JPS61161736A - 半導体装置の多層配線の製造方法 - Google Patents
半導体装置の多層配線の製造方法Info
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- JPS61161736A JPS61161736A JP273785A JP273785A JPS61161736A JP S61161736 A JPS61161736 A JP S61161736A JP 273785 A JP273785 A JP 273785A JP 273785 A JP273785 A JP 273785A JP S61161736 A JPS61161736 A JP S61161736A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体装置における多層配線の製造方法に関す
る。
る。
（従来の技術）
従来から、バイポーラＩＪ ニヤＩＣＫおける多層配線
の半導体装置にお−ては、層間耐圧が信頼性上、電気的
特性上重要となって７ｈる。例えば、眉間耐圧が数百ボ
ルト以上必要とされるバイポーラリニヤＩＣＥお−て、
層間膜としてアルミナとプラズマ窒化膜を用−た多層配
線の製造方法があり、それを第４図から第７図を用−て
以下に説明する。
の半導体装置にお−ては、層間耐圧が信頼性上、電気的
特性上重要となって７ｈる。例えば、眉間耐圧が数百ボ
ルト以上必要とされるバイポーラリニヤＩＣＥお−て、
層間膜としてアルミナとプラズマ窒化膜を用−た多層配
線の製造方法があり、それを第４図から第７図を用−て
以下に説明する。
尚第７図社、第６図のＸ部の拡大図である。
まず、鵬４−に示すように、半導体基体表面上に絶縁膜
２０ｔ−設け、アルミニウム蒸着後、従来からの化成技
術を用−第１アルミニクム配繰３０てエツチング除去し
、開口部を形成する。
２０ｔ−設け、アルミニウム蒸着後、従来からの化成技
術を用−第１アルミニクム配繰３０てエツチング除去し
、開口部を形成する。
次に、第５図に示す、ように、第４図での基体全面にプ
ラズマ窒化膜などの絶縁膜５０を設ける。
ラズマ窒化膜などの絶縁膜５０を設ける。
この工程において、ホトレジス）ｔ−マスクにして等方
性プラズマエッチ後に異方性プラズマエッチを行い、プ
ラズマ窒化膜などの絶縁膜５０に開口部を設ける。
性プラズマエッチ後に異方性プラズマエッチを行い、プ
ラズマ窒化膜などの絶縁膜５０に開口部を設ける。
次に、第６図に示すように、第５図での基体全面に第２
アルミニウム蒸層を行い、ホトレジスト技術により所定
部分をエツチング除去し第２アルミニウム配線６０ｔ−
形成する。
アルミニウム蒸層を行い、ホトレジスト技術により所定
部分をエツチング除去し第２アルミニウム配線６０ｔ−
形成する。
第７図は第６図のＸ狽域を拡大したものである。
ここで、ａはアルミニウムを平面基板に蒸着したときの
厚さ、ｂはプラズマ窒化膜５ｏの開口部のエツチングに
よりできる段形状によシ第２アルミ＝１成る場合、アル
ミカバーレッジが最良であるの段切れが生じていると言
える。尚、ｈは異方性プラズマエッチのエツチングによ
るプラズマ窒化膜の厚さである。
厚さ、ｂはプラズマ窒化膜５ｏの開口部のエツチングに
よりできる段形状によシ第２アルミ＝１成る場合、アル
ミカバーレッジが最良であるの段切れが生じていると言
える。尚、ｈは異方性プラズマエッチのエツチングによ
るプラズマ窒化膜の厚さである。
（発明が解決しようとする問題点）
この従来法では、次なる二つの欠点がめった。
第１ｉＣ異方性プラズマエツチによる窒化膜厚さｈ近づ
き第２アルミニウム配線６０に断線など信頼性上重大な
欠陥を生じる。第２に第１アルミニウム配機上のアルミ
ナ−口辺端部と前方性プラズマエッチによるプラズマ窒
化膜５０の開口辺端部との距離を数μｍ以上拡げなけれ
ばならない。それが接近した場合にプラズマ窒化膜５０
の開口部で等方性プラズマエッチ時にアンダーエッチを
生じその開口部がオーバーハング形状になる。従って、
プラズマ窒化膜５０の開口部上の第２アルミニウム配線
６０が断線を生じるなど信頼性上重大な欠点となるとと
もにパターン寸法上不利になり微細加工の障害となる。
き第２アルミニウム配線６０に断線など信頼性上重大な
欠陥を生じる。第２に第１アルミニウム配機上のアルミ
ナ−口辺端部と前方性プラズマエッチによるプラズマ窒
化膜５０の開口辺端部との距離を数μｍ以上拡げなけれ
ばならない。それが接近した場合にプラズマ窒化膜５０
の開口部で等方性プラズマエッチ時にアンダーエッチを
生じその開口部がオーバーハング形状になる。従って、
プラズマ窒化膜５０の開口部上の第２アルミニウム配線
６０が断線を生じるなど信頼性上重大な欠点となるとと
もにパターン寸法上不利になり微細加工の障害となる。
本発明の目的は、多層配線の層間接続開口部が微細化に
おいても又厚い層間絶縁層を用いる場合においても、配
線の段切れを起こすことなく、高密度で高信頼性な半導
体装置の多層配線の製造方法を提供することにある。
おいても又厚い層間絶縁層を用いる場合においても、配
線の段切れを起こすことなく、高密度で高信頼性な半導
体装置の多層配線の製造方法を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
本発明の半導体装置の多層配線の製造方法は、半導体基
体表面上に稟１配Ｍを設ける工程と、該第１金属配ｍｔ
−設けてなる半導体基体上全面に絶縁層を形成する工程
と、前記第ｌ金属配線上の前記絶縁層に開口部を設ける
工程と、該開口部に前ＩｋＳ絶縁層の厚さよシ厚い第２
金属配線を形成する工程と、該第２金員配線上及び前記
絶縁層上に第３金属配線を設ける工程とを含んで構成さ
れる。
体表面上に稟１配Ｍを設ける工程と、該第１金属配ｍｔ
−設けてなる半導体基体上全面に絶縁層を形成する工程
と、前記第ｌ金属配線上の前記絶縁層に開口部を設ける
工程と、該開口部に前ＩｋＳ絶縁層の厚さよシ厚い第２
金属配線を形成する工程と、該第２金員配線上及び前記
絶縁層上に第３金属配線を設ける工程とを含んで構成さ
れる。
（実施例）
久に、本発明の一実施例について図面を用いて説明する
。
。
１ｇ１図乃至１ｊｇａ図は本発明の一実施例を説明する
ための工程順に示した断面図である。
ための工程順に示した断面図である。
まず、第１図に示すように、半導体基体１上に絶縁Ｊｌ
１２ｔ−形成し、第１配層として例えばアルミニウムを
全面蒸着しホトレジストをマスクにして第１アルミニウ
ム配！１３以外を従来技術を用いてアルミナにする。次
に、第１アルミニウム配線３上のアルミナ４ｔ−ホトレ
ジストを用ｖ１てエツチング除去し開口部を形成する。
１２ｔ−形成し、第１配層として例えばアルミニウムを
全面蒸着しホトレジストをマスクにして第１アルミニウ
ム配！１３以外を従来技術を用いてアルミナにする。次
に、第１アルミニウム配線３上のアルミナ４ｔ−ホトレ
ジストを用ｖ１てエツチング除去し開口部を形成する。
次に、プラズマ窒化膜などの絶縁膜５を設ける。久に、
ホトレジストをマスクにして異方性プラズマエッチによ
りプラズマ窒化膜５などの絶縁膜をエツチング除去し開
口部７を設ける。次に、基体全面に絶縁膜５よシ′ｆｔ
ｌ１Ａ縁膜５よりも厚くする理由は、開ロ部７０辺熾部
近傍で生じる第２アルミニウム配線６の最小膜厚を大き
くして信頼性を高くしたい為である。
ホトレジストをマスクにして異方性プラズマエッチによ
りプラズマ窒化膜５などの絶縁膜をエツチング除去し開
口部７を設ける。次に、基体全面に絶縁膜５よシ′ｆｔ
ｌ１Ａ縁膜５よりも厚くする理由は、開ロ部７０辺熾部
近傍で生じる第２アルミニウム配線６の最小膜厚を大き
くして信頼性を高くしたい為である。
次に開口部７と同じマスクを用いてレジスト膜８を残す
。
。
次に、第２図に示すように、レジスト膜８をマスクにし
てエツチングし、開口部７上に第２アルミニウム配線６
を残し、次にレジスト膜８を除去する。
てエツチングし、開口部７上に第２アルミニウム配線６
を残し、次にレジスト膜８を除去する。
次に、第３−に示すように、開口部７上に第２アルミニ
ウム配線６を残した後に第３アルミニウム配線９ｔ−通
常のホトレジスト技術を用いて形成する。
ウム配線６を残した後に第３アルミニウム配線９ｔ−通
常のホトレジスト技術を用いて形成する。
本発明によれば、従来の第１欠点である異方性エツチン
グ後、開口部の辺端部に生じる第２アルミニウム配＠６
０敢小膜厚が生じても、凸形状に第２アルミニウム配線
６を開口部７に残し、その後に第３アルミニウム配線９
を設ける為、開口部７近傍での第３アルミニウム配腓に
段切れを生じることがない。また、従来の第２欠点であ
る第１アルミニウム配線４上のアルミナ開４０瑞部とプ
ラズマ窒化膜５の開口端部７との距離２広げる必要が無
く微細加工の障薔にならない。なぜなら、異方性プラズ
マエッチによれはプラズマ窒化膜の開口部７にアンダー
エッチが生じないからである。
グ後、開口部の辺端部に生じる第２アルミニウム配＠６
０敢小膜厚が生じても、凸形状に第２アルミニウム配線
６を開口部７に残し、その後に第３アルミニウム配線９
を設ける為、開口部７近傍での第３アルミニウム配腓に
段切れを生じることがない。また、従来の第２欠点であ
る第１アルミニウム配線４上のアルミナ開４０瑞部とプ
ラズマ窒化膜５の開口端部７との距離２広げる必要が無
く微細加工の障薔にならない。なぜなら、異方性プラズ
マエッチによれはプラズマ窒化膜の開口部７にアンダー
エッチが生じないからである。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば、多層配線の層間
接続開口部が微細化でき、かつ厚い絶縁層を用いる場合
に２いても、配線の段切れを起こすことなく、高密度で
高信頼性の半導体装置の多層配線の製造方法を得ること
ができる。
接続開口部が微細化でき、かつ厚い絶縁層を用いる場合
に２いても、配線の段切れを起こすことなく、高密度で
高信頼性の半導体装置の多層配線の製造方法を得ること
ができる。
第１図乃至第３図は本発明の一実施例を説明するための
工Ｓ順に示した断面図、第４図乃至第６図は従来の半導
体装置の製造方法の一例を説明するための工程順に示し
た断面図、第７図は第６図のＸ部拡大図である。 １．１０・・・・・・半導体基板、２，２０・・・・・
・絶縁膜、３．３０・・・・・・第１アルミニウム配線
、４．４０・・・・・・アルミナ、５．５０・・・・・
・プラズマ窒化膜、６゜６０・・・・・・纂２アルミニ
ウム配線、７・・・・・・プラズマ窒化膜開口部、８・
・・・・・レジスト膜、９・・・・・・第３アルミニウ
ム配線。 ８４区
工Ｓ順に示した断面図、第４図乃至第６図は従来の半導
体装置の製造方法の一例を説明するための工程順に示し
た断面図、第７図は第６図のＸ部拡大図である。 １．１０・・・・・・半導体基板、２，２０・・・・・
・絶縁膜、３．３０・・・・・・第１アルミニウム配線
、４．４０・・・・・・アルミナ、５．５０・・・・・
・プラズマ窒化膜、６゜６０・・・・・・纂２アルミニ
ウム配線、７・・・・・・プラズマ窒化膜開口部、８・
・・・・・レジスト膜、９・・・・・・第３アルミニウ
ム配線。 ８４区
Claims (1)
- 半導体基体表面上に第１金属配線を設ける工程と、該
第１金属配線を設けてなる半導体基体上全面に絶縁層を
形成する工程と、前記第１金属配線上の前記絶縁層に開
口部を設ける工程と、該開口部に前記絶縁層の厚さより
厚い第２金属配線を形成する工程と該第２金属配線上及
び前記絶縁層上に第３金属配線を設ける工程とを含むこ
とを特徴とする半導体装置の多層配線の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP273785A JPS61161736A (ja) | 1985-01-11 | 1985-01-11 | 半導体装置の多層配線の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP273785A JPS61161736A (ja) | 1985-01-11 | 1985-01-11 | 半導体装置の多層配線の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61161736A true JPS61161736A (ja) | 1986-07-22 |
Family
ID=11537645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP273785A Pending JPS61161736A (ja) | 1985-01-11 | 1985-01-11 | 半導体装置の多層配線の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61161736A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003065864A (ja) * | 2001-08-29 | 2003-03-05 | Teikoku Piston Ring Co Ltd | 摩擦力測定装置 |
-
1985
- 1985-01-11 JP JP273785A patent/JPS61161736A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003065864A (ja) * | 2001-08-29 | 2003-03-05 | Teikoku Piston Ring Co Ltd | 摩擦力測定装置 |
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