JPS61174678A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS61174678A JPS61174678A JP1618985A JP1618985A JPS61174678A JP S61174678 A JPS61174678 A JP S61174678A JP 1618985 A JP1618985 A JP 1618985A JP 1618985 A JP1618985 A JP 1618985A JP S61174678 A JPS61174678 A JP S61174678A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置、特にダイオードの形成方法に
関するものである。
関するものである。
従来、この棟の装置としては第２脂に示すものがあった
。この図において、１は基板、２は前記基板１上に形成
された絶縁膜、３は配轍用金属膜、４は前記基ＭＬ１に
拡散されたｐ型拡散領域、５は前記ｐ型拡散領域４に拡
散されたｎ型拡散領域、６はダイオード領域で、その大
きさも表し、７は接合領域、８は金属シリサイド層を示
す。
。この図において、１は基板、２は前記基板１上に形成
された絶縁膜、３は配轍用金属膜、４は前記基ＭＬ１に
拡散されたｐ型拡散領域、５は前記ｐ型拡散領域４に拡
散されたｎ型拡散領域、６はダイオード領域で、その大
きさも表し、７は接合領域、８は金属シリサイド層を示
す。
次に製造工程について説明する。まず、基板１＜ｐ型と
なるイオンを注入した後、熱処理を行いｐ型拡散領域４
を形成する。その後、ｐＩＪ１拡散領域Ｊ Ｋ ｎ型と
なるイオンを注入し、熱処理を行ってｎ型拡散領域５お
よびｐ屋拡散領域４とｎ型拡散領域５によるｐｎ接合に
よる接合領域７を形成する。その後、全面に絶縁膜２を
形成し、写真製版を行いコンタクト部分を開口する・さ
らに、全面に金属層を形成し熱処理を行い、コンタクト
部分に金属シリサイド層８を形成する。そして、シリサ
イド形成Ｋｌ！した金属を全Ｌｆｉ千ツチング除去し、
再び配線用金属膜３を形成し、写真製版、エツチングを
行って所望のダイオードを形成していた。
なるイオンを注入した後、熱処理を行いｐ型拡散領域４
を形成する。その後、ｐＩＪ１拡散領域Ｊ Ｋ ｎ型と
なるイオンを注入し、熱処理を行ってｎ型拡散領域５お
よびｐ屋拡散領域４とｎ型拡散領域５によるｐｎ接合に
よる接合領域７を形成する。その後、全面に絶縁膜２を
形成し、写真製版を行いコンタクト部分を開口する・さ
らに、全面に金属層を形成し熱処理を行い、コンタクト
部分に金属シリサイド層８を形成する。そして、シリサ
イド形成Ｋｌ！した金属を全Ｌｆｉ千ツチング除去し、
再び配線用金属膜３を形成し、写真製版、エツチングを
行って所望のダイオードを形成していた。
しかしながら、従来の方法では前述のように工程が複雑
であり、かつダイオード領域６も比較的大きくなり、集
積度向上の見地からも好ましくな〜・欠点があった。
であり、かつダイオード領域６も比較的大きくなり、集
積度向上の見地からも好ましくな〜・欠点があった。
この発明は、上記従来の欠点を除去し、簡易で、かつダ
イオード領域も非常に小さくできるダイオードの形成方
法を提供することを目的としている。
イオード領域も非常に小さくできるダイオードの形成方
法を提供することを目的としている。
この発明に係る半導体装置の製造方法は、互いに異なる
導′ｗＬ型のシリコン層を所要領域が重なるように形成
した後、熱処理を施して接合領域を形成したものである
。
導′ｗＬ型のシリコン層を所要領域が重なるように形成
した後、熱処理を施して接合領域を形成したものである
。
〔作用〕
この発明においては、互いに異なる導電型のシリコン層
により接合領域が形成されるので、ダイオード領域も小
さくなり、かつ製造工程が簡単になる。
により接合領域が形成されるので、ダイオード領域も小
さくなり、かつ製造工程が簡単になる。
＄１図はこの発明の一実施例を示す要部の断面図である
。この図において、１は基板、２は前記基板１上に形成
された絶縁膜、４１はシリコン層、例えばｐ型ポリシリ
コン層で、絶縁膜２上に形成される。５１はｎ型ポリシ
リコン層、８１はダイオード領域で、その大きさも表し
、７１はｐｎ接合による接合領域である。
。この図において、１は基板、２は前記基板１上に形成
された絶縁膜、４１はシリコン層、例えばｐ型ポリシリ
コン層で、絶縁膜２上に形成される。５１はｎ型ポリシ
リコン層、８１はダイオード領域で、その大きさも表し
、７１はｐｎ接合による接合領域である。
次に製造工程について説明する。まず、基ａ１上に絶縁
膜２を形成した後、ｐ型ポリシリコン層４１を形成し、
写真製版、エツチングを行い所要のパターンく形成した
後、ｎ型ポリシリコン層５１ｔｔｐ型ポリシリコン層４
１に所要領域が重なるように形成して写真製版およびエ
ツチングを行う。
膜２を形成した後、ｐ型ポリシリコン層４１を形成し、
写真製版、エツチングを行い所要のパターンく形成した
後、ｎ型ポリシリコン層５１ｔｔｐ型ポリシリコン層４
１に所要領域が重なるように形成して写真製版およびエ
ツチングを行う。
その後、熱処理を行い接合領域７１を形成し所望のダイ
オードを得る。
オードを得る。
なお、上記実施例では、シリコン層としてポリシリコン
層を用Ｎ・た場合について説明したが、アモルファスシ
リコン層を用いること・もできる。また、上記実施例で
は、ｐ型のシリコン層を形成後、ｎ型のシリコン層を形
成してダイオードを形成しているが、これは逆でもよく
、ｐ型のシリコン層とｎ型のシリコン層が上部表面で接
触していれば、形状はいかなるものでもよい。
層を用Ｎ・た場合について説明したが、アモルファスシ
リコン層を用いること・もできる。また、上記実施例で
は、ｐ型のシリコン層を形成後、ｎ型のシリコン層を形
成してダイオードを形成しているが、これは逆でもよく
、ｐ型のシリコン層とｎ型のシリコン層が上部表面で接
触していれば、形状はいかなるものでもよい。
この発明は以上説明したとおり、基収上に絶縁膜を形成
した後、この絶縁膜上に一導電星を有する所要パターン
のシリコン層を形成し、このシリコン層上に所要の領域
が重なるように前記シリコン層の導電型と異なる導電型
のシリコン層を形成し、その後、熱処理を行って接合領
域を形成するようＫしたので、単にｐ型、ｎ型のシリコ
ン層の形成により接合領域を作っているだけなので、接
合が簡単に作れ、ダイオード領域も従来のものより一段
と小さくなり、したがって、集積度向上の見地からも非
常に好ましいものが得られる利点がある。
した後、この絶縁膜上に一導電星を有する所要パターン
のシリコン層を形成し、このシリコン層上に所要の領域
が重なるように前記シリコン層の導電型と異なる導電型
のシリコン層を形成し、その後、熱処理を行って接合領
域を形成するようＫしたので、単にｐ型、ｎ型のシリコ
ン層の形成により接合領域を作っているだけなので、接
合が簡単に作れ、ダイオード領域も従来のものより一段
と小さくなり、したがって、集積度向上の見地からも非
常に好ましいものが得られる利点がある。
第１図はこの発明の一実施例を示す半導体装置の要部の
断面図、第２図は従来の方法により形成した半導体装置
の断面図である。 図において、１は基板、２は絶縁膜、４１はｐ溢ポリシ
リコン層、５１は１）ｍポリシリコン層、６１はダイオ
ード領域、７１は接合領域である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大巻増雄 （外２名） 第１図 ヒＩ−１ 第２図 手続補正書（自発） 矩０８１３ 昭和 月 日 １、事件の表示 特願昭６０−０１６１８９号２、
発明の名称 半導体装置の製造方法３、補正をする
者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号名
称 （６０１）三菱電機株式会社住 所 東
京都千代田区丸の内二丁目２番３号５、補正の対象 図面 ６、補正の内容 第２図を別紙のように補正する。 以 上 第２図
断面図、第２図は従来の方法により形成した半導体装置
の断面図である。 図において、１は基板、２は絶縁膜、４１はｐ溢ポリシ
リコン層、５１は１）ｍポリシリコン層、６１はダイオ
ード領域、７１は接合領域である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大巻増雄 （外２名） 第１図 ヒＩ−１ 第２図 手続補正書（自発） 矩０８１３ 昭和 月 日 １、事件の表示 特願昭６０−０１６１８９号２、
発明の名称 半導体装置の製造方法３、補正をする
者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号名
称 （６０１）三菱電機株式会社住 所 東
京都千代田区丸の内二丁目２番３号５、補正の対象 図面 ６、補正の内容 第２図を別紙のように補正する。 以 上 第２図
Claims (3)
- （１）基板上に絶縁膜を形成した後、前記絶縁膜上に一
導電型を有する所要パターンのシリコン層を形成し、次
いで前記シリコン層上に所要の領域が重なるように前記
シリコン層の導電型と異なる導電型のシリコン層を形成
し、その後熱処理を行うことにより接合領域を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - （２）シリコン層をポリシリコン層としたことを特徴と
する特許請求の範囲第（１）項記載の半導体装置の製造
方法。 - （３）シリコン層をアモルファスシリコン層としたこと
を特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1618985A JPS61174678A (ja) | 1985-01-28 | 1985-01-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1618985A JPS61174678A (ja) | 1985-01-28 | 1985-01-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61174678A true JPS61174678A (ja) | 1986-08-06 |
Family
ID=11909567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1618985A Pending JPS61174678A (ja) | 1985-01-28 | 1985-01-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61174678A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0276692A2 (en) * | 1987-01-30 | 1988-08-03 | Motorola Inc. | Integrated circuit structure with polycrystalline layers and contacts |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51118378A (en) * | 1975-04-10 | 1976-10-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor unit |
| JPS5456380A (en) * | 1977-10-14 | 1979-05-07 | Asahi Chemical Ind | Thin film ic |
-
1985
- 1985-01-28 JP JP1618985A patent/JPS61174678A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51118378A (en) * | 1975-04-10 | 1976-10-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor unit |
| JPS5456380A (en) * | 1977-10-14 | 1979-05-07 | Asahi Chemical Ind | Thin film ic |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0276692A2 (en) * | 1987-01-30 | 1988-08-03 | Motorola Inc. | Integrated circuit structure with polycrystalline layers and contacts |
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