JPS61173830A - 被加工物の搬送方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の目的 産業上の利用分野 本発明は、半導体ウェハ等の被加工物をレーザー・マー
カー等の加工装置に搬送する方法に関するものである。

従来の技術 半導体ウェハにレーザー・マーキング処理を行う装置は
、第１図に示すように、レーザー・マーカー１とその前
後に配置された自動搬入、＊出装置が備えられている。

前段の搬入装置は、レーザー・マーカー１に半導体ウェ
ハを搬送する主搬送路２と、この主搬送路２に沿って設
置され処理待ち半導体ウェハを貯蔵する４台の貯蔵装置
３ａ〜３ｄと、これら各貯蔵装置３ａ〜３ｄから主搬送
路２上に半導体ウェハを搬送する４個の副搬送路４ａ〜
４ｄを備えている。主搬送路２と副搬送路４ａ〜４ｄの
それぞれは、騒ルトコンベヤ等の適宜な搬送手段から構
成され、各搬送路の接続個所には、上昇・下降／回転運
動を行うテーブルやロボット・アーム等の適宜な被加工
物授受手段が。

必要に応じて設置される。

同様に、後段の搬出装置も、レーザー・マーカー１から
マーキング処理済みの半導体ウェハを搬送する主搬送路
５と、この主搬送路５に沿って設置され処理済み半導体
ウェハを貯蔵する４台の貯Ｒ装置６ａ〜６ｄと、これら
各貯蔵装置６８〜６ｄ内に主搬送路５上の処理済み半導
体ウェハを搬入する副搬送路７ａ〜７ｄを備えている。

上述の自動搬入装置では、貯蔵装置３ａと３ｂから主搬
送路２上の２１点に搬送された半導体ウェハ、あるいは
貯蔵装置３Ｃと３ｄから主搬送路２上の２２点に搬送さ
れた半導体ウェハを、直前の半導体ウェハの処理が終了
するたびに１回の間歇的な送りによりレーザー・マーカ
ー１の位置ＰＯまで運ぶという搬送方法を採用している
。

発明が解決しようとする問題点 上記従来の搬送方法では、直前の半導体ウェハの処理が
終了するのを待って１回の間歇的な送りにより主搬送路
の搬送を行うため、貯蔵装置数の増加に伴いレーザー・
マーカー１との平均距離が大きくなるにつれて平均主搬
送距離が長くなり。

その搬送時間が長唄いて処理速度の低下を招くという問
題がある。レーザー・マーカー後段の搬出路についても
同様である。

なお、主搬送路の搬送速度を高めることは、搬送系の機
械的安定性や制御機構の処理速度の面から限界がある。

発明の構成 問題点を解決するための手段 上記従来技術の問題点を解決する本発明の搬送方法は、
主搬送路が、各副搬送路から受け取った被加工物又は各
副搬送路に渡す被加工物を複数回にわたる間歇送りによ
って加工装置まで又は加工装置から搬送することにより
、主搬送に要する時間を短縮し加工装置全体の加工速度
を高めるように構成されている。

以下９本発明の作用を実施例によって詳細に説明する。

実施例 第１図の装置に本発明を適用する場合の一実施例を、第
２図によって説明する。

第２図は、貯蔵装置３ｄから副搬送路４ｄを経て主搬送
路２上に搬送された半導体ウェハをレーザー・マーカー
１まで搬送する場合の搬送方法を例示する要部平面図で
ある。

まず、最上段の（Ａ）に示すように、副搬送路４ｄから
主搬送路２上の位ｆＰ２に先頭のウェハＷ１を移す。次
に、　（Ｂ）に示すように、先頭のウェハＷ１を全搬送
行程の１／３だけ送つたのち。

後続のウェハＷ２を副搬送路４ｄから主搬送路２上に移
す。更に、　（Ｃ）に示すように、先行のウェハＷ１と
Ｗ２のそれぞれを全搬送行程の１／３だけ送ったのち、
後続のウェハＷ３を副搬送路４ｄから主搬送路２上に移
す。

引続き、　（Ｄ）に示すように、先行の全ウェハＷｌ、
Ｗ２及びＷ３を全搬送行程の１／３だけ送ったのち、後
続のウェハＷ４を副搬送路４ｄから主搬送路２上に移す
。このとき、先頭のウェハＷ１はレーザー・マーカー１
の位置ＰＯに達し９周知の受け渡し手段によってレーザ
ー・マーカー１内に収容され処理が開始される。更に、
　（Ｅ）に示すように、先行のウェハＷ２．Ｗ３及びＷ
４を全搬送行程の１／３だけ送ったのち、後続のウェハ
Ｗ５を主搬送路２上に移す。このとき、主搬送路２上の
先頭のウェハＷ２はレーザー・マーカー１の位置ＰＯに
達し、レーザー・マーカー１内に収容され処理が開始さ
れる。

以下、同様にして、ウェハの処理に要する時間間隔をお
いて、副搬送路４ｄから主搬送路２上に移されたウェハ
が全搬送行程の１／３の距離ずつ複数回に分けて間歇的
に搬送される。この結果。

ウェハＷ３．Ｗ４．Ｗ５・・・・が次々にレーザー・マ
ーカー１内に達してこれに収容され、直ちにレーザー・
マーキング処理が開始される。この場合、先行のウェハ
の処理が終了してから後続のウェハの処理が開始される
までの搬送時間は、全搬送距離を１回で送る従来例に比
べて１／３に短縮される。

上記搬送方法の変更は、搬送を制御する中央処理装置の
プログラムを変更することにより容易に実現できる。１
回の送り量は、半導体ウェハを搬出する貯蔵装置の変更
に伴って主搬送経路長さが変更されるたびにその整数分
の１に変更されてもよく、貯蔵装置の配置の調整により
共通の送り量が維持されてもよい。

第１図の装置において、ＰｌからＰＯまでの搬送時間を
無視し、また、４個の貯蔵装置３ａ〜３ｄからのウェハ
の搬出枚数はいずれも等しいものとする。さらに、Ｐ２
からＰＯまでの全搬送距離を第２図のように１／３に分
割して３行程で行うものとする。この場合、搬送時間が
短縮される貯蔵装置は３Ｃと３ｄの２個であって全貯蔵
装置の１／２を占めており、またこれらの短縮倍率は上
述のように１／３である。従って、従来方法によるＰ２
からＰＯまでの搬送時間をＴ（＝２ｓｅ）とすれば１本
実施例によるウェハ１枚当たりの平均搬送所要時間ｔ１
は。

ｔ　１＝　（１／３）（１／２）Ｔ ＝０．１７Ｔ ±０．３４　　ｓｅｃ となる。

従来の搬送方法によれば、ウェハ１枚当たりの平均搬送
時間ｔ２は。

ｔ　　２　＝０．５　　Ｔ＝１．０　　ｓｅｃとなる。

従って、ウェハ１００枚当たりの搬送短縮時間Δｔは。

Δｔ　＝　（１−０，３４）　Ｘ１００＝　６７　　ｓ
ｅｃ となる。

この概算値は、従来方法でウェハ１００枚当たり１２分
（７２０秒）の処理時間を要していたが本実施例の方法
によって６６０秒まで短縮されたという実験結果とほぼ
一致する。これは処理速度が約１０％向上したことを意
味する。

周知のように、半導体加工装置は２４時間連続稼働して
いるので、従来方法で１日当たり６０００枚のウェハを
処理していたとすれば１本発明の搬送方法により１日当
たりの処理枚数が約６００枚も増加することになる。

処理時間の短縮に伴い搬送時間の比重が高まるにつれて
５本発明による搬送時間短縮の効果が一層顕著になる。

以上、レーザー・マーカーの前段に設置される搬送装置
の場合を例示したが、レーザー・トリミング等地の適宜
な加工装置（狭義の「製造装置」も含む）の前段、ある
いは後段に設置される搬送装置においても本発明の搬送
方法を適用できる。

また、被加工物として半導体ウェハの場合を例示したが
、抵抗器やコンデンサ等の電子部品やプリント配線板等
地の適宜な被加工物に対しても本発明の搬送方法を適用
できる。

発明の効果 以上詳細に説明したように９本発明の搬送方法は、主搬
送路が、各副搬送路から受け取った又は各副搬送路に渡
す被加工物を複数回にわたる間歇送りによって加工装置
まで又は加工装置から搬送する構成であるから、主搬送
に要する時間を短縮して装置全体の処理速度を高めるこ
とができるという効果が奏される。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の搬送方法が適用されるレー
ザー・マーカー装置の構成゛を示すブロック図、第２図
は上記本発明の一実施例の動作を説明するための要部平
面図である。 ｌ・・レーザー・マーカー、２・・主搬送路。 ３ａ〜３ｄ・・半導体ウェハの貯蔵装置、４ａ〜４ｄ・
・副搬送路。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 加工装置に被加工物を搬入し又は加工装置から被加工物
   を搬出する主搬送路と、該主搬送路に沿って複数個設置
   された被加工物の貯蔵装置と、該貯蔵装置のそれぞれと
   前記主搬送路間で被加工物を搬送する副搬送路とを備え
   た被加工物の搬送装置において、 前記主搬送路は、前記各副搬送路から受け取った被加工
   物又は前記各副搬送路に渡す被加工物を複数回にわたる
   間歇送りによって前記加工装置まで又は前記加工装置か
   ら搬送することを特徴とする被加工物の搬送方法。