JPS6117494Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は外部から入力される数字または符号な
どの暗号コードによつて個人または団体を識別し
且つ入力信号を記憶しまた入力信号をカード内部
の半導体装置で処理してその内容を記憶し、また
は入力信号に応じた出力信号を発信するキヤツシ
ユカードなどの照合カードの改良に関する。

この種の照合カードにおいてはマイクロプロセ
ツサーや不揮発性メモリー等が応用され、そられ
に用いられる半導体チツプは多くの場合、MOS
型構造のものが用いられる。しかしMOS型横造
の半導体チツプは静電気によつて破壊されやすい
欠点があに、従つて、例えば照合カードを衣類に
対して摩擦する等の動作によつて、内部に在る半
導体装置が破壊し、使用し得ないものになる欠点
があつた。

本考案は照合カードに関する上記の問題点を解
決するものであつて、それ故本考案の目的は内部
に収められた半導体チツプが静電気破壊を起すこ
とがないようにした照合カードを提供することで
ある。

上記目的を達成するため、本考案による照合カ
ードの特徴は、半導体チツプの所定の電極端子か
らの各引出線はそれぞれ抵抗を備えると共に非直
線性の半導体素子を介してメタルケースに接続さ
れ、この照合カードの動作時は各引出線は単独回
路と同様に作用するが、静電気による過大な電圧
が負荷されるとそれをメタルケースに導通するこ
とである。

次に図面を参照のもとに本考案の実施例につい
て説明する。第１図と第２図は照合カードの一例
を示すものであつて、照合カードはプラスチツク
材料等で作られたカード基板１０と、カード基板
の適当な位置に形成された窓１１内に収められ且
つ銅板などの導通性材料からなるメタルケース１
２、メタルケース１２内に収められた一または複
数の半導体チツプおよびそれに関連した部材を含
む。図示の例では窓１１およびメタルケース１２
は長方形であるが、その形状は適当な形であつて
よいことは言うまでもない。また、メタルケース
１２としては全体が金属で構成されていることが
好ましいが、底板のみが金属であつて周囲の壁が
セラミツクまたは陶磁器などの非金属で作られた
ものも同じ役割を果し得るので、これらもここで
いうメタルケース１２に含まれる。

第３図は本考案の照合カードの一例を示すもの
であつて、この実施例ではメタルケース１２内に
二つの半導体チツプＳが含まれ、その一つはマイ
クロプロセツサとして用いられ、カード所有者の
正当性を確認し、トランザクシヨン処理に使われ
るデータとプログラムを偽造から保護する役割を
果し、他方はメモリーとして用いられる。図示の
照合カードでは、第２図に示すように照合カード
基板の表裏両面はカバーフイルム１３，１４で被
われている。そして第３図に見られるように、半
導体チツプの８つの電極端子からの引出線１５の
各々が外部からの信号入出力端子の接触を受ける
ようになつており、各引出線１５が在る位置にお
ける表面のカバーフイルム１３には前記端子が引
出線１５に接触するための孔１６が形成されてい
る。信号入出力端子は孔１６を貫通して引出線に
接触するようにしてもよいが、また周知のように
孔１６に引出線と一体の部分を埋設み、その部分
に前記端子を接触するようにしてもよい。

メタルケース１２の内部は仕切られて、適当な
位置に半導体チツプＳが配置され、且つ該チツプ
は電導ペーストによりメタルケースの底板上に固
定される。各引出線１５は例えば銅箔などの薄板
からなり、ポリイミドフイルムのような絶縁材料
を介してメタルケースの所定部分に取付けられ
る。

本考案による照合カードの特徴は、、第３図お
よび第４図に示すように、半導体チツプＳの所定
の電極端子からの各引出線１５はそれぞれ抵抗１
７を備え、且つ非直線性の半導体素子１８を介し
てメタルケース１２に接続されていることであ
る。この抵抗１７は電圧を下げて上記の素子１８
を保護するためのものであつて、好ましくは100
Ω〜10KΩの抵抗値を有する。なお、ここでいう
非直線性の半導体素子とは或る設定電圧までは僅
かな電流しか流れないが上記設定電圧を越えると
急激に電流が流れる性質を有する半導体素子のこ
とであつて、その素子１８としては、好ましくは
ツエナーダイオードが用いられる。通常、照合カ
ードの動作用電圧としては5Vの電圧が用いられ
るので、それより１〜2V程度高い電圧が設定電
圧として用いられるのが好ましい。

第４図においては本考案の特徴を明瞭に示すた
め、抵抗１７および半導体素子１８は各引出線１
５に個別的に付属するものとして示されている
が、通常は第３図および第５図に示すように、各
抵抗１７は抵抗アレー１９にまとめられ、且つ各
半導体素子１８も単一の複合素子２０に集められ
ている。なお、特定の引出線、例えば第４図の
GNDの位置の引出線１５ａには抵抗１７および
素子１８を設ける必要がなく、直接メタルケース
１２に接続されて常に接地されている。また、
Vcc、Vppのラインには抵抗は設ける必要がな
い。なお、図中、CLOCKは半導体装置の動作を
制御する信号、5Vは半導体装置の電源、24Vはメ
モリー内容の書き込みの電源、EXTRAは予備端
子である。

非直線性の半導体素子１８には、ツエナーダイ
オードをはじめ、ユニジヤンクシヨントランジス
タなどのトリガ素子、ダイアツク、等々があり、
第６図はそのような素子１８の若干のものの特性
を示したものであつて、図中、Ａはツエナーダイ
オード、Ｂはトリガ素子、Ｃはダイアツクであ
る。図示のように、いずれも設定電圧Voまでは
僅かな電流しか流れないが、それを越えると急激
に電流が流れる特性を有する。

照合カード１を動作するため該カードが所定位
置に置かれると、測定ヘツドが下降し且つそれと
共に信号入出力端子（図示せず）がカバーフイル
ムの孔１６の位置において対応の引出線１５に接
触し、各引出線１５に約10MA〜100mAの動作電
流が流れる。その負荷電圧は素子１８の設定電圧
より小さいので素子１８を介してメタルケース１
２に流れる電流は僅かであり、従つて各引出線１
５はそれぞれ単独回路として作用する。

それ故、この照合カードは適切に動作してその
役割を果すが、摩擦等によつて照合カードに静電
気が生じても、その電圧が素子１８の設定電圧を
越えるメタルケース１２に導通するので、静電気
をメタルケース全体で吸収するため、その影響を
強く受けることがなく、静電気によつて照合カー
ドに含まれる半導体チツプが破壊されることがな
い。また各半導体素子はそれぞれの抵抗によつて
急激な電圧の負荷が避けられ、破壊しないように
保護されている。

従つて、本考案はとくに静電気破壊を起し易い
MOS型構造の半導体チツプを含む照合カードに
適用すれば極めて有用性の高いものとなる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案が関連する照合カードの平面
図、第２図はその照合カードの側面図、第３図は
本考案の照合カードの一例の要部の平面図、第４
図はその配線を図式的に示した図、第５図は他の
配線例を示す図、そして第６図は本考案で用いら
れる非直線性の半導体素子の若干素子の若干例の
特性図である。 図中、１……照合カード、１２……メタルケー
ス、１５……引出線、１７……抵抗、１８……非
直線性の半導体素子、Ｓ……半導体チツプ。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 １ 暗号コードによつて個人または団体を識別し
   たり入力信号に応じた出力信号を発信する等の
   役割を果す照合カードであつて前記カードの適
   宜位置に在るメタルケース内に収められた半導
   体チツプを含む照合カードにおいて、前記半導
   体チツプの所定の電極端子からの各引出線は特
   定のものを除いては抵抗を備えると共にそれぞ
   れ非直線性の半導体素子を介して前記メタルケ
   ースに接続されていることを特徴とする照合カ
   ード。 ２ 実用新案登録請求の範囲第１項に記載の照合
   カードにおいて、前記非直線性の半導体素子は
   ツエナーダイオードである照合カード。