ネオペンチル、ｘａ級
ベンチμ、ヘキシル等が挙げられ、さらに好ましくは炭
素数１〜４個のアルキル基が挙げられる。
低級アルコキシ基は直鎖もしくは分岐鎖状のものを含み
、そのような基としては例えば、メトキシ、ニドキシ、
プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ
、第３級ブトキシ、ベンチルオキシ、ネオペンチμオキ
シ、ヘキＶ）Ｖオキシ等が挙げられ、さらに好ましくは
炭素数１〜４個のアルコキシ基が挙げられる。
、そのような基としては例えば、メトキシ、ニドキシ、
プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ
、第３級ブトキシ、ベンチルオキシ、ネオペンチμオキ
シ、ヘキＶ）Ｖオキシ等が挙げられ、さらに好ましくは
炭素数１〜４個のアルコキシ基が挙げられる。
は
低級７′ケ°“基とし５豐えば・１°′・ １−プロベ
ニμ、アリμ、ｌ−メチルアリμ、１−１２−もしくは
８−プを二〜、ｌ−１２−１８−もしくは４−ペンテニ
ル、ｌ−１２−１８−１４−もしくは５−ヘキセニμ等
が挙げられる。
ニμ、アリμ、ｌ−メチルアリμ、１−１２−もしくは
８−プを二〜、ｌ−１２−１８−もしくは４−ペンテニ
ル、ｌ−１２−１８−１４−もしくは５−ヘキセニμ等
が挙げられる。
Ｒ２で示されるカルボキシ低級アルキルとしては、カル
ボキシメチル、２−カルボキシエチル、２−カルボキシ
プロピル、３−カルボキシプロピル、４−カルボキシブ
チル、５−カルボキシペンチル、６−カルボキシヘキシ
ル等が挙げられる。
ボキシメチル、２−カルボキシエチル、２−カルボキシ
プロピル、３−カルボキシプロピル、４−カルボキシブ
チル、５−カルボキシペンチル、６−カルボキシヘキシ
ル等が挙げられる。
又保護されたカルボキシエチルキルにおける保護基とし
てはエステル基が挙げられる。
てはエステル基が挙げられる。
エステルとしては例えば、メチルエステル、エチルエス
テル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、メチ
ルエステル、イソブチルエステル、ｇ３級７’チルエス
テル、ペンチルエステル、第３級ペンチルエステル、ヘ
キシルエステル、１−シクロプロピルエステル等の低級
アルキルエステル、ビニルエステル、アリルエステル等
の低級アルケニルエステル、エチニルエステル、フロビ
ニルエステル等の低級アルキニルエステル、メトキシメ
チルエステル、エトキシメチルエステル、イソプロボキ
シメチルエステル、１−メトキシエチルエステル、１−
エトキシエチルエステル等の低級アルコキシアルキルエ
ステル、メチルチオメチルエステル、エチルチオメチル
エステル、エチルチオエチルエステル、イソプロピルチ
オメチルエステル等の低級アルキルチオアルキルエステ
ル、２−ヨードエチルエステル、２，２．２−ト’）ク
ロロエチルエステル等の七ノー、シーモジくハトリハロ
（低級）アルキルエステル、アセトキシメチルエステル
、グロピオニルオキシメチルエステル、ブチリルオキシ
メチルエステル、バレリルオキシメチルエステル、ヒバ
ロイルオキシメチルエステル、ヘキサノイルオキシメチ
ルエステル、２−アセトキシエチルエステル、２−グロ
ピオニルオキシエチルエステル等の低級アルカノイルオ
キシ（低級）アルキルエステル、メシルメチルエステル
、メシルエチルエステル等の低級アルカンスルホニル（
低ａ）アルキルエステル、ベンジルエステル、４−メト
キシベンジルエステル、４−ニトロベンジルエステル、
フェネチルエステル、トリチルエステル、ジフェニルメ
チルエステル、ビス（メトキシフェニル）メチルエステ
ル、３．４−ジメトキシベンジルエステル、４−ヒドロ
キシ−３，５−シ第３級ブチルベンジルエステル等の１
もしくは２以上の置換基を有していてもよいフェニル（
低級）アルキルエステルのようなアル（低級）アルキル
エステル、フェニルエステル、トリルエステル、Ｍ３級
ブチルフェニルエステル、キシリルエステル、メシチル
エステル、クメニルエステル、４−クロロフェニルエス
テル、４−メトキシフェニルエステル等の置換もしくは
非置換フェニルエステル、トリ（低級）アルキルシリル
エステル、メチルチオエステル、エチルチオエステル等
の低級アルキルチオエステル等が挙げられる。
テル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、メチ
ルエステル、イソブチルエステル、ｇ３級７’チルエス
テル、ペンチルエステル、第３級ペンチルエステル、ヘ
キシルエステル、１−シクロプロピルエステル等の低級
アルキルエステル、ビニルエステル、アリルエステル等
の低級アルケニルエステル、エチニルエステル、フロビ
ニルエステル等の低級アルキニルエステル、メトキシメ
チルエステル、エトキシメチルエステル、イソプロボキ
シメチルエステル、１−メトキシエチルエステル、１−
エトキシエチルエステル等の低級アルコキシアルキルエ
ステル、メチルチオメチルエステル、エチルチオメチル
エステル、エチルチオエチルエステル、イソプロピルチ
オメチルエステル等の低級アルキルチオアルキルエステ
ル、２−ヨードエチルエステル、２，２．２−ト’）ク
ロロエチルエステル等の七ノー、シーモジくハトリハロ
（低級）アルキルエステル、アセトキシメチルエステル
、グロピオニルオキシメチルエステル、ブチリルオキシ
メチルエステル、バレリルオキシメチルエステル、ヒバ
ロイルオキシメチルエステル、ヘキサノイルオキシメチ
ルエステル、２−アセトキシエチルエステル、２−グロ
ピオニルオキシエチルエステル等の低級アルカノイルオ
キシ（低級）アルキルエステル、メシルメチルエステル
、メシルエチルエステル等の低級アルカンスルホニル（
低ａ）アルキルエステル、ベンジルエステル、４−メト
キシベンジルエステル、４−ニトロベンジルエステル、
フェネチルエステル、トリチルエステル、ジフェニルメ
チルエステル、ビス（メトキシフェニル）メチルエステ
ル、３．４−ジメトキシベンジルエステル、４−ヒドロ
キシ−３，５−シ第３級ブチルベンジルエステル等の１
もしくは２以上の置換基を有していてもよいフェニル（
低級）アルキルエステルのようなアル（低級）アルキル
エステル、フェニルエステル、トリルエステル、Ｍ３級
ブチルフェニルエステル、キシリルエステル、メシチル
エステル、クメニルエステル、４−クロロフェニルエス
テル、４−メトキシフェニルエステル等の置換もしくは
非置換フェニルエステル、トリ（低級）アルキルシリル
エステル、メチルチオエステル、エチルチオエステル等
の低級アルキルチオエステル等が挙げられる。
Ｈ，ｓで示される保護されたカルボキシにおける保護基
としてはエステル基２等が挙げられる。エステルとして
は上記で例示したものと同様のエステルが挙げられる。
としてはエステル基２等が挙げられる。エステルとして
は上記で例示したものと同様のエステルが挙げられる。
チオメチル チオメチｙる。
次に本発明の詳細な説明する。
実施例１
５塩化燐（１，２ｓｇ）を塩化メチレン（３０プ）に懸
濁させ、室温下１５分間攪拌した後、−１０℃に冷却し
た。懸濁液に、同温下２−（４−ホルムアミド−ピリミ
ジン−２−イル）−２−ｔ−ブトキシカルボニルメトキ
シイミノ酢酸（シン異性体、１．６２ｇ）を加えた。混
合液を−１０〜−２０℃で３０分攪拌すると、酸の活性
溶液が得られた。
濁させ、室温下１５分間攪拌した後、−１０℃に冷却し
た。懸濁液に、同温下２−（４−ホルムアミド−ピリミ
ジン−２−イル）−２−ｔ−ブトキシカルボニルメトキ
シイミノ酢酸（シン異性体、１．６２ｇ）を加えた。混
合液を−１０〜−２０℃で３０分攪拌すると、酸の活性
溶液が得られた。
一方塩化メチレン（３０ｍＪ）に７−アミノ−３−（１
，３，４−チアジアゾール−２−イル）チオメチル−３
−セフェム−４−カルボン酸（２４）ｇ）とトリメチル
シリルアセトアミド（６，０ｇ）を加え、室温で攪拌し
て得た溶液を一１０℃に冷却した。冷却液に上記活性溶
液を加え、０〜−５℃で３０分間攪拌した。反応混合物
を炭酸水素ナトリウム（３，６ｇ）（７）水溶液（１０
０ｍＪ）Ｋ注ぎ込み、水層を分離してｐＨＩＫ調整した
後酢酸エチルで抽出した。抽出相を硫酸マグネシウムで
乾燥し、溶媒を留去して得た残留物を酢酸エチルで処理
すると、７−（２−（４−ホルムアミドピリミジン−２
−イル）−２−ｔ−プトキシカルボニルメトキシイ定ノ
アセトアミド） −３−（１、３、４−）リアジアゾー
ル−２−イル）チオメチル−３−セフェム−４−カルボ
ン酸（シン異性体、２．０ ｇ ）が得られた。
，３，４−チアジアゾール−２−イル）チオメチル−３
−セフェム−４−カルボン酸（２４）ｇ）とトリメチル
シリルアセトアミド（６，０ｇ）を加え、室温で攪拌し
て得た溶液を一１０℃に冷却した。冷却液に上記活性溶
液を加え、０〜−５℃で３０分間攪拌した。反応混合物
を炭酸水素ナトリウム（３，６ｇ）（７）水溶液（１０
０ｍＪ）Ｋ注ぎ込み、水層を分離してｐＨＩＫ調整した
後酢酸エチルで抽出した。抽出相を硫酸マグネシウムで
乾燥し、溶媒を留去して得た残留物を酢酸エチルで処理
すると、７−（２−（４−ホルムアミドピリミジン−２
−イル）−２−ｔ−プトキシカルボニルメトキシイ定ノ
アセトアミド） −３−（１、３、４−）リアジアゾー
ル−２−イル）チオメチル−３−セフェム−４−カルボ
ン酸（シン異性体、２．０ ｇ ）が得られた。
ｍｐ ： １３０〜１３５°Ｃ（分解）ＩＫ（ヌジョー
ル）：３２５０，１７８０．１７００゜１５７０．１５
１５ｃｍ ’ ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６，８ｐｐｉ）：１．４０（９Ｈ
，ｓ）。
ル）：３２５０，１７８０．１７００゜１５７０．１５
１５ｃｍ ’ ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６，８ｐｐｉ）：１．４０（９Ｈ
，ｓ）。
２．６０ （２Ｈｌｂ ｓ ） 、４．５０ ＋ ４．
２７ （２Ｈ−ＡＢｑ、Ｊ＝１４Ｈｚ）、４．６７（２
Ｈ，ｓ）。
２７ （２Ｈ−ＡＢｑ、Ｊ＝１４Ｈｚ）、４．６７（２
Ｈ，ｓ）。
５．１３（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝４Ｈ２）、５．８３（’ＩＨ
。
。
ｄｄ、Ｊ＝８Ｈｚ、４Ｈｚ）、７．２０−９．２０（３
Ｈ＋ｍ）ｔ９．４３（ＬＨ＋ｄ、Ｊ＝８Ｈｚ） 。
Ｈ＋ｍ）ｔ９．４３（ＬＨ＋ｄ、Ｊ＝８Ｈｚ） 。
９．５０（ＩＨ，Ｓ）。
実施例２
７−（２−（４−ホルムアミドピリミジン−２−イル）
−２−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシイミノアセトア
ミド）−３−（１、３、４−チアジアゾール−２−イル
）チオメチル−３−セフェム−４−カルボン酸（シン異
性体、２．０ｇ）と濃塩酸（０，３ｍ）をメタノール（
１ｏｍ）に溶解し、室温下２．５時間攪拌した。次いで
混合物から溶媒を留去して得た残留物を酢酸エチルで処
理した。
−２−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシイミノアセトア
ミド）−３−（１、３、４−チアジアゾール−２−イル
）チオメチル−３−セフェム−４−カルボン酸（シン異
性体、２．０ｇ）と濃塩酸（０，３ｍ）をメタノール（
１ｏｍ）に溶解し、室温下２．５時間攪拌した。次いで
混合物から溶媒を留去して得た残留物を酢酸エチルで処
理した。
得られた沈殿物を炉別収集し、乾燥した。粉末を水浴中
トリ フルオロ酢酸（１０ｎ／）とアニソール（２プ）
の混液中に加え、室温で３０分間攪拌した後溶媒を留去
した。残留物を水（５０ｍＡりで希釈し、非イオン吸着
樹脂［ＨＰ−２０Ｊのカラムに展開した。カラムを水洗
後、３０チメタノール水溶液で溶出した。溶出液からメ
タノールを減圧留去し、凍結乾燥すると、７−Ｃ２−（
４−アミノピリミジン−２−イル）−２−カルボキシメ
トキシイミノアセトアミド］ −３−（１，３、４−チ
アジアゾール−２−イル）チオメチル−３−セフェム−
４−カルボン酸（シン１＋性体、０．８２ ｇ ）が得
ら・れた。
トリ フルオロ酢酸（１０ｎ／）とアニソール（２プ）
の混液中に加え、室温で３０分間攪拌した後溶媒を留去
した。残留物を水（５０ｍＡりで希釈し、非イオン吸着
樹脂［ＨＰ−２０Ｊのカラムに展開した。カラムを水洗
後、３０チメタノール水溶液で溶出した。溶出液からメ
タノールを減圧留去し、凍結乾燥すると、７−Ｃ２−（
４−アミノピリミジン−２−イル）−２−カルボキシメ
トキシイミノアセトアミド］ −３−（１，３、４−チ
アジアゾール−２−イル）チオメチル−３−セフェム−
４−カルボン酸（シン１＋性体、０．８２ ｇ ）が得
ら・れた。
ｍｐ ： １７８〜１８０°Ｃ（分解）ＩＲ（ヌジョー
ル）： ３３００，３２５０，１７７０゜１６５０．１
５４０ｃｍ”’−’ ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄａ、８解）：２．６３（２Ｈ−ｂ
ｓ）１４．２７，４．５３（２Ｈ，ＡＢｑ、Ｊ＝１４Ｈ
２）。
ル）： ３３００，３２５０，１７７０゜１６５０．１
５４０ｃｍ”’−’ ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄａ、８解）：２．６３（２Ｈ−ｂ
ｓ）１４．２７，４．５３（２Ｈ，ＡＢｑ、Ｊ＝１４Ｈ
２）。
４．６３（２Ｈ，Ｓ）、５．１２（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝４Ｈ
ｚ）＋５．８３（ＩＨ−ｄｄ＋Ｊ＝８Ｈｚ 。
ｚ）＋５．８３（ＩＨ−ｄｄ＋Ｊ＝８Ｈｚ 。
４Ｈ２）、６．４３（’ＩＨ，ｄ、Ｊ＝７Ｈｚ）。
７．０３（２Ｈ，ｓ）、８．１０（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝７Ｈ
ｚ）、９．３７（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝８Ｈｚ）。
ｚ）、９．３７（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝８Ｈｚ）。
９．５０（ＩＨ，Ｓ）。
実施例３
２−（４−ホルムアミドピリミジン−２−イル）−２−
ｔ−ブトキシカルボニルメトキシイミノ酢酸（１，６２
ｇ）と７−アミノ−３−セフエムー−４−酢酸（１，２
ｇ）を実施例１と同様に処理すると、７−（２−（４−
ホルムアミドピリミジン−２−イル）−２−ｔ−ブトキ
シカルボニル−メトキシイミノアセトアミド〕−３−セ
フェム−４−酢酸（シン異性体、２．３ｇ）が得られた
。
ｔ−ブトキシカルボニルメトキシイミノ酢酸（１，６２
ｇ）と７−アミノ−３−セフエムー−４−酢酸（１，２
ｇ）を実施例１と同様に処理すると、７−（２−（４−
ホルムアミドピリミジン−２−イル）−２−ｔ−ブトキ
シカルボニル−メトキシイミノアセトアミド〕−３−セ
フェム−４−酢酸（シン異性体、２．３ｇ）が得られた
。
ｍｐ ：１７０〜１７５°Ｃ（分Ｎ ）Ｉ Ｒ（
ヌ’）−ｉ−＃）：３２００，１７８０，１７００１１
６６０．１５７０ｃｍ−’ ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ、、８１１ｐｍ）：１．４０（９
Ｈ，ｓ）。
ヌ’）−ｉ−＃）：３２００，１７８０，１７００１１
６６０．１５７０ｃｍ−’ ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ、、８１１ｐｍ）：１．４０（９
Ｈ，ｓ）。
３．５４（２Ｈ，ｂｓ）、４．７０（２Ｈ，８）＋５．
１０（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝４Ｈｚ）、５．９０（ＬＨ，ｄｄ
。
１０（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝４Ｈｚ）、５．９０（ＬＨ，ｄｄ
。
Ｊ＝９Ｈｚ、４Ｈｚ）、６．４６（ＩＨ，ｂｓ）。
７．２０−９．２０（３Ｈ，ｍ）、９．５０（ＩＨ。
ｄ、Ｊ＝８Ｈｚ）。
実施例４
トリフルオロ酢酸（１０ｍＡ’）とアニソール（２ｄ）
の冷却された混液に、０℃下７−Ｃ２−（４−ホルムア
ミド−ピリミジン−２−イル）−２−ｔ−ブトキシカル
ボニルメトキシイミノアセトアミ）’）−３−セフェム
−４−酢酸（シン異性体、２．０ｇ）を加えた。混合液
を１０〜１５℃で１時間攪拌し、ジエチルエーテルで希
釈した。得られた沈殿物を炉別収集し、真空乾燥した。
の冷却された混液に、０℃下７−Ｃ２−（４−ホルムア
ミド−ピリミジン−２−イル）−２−ｔ−ブトキシカル
ボニルメトキシイミノアセトアミ）’）−３−セフェム
−４−酢酸（シン異性体、２．０ｇ）を加えた。混合液
を１０〜１５℃で１時間攪拌し、ジエチルエーテルで希
釈した。得られた沈殿物を炉別収集し、真空乾燥した。
粉末を濃塩酸（１，Ｏａ／）とメタノール（１０ｍ）の
混液に加え、室温で１時間攪拌した。反応混合物から溶
媒を留去し、水で希釈し更に炭酸水素ナトリウム水溶液
を加えてｐＨを７．５に調整した。６０〜７０℃で１．
５時間攪拌した後、混合液のｐＨを１まで酸性化し、非
イオン吸着樹脂［ＨＰ−２０Ｊのカラムに展開した。カ
ラムを水洗後、３０％メタノール水溶液で溶出した。溶
出液からメタノールを減圧留去し、凍結乾燥すると、７
−Ｃ２−（４−アミノピリミジン−２−イル）−２−カ
ルボキシメトキシイミノアセトアミド〕−３−セフェム
−４−酢酸（シン異性体、ｏ、３ｓｇ）が得られた。
混液に加え、室温で１時間攪拌した。反応混合物から溶
媒を留去し、水で希釈し更に炭酸水素ナトリウム水溶液
を加えてｐＨを７．５に調整した。６０〜７０℃で１．
５時間攪拌した後、混合液のｐＨを１まで酸性化し、非
イオン吸着樹脂［ＨＰ−２０Ｊのカラムに展開した。カ
ラムを水洗後、３０％メタノール水溶液で溶出した。溶
出液からメタノールを減圧留去し、凍結乾燥すると、７
−Ｃ２−（４−アミノピリミジン−２−イル）−２−カ
ルボキシメトキシイミノアセトアミド〕−３−セフェム
−４−酢酸（シン異性体、ｏ、３ｓｇ）が得られた。
ｍｐ ：２００〜２０５℃（分解）ＩＲ（ヌジョー
ル）： ３３００，３２５０，１７７０゜１６５０’＊
１５５０ ＊ １５４０ ｃｍ ’ＮＭＲ（ＤＭＳＯ
−ｄ、、８Ｐｆｌｌ）：３．５７（２Ｈ，ｂｓ）。
ル）： ３３００，３２５０，１７７０゜１６５０’＊
１５５０ ＊ １５４０ ｃｍ ’ＮＭＲ（ＤＭＳＯ
−ｄ、、８Ｐｆｌｌ）：３．５７（２Ｈ，ｂｓ）。
４．６３（２Ｈ，ｓ）、５．ｏ７（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝４Ｈ
ｚ）、５．８７（ＩＨ，ｄｄ、Ｊ−８Ｈｚ。
ｚ）、５．８７（ＩＨ，ｄｄ、Ｊ−８Ｈｚ。
４Ｈｚ）６．４０（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝７Ｈｚ）。
６．４３（ＩＨ，ｂｓ）、７．００（２Ｈ，ｓ）。
８．１０（ＬＨ，ｄ、Ｊ＝７Ｈｚ）、９．２７（ＩＨ，
ｄ、Ｊ＝８Ｈ２）。
ｄ、Ｊ＝８Ｈ２）。
手続補正書（自発）
昭和６０年 １月１６日
１、事件の表示
昭和５９年特許願第２１９０６７号
２、発明の名称
セファ０スポラン酸誘導体もしくはその薬理学的に許容
しうる塩 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 大阪市東区道修町４の３ （５２４）＃沢薬品工業株式会社 代表者藤澤友吉部 ４、代理人〒５３０ 大阪市北区堂島２丁目３番７号 シンコービル
しうる塩 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 大阪市東区道修町４の３ （５２４）＃沢薬品工業株式会社 代表者藤澤友吉部 ４、代理人〒５３０ 大阪市北区堂島２丁目３番７号 シンコービル
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｒ＾１はアミノまたは保護されたアミノ、Ｒ＾
２はカルボキシ低級アルキルまたは保護されたカルボキ
シ低級アルキル、Ｒ＾３はカルボキシまたは保護された
カルボキシ、Ｒ＾４は水素またはチアジアゾリルチオメ
チルをそれぞれ意味する〕で示されることを特徴とする
セファロスポラン酸誘導体もしくはその薬理学的に許容
しうる塩。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21906784A JPS61178990A (ja) | 1984-10-18 | 1984-10-18 | セフアロスポラン酸誘導体もしくはその薬理学的に許容しうる塩 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21906784A JPS61178990A (ja) | 1984-10-18 | 1984-10-18 | セフアロスポラン酸誘導体もしくはその薬理学的に許容しうる塩 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61178990A true JPS61178990A (ja) | 1986-08-11 |
Family
ID=16729748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21906784A Pending JPS61178990A (ja) | 1984-10-18 | 1984-10-18 | セフアロスポラン酸誘導体もしくはその薬理学的に許容しうる塩 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61178990A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5324434A (en) * | 1991-03-16 | 1994-06-28 | Nippondenso Co., Ltd. | Water purifying apparatus |
-
1984
- 1984-10-18 JP JP21906784A patent/JPS61178990A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5324434A (en) * | 1991-03-16 | 1994-06-28 | Nippondenso Co., Ltd. | Water purifying apparatus |
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